JPH01275614A - ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 - Google Patents
ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法Info
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- JPH01275614A JPH01275614A JP10631088A JP10631088A JPH01275614A JP H01275614 A JPH01275614 A JP H01275614A JP 10631088 A JP10631088 A JP 10631088A JP 10631088 A JP10631088 A JP 10631088A JP H01275614 A JPH01275614 A JP H01275614A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電気材料に関するものである。更に詳しくは
、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合を
有する有機物質に関するものである。
、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレン結合を
有する有機物質に関するものである。
従来の技術
アセチレン誘導体のポリマーは、パイ電子共役系を持つ
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
また、ポリアセチレンの製造方法としては、チグラーナ
ッタ触媒を用いた白州らの重合方法がよく知られている
。
ッタ触媒を用いた白州らの重合方法がよく知られている
。
発明が解決しようとした課題
ところが、現在知られているポリアセチレン誘導体は、
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定であるため、安定化させる研究が進め
られている。
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定であるため、安定化させる研究が進め
られている。
しかしながら、未だにアセチレン誘導体ポリマを安定化
する方法は見いだされていない。
する方法は見いだされていない。
課題を解決するための手段
一端に一Ｓｉ−Ｃｌ基を持つ直鎖上の炭化水素誘導体を
用いれば、有機溶媒中で化学吸着により親水性基板表面
に単分子膜を形成でき、さらに前記累積された単分子膜
表面を酸素を含むガス中で高エネルギー線照射して表面
を親水性化することにより単分子膜を累積膜を形成する
ことが出来ることが知られている。
用いれば、有機溶媒中で化学吸着により親水性基板表面
に単分子膜を形成でき、さらに前記累積された単分子膜
表面を酸素を含むガス中で高エネルギー線照射して表面
を親水性化することにより単分子膜を累積膜を形成する
ことが出来ることが知られている。
従って、直鎖状炭化水素の一部にアセチレン基を含むよ
うな物質を用い化学吸着法を行えば、数十オングストロ
ームオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を形成でき、
さらに多層の累積膜も容易に得ることが出来る。
うな物質を用い化学吸着法を行えば、数十オングストロ
ームオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を形成でき、
さらに多層の累積膜も容易に得ることが出来る。
この方法により累積された単分子膜を、ハロゲン化金属
触媒を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分子膜のアセチ
レン基の部分を重合させると、超高分子量で共役系が非
常に長くしかも酸素を含む雰囲気中でも安定なポリアセ
チレンが形成されることを発見した。つまり、一定の配
向性を保った状態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体
の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状
で超高分子量のポリマー（超長共役ポリマー）を作れる
ことを見いだした。
触媒を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分子膜のアセチ
レン基の部分を重合させると、超高分子量で共役系が非
常に長くしかも酸素を含む雰囲気中でも安定なポリアセ
チレンが形成されることを発見した。つまり、一定の配
向性を保った状態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体
