JPH08846B2 - ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法 - Google Patents
ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法Info
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- JPH08846B2 JPH08846B2 JP4005226A JP522692A JPH08846B2 JP H08846 B2 JPH08846 B2 JP H08846B2 JP 4005226 A JP4005226 A JP 4005226A JP 522692 A JP522692 A JP 522692A JP H08846 B2 JPH08846 B2 JP H08846B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリアセチレン型（超
長）共役ポリマーの製造方法に関する。更に詳しくは、
導電性や非線形光学効果を示し電気材料等に有用なポリ
アセチレン結合を有する有機物質に関するものである。
長）共役ポリマーの製造方法に関する。更に詳しくは、
導電性や非線形光学効果を示し電気材料等に有用なポリ
アセチレン結合を有する有機物質に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】アセチレン誘導体のポリマ−は、パイ電
子共役系を持つ一次元の主鎖を分子内に保有しているこ
とで、導電性や非線形光学効果を持つことから光、電子
機能材料として広く研究されている。
子共役系を持つ一次元の主鎖を分子内に保有しているこ
とで、導電性や非線形光学効果を持つことから光、電子
機能材料として広く研究されている。
【０００３】また、ポリアセチレンの製造方法として
は、白川らが用いたアセチレンガスをチグラー・ナッタ
触媒で重合する方法がよく知られている（シンセティッ
ク メタルス、１巻、１７５頁(1979/1980) （スイ
ス）。特開昭５６−１１５３０５号公報には、アセチレ
ンガスをチーグラ・ナッタ触媒で重合し膜状膨潤物を製
造する方法が提案されている。特開昭６２−３９６０６
号公報には、チーグラ・ナッタ触媒を用いたポリフェニ
ルエチニルアセチレンの製造方法が提案されている。さ
らに、特開平１−２７５６１４号公報、特開平３−２２
９７１０号公報には、金属触媒を用いたポリアセチレン
等の製造方法が提案されている。
は、白川らが用いたアセチレンガスをチグラー・ナッタ
触媒で重合する方法がよく知られている（シンセティッ
ク メタルス、１巻、１７５頁(1979/1980) （スイ
ス）。特開昭５６−１１５３０５号公報には、アセチレ
ンガスをチーグラ・ナッタ触媒で重合し膜状膨潤物を製
造する方法が提案されている。特開昭６２−３９６０６
号公報には、チーグラ・ナッタ触媒を用いたポリフェニ
ルエチニルアセチレンの製造方法が提案されている。さ
らに、特開平１−２７５６１４号公報、特開平３−２２
９７１０号公報には、金属触媒を用いたポリアセチレン
等の製造方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現在知
られているポリアセチレン誘導体は、酸素を含む雰囲気
中では、熱や圧力あるいは紫外線などに対して不安定で
ある。
られているポリアセチレン誘導体は、酸素を含む雰囲気
中では、熱や圧力あるいは紫外線などに対して不安定で
ある。
【０００５】そこで、安定化させる研究が進められてい
るが、未だにアセチレン誘導体ポリマを安定化する方法
は見いだされていない。また前記特開昭５６−１１５３
０５号公報に提案された方法で得られる重合物は膜状膨
潤物であって、電子材料として使用するには溶媒除去工
程、成形加工等を必要とした。特開昭６２−３９６０６
号公報に提案された方法で得られるポリフェニルエチニ
ルアセチレンは粉末状であって、膜状物を得るためには
キャスト法等により成膜しなければならなかった。特開
平１−２７５６１４号公報、特開平３−２２９７１０号
公報に提案された方法は、金属触媒を用いたために反応
性に劣り、効率的でなかった。本発明は、従来の欠点に
鑑みなされたもので、酸素を含む雰囲気中で安定なポリ
アセチレン型超長共役ポリマ−の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
るが、未だにアセチレン誘導体ポリマを安定化する方法
は見いだされていない。また前記特開昭５６−１１５３
０５号公報に提案された方法で得られる重合物は膜状膨
潤物であって、電子材料として使用するには溶媒除去工
程、成形加工等を必要とした。特開昭６２−３９６０６
号公報に提案された方法で得られるポリフェニルエチニ
ルアセチレンは粉末状であって、膜状物を得るためには
キャスト法等により成膜しなければならなかった。特開
平１−２７５６１４号公報、特開平３−２２９７１０号
公報に提案された方法は、金属触媒を用いたために反応
性に劣り、効率的でなかった。本発明は、従来の欠点に
鑑みなされたもので、酸素を含む雰囲気中で安定なポリ
アセチレン型超長共役ポリマ−の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法
の第１番目の発明は、前記式（化１）で示されるトリメ
チルシリルアセチレン基と−Ｓｉ−Ｃｌ基を含む化学吸
着物質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に、表面
が前記化学吸着物質と活性な基を有する基板を浸漬して
