JPH0627140B2 - ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 - Google Patents
ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法Info
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- JPH0627140B2 JPH0627140B2 JP10631088A JP10631088A JPH0627140B2 JP H0627140 B2 JPH0627140 B2 JP H0627140B2 JP 10631088 A JP10631088 A JP 10631088A JP 10631088 A JP10631088 A JP 10631088A JP H0627140 B2 JPH0627140 B2 JP H0627140B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電気材料に関するものである。更に詳しく
は、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合
を有する有機物質に関するものである。
は、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合
を有する有機物質に関するものである。
従来の技術 アセチレン誘導体のポリマーは、パイ電子共役系を持つ
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
また、ポリアセチレンの製造方法としては、チグラーナ
ッタ触媒を用いた白川らの重合方法がよく知られてい
る。
ッタ触媒を用いた白川らの重合方法がよく知られてい
る。
発明が解決しようとする課題 ところが、現在知られているポリアセチレン誘導体は、
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定であるため、安定化させる研究が進め
られている。
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定であるため、安定化させる研究が進め
られている。
しかしながら、未だにアセチレン誘導体ポリマーを安定
化する方法は見いだされていない。
化する方法は見いだされていない。
課題を解決するための手段 一端に−Ｓｉ−Ｃｌ基を持つ直鎖上の炭化水素誘導体を
用いれば、有機溶媒中で化学吸着により親水性基板表面
に単分子膜を形成でき、さらに前記累積された単分子膜
表面を酸素を含むガス中で高エネルギー線照射して表面
を親水性化することにより単分子膜を累積膜を形成する
ことが出来ることが知られている。
用いれば、有機溶媒中で化学吸着により親水性基板表面
に単分子膜を形成でき、さらに前記累積された単分子膜
表面を酸素を含むガス中で高エネルギー線照射して表面
を親水性化することにより単分子膜を累積膜を形成する
ことが出来ることが知られている。
従って、直鎖状炭化水素の一部にアセチレン基を含むよ
うな物質を用い化学吸着法を行えば、数十オングストロ
ームオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を形成でき、
さらに多層の累積膜も容易に得ることが出来る。
うな物質を用い化学吸着法を行えば、数十オングストロ
ームオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を形成でき、
さらに多層の累積膜も容易に得ることが出来る。
この方法により累積された単分子膜を、ハロゲン化金属
触媒を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分子膜のアセチ
レン基の部分を重合させると、超高分子量で共役系が非
常に長くしかも酸素を含む雰囲気中でも安定なポリアセ
チレンが形成されることを発見した。つまり、一定の配
向性を保った状態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体
の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状
で超高分子量のポリマー（超長共役ポリマー）を作れる
ことを見いだした。
触媒を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分子膜のアセチ
レン基の部分を重合させると、超高分子量で共役系が非
常に長くしかも酸素を含む雰囲気中でも安定なポリアセ
チレンが形成されることを発見した。つまり、一定の配
向性を保った状態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体
の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状
で超高分子量のポリマー（超長共役ポリマー）を作れる
ことを見いだした。
作用 即ち、アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基
（−ＳｉＣｌ）を含む物質を溶解させた非水系有機溶媒
中に表面が親水性の基板を浸漬し、前記基板表面に前記
アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−Ｓｉ
Ｃｌ）を含む物質を化学吸着させることにより基板上に
アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−Ｓｉ
Ｃｌ）を含む物質の単分子膜を分子状態が並んだ状態で
作成することが出来、さらに所定の基板上に形成したア
セチレン誘導体の化学吸着膜を金属触媒を用いて重合す
ることにより、重合時の分子配向性を保った状態で、共
役系が連続した直鎖状の超高分子量のポリアセチレンを
作ることができる。また、重合反応には、ハロゲン化金
属触媒たとえばＭｏＣｌ5やＷＣｌ6、ＮｂＣｌ5、Ｔａ