の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状
で超高分子量のポリマー（超長共役ポリマー）を作れる
ことを見いだした。
作用
即ち、アセチレン（ＣａＧ）基およびクロルシラン基（
−ＳｉＣ１）を含む物質を溶解させた非水系有機溶媒中
に表面が親水性の基板を浸漬し、前記基板表面に前記ア
セチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−３ｉＣ
１）を含む物質を化学吸着させることにより基板上にア
セチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−ＳｉＣ
１）を含む物質の単分子膜を分子状態が並んだ状態で作
成することが出来、さらに所定の基板上に形成したアセ
チレン誘導体の化学吸着膜を金属触媒を用いて重合する
ことにより、重合時の分子配向性を保った状態で、共役
系が連続した直鎖状の超高分子量のポリアセチレンを作
ることができる。また、重合反応には、ハロゲン化金属
触媒たとえばＭ。
−ＳｉＣ１）を含む物質を溶解させた非水系有機溶媒中
に表面が親水性の基板を浸漬し、前記基板表面に前記ア
セチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−３ｉＣ
１）を含む物質を化学吸着させることにより基板上にア
セチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−ＳｉＣ
１）を含む物質の単分子膜を分子状態が並んだ状態で作
成することが出来、さらに所定の基板上に形成したアセ
チレン誘導体の化学吸着膜を金属触媒を用いて重合する
ことにより、重合時の分子配向性を保った状態で、共役
系が連続した直鎖状の超高分子量のポリアセチレンを作
ることができる。また、重合反応には、ハロゲン化金属
触媒たとえばＭ。
Ｃ１ｇやＷＣｌｓ、Ｎ ｂ Ｃｌ５１Ｔ ａ Ｃｌｓ、
Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｗ（Ｃｏ）ｅ、あるいはＮｂ（ＣＯ）
ｓｌやＴａ（ＧＯ）ｓ等が利用できる。また、有機溶媒
はトルエン、ジオキサン、アニソール等が利用できる。
Ｍｏ（ＣＯ）６、Ｗ（Ｃｏ）ｅ、あるいはＮｂ（ＣＯ）
ｓｌやＴａ（ＧＯ）ｓ等が利用できる。また、有機溶媒
はトルエン、ジオキサン、アニソール等が利用できる。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例
使用したサンプルは、数々あるが、アセチレン誘導体の
一種であり末端にアセチレン基を１個含むω−ノナデシ
ルイノイックトリクロルシラン（ＮＣ８； ＣＨＣ−
（ＣＨａ）ｎ−ＳｉＣ１ａ１ここでｎは１７であるが、
１４から２４の範囲で良好な結果が得られた）の場合を
用いて説明する。
一種であり末端にアセチレン基を１個含むω−ノナデシ
ルイノイックトリクロルシラン（ＮＣ８； ＣＨＣ−
（ＣＨａ）ｎ−ＳｉＣ１ａ１ここでｎは１７であるが、
１４から２４の範囲で良好な結果が得られた）の場合を
用いて説明する。
例えば、５ｉＯＲの形成された５１基板１上にシラン系
界面活性剤（ＮＣ８： ＣＨｍＣ−（ＣＨｔｈｔ−８ｔ
Ｃ１＊）を用いて基板表面に単分子膜を化学吸着して形
成する。この時、−５ｔｃｔ基と基板表面の５ｉ０２と
ともに形成されている一〇■基が反応して脱塩酸して、
基板表面に ＣＨミＣ−（ＣＨａ）Ｉマー５ｔ−０−の単分子膜２が
形成できる。例えば２．０Ｘ１０−１〜５．０Ｘ１０−
”ｍｏｌ／１の濃度で前記シラン系界面活性剤を溶かし
た８０％ｎ−へキチン、１２％四塩化炭素、８％クロロ
ホルム溶液中に、室温で数分間５ｉＯａの形成されたＳ
ｉ基板浸漬すると、ＳｉＯ２表面で一５ｔ−Ｏ−の結合
を形成できる。（第１図（ａ））ここで、基板表面に ＣＨミＣ−（ＣＨａ）＋ｖ−Ｓｉ −０−の単分子膜２
が形成できていることは、ＦＴＩＲにて確認された。
界面活性剤（ＮＣ８： ＣＨｍＣ−（ＣＨｔｈｔ−８ｔ
Ｃ１＊）を用いて基板表面に単分子膜を化学吸着して形
成する。この時、−５ｔｃｔ基と基板表面の５ｉ０２と
ともに形成されている一〇■基が反応して脱塩酸して、
基板表面に ＣＨミＣ−（ＣＨａ）Ｉマー５ｔ−０−の単分子膜２が
形成できる。例えば２．０Ｘ１０−１〜５．０Ｘ１０−
”ｍｏｌ／１の濃度で前記シラン系界面活性剤を溶かし
た８０％ｎ−へキチン、１２％四塩化炭素、８％クロロ
ホルム溶液中に、室温で数分間５ｉＯａの形成されたＳ
ｉ基板浸漬すると、ＳｉＯ２表面で一５ｔ−Ｏ−の結合
を形成できる。（第１図（ａ））ここで、基板表面に ＣＨミＣ−（ＣＨａ）＋ｖ−Ｓｉ −０−の単分子膜２
が形成できていることは、ＦＴＩＲにて確認された。
なお、このとき化学吸着膜の形成は、湿気を含まないＮ
ｓ雰囲気中で行った。化学吸着膜の形成に使用した基板
