JPH0299956A - パターン形成用コントラストエンハンスト材料 - Google Patents
パターン形成用コントラストエンハンスト材料Info
- Publication number
- JPH0299956A JPH0299956A JP25240388A JP25240388A JPH0299956A JP H0299956 A JPH0299956 A JP H0299956A JP 25240388 A JP25240388 A JP 25240388A JP 25240388 A JP25240388 A JP 25240388A JP H0299956 A JPH0299956 A JP H0299956A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contrast
- pattern formation
- contrast enhancement
- pattern
- excimer laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title claims abstract description 15
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 6
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- YRCVEMYVKSXPLM-UHFFFAOYSA-N 5-diazonio-2,2-dimethyl-6-oxo-1,3-dioxin-4-olate Chemical compound CC1(C)OC([O-])=C([N+]#N)C(=O)O1 YRCVEMYVKSXPLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 3
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 3
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 2
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 2
- 238000004061 bleaching Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- -1 poly(styrene maleate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この材料は、エネルギー線特に遠紫外線やエキシマレー
ザ光に対する初期透過率が吐く、エネルギー線特に遠紫
外線やエキシマレーザ光に対して漂白作用を付加させ完
全に漂白した後の透過率が高くなる〔横軸露光エネルギ
ー囚、縦軸透過率（７）とした特性式、Ｙ＝Ａｘ十Ｂと
した場合Ａが大で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、レジ
スト上に塗布した後にこの材料薄膜を介してレジストを
露光することによって、従来の露光方法に比べ、解像上
の向上を可能とする微細パターン形成材料に関するもの
である。
ザ光に対する初期透過率が吐く、エネルギー線特に遠紫
外線やエキシマレーザ光に対して漂白作用を付加させ完
全に漂白した後の透過率が高くなる〔横軸露光エネルギ
ー囚、縦軸透過率（７）とした特性式、Ｙ＝Ａｘ十Ｂと
した場合Ａが大で、Ｂが小なる傾向〕性質を有し、レジ
スト上に塗布した後にこの材料薄膜を介してレジストを
露光することによって、従来の露光方法に比べ、解像上
の向上を可能とする微細パターン形成材料に関するもの
である。
従来の技術
１９８３年、米国ＧＥ社のＢ 、 Ｆ 、Ｇｒｉｆｆｉ
ｎｇらはパターン形成用のレジスト上に光強度プロファ
イルのコントラストを促進させるコントラスト・エンハ
ンスト層を積層することにより、解像度およびパターン
形状の改善を図る方法を発表した（コントラスト エン
ハンスト フォトリソグラフ イ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｐｈｏｔｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）
。
ｎｇらはパターン形成用のレジスト上に光強度プロファ
イルのコントラストを促進させるコントラスト・エンハ
ンスト層を積層することにより、解像度およびパターン
形状の改善を図る方法を発表した（コントラスト エン
ハンスト フォトリソグラフ イ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ
Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｐｈｏｔｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）
。
Ｂ、Ｒ，グリフイン他アイイーイーイー−ＥＤ 。
ＥＤＬ−４巻（Ｂ、Ｆ 、Ｇｒｉｆｆｔｎｇｅｔａｌ、
ＩＥＥＥ−ＥＤ。
ＩＥＥＥ−ＥＤ。
３１＼−７
ＶＯＬ、ＥＤＬ−４）、 ／ＦＬ１ 、Ｊａｎ、１９８
３）。
３）。
この発表によると通常の縮小投影法（λ：４３６ｎｍ
、 Ｎ 、 Ａ ： ０．３２ ）で０．４ μｍ ！
ｉでの解像が可能と報告されている。
、 Ｎ 、 Ａ ： ０．３２ ）で０．４ μｍ ！
ｉでの解像が可能と報告されている。
発明者らの研究の結果、コントラストをエンハンストす
るだめのパターン形成有機膜の特性は次のように説明で
きる。
るだめのパターン形成有機膜の特性は次のように説明で
きる。
一般に縮小投影法における出力の光強度プロファイルは
、その光学レンズ系により加工される。
、その光学レンズ系により加工される。
説明するとレチクルを通し紫外線の露光を行なった場合
、回折のない理想的な入力光強度プロファイルは完全な
矩形波といえ、そのコントラス）Ｃは次式 ％式％ で示される。その時、コントラストＣは１００％となる
。その入力波形は光学レンズを通過することで、その光
学レンズ系の伝達関数によって、フーリエ変換した後、
出力波形として余弦波の形状に近くなシコントラストＣ
も劣化する。このコントラストの劣化はパターン形状例
えば解像度及びパターン形状に大きく影響する。ちなみ
にレジストパターン解像に要するコントラストは、レジ
スト自身の特性より６０％以上とされ、コントラストＣ
値が６０％以下となるとパターン形成が不可能となる。
、回折のない理想的な入力光強度プロファイルは完全な
矩形波といえ、そのコントラス）Ｃは次式 ％式％ で示される。その時、コントラストＣは１００％となる
。その入力波形は光学レンズを通過することで、その光
学レンズ系の伝達関数によって、フーリエ変換した後、
出力波形として余弦波の形状に近くなシコントラストＣ
も劣化する。このコントラストの劣化はパターン形状例
えば解像度及びパターン形状に大きく影響する。ちなみ
にレジストパターン解像に要するコントラストは、レジ
スト自身の特性より６０％以上とされ、コントラストＣ
値が６０％以下となるとパターン形成が不可能となる。
そこで、パターン形成有機膜の特性曲線、つまシ露光時
間（露光エネルギー）の小なる領域では紫外線に対する
透過率が小さく（Ｉ、。の増加が少ない）、露光エネル
ギーの大なる領域では紫外線に対する透過率が大きい（
工ｍａｘの増加が多い）傾向の膜に、前述の出力波形を
通過させることによりコントラストＣ値が増大する傾向
が発見される。これをさらに定量的に説明するため、米
国ＩＢＭ社のＦ 、 Ｈ、Ｄｉｌｌ らの報告（キャラ
クタライゼーション オプ ポジティブフオトレジス）
（Ｃｈａｘａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏｔｅｓｉａｔ）。
間（露光エネルギー）の小なる領域では紫外線に対する
透過率が小さく（Ｉ、。の増加が少ない）、露光エネル
ギーの大なる領域では紫外線に対する透過率が大きい（
工ｍａｘの増加が多い）傾向の膜に、前述の出力波形を
通過させることによりコントラストＣ値が増大する傾向
が発見される。これをさらに定量的に説明するため、米
国ＩＢＭ社のＦ 、 Ｈ、Ｄｉｌｌ らの報告（キャラ
クタライゼーション オプ ポジティブフオトレジス）
（Ｃｈａｘａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏｔｅｓｉａｔ）。
Ｆ、Ｈ，ディル他アイイーイーイー−ＥＤ 、 ＥＤ−
２２巻（Ｆ 、 Ｈ、Ｄｉ ｌ １ ｅｔａｌ、 ＩＥ
ＥＥ−ＥＤ。
２２巻（Ｆ 、 Ｈ、Ｄｉ ｌ １ ｅｔａｌ、 ＩＥ
ＥＥ−ＥＤ。
ＶＯＬ、ＥＤ−２２）、ＡＴ、Ｊｕｌ、１９７５）の中
で５１・−７ ポジレジストの露光吸収項Ａにあられされるパラメータ
を使用する。
で５１・−７ ポジレジストの露光吸収項Ａにあられされるパラメータ
を使用する。
一般的にＡは
で示され、コントラストエンハンストはＡ値が大なる傾
向が望ましい。Ａを大なる傾向にするにはｄ（膜厚）を
薄く、Ｔ （０） （初期透過率）、Ｔ（美）（最終透
過率）の比が大になることが必要である。
向が望ましい。Ａを大なる傾向にするにはｄ（膜厚）を
薄く、Ｔ （０） （初期透過率）、Ｔ（美）（最終透
過率）の比が大になることが必要である。
発明が解決しようとする課題
しかし、従来のコントラスト・エンハンスト材料は４３
６ ｎｍや３６５ ｎｍや４０５ｎｍの紫外線に適した
材料であり、ＤＵＶ光や２４９ ｎｍ（ＫｒＦ）のエキ
