JPS60153124A - 塗膜形成方法 - Google Patents
塗膜形成方法Info
- Publication number
- JPS60153124A JPS60153124A JP875784A JP875784A JPS60153124A JP S60153124 A JPS60153124 A JP S60153124A JP 875784 A JP875784 A JP 875784A JP 875784 A JP875784 A JP 875784A JP S60153124 A JPS60153124 A JP S60153124A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- film
- substrate
- coating
- radical
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は任意の基板上へ有機薄膜を塗布形成する際の方
法に関するものでざる。
法に関するものでざる。
さらに詳しくは、集積回路素子等（以下、ＩＣという）
を製造する場合に用いられている感光性樹脂（以下、光
、熱、電子線、Ｘ線、陽イオン等によシ重合する有機物
質を含めてレジストという）の塗膜形成方法に関するも
のである。
を製造する場合に用いられている感光性樹脂（以下、光
、熱、電子線、Ｘ線、陽イオン等によシ重合する有機物
質を含めてレジストという）の塗膜形成方法に関するも
のである。
従来例の構成とその問題点
従来より、ＩＣ製造時のレジストの塗布はスピナーを用
いた回転塗布法が用いられてきたが、近年ＶＬＳＩ製造
用として微細加工の必要からより薄く、しかもピンホー
ルのない塗膜の形成が要望されている。ところが、一般
に回転塗布法を用いてホトレジストを塗布する場合、薄
く塗布するためには、スピナーをより高速で回転させる
か、レジストの粘度を低くする必要がある。
いた回転塗布法が用いられてきたが、近年ＶＬＳＩ製造
用として微細加工の必要からより薄く、しかもピンホー
ルのない塗膜の形成が要望されている。ところが、一般
に回転塗布法を用いてホトレジストを塗布する場合、薄
く塗布するためには、スピナーをより高速で回転させる
か、レジストの粘度を低くする必要がある。
ところが、基板とレジストの濡れ性が悪かったり基板上
に段差あるいはゴミ等の異物が付着していると、上述の
方法で薄膜を形成した場合類イ１１むらやピンホールが
発生しやすくなる欠点があった。
に段差あるいはゴミ等の異物が付着していると、上述の
方法で薄膜を形成した場合類イ１１むらやピンホールが
発生しやすくなる欠点があった。
一方、レジストの塗膜と基板の密着性を向上させる方法
として、シランカップリング剤等をコートする方法も採
用されているが、非常に薄く塗る必要があるため塗布む
らが生じやすかった。
として、シランカップリング剤等をコートする方法も採
用されているが、非常に薄く塗る必要があるため塗布む
らが生じやすかった。
さらにまた、ピンホールのない薄膜形成方法として、ラ
ングミュア−プロジェット法（以下ＬＢ法）を用いた非
常に薄いホトレジスト膜の形成方法も開発されつつある
が、この方法では１層のコート厚さが２０〜３０人程度
であるため、通常のプラズマエツチングに耐えるために
は１００層程変形成する必要があり量産性に問題があっ
た。
ングミュア−プロジェット法（以下ＬＢ法）を用いた非
常に薄いホトレジスト膜の形成方法も開発されつつある
が、この方法では１層のコート厚さが２０〜３０人程度
であるため、通常のプラズマエツチングに耐えるために
は１００層程変形成する必要があり量産性に問題があっ
た。
発明の目的
本発明は、任意の基板上へ有機薄膜を形成する際、基板
との密着性が良く塗布むらやピンホールの発生が非常に
少ない塗膜形成方法を提供するものである。さらに詳し
くは、ＩＣ製造工程において、レジストの濡れ性を良く
し、段差や異物の付着があった場合にでも、ピンホール
の発生を抑制できる塗膜の形成方法を提供するものであ
る。また、基板とレジストの密着性を改良するものであ
る。
との密着性が良く塗布むらやピンホールの発生が非常に
少ない塗膜形成方法を提供するものである。さらに詳し
くは、ＩＣ製造工程において、レジストの濡れ性を良く
し、段差や異物の付着があった場合にでも、ピンホール
の発生を抑制できる塗膜の形成方法を提供するものであ
る。また、基板とレジストの密着性を改良するものであ
る。
発明の構成
以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明は。
あらかじめ基板上に少くとも１層以上のＬＢ法による有
