JPH01275613A - ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 - Google Patents
ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法Info
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- JPH01275613A JPH01275613A JP10630988A JP10630988A JPH01275613A JP H01275613 A JPH01275613 A JP H01275613A JP 10630988 A JP10630988 A JP 10630988A JP 10630988 A JP10630988 A JP 10630988A JP H01275613 A JPH01275613 A JP H01275613A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気材料に関するものである。更に詳しくは
、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合を
有する何機物質に関するものである。
、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合を
有する何機物質に関するものである。
従来の技術
アセチレン誘導体のポリマーは、パイ電子共役系を持つ
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
また、ポリアセチレンの製造方法としては、チグラーナ
ッタ触媒を用いた白州らの重合方法がよく知られている
。
ッタ触媒を用いた白州らの重合方法がよく知られている
。
一方、疎水性基と親水性基を持つ両親媒性のアセチレン
誘導体を用いれば、水面上で単分子膜を形成でき、さら
にラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法により累積膜
を形成することが出来ることがよく知られている。
誘導体を用いれば、水面上で単分子膜を形成でき、さら
にラングミュア・ブロジェット（ＬＢ）法により累積膜
を形成することが出来ることがよく知られている。
ＬＢ法は、近年分子そのものに機能を持たせた分子デバ
イス開発において、構築手段の一つとして有望視されて
いる方法である。 ＬＢ法によれば、数十オングスト
ロームオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を作成でき
、さらにその累積膜も容易に得ることが出来る。
イス開発において、構築手段の一つとして有望視されて
いる方法である。 ＬＢ法によれば、数十オングスト
ロームオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を作成でき
、さらにその累積膜も容易に得ることが出来る。
発明が解決しようとした課題
ところが、現在知られているポリアセチレン誘導体は、
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定であるため、安定化させる研究が進め
られている。
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定であるため、安定化させる研究が進め
られている。
しかしながら、未だにアセチレン誘導体ポリマを安定化
する方法は見いだされていない。
する方法は見いだされていない。
課題を解決するための手段
本発明では、有機溶媒に溶解させたアセチレン基を含む
物質を水面上に展開し前記何機溶媒を蒸発させた後、水
面上に残った前記アセチレン基を含む物質の分子を水面
上で水面方向にバリヤでかき集め、所定の表面圧を加え
ながら基板を上下させてアセチレン誘導体の単分子膜を
基板上に累積（この累積法をラングミニア−・ブロジェ
ット（ＬＢ）法と言い、この方法により累積された単分
子膜をＬＢ膜という）した後、ハロゲン化金属触媒を含
む有機溶媒中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し
前記単分子膜のアセチレン基の部分を重合させると、超
高分子量で共役系が非常に長くしかも酸素を含む雰囲気
中でも安定なポリアセチレン型超長共役ポリマーが形成
されることを発見した。即ち、一定の配向性を保った状
態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体の分子を重合す
ることにより、共役系が連続した直鎖状で超高分子量（
超長共役ポリマー）のポリマーを作れることを見いだし
た。
物質を水面上に展開し前記何機溶媒を蒸発させた後、水
面上に残った前記アセチレン基を含む物質の分子を水面
上で水面方向にバリヤでかき集め、所定の表面圧を加え
ながら基板を上下させてアセチレン誘導体の単分子膜を
基板上に累積（この累積法をラングミニア−・ブロジェ
ット（ＬＢ）法と言い、この方法により累積された単分
子膜をＬＢ膜という）した後、ハロゲン化金属触媒を含
む有機溶媒中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し
前記単分子膜のアセチレン基の部分を重合させると、超
高分子量で共役系が非常に長くしかも酸素を含む雰囲気
中でも安定なポリアセチレン型超長共役ポリマーが形成
されることを発見した。即ち、一定の配向性を保った状