Ｃｌ5、Ｍｏ（ＣＯ）5、Ｗ（ＣＯ）6、あるいはＮｂ
（ＣＯ）5、やＴａ（ＣＯ）5等が利用できる。また、有
機溶媒はトルエン、ジオキサン、アニソール等が利用で
きる。
（−ＳｉＣｌ）を含む物質を溶解させた非水系有機溶媒
中に表面が親水性の基板を浸漬し、前記基板表面に前記
アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−Ｓｉ
Ｃｌ）を含む物質を化学吸着させることにより基板上に
アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−Ｓｉ
Ｃｌ）を含む物質の単分子膜を分子状態が並んだ状態で
作成することが出来、さらに所定の基板上に形成したア
セチレン誘導体の化学吸着膜を金属触媒を用いて重合す
ることにより、重合時の分子配向性を保った状態で、共
役系が連続した直鎖状の超高分子量のポリアセチレンを
作ることができる。また、重合反応には、ハロゲン化金
属触媒たとえばＭｏＣｌ5やＷＣｌ6、ＮｂＣｌ5、Ｔａ
Ｃｌ5、Ｍｏ（ＣＯ）5、Ｗ（ＣＯ）6、あるいはＮｂ
（ＣＯ）5、やＴａ（ＣＯ）5等が利用できる。また、有
機溶媒はトルエン、ジオキサン、アニソール等が利用で
きる。
以下、実施例を用いて本発明の詳細を説明する。
実施例 使用したサンプルは、数々あるが、アセチレン誘導体の
一種であり末端にアセチレン基を１個含むω−ノナデシ
ルイノイックトリクロルシラン（ＭＣＳ； ＣＨ Ｃ−
（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、ここでｎは１７であるが、１
４から２４の範囲で良好な結果が得られた）の場合を用
いて説明する。
一種であり末端にアセチレン基を１個含むω−ノナデシ
ルイノイックトリクロルシラン（ＭＣＳ； ＣＨ Ｃ−
（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、ここでｎは１７であるが、１
４から２４の範囲で良好な結果が得られた）の場合を用
いて説明する。
例えば、ＳｉＯ2の形成されたSi基板１上にシラン系界
面活性剤（ＮＣＳ：ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2)17−ＳｉＣ
ｌ3）を用いて基板表面に単分子膜を化学吸着して形成
する。この時、-SiCl基と基板表面のＳｉＯ2とともに形
成されている-OH基が反応して脱塩酸して、基板表面に ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2)17−Ｓｉ−Ｏ−の単分子膜２が形成
できる。例えば２．０Ｘ１０-3〜５．０Ｘ１０-3mol/l
の濃度で前記シラン系界面活性剤を溶かした80%ｎ−ヘ
キサン、12%四塩化炭素、8%クロロホルム溶液中に、室
温で数分間ＳｉＯ2の形成されたＳｉ基板浸漬すると、
ＳｉＯ2表面で−Ｓｉ−Ｏ−の結合を形成できる。（第
１図(a)） ここで、基板表面に ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2)17−Ｓｉ−Ｏ−の単分子膜２が形成
できていることは、ＦＴＩＲにて確認された。
面活性剤（ＮＣＳ：ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2)17−ＳｉＣ
ｌ3）を用いて基板表面に単分子膜を化学吸着して形成
する。この時、-SiCl基と基板表面のＳｉＯ2とともに形
成されている-OH基が反応して脱塩酸して、基板表面に ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2)17−Ｓｉ−Ｏ−の単分子膜２が形成
できる。例えば２．０Ｘ１０-3〜５．０Ｘ１０-3mol/l
の濃度で前記シラン系界面活性剤を溶かした80%ｎ−ヘ
キサン、12%四塩化炭素、8%クロロホルム溶液中に、室
温で数分間ＳｉＯ2の形成されたＳｉ基板浸漬すると、
ＳｉＯ2表面で−Ｓｉ−Ｏ−の結合を形成できる。（第
１図(a)） ここで、基板表面に ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2)17−Ｓｉ−Ｏ−の単分子膜２が形成
できていることは、ＦＴＩＲにて確認された。
なお、このとき化学吸着膜の形成は、湿気を含まないＮ
2雰囲気中で行った。化学吸着膜の形成に使用した基板
１は、直径３インチの酸化膜（ＳｉＯ2）を形成したＳ
ｉ基板である。
2雰囲気中で行った。化学吸着膜の形成に使用した基板
１は、直径３インチの酸化膜（ＳｉＯ2）を形成したＳ
ｉ基板である。
次に金属触媒としてＭｏＣｌ5を溶かしたトリエン中に
ＮＣＳ吸着膜が１層形成された基板を浸漬し３０〜７０
℃程度に溶媒を昇温すると第１図（ｂ）に示すような反
応、即ちハロゲン化金属触媒による反応にてＴｒａｎｓ
−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩＲに
より明かとなった。なお、触媒としてはＷＣｌ6、Ｎｂ
Ｃｌ5、ＴａＣｌ5を用いても分子量は異なるが同様の重
合膜が得られた。さらにまた、触媒としてＭｏ（ＣＯ）
6あるいはＷ（ＣＯ）6をＣＣｌ4溶媒に溶かした溶液に
基板を浸漬し紫外線を照射しても分子量は異なるが赤褐
色の重合膜が得られた。
ＮＣＳ吸着膜が１層形成された基板を浸漬し３０〜７０
℃程度に溶媒を昇温すると第１図（ｂ）に示すような反
応、即ちハロゲン化金属触媒による反応にてＴｒａｎｓ
−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩＲに
より明かとなった。なお、触媒としてはＷＣｌ6、Ｎｂ
Ｃｌ5、ＴａＣｌ5を用いても分子量は異なるが同様の重
合膜が得られた。さらにまた、触媒としてＭｏ（ＣＯ）
6あるいはＷ（ＣＯ）6をＣＣｌ4溶媒に溶かした溶液に
基板を浸漬し紫外線を照射しても分子量は異なるが赤褐
色の重合膜が得られた。
さらに前記Ｓｉ基板上に１−（トリメチルシリル）−ω
−ノナデシルイノイックトリクロロシラン（ＴＭＳ−Ｎ