シマ・レーザ光を用いた露光の際には、これらの波長に
全く吸収感度を示さないことカラ、全くコントラスト・
エンハンスト作用を示さない。第２図に通常のコントラ
スト・エンハンスト膜（０，３５μｍ）の紫外分光曲線
を示す（ＤＵＶ領域に吸収がないことがわかる）。
６ ｎｍや３６５ ｎｍや４０５ｎｍの紫外線に適した
材料であり、ＤＵＶ光や２４９ ｎｍ（ＫｒＦ）のエキ
シマ・レーザ光を用いた露光の際には、これらの波長に
全く吸収感度を示さないことカラ、全くコントラスト・
エンハンスト作用を示さない。第２図に通常のコントラ
スト・エンハンスト膜（０，３５μｍ）の紫外分光曲線
を示す（ＤＵＶ領域に吸収がないことがわかる）。
第３図に、従来のコントラストエンハンスト材６ 、
。
。
料をエキシマ・レーザ光やＤＵＶ光による露光を用いた
パターン形成方法について説明する。基板１上にレジス
ト、２を回転塗布する〔第３図（ａ）〕。
パターン形成方法について説明する。基板１上にレジス
ト、２を回転塗布する〔第３図（ａ）〕。
次にレジスト上に水溶性コントラスト・エンハンスドレ
イヤー６を回転塗布する〔第３図中）〕。そして、縮小
投影法によりマヌク７を介して選択的にエキシマ・レー
ザ光４で露光する〔第３図（Ｃ）〕。
イヤー６を回転塗布する〔第３図中）〕。そして、縮小
投影法によりマヌク７を介して選択的にエキシマ・レー
ザ光４で露光する〔第３図（Ｃ）〕。
このとき、レジスト２の一部も選択露光される。
そして最後に通常の現像処理を施し水溶性コントラスト
エンハンスドレイヤーを除去すると同時にレジスト２の
パターン形成を行なう〔第３図（ｄ））。
エンハンスドレイヤーを除去すると同時にレジスト２の
パターン形成を行なう〔第３図（ｄ））。
しかし、先に記したように、従来のコントラスト・エン
ハンスト材料は、ＤＵＶ領域の光をほとんど透過させる
ために、この材料を用いた場合にも全くコントラスト・
エンハンスト作用を示すス、レジストパターン２ｂは通
常の場合の露光したパターンと相違はない。
ハンスト材料は、ＤＵＶ領域の光をほとんど透過させる
ために、この材料を用いた場合にも全くコントラスト・
エンハンスト作用を示すス、レジストパターン２ｂは通
常の場合の露光したパターンと相違はない。
従って、本発明は遠紫外線特に２４９ｎｍエキシマｖ−
ザ光に大してコントラスト・エンハンスｌ果ｔ−示すパ
ターン形成用コントラスト・エン７ ′・ ハンスト材料を提供することを目的とする。
ザ光に大してコントラスト・エンハンスｌ果ｔ−示すパ
ターン形成用コントラスト・エン７ ′・ ハンスト材料を提供することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は、従来のＫｒＦエキシマレーザリソグラフィで
のパターン不良を解決するだめに、スチレン樹脂と５−
ジアゾメルドラム酸より成ることを特徴トスるパターン
形成用コントラストエンハンスト材料を提供するもので
ある。
のパターン不良を解決するだめに、スチレン樹脂と５−
ジアゾメルドラム酸より成ることを特徴トスるパターン
形成用コントラストエンハンスト材料を提供するもので
ある。
作 用
本発明に係るスチレン樹脂は、はぼＫｒＦエキシマレー
ザ光の波長２４ ａ ｎｍ付近における透過率が高く、
又、５−ジアゾメルドラム酸は２４８ｎｍにおいて光退
色性が大きい。このことから、この両者を用いて２４８
ｎｍにおけるコントラストエンハンスト材料とするこ
とができた。この材料を用いることによりパターンの形
状は向上することができた。
ザ光の波長２４ ａ ｎｍ付近における透過率が高く、
又、５−ジアゾメルドラム酸は２４８ｎｍにおいて光退
色性が大きい。このことから、この両者を用いて２４８
ｎｍにおけるコントラストエンハンスト材料とするこ
とができた。この材料を用いることによりパターンの形
状は向上することができた。
なお、コントラストエンハンスト材料としての性能を確
保するだめには、材料中の感光体の割合が大きいほど良
いが、本発明者らの研究の結果、６−ジアゾメルドラム
酸とスチレン樹脂の重量比は１：９から８＝２の範囲が
望ましいことがわかった。８：２以上では、５−ジアゾ
メルドラム酸が再析出してきて、コントラストエンハン
スト材料中に残り、不良となる可能性があった。
保するだめには、材料中の感光体の割合が大きいほど良
いが、本発明者らの研究の結果、６−ジアゾメルドラム
酸とスチレン樹脂の重量比は１：９から８＝２の範囲が
望ましいことがわかった。８：２以上では、５−ジアゾ
メルドラム酸が再析出してきて、コントラストエンハン
スト材料中に残り、不良となる可能性があった。
スチレン樹脂としては、ポリ（スチレン・マレイン酸）
、ポリ（スチレン・マレイン酸エステル）。
、ポリ（スチレン・マレイン酸エステル）。