態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体の分子を重合す
ることにより、共役系が連続した直鎖状で超高分子量（
超長共役ポリマー）のポリマーを作れることを見いだし
た。
さらにまた、前記ＬＢ膜の累積時に面方向に直流バイア
スを印加しておくと、より共役系の長い超長共役ポリマ
ーが作れることを見いだした。
スを印加しておくと、より共役系の長い超長共役ポリマ
ーが作れることを見いだした。
作用
即ち、ある一定の表面圧の基で所定の基板上に累積した
アセチレン誘導体のＬＢ膜を金属触媒を用いて重合する
ことにより、重合時の分子配向性を保った状態で、共役
系が連続した直鎖状の超高分子量のポリアセチレンを作
ることができる。
アセチレン誘導体のＬＢ膜を金属触媒を用いて重合する
ことにより、重合時の分子配向性を保った状態で、共役
系が連続した直鎖状の超高分子量のポリアセチレンを作
ることができる。
また、アセチレン誘導体分子を水面上で面方向にバリヤ
でかき集める際、面方向に直流バイアスを印加しておく
と、更にモノマー分子の累積時の配向性がよくなり、よ
り共役系が長いポリアセチレン型超長共役ポリマーを作
ることが可能となる。
でかき集める際、面方向に直流バイアスを印加しておく
と、更にモノマー分子の累積時の配向性がよくなり、よ
り共役系が長いポリアセチレン型超長共役ポリマーを作
ることが可能となる。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例
使用したサンプルは、数々あるが、アセチレン誘導体の
一種であるオメガトリコシノイック酸（ＴＣＡ： ｃ
Ｈ＝ｃ−（ＣＨ２） ｎ−Ｃ００Ｈ１ここでｎは２０で
あるが１４から２３の誘導体でも良好な結果が得られた
）の場合を用いて説明する。
一種であるオメガトリコシノイック酸（ＴＣＡ： ｃ
Ｈ＝ｃ−（ＣＨ２） ｎ−Ｃ００Ｈ１ここでｎは２０で
あるが１４から２３の誘導体でも良好な結果が得られた
）の場合を用いて説明する。
ＬＢ膜の累積には、ジョイスレーベル社のトラフＩＶ
（Ｊｏｌｃｅ−Ｌｏｅｂｌ Ｔｒｏｕｇｈ ＩＶ）
を用い、５００ｎｍ以下の光をカットしたイエロー光照
明のクラス１００のクリーンルーム内で行った。このと
きクリーンルーム内は、室温２３±１℃、湿度４０±５
％に調節されている。ＬＢ膜の累積に使用した基板は、
直径３インチの酸化膜を形成したＳｉ基板である。重合
反応に使用したハロゲン化金属触媒はＭ ｏ Ｃｌ ５
１ またはＷＣｌ５、またはＮｂＣ’ｌｓ、またはＴ
ａ Ｃ１ｇ、またはＭｏ（ＣＯ）ｓ、またはＷ（Ｃｏ
）ｅ、＊ タハＮ ｂ （ＣＯ） ｓ、マタはＴａ（Ｃ
ｏ）ｓ等が利用できた。また、有機溶媒はトルエン、ジ
オキサン、アニソール等が利用できる。
（Ｊｏｌｃｅ−Ｌｏｅｂｌ Ｔｒｏｕｇｈ ＩＶ）
を用い、５００ｎｍ以下の光をカットしたイエロー光照
明のクラス１００のクリーンルーム内で行った。このと
きクリーンルーム内は、室温２３±１℃、湿度４０±５
％に調節されている。ＬＢ膜の累積に使用した基板は、
直径３インチの酸化膜を形成したＳｉ基板である。重合
反応に使用したハロゲン化金属触媒はＭ ｏ Ｃｌ ５
１ またはＷＣｌ５、またはＮｂＣ’ｌｓ、またはＴ
ａ Ｃ１ｇ、またはＭｏ（ＣＯ）ｓ、またはＷ（Ｃｏ
）ｅ、＊ タハＮ ｂ （ＣＯ） ｓ、マタはＴａ（Ｃ
ｏ）ｓ等が利用できた。また、有機溶媒はトルエン、ジ
オキサン、アニソール等が利用できる。
例えば、Ｓｉ基板１上にオメガトリコシノイック酸（Ｔ
ＣＡ）ＬＢ膜をＣａＣ１ａ等の無機塩素を含む水相上で
累積すると第１図（ａ）に示すような分子配列状態の単
分子膜２が得られる。さらに金属触媒としてＭｏＣｌ５
を溶かしたトルエン中にオメガトリコシノイック酸ＬＢ
膜が１層累積された基板を浸漬し３０〜７０℃程度に溶
媒を昇温すると第１図（ｂ）に示すような反応、即ちＴ
ｒａｎｓ−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦ
ＴＩＲ分析により明かとなった。なお、触媒としてはＷ
Ｃｌ ｓやＮ ｂ Ｃ１ｇ、Ｔ ａ ＣＩｇを用いて
も分子量は異なるが同様の重合膜が得られた。さらにま
た、触媒としてＭｏ（Ｇｏ）ｓあるいはＷ（ＧＯ）６を
ＣＣ１４溶媒に溶かした溶液に基板を浸漬し紫外線を照
射しても分子量は異なるが赤褐色の重合膜が得られた。
ＣＡ）ＬＢ膜をＣａＣ１ａ等の無機塩素を含む水相上で
累積すると第１図（ａ）に示すような分子配列状態の単
分子膜２が得られる。さらに金属触媒としてＭｏＣｌ５
を溶かしたトルエン中にオメガトリコシノイック酸ＬＢ
膜が１層累積された基板を浸漬し３０〜７０℃程度に溶
媒を昇温すると第１図（ｂ）に示すような反応、即ちＴ
ｒａｎｓ−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦ
ＴＩＲ分析により明かとなった。なお、触媒としてはＷ
Ｃｌ ｓやＮ ｂ Ｃ１ｇ、Ｔ ａ ＣＩｇを用いて
も分子量は異なるが同様の重合膜が得られた。さらにま
た、触媒としてＭｏ（Ｇｏ）ｓあるいはＷ（ＧＯ）６を
ＣＣ１４溶媒に溶かした溶液に基板を浸漬し紫外線を照
射しても分子量は異なるが赤褐色の重合膜が得られた。
さらにＳｉ基板上に１−（トリメチルシリル）−ω−ト
リコシノイック酸（ＴＭＳ−ＴＣＡ： Ｓｉ Ｍ ｅ
ｓ −Ｃ＝ Ｃ−（ＣＨａ ） ｎ −Ｃ００Ｈｚ
ここでｎは２０であるが１４から２３の誘導体でも良
好な結果が得られた）ＬＢ膜を１層累積した基板を（第