ＣＳ： ＳｉＭｅ3−Ｃ Ｃ（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、
ここでｎは１７であるが、１４から２４の範囲で良好な
結果が得られた）吸着膜を１層累積した基板を（第２図
（ａ））、金属触媒としてＷＣｌ6と共触媒としてＢｕ4
Ｓｎ（１：１）を溶かしたトルエン中に浸漬し３０〜７
０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（ｂ）に示すような
反応、即ち−ＳｉＭｅ3基を含んだＴｒａｎｓ−ポリア
セチレン結合３が製造されたことが明かとなった。
−ノナデシルイノイックトリクロロシラン（ＴＭＳ−Ｎ
ＣＳ： ＳｉＭｅ3−Ｃ Ｃ（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、
ここでｎは１７であるが、１４から２４の範囲で良好な
結果が得られた）吸着膜を１層累積した基板を（第２図
（ａ））、金属触媒としてＷＣｌ6と共触媒としてＢｕ4
Ｓｎ（１：１）を溶かしたトルエン中に浸漬し３０〜７
０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（ｂ）に示すような
反応、即ち−ＳｉＭｅ3基を含んだＴｒａｎｓ−ポリア
セチレン結合３が製造されたことが明かとなった。
またＳｉ基板上にＮＣＳ吸着膜を１層累積した基板を
（第３図（ａ））、金属触媒としてＭｏＣｌ6を溶かし
た含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７
０℃程度に溶媒を昇温すると第３図（ｂ）に示すような
反応、即ちＣｉｓ−ポリアセチレン４が製造されたこと
が明かとなった。
（第３図（ａ））、金属触媒としてＭｏＣｌ6を溶かし
た含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７
０℃程度に溶媒を昇温すると第３図（ｂ）に示すような
反応、即ちＣｉｓ−ポリアセチレン４が製造されたこと
が明かとなった。
さらにまたＳｉ基板上にＴＭＳ−ＮＣＳ吸着膜を１層累
積した基板を（第４図（ａ））、金属触媒としてＭｏＣ
ｌ6と共触媒としてｐｈ3Ｂｉ（１：１）を溶かした含酸
素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７０℃程
度に溶媒を昇温すると第４図（ｂ）に示すような反応、
即ち−ＳｉＭｅ3基を含んだＣｉｓ−ポリアセチレン４
が製造されたことが明かとなった。
積した基板を（第４図（ａ））、金属触媒としてＭｏＣ
ｌ6と共触媒としてｐｈ3Ｂｉ（１：１）を溶かした含酸
素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７０℃程
度に溶媒を昇温すると第４図（ｂ）に示すような反応、
即ち−ＳｉＭｅ3基を含んだＣｉｓ−ポリアセチレン４
が製造されたことが明かとなった。
一方、上述の方法で累積された吸着膜はアルコール溶媒
には不溶性であるることが確認された。
には不溶性であるることが確認された。
以上の結果より、本発明の重合方法を用いれば、Ｃｉｓ
型あるいはＴｒａｎｓ型ポリアセチレンを容易に製造で
きることが確認された。
型あるいはＴｒａｎｓ型ポリアセチレンを容易に製造で
きることが確認された。
なお、この様にして製造されたポリアセチレンは、従来
チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリアセチレ
ン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や圧力あ
るいは紫外線などにたいして著しく安定であった。
チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリアセチレ
ン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や圧力あ
るいは紫外線などにたいして著しく安定であった。
以上の、実施例では、ＮＣＳやＴＭＳ−ＮＣＳについて
のみ示したが、分子内にアセチレン（Ｃ≡Ｃ）基を含み
吸着膜形成が可能なものであれば、吸着条件は異なって
も同様の方法が利用出来ることは明らかであろう。
のみ示したが、分子内にアセチレン（Ｃ≡Ｃ）基を含み
吸着膜形成が可能なものであれば、吸着条件は異なって
も同様の方法が利用出来ることは明らかであろう。
例えば、ジアセチレン基１０を１個もつトリコサジイノ
イックトリクロロシラン（Ｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ
2)19−ＳｉＣｌ3：第５図（ａ）、（ｂ））を用いた場
合にも、化学吸着膜作成後（第５図（ｃ））、金属触媒
を用いて重合すると、Ｔｒａｎｓポリアセチレン結合３
を有する単分子膜状のポリアセチレン型超長共役ポリマ
ー（第５図（ｄ））が得られる。更に、ポリジアセチレ
ンより得られたポリアセチレン型超長共役ポリマーに電
子線（Ｘ線やガンマ線等の放射線でもよい）を照射して
重合するとポリアセン結合５を有するポリアセン型超長
共役ポリマー（第５図（ｅ））が得られる。
イックトリクロロシラン（Ｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ
2)19−ＳｉＣｌ3：第５図（ａ）、（ｂ））を用いた場
合にも、化学吸着膜作成後（第５図（ｃ））、金属触媒
を用いて重合すると、Ｔｒａｎｓポリアセチレン結合３
を有する単分子膜状のポリアセチレン型超長共役ポリマ
ー（第５図（ｄ））が得られる。更に、ポリジアセチレ
ンより得られたポリアセチレン型超長共役ポリマーに電
子線（Ｘ線やガンマ線等の放射線でもよい）を照射して
重合するとポリアセン結合５を有するポリアセン型超長
共役ポリマー（第５図（ｅ））が得られる。
また、前述の実施例では１層化学吸着膜を形成し重合を
行う方法について述べたが吸着膜を多層積層した後で重
合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜の形成−重合