ポリ（スチレン・マレイン酸ハーフエステル）ノいずれ
か、又は、これらの混合であることが挙げられるが、こ
れらに限定されない。
か、又は、これらの混合であることが挙げられるが、こ
れらに限定されない。
実施例
以下の組成から成るパターン形成用コントラストエンハ
ンスト材料を調整した このように調整されたパターン形成コントラスト・エン
ハンスト材料はこれを膜としてパターン形成有機膜とし
たとき、厚さ０．１２μｍで２４９９ ・＼− ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光での露光前後で２４９ｎ
ｍにおける透過率の差が非常に大きくなり、コントラス
ト・エンハンストの程度を示す係数Ａは１８．５を示し
た。
ンスト材料を調整した このように調整されたパターン形成コントラスト・エン
ハンスト材料はこれを膜としてパターン形成有機膜とし
たとき、厚さ０．１２μｍで２４９９ ・＼− ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光での露光前後で２４９ｎ
ｍにおける透過率の差が非常に大きくなり、コントラス
ト・エンハンストの程度を示す係数Ａは１８．５を示し
た。
この本発明のパターン形成コントラスト・エンハンスト
材料を用いてレジストパターン形成を行なったりソゲラ
フイエ程を第１図に示す。
材料を用いてレジストパターン形成を行なったりソゲラ
フイエ程を第１図に示す。
半導体等の基板１上にレジスト２を１．６μｍ厚に回転
塗布する〔第１図（ａ）〕。次にポジレジスト２上に水
溶性有機膜５、例えばプルランとポリビニルピロリドン
の混合溶液を塗布形成する。このトキプルフンとポリビ
ニルピロリドンの混合重量比は４：１であシ、このとき
の膜厚はパターン形成に影響のないように０．１〜０．
３μｍ程度とした。
塗布する〔第１図（ａ）〕。次にポジレジスト２上に水
溶性有機膜５、例えばプルランとポリビニルピロリドン
の混合溶液を塗布形成する。このトキプルフンとポリビ
ニルピロリドンの混合重量比は４：１であシ、このとき
の膜厚はパターン形成に影響のないように０．１〜０．
３μｍ程度とした。
なお、この中間層である水溶性有機膜６は下層レジスト
と上層パターン形成有機膜が混合しないように設けてい
るもので特に必要なものではない〔第１図（ｂ）〕。次
に、本発明のパターン形成コントラスト・エンハンスト
材料の層３を厚さ約ｏ、１２μｍで回転塗布形成した。
と上層パターン形成有機膜が混合しないように設けてい
るもので特に必要なものではない〔第１図（ｂ）〕。次
に、本発明のパターン形成コントラスト・エンハンスト
材料の層３を厚さ約ｏ、１２μｍで回転塗布形成した。
なお、ここで下層レジストと中間層水溶性有機膜、水溶
性有機膜と上層パターン形成有機膜は全く密着性良く積
層できた。
性有機膜と上層パターン形成有機膜は全く密着性良く積
層できた。
そして、縮小投影露光法（５：１縮小、ＮＡ−ｏ、３ｏ
）によシ選択的に２４９ ｎｍ ＫｒＦエキシマレーザ
光４を露光する〔第１図（Ｃ） ）、そして通常のアル
カリ現像液によってコントラスト・エンハンストの層で
ある本発明のパターン形成コントラスト・エンハンスト
３および中間層である水溶性有機膜６を同時に除去する
と同時に下地レジスト２を現像してレジストパターン２
ａを形成した〔第１図（ｄ）〕。
）によシ選択的に２４９ ｎｍ ＫｒＦエキシマレーザ
光４を露光する〔第１図（Ｃ） ）、そして通常のアル
カリ現像液によってコントラスト・エンハンストの層で
ある本発明のパターン形成コントラスト・エンハンスト
３および中間層である水溶性有機膜６を同時に除去する
と同時に下地レジスト２を現像してレジストパターン２
ａを形成した〔第１図（ｄ）〕。
このときレジストパターン２ａはコントラストの向上し
たＯ−３μｍのラインアンドスペースヲ解像できた。な
お、ここで従来のパターン形成材料を用いた場合には、
２４９ ｎｍ光に対して感度を示さないために全くコン
トラスト・エンハンスト効果を示すことができず、従っ
てレジストパターンのコントラスト向上も見られなかっ
た。
たＯ−３μｍのラインアンドスペースヲ解像できた。な
お、ここで従来のパターン形成材料を用いた場合には、
２４９ ｎｍ光に対して感度を示さないために全くコン
トラスト・エンハンスト効果を示すことができず、従っ
てレジストパターンのコントラスト向上も見られなかっ
た。
なお、本発明に係る中間層としては、本実施例の他に、
プルラン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコー
ル、ポリスチレンスルポン酸ナト１１ へ−／ が挙げられる。
プルラン、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコー
ル、ポリスチレンスルポン酸ナト１１ へ−／ が挙げられる。
又、本発明の樹脂として以下のものを用いても同様の良
好な結果が得られる。
好な結果が得られる。
（１１１９ｍ１〜ｍ３．ｎ１〜ｎ３は任意）このような
共重合以外により多くの共重合体であっても良い。又、
本発明はこれらに限定されることはない。
共重合以外により多くの共重合体であっても良い。又、
本発明はこれらに限定されることはない。
発明の効果
本発明によれば、特にＤＵＶ光やエキシマレザ光による
露光・現像に際してのレジストパターン形成が高コント
ラスト、高解像度で行なうことができ、結果として半導
体装置の微細化１歩留まり向上につながり、工業的価値
が高い。
露光・現像に際してのレジストパターン形成が高コント
ラスト、高解像度で行なうことができ、結果として半導
体装置の微細化１歩留まり向上につながり、工業的価値
が高い。
第１図は本発明の一実施例のパターン形成コントラスト
・エンハンスト材料を用いたパターン形成方法の工程を
示す断面図、第２図は従来の材料のＤＵＶ領域での紫外
分光曲線図、第３図は従来のパターン形成工程を示す断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ポジレジスト材料
、２ａ・・・・・・レジストパターン、３・・・・・・
本発明のパターン形成コントラスト・エンハンス）材料
、４・・・・・・エキシマレーザ光、５・・・・・・水
溶性有機膜、７・・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名！
＠−Ｌ訃 メｏ−１り コ籐 訃 ｆｆ”ヰ 工 工 Ｌ））Ｋ ぐっ
・エンハンスト材料を用いたパターン形成方法の工程を
示す断面図、第２図は従来の材料のＤＵＶ領域での紫外
分光曲線図、第３図は従来のパターン形成工程を示す断
面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ポジレジスト材料
、２ａ・・・・・・レジストパターン、３・・・・・・
本発明のパターン形成コントラスト・エンハンス）材料
、４・・・・・・エキシマレーザ光、５・・・・・・水
溶性有機膜、７・・・・・・マスク。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名！
＠−Ｌ訃 メｏ−１り コ籐 訃 ｆｆ”ヰ 工 工 Ｌ））Ｋ ぐっ
Claims (3)
- （１）スチレン樹脂と５−ジアゾメルドラム酸より成る
ことを特徴とするパターン形成用コントラストエンハン
スト材料。 - （２）スチレン樹脂がポリ（スチレン・マレイン酸）ポ
リ（スチレン・マレイン酸エステル）、ポリ（スチレン
・マレイン酸ハーフエステル）のいずれか、又は、これ
らの混合であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載のパターン形成用コントラストエンハンスト材料
。 - （３）５−ジアゾメルドラム酸とスチレン樹脂の重量比
が１：９から８：２までの範囲であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成用コントラ
ストエンハンスト材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25240388A JPH0299956A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | パターン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25240388A JPH0299956A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | パターン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0299956A true JPH0299956A (ja) | 1990-04-11 |
Family
ID=17236853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25240388A Pending JPH0299956A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | パターン形成用コントラストエンハンスト材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0299956A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101462A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料 |