脱塩酸反応し、次いで非水溶液で未反応物を洗浄除去し
て前記基板表面にトリメチルシリルアセチレン基が配向
した化学吸着膜を形成し、次いでチ−グラ・ナッタ触媒
を含む第２の有機溶媒中に前記化学吸着膜が形成された
基板を浸漬し、前記化学吸着膜のアセチレン基の部分を
重合させる工程を含むという構成を備えたものである。
め、本発明のポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法
の第１番目の発明は、前記式（化１）で示されるトリメ
チルシリルアセチレン基と−Ｓｉ−Ｃｌ基を含む化学吸
着物質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に、表面
が前記化学吸着物質と活性な基を有する基板を浸漬して
脱塩酸反応し、次いで非水溶液で未反応物を洗浄除去し
て前記基板表面にトリメチルシリルアセチレン基が配向
した化学吸着膜を形成し、次いでチ−グラ・ナッタ触媒
を含む第２の有機溶媒中に前記化学吸着膜が形成された
基板を浸漬し、前記化学吸着膜のアセチレン基の部分を
重合させる工程を含むという構成を備えたものである。
【０００７】次に第２番目の発明は、前記式（化２）で
示されるトリメチルシリルジアセチレン基と−Ｓｉ−Ｃ
ｌ基を含む化学吸着物質を溶解させた非水系の第１の有
機溶媒中に、表面が前記化学吸着物質と活性な基を有す
る基板を浸漬して脱塩酸反応し、次いで非水溶液で未反
応物を洗浄除去して前記基板表面にトリメチルシリルジ
アセチレン基が配向した化学吸着膜を形成し、次いでチ
−グラ・ナッタ触媒を含む第２の有機溶媒中に前記化学
吸着膜が形成された基板を浸漬し、前記化学吸着膜のア
セチレン基の部分を重合させる工程を含むという構成を
備えたものである。
示されるトリメチルシリルジアセチレン基と−Ｓｉ−Ｃ
ｌ基を含む化学吸着物質を溶解させた非水系の第１の有
機溶媒中に、表面が前記化学吸着物質と活性な基を有す
る基板を浸漬して脱塩酸反応し、次いで非水溶液で未反
応物を洗浄除去して前記基板表面にトリメチルシリルジ
アセチレン基が配向した化学吸着膜を形成し、次いでチ
−グラ・ナッタ触媒を含む第２の有機溶媒中に前記化学
吸着膜が形成された基板を浸漬し、前記化学吸着膜のア
セチレン基の部分を重合させる工程を含むという構成を
備えたものである。
【０００８】
【作用】前記本発明の第１発明及び第２発明の構成によ
れば、一端に−Ｓｉ−Ｃｌ基を持つ直鎖上の炭化水素誘
導体を用いると、有機溶媒中で化学吸着により基板表面
に化学吸着膜を高密度（最密充填）で形成できる。さら
に前記化学吸着膜表面を酸素を含むガス中で高エネルギ
ー線照射して表面を親水性化することにより単分子膜の
累積膜を形成することができる。従って、直鎖状炭化水
素の一部にアセチレン基を含む物質を用い化学吸着法を
行えば、数十オングストローム（数ナノメーター）オー
ダのアセチレン誘導体の化学吸着膜を高密度で形成で
き、さらに多層の累積膜も容易に得ることができる。さ
らに基板を浸漬して脱塩酸反応し、次いで非水溶液で未
反応物を洗浄除去して前記基板表面にトリメチルシリル
ジアセチレン基が配向した化学吸着膜を形成するのでポ
リマーの配向性が向上する。また化学吸着膜を基板に形
成したのち重合させるので、得られるポリマーは基板に
強固に結合され、基板から容易に剥がれにくい機械的強
度に優れたポリマーとなる。
れば、一端に−Ｓｉ−Ｃｌ基を持つ直鎖上の炭化水素誘
導体を用いると、有機溶媒中で化学吸着により基板表面
に化学吸着膜を高密度（最密充填）で形成できる。さら
に前記化学吸着膜表面を酸素を含むガス中で高エネルギ
ー線照射して表面を親水性化することにより単分子膜の
累積膜を形成することができる。従って、直鎖状炭化水
素の一部にアセチレン基を含む物質を用い化学吸着法を
行えば、数十オングストローム（数ナノメーター）オー
ダのアセチレン誘導体の化学吸着膜を高密度で形成で
き、さらに多層の累積膜も容易に得ることができる。さ
らに基板を浸漬して脱塩酸反応し、次いで非水溶液で未
反応物を洗浄除去して前記基板表面にトリメチルシリル
ジアセチレン基が配向した化学吸着膜を形成するのでポ
リマーの配向性が向上する。また化学吸着膜を基板に形
成したのち重合させるので、得られるポリマーは基板に
強固に結合され、基板から容易に剥がれにくい機械的強
度に優れたポリマーとなる。
【０００９】この方法により累積された単分子膜を、チ
−グラナッタ触媒を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分
子膜のアセチレン基の部分を重合させると、超高分子量
で共役系が非常に長いポリアセチレンが高密度で形成で
きる。また、分子のもう一方の末端にトリメチルシリル
基を持つ化学吸着物質を用いるので、分子末端の安定化
が図られ、化学吸着膜の最外表面が酸素の攻撃を受けに
くくなり、酸素を含む雰囲気中でも安定なポリアセチレ
ンが形成される。つまり、高密度でかつ一定の配向性を
保った状態でチ−グラ触媒を用いてアセチレン誘導体の
分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状で
超高分子量の酸素を含む雰囲気中で、熱や圧力あるいは
紫外線などにたいして安定な膜状ポリマー（超長共役ポ
リマー）をつくれる。
−グラナッタ触媒を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分
子膜のアセチレン基の部分を重合させると、超高分子量
で共役系が非常に長いポリアセチレンが高密度で形成で
きる。また、分子のもう一方の末端にトリメチルシリル