２図（ａ））、金属触媒としてＷＣｌａと共触媒として
Ｂｕ４Ｓｎ （１： １）を溶かしたトルエン中に浸
漬し３０〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（ｂ）
に示すような反応、即ち一８ｉＭｅ３基を含んだＴｒａ
ｎｓ−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩ
Ｒ分析により明かとなった。
リコシノイック酸（ＴＭＳ−ＴＣＡ： Ｓｉ Ｍ ｅ
ｓ −Ｃ＝ Ｃ−（ＣＨａ ） ｎ −Ｃ００Ｈｚ
ここでｎは２０であるが１４から２３の誘導体でも良
好な結果が得られた）ＬＢ膜を１層累積した基板を（第
２図（ａ））、金属触媒としてＷＣｌａと共触媒として
Ｂｕ４Ｓｎ （１： １）を溶かしたトルエン中に浸
漬し３０〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（ｂ）
に示すような反応、即ち一８ｉＭｅ３基を含んだＴｒａ
ｎｓ−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩ
Ｒ分析により明かとなった。
またＳｉ基板上にオメガトリコシノイック酸ＬＢ膜を１
層累積した基板を（第３図（ａ））、金属触媒としてＭ
ｏＣｌ５を溶かした含酸素有機溶媒であるアニソール中
に浸漬し３０〜７０″Ｃ程度に溶媒を昇温すると第３図
（ｂ）に示すような反応、即ちＣ１５−ポリアセチレン
４が製造されたことがＦＴＩＲ分析により明かとなった
。
層累積した基板を（第３図（ａ））、金属触媒としてＭ
ｏＣｌ５を溶かした含酸素有機溶媒であるアニソール中
に浸漬し３０〜７０″Ｃ程度に溶媒を昇温すると第３図
（ｂ）に示すような反応、即ちＣ１５−ポリアセチレン
４が製造されたことがＦＴＩＲ分析により明かとなった
。
さらにまたＳｉ基板上にＴＭＳ−ＴＣＡ−ＬＢ膜を１層
累積した基板を（第４図（ａ）Ｌ 金属触媒としてＭ
ｏＣｌ５と共触媒としてＩ）ｈ３Ｂｉ（１： １）を溶
かした含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０
〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第４図（ｂ）に示すよ
うな反応、即ち一８１Ｍ ｅ ３基を含んだＣ１５−ポ
リアセチレン４が製造されたことがＦＴＩＲ分析により
明かとなった。
累積した基板を（第４図（ａ）Ｌ 金属触媒としてＭ
ｏＣｌ５と共触媒としてＩ）ｈ３Ｂｉ（１： １）を溶
かした含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０
〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第４図（ｂ）に示すよ
うな反応、即ち一８１Ｍ ｅ ３基を含んだＣ１５−ポ
リアセチレン４が製造されたことがＦＴＩＲ分析により
明かとなった。
一方、上述の方法で累積されたＬＢ膜はアルコール溶媒
には不溶性であるることか確認された。
には不溶性であるることか確認された。
以上の結果より、本発明の重合方法を用いればＣｉｓ型
あるいはＴｒａｎｓ型ポリアセチレンを容易に製造でき
ることが確認された。
あるいはＴｒａｎｓ型ポリアセチレンを容易に製造でき
ることが確認された。
なお、この様にして製造されたポリアセチレンは、従来
チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリアセチレ
ン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や圧力あ
るいは紫外線などにたいして著しく安定であった。
チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリアセチレ
ン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や圧力あ
るいは紫外線などにたいして著しく安定であった。
また、アセチレン誘導体分子を水面上で面方向にバリヤ
でかき集めたり、累積を行う際、面方向に数十ボルトの
直流バイアスを印加しておくと更にモノマ分子の配向性
がよくなり、より共役系が長いポリアセチレン型超長共
役ポリマーを作ることも可能なことが確認された。
でかき集めたり、累積を行う際、面方向に数十ボルトの
直流バイアスを印加しておくと更にモノマ分子の配向性
がよくなり、より共役系が長いポリアセチレン型超長共
役ポリマーを作ることも可能なことが確認された。
以上の、実施例では、ω−トリコシノイック酸やＴＭＳ
−ＴＣＡについてのみ示したが、分子内にアセチレン（
Ｃ≡Ｃ）基を含みＬＢ膜形成が可能なものであれば、累
積条件は異なっても同様の方法が利用出来ることは明ら
かであろう。例えば、ジアセチレン基１０を１個もつベ
ンタコサジイノイック酸（Ｈ−Ｃ≡Ｃ−ｃ＝＝ｃ−（Ｃ
Ｈａ） ２ｍ−Ｃ００Ｈ：第５図（ａ））を用いた場合
にも、ＬＢ膜形成後（第５図（Ｃ））、金属触媒を用い
て重合すると、単分子膜状のＴｒａｎｓポリアセチレン
結合３を有するポリアセチレン型超長共役ポリマー（第
５図（ｄ））が得られる。更に、ポリアセチレンより得
られたポリアセチレン型超長共役ポリマーに電子線（Ｘ
線やガンマ線等の放射線でもよい）を照射して重合する
とポリアセン型結合５を有するポリアセン型超長共役ポ
リマー（第５図（ｅ））が得られる。
−ＴＣＡについてのみ示したが、分子内にアセチレン（
Ｃ≡Ｃ）基を含みＬＢ膜形成が可能なものであれば、累