機幕膜（以下ＬＢ膜という′）を形成し、このＬＢ膜を
介してレジストを塗布することを特徴とする。
機幕膜（以下ＬＢ膜という′）を形成し、このＬＢ膜を
介してレジストを塗布することを特徴とする。
実施例の説明
例えば、第１図のように、任意の凹凸のある半導体等の
基板１上に、ＬＢ法によりＬＢ膜２を形成する。このと
きＬＢ膜は２〜３層あれば十分であるが、最上層は常に
塗布すべきレジストと濡れ性の良い面を出ししおく必要
がある。すなわち、塗布すべきレジストとして有機溶剤
で薄めたものを塗布する場合には、第２図に示すように
疎水基３が表面に出るように、−力水溶性レシストを塗
布する場合には、親水基４が表面に出るようにＬＢ膜を
形成しておく。たとえば、基板１の表面が８１０２等の
場合には、ＬＢ膜２は１層目が親水基４がＳ ｚ０２面
に接触するように形成し、レジストとして有機溶剤で薄
めたもの（例えばＩＳＲ等）を塗布する場合には、表面
が疎水基３となるよう１層、３層、６層等奇数層形成し
ておけば良い。
基板１上に、ＬＢ法によりＬＢ膜２を形成する。このと
きＬＢ膜は２〜３層あれば十分であるが、最上層は常に
塗布すべきレジストと濡れ性の良い面を出ししおく必要
がある。すなわち、塗布すべきレジストとして有機溶剤
で薄めたものを塗布する場合には、第２図に示すように
疎水基３が表面に出るように、−力水溶性レシストを塗
布する場合には、親水基４が表面に出るようにＬＢ膜を
形成しておく。たとえば、基板１の表面が８１０２等の
場合には、ＬＢ膜２は１層目が親水基４がＳ ｚ０２面
に接触するように形成し、レジストとして有機溶剤で薄
めたもの（例えばＩＳＲ等）を塗布する場合には、表面
が疎水基３となるよう１層、３層、６層等奇数層形成し
ておけば良い。
捷だ、このとき、レジストの有機溶剤でコート時にＬＢ
膜が溶てしまうような場合には、ＬＢ膜に用いるモノマ
ーとして、Ｗ−トリコセン酸やシア士チレン誘導体のよ
うな分子内部に重合性基を有する物質を用い、レジスト
膜コート前に光、熱。
膜が溶てしまうような場合には、ＬＢ膜に用いるモノマ
ーとして、Ｗ−トリコセン酸やシア士チレン誘導体のよ
うな分子内部に重合性基を有する物質を用い、レジスト
膜コート前に光、熱。
電子線、Ｘ線、陽イオン等により全面ＬＢ膜を重合させ
ておけば、溶けるのを防止できる。さらにＢＦ３．ベン
ゾイルパーオキサイド等の触媒を加えて熱重合を行うこ
ともできる。
ておけば、溶けるのを防止できる。さらにＢＦ３．ベン
ゾイルパーオキサイド等の触媒を加えて熱重合を行うこ
ともできる。
なおＬＢ膜は、原理的に単分子膜の積層であるため全領
域にわたり厚みは均一になる。次に、第３図に示すよう
にスピナー等を用いて全面にレジスト６を塗布し、所定
のパターンに露光、現像を行った後、レジスト６の開口
部のＬＢ膜を酸素プラズマ等で除去してやれば、通常と
同じレジスト・（クーンを形成できる。
域にわたり厚みは均一になる。次に、第３図に示すよう
にスピナー等を用いて全面にレジスト６を塗布し、所定
のパターンに露光、現像を行った後、レジスト６の開口
部のＬＢ膜を酸素プラズマ等で除去してやれば、通常と
同じレジスト・（クーンを形成できる。
なお、このとき、ＬＢ膜２は通常１００人程度（３層の
場合）で良いので、レジストパターンが酸素プラズマで
無くなることはない。
場合）で良いので、レジストパターンが酸素プラズマで
無くなることはない。
また、上記実施例は、ＩＣ製造におけるホトリン工程に
用いた場合について述べたが１本発明の技術は、任意の
基板上へ有機薄膜をコートするような場合ならどのよう
な場合にでも利用できることは明らかであろう。
用いた場合について述べたが１本発明の技術は、任意の
基板上へ有機薄膜をコートするような場合ならどのよう
な場合にでも利用できることは明らかであろう。
発明の効果
本発明を用いることにより、レジストと基板との濡れ性
を均一に良くすることができるのでレジストの塗膜を薄
くしても塗布むらが少なく塗膜ピンホールを大幅に減少
できる。また、有機溶剤系のレジストでも、ＬＢ膜を介
して塗布されるため、基板が親水性であっても密着性は
非常に良い。従って、ＶＬＳｌｊ造において、微細ノシ
ターンの形成が容易となり、ピンホールの発生も少いた
め歩留が向上するので産業上の効果大なるものである。
を均一に良くすることができるのでレジストの塗膜を薄
くしても塗布むらが少なく塗膜ピンホールを大幅に減少
できる。また、有機溶剤系のレジストでも、ＬＢ膜を介
して塗布されるため、基板が親水性であっても密着性は
非常に良い。従って、ＶＬＳｌｊ造において、微細ノシ
ターンの形成が容易となり、ピンホールの発生も少いた
め歩留が向上するので産業上の効果大なるものである。