基を持つ化学吸着物質を用いるので、分子末端の安定化
が図られ、化学吸着膜の最外表面が酸素の攻撃を受けに
くくなり、酸素を含む雰囲気中でも安定なポリアセチレ
ンが形成される。つまり、高密度でかつ一定の配向性を
保った状態でチ−グラ触媒を用いてアセチレン誘導体の
分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状で
超高分子量の酸素を含む雰囲気中で、熱や圧力あるいは
紫外線などにたいして安定な膜状ポリマー（超長共役ポ
リマー）をつくれる。
【００１０】次に化学吸着膜が単分子膜であるという本
発明の好ましい構成によれば、前記ナノメーターレベル
の極薄の化学吸着膜を均一に形成することができる。
発明の好ましい構成によれば、前記ナノメーターレベル
の極薄の化学吸着膜を均一に形成することができる。
【００１１】さらにチ−グラ・ナッタ触媒が、周期律表
の第４族ないし第８族の遷移金属の化合物を周期律表第
１族ないし第３族ａの元素の有機金属化合物で処理して
調製されたものであるという本発明の構成によれば、触
媒活性の高いものとすることができる。
の第４族ないし第８族の遷移金属の化合物を周期律表第
１族ないし第３族ａの元素の有機金属化合物で処理して
調製されたものであるという本発明の構成によれば、触
媒活性の高いものとすることができる。
【００１２】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明の詳細を説明す
る。なお、本発明は下記の実施例に限定されることはな
い。
る。なお、本発明は下記の実施例に限定されることはな
い。
【００１３】本発明の一実施例を図１に示す。一方の分
子末端にトリメチルシリルアセチレン基と他方の分子末
端にトリクロロシリル基を含む化学吸着材を溶解させた
非水系の有機溶媒中に、親水性の基板として−ＯＨ基を
有し、ＳｉＯ2 の形成されたＳｉ基板１を浸漬し、−Ｓ
ｉＣｌ基と基板表面の前記−ＯＨ基が反応して脱塩酸す
る。次いで非水溶液で洗浄して未反応物を除去すると、
基板表面に下記式（化３）で示す単分子膜２が形成され
る（図１）。
子末端にトリメチルシリルアセチレン基と他方の分子末
端にトリクロロシリル基を含む化学吸着材を溶解させた
非水系の有機溶媒中に、親水性の基板として−ＯＨ基を
有し、ＳｉＯ2 の形成されたＳｉ基板１を浸漬し、−Ｓ
ｉＣｌ基と基板表面の前記−ＯＨ基が反応して脱塩酸す
る。次いで非水溶液で洗浄して未反応物を除去すると、
基板表面に下記式（化３）で示す単分子膜２が形成され
る（図１）。
【００１４】
【化３】
【００１５】ここで、基板表面に前記式（化３）で示す
単分子膜２が形成できていることは、ＦＴＩＲにて確認
した。また、前記の方法で累積された吸着膜はアルコ−
ル溶媒には不溶性であることが確認できた。
単分子膜２が形成できていることは、ＦＴＩＲにて確認
した。また、前記の方法で累積された吸着膜はアルコ−
ル溶媒には不溶性であることが確認できた。
【００１６】次に、チ−グラ・ナッタ触媒を含む有機溶
媒に、前記単分子膜が一層形成された基板を浸漬する
と、重合反応が起こり、図２に示すポリアセチレン３が
生成する。ポリアセチレンが製造されたことはＦＴＩＲ
スペクトルで確認できた。
媒に、前記単分子膜が一層形成された基板を浸漬する
と、重合反応が起こり、図２に示すポリアセチレン３が
生成する。ポリアセチレンが製造されたことはＦＴＩＲ
スペクトルで確認できた。
【００１７】次に図３は、末端にトリメチルシリルジア
セチレン基とトリクロロシリル基を含む化合物を用いた
ポリアセチレンの製造方法を示す図である。末端にトリ
メチルシリルジアセチレン基とトリクロロシリル基を含
む化合物を溶解させた非水系の有機溶媒中に、親水性の
基板としてＳｉＯ2 の形成されたＳｉ基板１を浸漬する
と、−ＳｉＣｌ基と基板表面のＳｉＯ2 とともに形成さ
れている−ＯＨ基が反応して脱塩酸する。次いで非水溶
液で洗浄して未反応物を除去すると、基板表面に下記式
（化４）で示す単分子膜４が形成される（図４）。
セチレン基とトリクロロシリル基を含む化合物を用いた
ポリアセチレンの製造方法を示す図である。末端にトリ
メチルシリルジアセチレン基とトリクロロシリル基を含
む化合物を溶解させた非水系の有機溶媒中に、親水性の
基板としてＳｉＯ2 の形成されたＳｉ基板１を浸漬する
と、−ＳｉＣｌ基と基板表面のＳｉＯ2 とともに形成さ
れている−ＯＨ基が反応して脱塩酸する。次いで非水溶
液で洗浄して未反応物を除去すると、基板表面に下記式
（化４）で示す単分子膜４が形成される（図４）。
【００１８】
【化４】
【００１９】ここで、基板表面に前記式（化４）で示す
単分子膜４が形成できていることは、ＦＴＩＲにて確認
できた。なお、上述の方法で累積された吸着膜はアルコ
−ル溶媒には不溶性であることも確認できた。
単分子膜４が形成できていることは、ＦＴＩＲにて確認
できた。なお、上述の方法で累積された吸着膜はアルコ
−ル溶媒には不溶性であることも確認できた。
【００２０】次に、チ−グラ・ナッタ触媒を含む有機溶
媒に、前記単分子膜が一層形成された基板を浸漬する
と、重合反応が起こり、図４に示すポリアセチレン５が
生成する。ポリアセチレンが製造されたことはＦＴＩＲ
スペクトルで明らかとなった。
媒に、前記単分子膜が一層形成された基板を浸漬する
と、重合反応が起こり、図４に示すポリアセチレン５が
生成する。ポリアセチレンが製造されたことはＦＴＩＲ
スペクトルで明らかとなった。
【００２１】本発明に使用しうるトリメチルシリルアセ
チレン基またはトリメチルシリルジアセチレン基と、−