積条件は異なっても同様の方法が利用出来ることは明ら
かであろう。例えば、ジアセチレン基１０を１個もつベ
ンタコサジイノイック酸（Ｈ−Ｃ≡Ｃ−ｃ＝＝ｃ−（Ｃ
Ｈａ） ２ｍ−Ｃ００Ｈ：第５図（ａ））を用いた場合
にも、ＬＢ膜形成後（第５図（Ｃ））、金属触媒を用い
て重合すると、単分子膜状のＴｒａｎｓポリアセチレン
結合３を有するポリアセチレン型超長共役ポリマー（第
５図（ｄ））が得られる。更に、ポリアセチレンより得
られたポリアセチレン型超長共役ポリマーに電子線（Ｘ
線やガンマ線等の放射線でもよい）を照射して重合する
とポリアセン型結合５を有するポリアセン型超長共役ポ
リマー（第５図（ｅ））が得られる。
また、実施例では１層ＬＢ膜を累積した後に重合する方
法を示したが、ＬＢ膜を多層累積した後重合反応を行っ
ても良いし、あるいは累積−重合反応の工程を交互に行
っても多分子層のポリアセチレン型超長共役ポリマー膜
を作ることも可能なことが確認された。
法を示したが、ＬＢ膜を多層累積した後重合反応を行っ
ても良いし、あるいは累積−重合反応の工程を交互に行
っても多分子層のポリアセチレン型超長共役ポリマー膜
を作ることも可能なことが確認された。
発明の効果
本発明の方法を用いることにより、導電性や非線形光学
効果の非常に優れ安定なポリアセチレン型超長共役ポリ
マーを高能率に製造できる。なお、この方法によると、
理論的には共役系が連続して数ｍｍ或は数ｃｍ以上の長
さを持つ直鎖状の超高分子量のポリアセチレン型超長共
役ポリマーの製造も可能であるため、非線形光学効果を
利用したデバイスの製作には極めてを効である。また、
今後さらに原料となるアセチレンやジアセチレン誘導体
モノマの種類や製造条件を適正化することにより、共役
系が連続して数十ｃｍ或は数ｍ以上の長さを持つ直鎖状
で超高分子量の安定なポリアセチレンあるいはポリアセ
ン型超長共役ポリマーの製造も可能になると思われるた
め、この方法で冷却を必要としない有機超電導物質の製
造が可能となるかもしれない。
効果の非常に優れ安定なポリアセチレン型超長共役ポリ
マーを高能率に製造できる。なお、この方法によると、
理論的には共役系が連続して数ｍｍ或は数ｃｍ以上の長
さを持つ直鎖状の超高分子量のポリアセチレン型超長共
役ポリマーの製造も可能であるため、非線形光学効果を
利用したデバイスの製作には極めてを効である。また、
今後さらに原料となるアセチレンやジアセチレン誘導体
モノマの種類や製造条件を適正化することにより、共役
系が連続して数十ｃｍ或は数ｍ以上の長さを持つ直鎖状
で超高分子量の安定なポリアセチレンあるいはポリアセ
ン型超長共役ポリマーの製造も可能になると思われるた
め、この方法で冷却を必要としない有機超電導物質の製
造が可能となるかもしれない。
第１図（ａ）はＴＣＡφＬＢ膜を１層累積した基板の分
子オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）は重合後の
Ｔｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オ
ーダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）は１−（トリメ
チルシリル）−１−トリコサン酸・ＬＢ膜を１層累積し
た基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第２図（ｂ）
は重合後のＴｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基
板の分子オーダーの拡大断面概念図、第３図（ａ）はＴ
ＣＡ−ＬＢａを１層累積した基板の分子オーダーの拡大
断面概念図、第３図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポリアセ
チレンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念
図、第４図（ａ）は１−（トリメチルシリル）−１−ト
リコサン酸・ＬＢ膜を１層累積した基板の分子オーダー
の拡大断面概念図、第４図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポ
リアセチレンの形成された基板の分子オーダーの拡大断
面概念図、第５図（ａ）〜（ｅ）は分子オーダーでのポ
リアセン型超長共役ポリマー作成における工程概念図で
ある。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・単分子累積膜（ＬＢ膜）、
３・・・Ｔｒａｎｓ−ポリアセチレン結合、４・・・Ｃ
１５−ポリアセチレン結合、５・・・ポリアセン結合。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 第３図 第 ４ 図 第５図
子オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）は重合後の
Ｔｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オ
ーダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）は１−（トリメ
チルシリル）−１−トリコサン酸・ＬＢ膜を１層累積し
た基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第２図（ｂ）