第１図は本発明の一実施例における塗膜形成方法のＬＢ
膜形成後の断面図、第２図は第１図のＡ部の拡大断面図
で、ＬＢ親水基４と炭素鎖等の疎水基３の並び方を示す
図、第３図は前記ＬＢ脱膜上へジストを塗布形成し、所
定の露光により現像パターン形成した後、０゜プラズマ
により開口部のＬＢ膜を除去した断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＬＢ膜、５・・・
・・・ホトレジスト。
膜形成後の断面図、第２図は第１図のＡ部の拡大断面図
で、ＬＢ親水基４と炭素鎖等の疎水基３の並び方を示す
図、第３図は前記ＬＢ脱膜上へジストを塗布形成し、所
定の露光により現像パターン形成した後、０゜プラズマ
により開口部のＬＢ膜を除去した断面図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＬＢ膜、５・・・
・・・ホトレジスト。
Claims (3)
- （１）任意の基板上ヘラングミュアフ゛ロジェット膜・
を介して有機物質を塗布することを特徴とする塗膜形
成方法。 - （２）有機物質がレジストであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の塗膜形成方法。 - （３）ジングミュアブロジェット膜として、熱、光力法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP875784A JPS60153124A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 塗膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP875784A JPS60153124A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 塗膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153124A true JPS60153124A (ja) | 1985-08-12 |
| JPH0241894B2 JPH0241894B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=11701796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP875784A Granted JPS60153124A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 塗膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153124A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6339664A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-20 | Ricoh Co Ltd | 半導性ないし導電性薄膜の製造方法 |
| JPS63185476A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面の酸化防止方法 |
| JPH01275613A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
| JPH0319244A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP875784A patent/JPS60153124A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6339664A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-20 | Ricoh Co Ltd | 半導性ないし導電性薄膜の製造方法 |
| JPS63185476A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面の酸化防止方法 |
| JPH01275613A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
| JPH0319244A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0241894B2 (ja) | 1990-09-19 |
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