Ｓｉ−Ｃｌ基を含む物質として、下記式（化５）の化合
物を一例としてあげることができる。
チレン基またはトリメチルシリルジアセチレン基と、−
Ｓｉ−Ｃｌ基を含む物質として、下記式（化５）の化合
物を一例としてあげることができる。
【００２２】
【化５】
【００２３】吸着後１０％ＫＯＨ水溶液に浸漬すると−
Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 基が脱離され、下記式（化６）及び
（化７）の単分子膜を形成することもできる。
Ｓｉ（ＣＨ3 ）3 基が脱離され、下記式（化６）及び
（化７）の単分子膜を形成することもできる。
【００２４】
【化６】
【００２５】
【化７】
【００２６】本発明に用いることのできるチ−グラ・ナ
ッタ触媒は、周期律表の第４族ないし第８族の遷移金属
の化合物を周期律表第１族ないし第３族ａの元素の有機
金属化合物と反応させて得ることができる。
ッタ触媒は、周期律表の第４族ないし第８族の遷移金属
の化合物を周期律表第１族ないし第３族ａの元素の有機
金属化合物と反応させて得ることができる。
【００２７】このような有機金属化合物としては例えば
アルキルアルミニウム化合物、亜鉛アルキル化合物また
はリチウムアルキル化合物が利用でき、第４族ないし第
８族の遷移金属の化合物としてはアルコキサイドまたは
ハロゲン化物が使用できる。一例として下記式（化８）
のものがあげられる。
アルキルアルミニウム化合物、亜鉛アルキル化合物また
はリチウムアルキル化合物が利用でき、第４族ないし第
８族の遷移金属の化合物としてはアルコキサイドまたは
ハロゲン化物が使用できる。一例として下記式（化８）
のものがあげられる。
【００２８】
【化８】
【００２９】次に、具体的実施例を用いて本発明を説明
する。 実施例１ 直径３インチの酸化膜（ＳｉＯ2 ）を形成したＳｉ基板
を、下記式（化９）に示す反応化学吸着物質１−（トリ
メチルシリル）−ω−ノナデシルイノイックトリクロロ
シラン（ＴＭＳ−ＮＣＳ）の１０-2mol ／ｌ溶液（80wt
% ヘキサデカン＋12wt% 四塩化炭素＋８wt% クロロホル
ム）に室温、窒素雰囲気下で１時間浸漬した。
する。 実施例１ 直径３インチの酸化膜（ＳｉＯ2 ）を形成したＳｉ基板
を、下記式（化９）に示す反応化学吸着物質１−（トリ
メチルシリル）−ω−ノナデシルイノイックトリクロロ
シラン（ＴＭＳ−ＮＣＳ）の１０-2mol ／ｌ溶液（80wt
% ヘキサデカン＋12wt% 四塩化炭素＋８wt% クロロホル
ム）に室温、窒素雰囲気下で１時間浸漬した。
【００３０】
【化９】
【００３１】次いで前記基板を取り出し、クロロホルム
で洗浄して未反応化学吸着物質を除去し、しかる後純水
で洗浄し、単分子膜をＳｉ表面に形成した。次に、前記
単分子膜を形成したＳｉ基板をトリエチルアルミニウム
の５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラブチル
チタネートの２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）
からなる混合触媒に浸漬して重合した。２時間後、トル
エンで洗浄し、試料を得た。
で洗浄して未反応化学吸着物質を除去し、しかる後純水
で洗浄し、単分子膜をＳｉ表面に形成した。次に、前記
単分子膜を形成したＳｉ基板をトリエチルアルミニウム
の５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラブチル
チタネートの２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）
からなる混合触媒に浸漬して重合した。２時間後、トル
エンで洗浄し、試料を得た。
【００３２】実施例２ 実施例１の混合触媒をトリオクチルアルミニウムの５×
１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラブチルチタネ
ートの２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からな
る混合触媒に変えて同様の実験をした。
１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラブチルチタネ
ートの２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からな
る混合触媒に変えて同様の実験をした。
【００３３】実施例３ 実施例１の混合触媒をトリエチルアルミニウムの５×１
０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラクロロチタンの
２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合
触媒に変えて同様の実験をした。
０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラクロロチタンの
２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合
触媒に変えて同様の実験をした。
【００３４】実施例４ 実施例１の混合触媒をトリエチルアルミニウムの５×１
０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラクロロバナジウ
ムの２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる
混合触媒に変えて同様の実験をした。