は重合後のＴｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基
板の分子オーダーの拡大断面概念図、第３図（ａ）はＴ
ＣＡ−ＬＢａを１層累積した基板の分子オーダーの拡大
断面概念図、第３図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポリアセ
チレンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念
図、第４図（ａ）は１−（トリメチルシリル）−１−ト
リコサン酸・ＬＢ膜を１層累積した基板の分子オーダー
の拡大断面概念図、第４図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポ
リアセチレンの形成された基板の分子オーダーの拡大断
面概念図、第５図（ａ）〜（ｅ）は分子オーダーでのポ
リアセン型超長共役ポリマー作成における工程概念図で
ある。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・単分子累積膜（ＬＢ膜）、
３・・・Ｔｒａｎｓ−ポリアセチレン結合、４・・・Ｃ
１５−ポリアセチレン結合、５・・・ポリアセン結合。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 第３図 第 ４ 図 第５図
Claims (12)
- （１）有機溶媒に溶解させたアセチレン（−Ｃ≡Ｃ−）
基を含む物質を水面上に展開し前記有機溶媒を蒸発させ
た後、水面上に残った前記アセチレン基を含む物質の分
子を水面上で水面方向にバリヤでかき集め、所定の表面
圧を加えて単分子膜を水面上に形成する工程と、所定の
表面圧のもとで前記単分子膜を横切るように基板を上下
させながらながら前記基板上に累積する工程、及びハロ
ゲン化金属触媒を含む有機溶媒中に前記単分子膜の累積
された基板を浸漬し前記単分子膜のアセチレン基の部分
を重合させる工程を含むことを特徴としたポリアセチレ
ン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （２）所定の表面圧を加えると同時に前記水面と平行す
る方向に直流電界を印加しながら累積することを特徴と
した特許請求の範囲第１項記載のポリアセチレン型超長
共役ポリマーの製造方法。 - （３）水の中に無機塩が含まれていることを特徴とした
特許請求の範囲第１項又は第２項記載のポリアセチレン
型超長共役ポリマーの製造方法。 - （４）アセチレン基がジアセチレン基であることを特徴
とした特許請求の範囲第１項又は第２項記載のポリアセ
チレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （５）アセチレン基に−ＳｉＭｅ＿３基が結合している
ことを特徴とした特許請求の範囲第１項又は第２項記載
のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （６）ハロゲン化金属触媒の金属がＭｏ、またはＷ、ま
たはＮｂ、またはＴａであることを特徴とした特許請求
の範囲第１項又は第２項記載のポリアセチレン型超長共
役ポリマーの製造方法。 - （７）有機溶媒中にハロゲン化金属触媒とさらに共触媒
として有機Ｓｎあるいは有機Ｂｉ化合物を含むことを特
徴とした特許請求の範囲第１項又は第２項記載のポリア
セチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （８）有機溶媒が含酸素有機溶媒で、ハロゲン化金属触
媒がＭｏＣｌ＿５であることを特徴とした特許請求の範
囲第１項又は第２項記載のＣｉｓ型のポリアセチレン型
超長共役ポリマーの製造方法。 - （９）アセチレン基に−ＳｉＭｅ＿３基が結合している
ことを特徴とした特許請求の範囲第８項記載のＣｉｓ型
のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （１０）アセチレン基を含む物質がω−トリコシノイッ
ク酸であることを特徴とした特許請求の範囲第１項又は
第２項記載のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造
方法。 - （１１）アセチレン基を含む物質が１−（トリメチルシ
リル）−ω−トリコシノイック酸であることを特徴とし
た特許請求の範囲第１項又は第２項記載のポリアセチレ
ン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （１２）有機溶媒に溶解させたジアセチレン（−Ｃ≡Ｃ
−Ｃ≡Ｃ−）基を含む物質を水面上に展開し前記有機溶
媒を蒸発させた後、水面上に残った前記ジアセチレン基
を含む物質の分子を水面上で水面方向にバリヤでかき集
め、所定の表面圧を加えて単分子膜を水面上に形成する
工程と、所定の表面圧のもとで前記単分子膜を横切るよ
うに基板を上下させながらながら前記基板上に累積する
工程、及びハロゲン化金属触媒を含む有機溶媒中に前記
単分子膜の累積された基板を浸漬し前記単分子膜のアセ
チレン基の部分を重合させる工程と、高エネルギーの放
射線を照射する工程を含むことを特徴としたポリアセン
型超長共役ポリマーの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106309A JPH0667981B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