反応を交互に行ってもポリアセチレンの多層分子膜の作
製が可能なことは明らかであろう。
行う方法について述べたが吸着膜を多層積層した後で重
合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜の形成−重合
反応を交互に行ってもポリアセチレンの多層分子膜の作
製が可能なことは明らかであろう。
発明の効果 本発明の方法を用いることにより、導電性や非線形光学
効果の非常に優れ安定なポリアセチレンのポリマーを高
能率に製造できる。なお、この方法によると、理論的に
は共役系が連続して数mm或は数cm以上の長さを持つ直鎖
状の超高分子量のポリアセチレンの製造も可能であるた
め、非線形光学効果を利用したデバイスの製作には極め
て有効である。また、今後さらに原料となるアセチレン
やジアセチレン誘導体モノマーの種類や製造条件を適正
化することにより、共役系が連続して数十cm或は数ｍ以
上の長さを持つ直鎖状で超高分子量の安定なポリアセチ
レンあるいはポリアセンの製造も可能になると思われる
ため、この方法で冷却を必要としない有機超電導物質の
製造が可能となるかもしれない。
効果の非常に優れ安定なポリアセチレンのポリマーを高
能率に製造できる。なお、この方法によると、理論的に
は共役系が連続して数mm或は数cm以上の長さを持つ直鎖
状の超高分子量のポリアセチレンの製造も可能であるた
め、非線形光学効果を利用したデバイスの製作には極め
て有効である。また、今後さらに原料となるアセチレン
やジアセチレン誘導体モノマーの種類や製造条件を適正
化することにより、共役系が連続して数十cm或は数ｍ以
上の長さを持つ直鎖状で超高分子量の安定なポリアセチ
レンあるいはポリアセンの製造も可能になると思われる
ため、この方法で冷却を必要としない有機超電導物質の
製造が可能となるかもしれない。
第１図（ａ）はＮＣＳ吸着膜を１層形成した基板の分子
オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）は重合後のＴ
ｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣＳ
吸着膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概
念図、第２図（ｂ）は重合後のＴｒａｎｓ型ポリアセチ
レンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念
図、第３図（ａ）はＮＣＳ膜を１層形成した基板の分子
オーダーの拡大断面概念図、第３図（ｂ）は重合後のＣ
ｉｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オーダー
の拡大断面概念図、第４図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣＳ吸着
膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念
図、第４図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポリアセチレンの
形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第５
図（ａ）〜（ｅ）は分子オーダーでのポリアセン型超長
共役ポリマー作成における工程概念図である。 １……ＳｉＯ2／Ｓｉ基板、２……単分子吸着膜、３…
…Ｔｒａｎｓ−ポリアセチレン結合、４……Ｃｉｓ−ポ
リアセチレン結合、５……ポリアセン結合。
オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）は重合後のＴ
ｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣＳ
吸着膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概
念図、第２図（ｂ）は重合後のＴｒａｎｓ型ポリアセチ
レンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念
図、第３図（ａ）はＮＣＳ膜を１層形成した基板の分子
オーダーの拡大断面概念図、第３図（ｂ）は重合後のＣ
ｉｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オーダー
の拡大断面概念図、第４図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣＳ吸着
膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念
図、第４図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポリアセチレンの
形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第５
図（ａ）〜（ｅ）は分子オーダーでのポリアセン型超長
共役ポリマー作成における工程概念図である。 １……ＳｉＯ2／Ｓｉ基板、２……単分子吸着膜、３…
…Ｔｒａｎｓ−ポリアセチレン結合、４……Ｃｉｓ−ポ
リアセチレン結合、５……ポリアセン結合。
Claims (10)
- 【請求項１】アセチレン（−Ｃ≡Ｃ−）基と−Ｓｉ−Ｃ
ｌ基を含む物質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中
に表面が親水性の基板を浸漬し化学吸着法により前記基
板上に前記物質の分子膜を化学吸着で形成する工程と、
ハロゲン化金属触媒を含む第２の有機溶媒中に前記単分
子膜の累積された基板を浸漬し前記単分子膜のアセチレ
ン基の部分を重合させる工程を含むことを特徴としたポ
リアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項２】アセチレン基がジアセチレン基であること
を特徴とした特許請求の範囲第１項記載のポリアセチレ