０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）とテトラクロロバナジウ
ムの２．５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる
混合触媒に変えて同様の実験をした。
【００３５】実施例５ 実施例１の混合触媒をジエチル亜鉛の５×１０-2mol ／
ｌ溶液（トルエン）とテトラブチルチタネートの２．５
×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合触媒に
変えて同様の実験をした。
ｌ溶液（トルエン）とテトラブチルチタネートの２．５
×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合触媒に
変えて同様の実験をした。
【００３６】実施例６ 実施例１の混合触媒をブチルリチウムの５×１０-2mol
／ｌ溶液（トルエン）とテトラブチルチタネートの２．
５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合触媒
に変えて同様の実験をした。
／ｌ溶液（トルエン）とテトラブチルチタネートの２．
５×１０-2mol ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合触媒
に変えて同様の実験をした。
【００３７】比較例１ トリエチルアルミニウムの５×１０-2mol ／ｌ溶液（ト
ルエン）とテトラブチルチタネートの２．５×１０-2mo
l ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合触媒を用いて、ア
セチレンガスを重合して、ポリアセチレンフィルムを得
た。
ルエン）とテトラブチルチタネートの２．５×１０-2mo
l ／ｌ溶液（トルエン）からなる混合触媒を用いて、ア
セチレンガスを重合して、ポリアセチレンフィルムを得
た。
【００３８】実施例１〜６および比較例１の試料を６０
℃の温度雰囲気でに３０日間放置し、放置前後のＦＴＩ
Ｒを比較した。比較例の試料では、３４５０ｃｍ-1に吸
収ピークが現れ、酸化が進行していたが、本発明の実施
例の試料ではＦＴＩＴに変化はなく酸化は起こっていな
かった。
℃の温度雰囲気でに３０日間放置し、放置前後のＦＴＩ
Ｒを比較した。比較例の試料では、３４５０ｃｍ-1に吸
収ピークが現れ、酸化が進行していたが、本発明の実施
例の試料ではＦＴＩＴに変化はなく酸化は起こっていな
かった。
【００３９】また、前述の実施例では１層化学吸着膜を
形成し重合を行う方法について述べたが吸着膜を多層積
層した後で重合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜
の形成−重合反応を交互に行ってもポリアセチレンの多
層分子膜の作製が可能なことは明らかであろう。
形成し重合を行う方法について述べたが吸着膜を多層積
層した後で重合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜
の形成−重合反応を交互に行ってもポリアセチレンの多
層分子膜の作製が可能なことは明らかであろう。
【００４０】以上説明した通り、本発明の実施例によれ
ば、理論的には共役系が連続して数ｍｍ或は数ｃｍ以上
の長さを持つ直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製
造も可能であるため、非線形光学効果を利用したデバイ
スの製作には極めて有効である。また、今後さらに原料
となるアセチレンやジアセチレン誘導体モノマーの種類
や製造条件を適正化することにより、共役系が連続して
数十ｃｍ或は数ｍ以上の長さを持つ直鎖状で超高分子量
の安定なポリアセチレンの製造も可能になると思われ
る。これにより、この方法で冷却を必要としない有機超
電導物質を製造し得る。
ば、理論的には共役系が連続して数ｍｍ或は数ｃｍ以上
の長さを持つ直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製
造も可能であるため、非線形光学効果を利用したデバイ
スの製作には極めて有効である。また、今後さらに原料
となるアセチレンやジアセチレン誘導体モノマーの種類
や製造条件を適正化することにより、共役系が連続して
数十ｃｍ或は数ｍ以上の長さを持つ直鎖状で超高分子量
の安定なポリアセチレンの製造も可能になると思われ
る。これにより、この方法で冷却を必要としない有機超
電導物質を製造し得る。
【００４１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の方法を用い
ることにより、酸素を含む雰囲気中で安定で、導電性や
非線形光学効果の優れたポリアセチレンの膜状ポリマー
を高能率に製造できる。また、高密度でかつ一定の配向
性を保った状態でチ−グラ触媒を用いてアセチレン誘導
体の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖
状で超高分子量の酸素を含む雰囲気中で、熱や圧力ある
いは紫外線などにたいして安定なポリマー（超長共役ポ
リマー）を形成できる。さらに基板を浸漬して脱塩酸反
応し、次いで非水溶液で未反応物を洗浄除去して前記基
板表面にトリメチルシリルジアセチレン基が配向した化
学吸着膜を形成するので化学吸着膜の配向性が向上す
る。さらに本発明の方法によれば、化学吸着膜を基板に
形成したのち重合させるので、得られるポリマーは基板
に強固に結合され、基板から容易に剥がれにくく、機械
的強度に優れたポリマーとなる。
ることにより、酸素を含む雰囲気中で安定で、導電性や