| EP19890107790 EP0339677B1 (en) | 1988-04-28 | 1989-04-28 | Process for producing polyacetylene or polyacene type super long conjugated polymers |
| DE1989603420 DE68903420T2 (de) | 1988-04-28 | 1989-04-28 | Verfahren zur erzeugung von polyazetylen oder polyazen konjugierten polymeren mit sehr langer kette. |
| US07/807,636 US5302416A (en) | 1988-04-28 | 1991-12-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/926,381 US5248526A (en) | 1988-04-28 | 1992-08-10 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/959,431 US5304582A (en) | 1988-04-28 | 1992-10-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/959,432 US5304583A (en) | 1988-04-28 | 1992-10-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63106309A JPH0667981B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275613A true JPH01275613A (ja) | 1989-11-06 |
| JPH0667981B2 JPH0667981B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=14430390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63106309A Expired - Fee Related JPH0667981B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0667981B2 (ja) |
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| US10862129B2 (en) | 2017-04-12 | 2020-12-08 | Global Graphene Group, Inc. | Lithium anode-protecting polymer layer for a lithium metal secondary battery and manufacturing method |
| US10862157B2 (en) | 2018-06-18 | 2020-12-08 | Global Graphene Group, Inc. | Alkali metal-sulfur secondary battery containing a conductive electrode-protecting layer |
| US10873088B2 (en) | 2018-06-25 | 2020-12-22 | Global Graphene Group, Inc. | Lithium-selenium battery containing an electrode-protecting layer and method of improving cycle-life |
| US10886528B2 (en) | 2018-08-24 | 2021-01-05 | Global Graphene Group, Inc. | Protected particles of cathode active materials for lithium batteries |
| US10957912B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-03-23 | Global Graphene Group, Inc. | Method of extending cycle-life of a lithium-sulfur battery |
| US10964951B2 (en) | 2017-08-14 | 2021-03-30 | Global Graphene Group, Inc. | Anode-protecting layer for a lithium metal secondary battery and manufacturing method |
| US10964936B2 (en) | 2018-03-02 | 2021-03-30 | Global Graphene Group, Inc. | Conducting elastomer composite-encapsulated particles of anode active materials for lithium batteries |
| US10971723B2 (en) | 2018-04-16 | 2021-04-06 | Global Graphene Group, Inc. | Process for alkali metal-selenium secondary battery containing a cathode of encapsulated selenium particles |