| JPH08248634A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-09-27 | Morton Thiokol Inc | 新規ポリマーおよびそれを含む光画像形成性組成物 |
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP25240388A patent/JPH0299956A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101462A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成材料 |
| JPH08248634A (ja) * | 1995-02-10 | 1996-09-27 | Morton Thiokol Inc | 新規ポリマーおよびそれを含む光画像形成性組成物 |
| US8080364B2 (en) | 2003-05-09 | 2011-12-20 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3440122B2 (ja) | 反射防止膜およびこれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| TWI333129B (en) | Top anti-reflective coating composition and method for pattern formation of semiconductor device using the same | |
| JPH0619572B2 (ja) | コントラスト増強用の光脱色性層 | |
| US5401613A (en) | Method of manufacturing microelectronic devices having multifunctional photolithographic layers | |
| US7022452B2 (en) | Contrast enhanced photolithography | |
| JPH10186632A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
| JPH0299956A (ja) | パターン形成用コントラストエンハンスト材料 | |
| JPH04204653A (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法 | |
| JP2553545B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS5979248A (ja) | 感光性組成物 | |
| JPS6161154A (ja) | 微細ネガレジストパターン形成方法 | |
| US4654296A (en) | Process for making lithographic film using photopolymer diffusion modulation layer for pigmented bottom layer | |
| JPH01106049A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0659119A (ja) | カラーフィルターの作成方法 | |
| JPS63109435A (ja) | パタ−ン形成用コントラストエンハンスト材料 | |
| JPH04261540A (ja) | フォトレジストおよびレジストパターンの形成方法 | |
| JPS62133444A (ja) | パタ−ン形成有機材料 | |
| JP3091886B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| Rothschild et al. | 193-nm Lithography | |
| JPS62226148A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH01133044A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2653072B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH01241543A (ja) | ネガ型感光性組成物及びパタン形成方法 | |
| JPH02118654A (ja) | パターン形成用コントラストエンハンスト材料 | |
| JPS63253933A (ja) | パタ−ン形成用コントラスト・エンハンスト材料 |