非線形光学効果の優れたポリアセチレンの膜状ポリマー
を高能率に製造できる。また、高密度でかつ一定の配向
性を保った状態でチ−グラ触媒を用いてアセチレン誘導
体の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖
状で超高分子量の酸素を含む雰囲気中で、熱や圧力ある
いは紫外線などにたいして安定なポリマー（超長共役ポ
リマー）を形成できる。さらに基板を浸漬して脱塩酸反
応し、次いで非水溶液で未反応物を洗浄除去して前記基
板表面にトリメチルシリルジアセチレン基が配向した化
学吸着膜を形成するので化学吸着膜の配向性が向上す
る。さらに本発明の方法によれば、化学吸着膜を基板に
形成したのち重合させるので、得られるポリマーは基板
に強固に結合され、基板から容易に剥がれにくく、機械
的強度に優れたポリマーとなる。
【図１】本発明の一実施例を示すアセチレン系吸着膜を
１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念図であ
る。
１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念図であ
る。
【図２】本発明の一実施例を示すアセチレン系吸着膜を
重合したポリアセチレン吸着膜の形成された基板の分子
オーダーの拡大断面概念図である。
重合したポリアセチレン吸着膜の形成された基板の分子
オーダーの拡大断面概念図である。
【図３】本発明の別の実施例を示すジアセチレン系吸着
膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念図
である。
膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念図
である。
【図４】本発明の別の実施例を示すジアセチレン系吸着
膜を重合したポリアセチレン吸着膜の形成された基板の
分子オーダーの拡大断面概念図である。
膜を重合したポリアセチレン吸着膜の形成された基板の
分子オーダーの拡大断面概念図である。
【符号の説明】 １ ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板 ２ アセチレン系単分子吸着膜 ３ アセチレンを重合したポリアセチレン単分子吸着膜 ４ ジアセチレン系単分子吸着膜 ５ ジアセチレンを重合したポリアセチレン単分子吸着
膜
膜
Claims (4)
- 【請求項１】 下記式（化１）で示されるトリメチルシ
リルアセチレン基と−Ｓｉ−Ｃｌ基を含む化学吸着物質
を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に、表面が前記
化学吸着物質と活性な基を有する基板を浸漬して脱塩酸
反応し、次いで非水溶液で未反応物を洗浄除去して前記
基板表面にトリメチルシリルアセチレン基が配向した化
学吸着膜を形成し、次いでチ−グラ・ナッタ触媒を含む
第２の有機溶媒中に前記化学吸着膜が形成された基板を
浸漬し、前記化学吸着膜のアセチレン基の部分を重合さ
せる工程を含むポリアセチレン型共役ポリマーの製造方
法。 【化１】 - 【請求項２】 下記式（化２）で示されるトリメチルシ
リルジアセチレン基と−Ｓｉ−Ｃｌ基を含む化学吸着物
質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に、表面が前
記化学吸着物質と活性な基を有する基板を浸漬して脱塩
酸反応し、次いで非水溶液で未反応物を洗浄除去して前
記基板表面にトリメチルシリルジアセチレン基が配向し
た化学吸着膜を形成し、次いでチ−グラ・ナッタ触媒を
含む第２の有機溶媒中に前記化学吸着膜が形成された基
板を浸漬し、前記化学吸着膜のアセチレン基の部分を重
合させる工程を含むポリアセチレン型共役ポリマーの製
造方法。 【化２】 - 【請求項３】 化学吸着膜が単分子膜である請求項１ま
たは２に記載のポリアセチレン型共役ポリマーの製造方
法。 - 【請求項４】 チ−グラ・ナッタ触媒が、周期律表の第
４族ないし第８族の遷移金属の化合物を周期律表第１族
ないし第３族ａの元素の有機金属化合物で処理して調製
されたものである請求項１または２に記載のポリアセチ
レン型共役ポリマーの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4005226A JPH08846B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法 |
| US07/993,022 US5270417A (en) | 1992-01-14 | 1992-12-18 | Method of manufacturing a polyacetylene conjugate polymer |
| DE69322176T DE69322176T2 (de) | 1992-01-14 | 1993-01-11 | Verfahren zur Herstellung eines konjugierten Acetylenpolymers |
| EP93100300A EP0552637B1 (en) | 1992-01-14 | 1993-01-11 | Method of manufacturing a polyacetylene conjugate polymer |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP4005226A JPH08846B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05186531A JPH05186531A (ja) | 1993-07-27 |