| US10971725B2 (en) | 2019-01-24 | 2021-04-06 | Global Graphene Group, Inc. | Lithium metal secondary battery containing elastic polymer foam as an anode-protecting layer |
| US10971724B2 (en) | 2018-10-15 | 2021-04-06 | Global Graphene Group, Inc. | Method of producing electrochemically stable anode particulates for lithium secondary batteries |
| US10971722B2 (en) | 2018-03-02 | 2021-04-06 | Global Graphene Group, Inc. | Method of manufacturing conducting elastomer composite-encapsulated particles of anode active materials for lithium batteries |
| US10978698B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-04-13 | Global Graphene Group, Inc. | Method of protecting sulfur cathode materials for alkali metal-sulfur secondary battery |
| US10978744B2 (en) | 2018-06-18 | 2021-04-13 | Global Graphene Group, Inc. | Method of protecting anode of a lithium-sulfur battery |
| US10985373B2 (en) | 2017-02-27 | 2021-04-20 | Global Graphene Group, Inc. | Lithium battery cathode and method of manufacturing |
| US11005094B2 (en) | 2018-03-07 | 2021-05-11 | Global Graphene Group, Inc. | Electrochemically stable elastomer-encapsulated particles of anode active materials for lithium batteries |
| US11043694B2 (en) | 2018-04-16 | 2021-06-22 | Global Graphene Group, Inc. | Alkali metal-selenium secondary battery containing a cathode of encapsulated selenium particles |
| US11043662B2 (en) | 2018-08-22 | 2021-06-22 | Global Graphene Group, Inc. | Electrochemically stable elastomer-encapsulated particles of cathode active materials for lithium batteries |
| US11121398B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-09-14 | Global Graphene Group, Inc. | Alkali metal-sulfur secondary battery containing cathode material particulates |
| US11223049B2 (en) | 2018-08-24 | 2022-01-11 | Global Graphene Group, Inc. | Method of producing protected particles of cathode active materials for lithium batteries |
| US11239460B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-02-01 | Global Graphene Group, Inc. | Method of producing electrochemically stable elastomer-encapsulated particles of cathode active materials for lithium batteries |
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- 1988-04-28 JP JP63106309A patent/JPH0667981B2/ja not_active Expired - Fee Related
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