ン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項３】アセチレン基に−ＳｉＭｅ3基が結合して
いることを特徴とした特許請求の範囲第１項記載のポリ
アセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項４】ハロゲン化金属触媒の金属がＭｏ、または
Ｗ、またはＮｂ、またはＴａであることを特徴とした特
許請求の範囲第１項、第２項又は第３項記載のポリアセ
チレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項５】有機溶媒中にハロゲン化金属触媒とさらに
共触媒として有機Ｓｎあるいは有機Ｂｉ化合物を含むこ
とを特徴とした特許請求の範囲第１項、第２項、第３項
又は第４項記載のポリアセチレン型超長共役ポリマーの
製造方法。 - 【請求項６】有機溶媒が含酸素有機溶媒で、ハロゲン化
金属触媒がＭｏＣｌ5であることを特徴とした特許請求
の範囲第５項記載のＣｉｓ型のポリアセチレン型超長共
役ポリマーの製造方法。 - 【請求項７】アセチレン基に−ＳｉＭｅ3基が結合して
いることを特徴とした特許請求の範囲第６項記載のＣｉ
ｓ型のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項８】アセチレン基を含む物質がω−ノナデシル
イノイックトリクロロシランであることを特徴とした特
許請求の範囲第１項記載のポリアセチレン型超長共役ポ
リマーの製造方法。 - 【請求項９】アセチレン基を含む物質が１−（トリメチ
ルシリル）−ω−ノナデシルイノイックトリクロロシラ
ンであることを特徴とした特許請求の範囲第１項又は第
２項記載のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方
法。 - 【請求項１０】ジアセチレン（−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−）基
と−Ｓｉ−Ｃｌ基を含む物質を溶解させた非水系の第１
の有機溶媒中に表面が親水性の基板を浸漬し化学吸着法
により前記基板上に前記物質の分子膜を化学吸着で形成
する工程と、ハロゲン化金属触媒を含む第２の有機溶媒
中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し前記単分子
膜のアセチレン基の部分を重合させる工程と、高エネル
ギーの放射線を照射する工程を含むことを特徴としたポ
リアセン型超長共役ポリマーの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631088A JPH0627140B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
| EP19890107790 EP0339677B1 (en) | 1988-04-28 | 1989-04-28 | Process for producing polyacetylene or polyacene type super long conjugated polymers |
| DE1989603420 DE68903420T2 (de) | 1988-04-28 | 1989-04-28 | Verfahren zur erzeugung von polyazetylen oder polyazen konjugierten polymeren mit sehr langer kette. |
| US07/807,636 US5302416A (en) | 1988-04-28 | 1991-12-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/926,381 US5248526A (en) | 1988-04-28 | 1992-08-10 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/959,432 US5304583A (en) | 1988-04-28 | 1992-10-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/959,431 US5304582A (en) | 1988-04-28 | 1992-10-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631088A JPH0627140B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275614A JPH01275614A (ja) | 1989-11-06 |
| JPH0627140B2 true JPH0627140B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=14430416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10631088A Expired - Lifetime JPH0627140B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627140B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH08846B2 (ja) * | 1992-01-14 | 1996-01-10 | 松下電器産業株式会社 | ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10631088A patent/JPH0627140B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01275614A (ja) | 1989-11-06 |
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