| JPH08846B2 true JPH08846B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=11605277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4005226A Expired - Fee Related JPH08846B2 (ja) | 1992-01-14 | 1992-01-14 | ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法 |
Country Status (4)
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|---|---|
| US (1) | US5270417A (ja) |
| EP (1) | EP0552637B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08846B2 (ja) |
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| KR100376368B1 (ko) * | 1997-07-31 | 2003-03-15 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 화학흡착물질 및 그 제조방법 |
| FR2804116B1 (fr) * | 2000-01-20 | 2002-08-23 | Centre Nat Rech Scient | Composes organosilicies, leur procede de preparation et leurs utilisations |
| TW555790B (en) * | 2000-12-26 | 2003-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Conductive organic thin film, process for producing the same, and organic photoelectronic device, electric wire, and electrode aech employing the same |
| WO2002086913A1 (fr) * | 2001-04-17 | 2002-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Film mince organique conducteur et son procede de production, electrode et cable electrique utilisant ce film |
| WO2003067675A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif electronique organique et son procede de fabrication |
| WO2004110745A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | 機能性有機薄膜、有機薄膜トランジスタ及びそれらの製造方法 |
| WO2005090365A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機シラン化合物、その製造方法及びその用途 |
| US20070195576A1 (en) * | 2004-05-27 | 2007-08-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic compound having functional groups different in elimination reactivity at both terminals, organic thin film, organic device and method of producing the same |
| JP2006062965A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 有機シラン化合物、該化合物の製造方法および該化合物を用いた有機薄膜 |
| US10734642B2 (en) | 2016-03-30 | 2020-08-04 | Global Graphene Group, Inc. | Elastomer-encapsulated particles of high-capacity anode active materials for lithium batteries |
| US11495792B2 (en) | 2017-02-16 | 2022-11-08 | Global Graphene Group, Inc. | Method of manufacturing a lithium secondary battery having a protected high-capacity anode active material |
| US11978904B2 (en) | 2017-02-24 | 2024-05-07 | Honeycomb Battery Company | Polymer binder for lithium battery and method of manufacturing |
| US10840502B2 (en) | 2017-02-24 | 2020-11-17 | Global Graphene Group, Inc. | Polymer binder for lithium battery and method of manufacturing |
| US10985373B2 (en) | 2017-02-27 | 2021-04-20 | Global Graphene Group, Inc. | Lithium battery cathode and method of manufacturing |
| US11742475B2 (en) | 2017-04-03 | 2023-08-29 | Global Graphene Group, Inc. | Encapsulated anode active material particles, lithium secondary batteries containing same, and method of manufacturing |
| US10770721B2 (en) * | 2017-04-10 | 2020-09-08 | Global Graphene Group, Inc. | Lithium metal secondary battery containing anode-protecting polymer layer and manufacturing method |
| US10483533B2 (en) | 2017-04-10 | 2019-11-19 | Global Graphene Group, Inc. | Encapsulated cathode active material particles, lithium secondary batteries containing same, and method of manufacturing |
| US10862129B2 (en) | 2017-04-12 | 2020-12-08 | Global Graphene Group, Inc. | Lithium anode-protecting polymer layer for a lithium metal secondary battery and manufacturing method |
| US10804537B2 (en) | 2017-08-14 | 2020-10-13 | Global Graphene Group, Inc. | Protected particles of anode active materials, lithium secondary batteries containing same and method of manufacturing |
| US10964951B2 (en) | 2017-08-14 | 2021-03-30 | Global Graphene Group, Inc. | Anode-protecting layer for a lithium metal secondary battery and manufacturing method |
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| US10971722B2 (en) | 2018-03-02 | 2021-04-06 | Global Graphene Group, Inc. | Method of manufacturing conducting elastomer composite-encapsulated particles of anode active materials for lithium batteries |
| US10964936B2 (en) | 2018-03-02 | 2021-03-30 | Global Graphene Group, Inc. | Conducting elastomer composite-encapsulated particles of anode active materials for lithium batteries |
| US11005094B2 (en) | 2018-03-07 | 2021-05-11 | Global Graphene Group, Inc. | Electrochemically stable elastomer-encapsulated particles of anode active materials for lithium batteries |
| US10818926B2 (en) | 2018-03-07 | 2020-10-27 | Global Graphene Group, Inc. | Method of producing electrochemically stable elastomer-encapsulated particles of anode active materials for lithium batteries |
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-
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- 1993-01-11 EP EP93100300A patent/EP0552637B1/en not_active Expired - Lifetime
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