１は、直径３インチの酸化ｍ （Ｓ １０２）を形成し
たＳｔ基板である。
ｓ雰囲気中で行った。化学吸着膜の形成に使用した基板
１は、直径３インチの酸化ｍ （Ｓ １０２）を形成し
たＳｔ基板である。
次に金属触媒としてＭｏＣ１ｇを溶かしたトルエン中に
ＮＣ３吸着膜が１層形成された基板を浸漬し３０〜７０
℃程度に溶媒を昇温すると第１図（ｂ）に示すような反
応、即ちハロゲン化金属触媒による反応にてＴｒａｎｓ
−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩＲに
より明かとなった。なお、触媒としてはＷ Ｃｌ ａや
ＮｂＣｌ５１ Ｔａｃｌｓを用いても分子量は異なるが
同様の重合膜が得られた。さらにまた、触媒としてＭｏ
（Ｃｏ）６あるいはＷ（Ｇｏ）ａをＣＣｌ４溶媒に溶か
した溶液に基板を浸漬し紫外線を照射しても分子量は異
なるが赤褐色の重合膜が得られた。
ＮＣ３吸着膜が１層形成された基板を浸漬し３０〜７０
℃程度に溶媒を昇温すると第１図（ｂ）に示すような反
応、即ちハロゲン化金属触媒による反応にてＴｒａｎｓ
−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩＲに
より明かとなった。なお、触媒としてはＷ Ｃｌ ａや
ＮｂＣｌ５１ Ｔａｃｌｓを用いても分子量は異なるが
同様の重合膜が得られた。さらにまた、触媒としてＭｏ
（Ｃｏ）６あるいはＷ（Ｇｏ）ａをＣＣｌ４溶媒に溶か
した溶液に基板を浸漬し紫外線を照射しても分子量は異
なるが赤褐色の重合膜が得られた。
さらに前記Ｓｉ基板上に１−（トリメチルシリル）−ω
−ノナデシルイノイックトリクロロシラン（ＴＭＳ−Ｎ
Ｃ３： ＳｉＭｅａ−ＣＣ（ＣＨａ） ｎ−Ｓｉ Ｃ
ｌｓ、ここでｎは１７であるが、１４から２４の範囲で
良好な結果が得られた）吸着膜を１層累積した基板を（
第２図（ａ））％ 金属触媒としてＷ Ｃｌ ｅと共
触媒としてＢｕｎＳｎ（１：１）を溶かしたトルエン中
に浸漬し３０〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（
ｂ）に示すような反応、即ち一ＳｉＭｅａ基を含んだＴ
ｒａｎｓ−ポリアセチレン結合３が製造されたことが明
かとなった。
−ノナデシルイノイックトリクロロシラン（ＴＭＳ−Ｎ
Ｃ３： ＳｉＭｅａ−ＣＣ（ＣＨａ） ｎ−Ｓｉ Ｃ
ｌｓ、ここでｎは１７であるが、１４から２４の範囲で
良好な結果が得られた）吸着膜を１層累積した基板を（
第２図（ａ））％ 金属触媒としてＷ Ｃｌ ｅと共
触媒としてＢｕｎＳｎ（１：１）を溶かしたトルエン中
に浸漬し３０〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（
ｂ）に示すような反応、即ち一ＳｉＭｅａ基を含んだＴ
ｒａｎｓ−ポリアセチレン結合３が製造されたことが明
かとなった。
またＳｉ基板上にＮＣ８吸着膜を１層累積した基板を（
第３図（ａ）＞、金属触媒としてＭ ｏ Ｃ１６を溶か
した含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜
７０℃程度に溶媒を昇温すると第３図（ｂ）に示すよう
な反応、即ちＣ１５−ポリアセチレン４が製造されたこ
とが明かとなった。
第３図（ａ）＞、金属触媒としてＭ ｏ Ｃ１６を溶か
した含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜
７０℃程度に溶媒を昇温すると第３図（ｂ）に示すよう
な反応、即ちＣ１５−ポリアセチレン４が製造されたこ
とが明かとなった。
さらにまたＳｉ基板上にＴＭＳ−ＮＣ３吸着膜を１層累
積した基板を（第４図（ａ））、金属触媒としてＭｏＣ
ｌ５と共触媒としてｐｈｓＢｉ（１：１）を溶かした含
酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７０℃
程度に溶媒を昇温すると第４図（ｂ）に示すような反応
、即ち一ＳｉＭｅ３基を含んだＣｆ５−ポリアセチレン
４が製造されたことが明かとなった。
積した基板を（第４図（ａ））、金属触媒としてＭｏＣ
ｌ５と共触媒としてｐｈｓＢｉ（１：１）を溶かした含
酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７０℃
程度に溶媒を昇温すると第４図（ｂ）に示すような反応
、即ち一ＳｉＭｅ３基を含んだＣｆ５−ポリアセチレン
４が製造されたことが明かとなった。
一方、上述の方法で累積された吸着膜はアルコール溶媒
には不溶性であるることが確認された。
には不溶性であるることが確認された。
以上の結果より、本発明の重合方法を用いればＣ１ｓ型
あるいはＴｒａｎｓ型ポリアセチレンを容易に製造でき
ることが確認された。
あるいはＴｒａｎｓ型ポリアセチレンを容易に製造でき
ることが確認された。
なお、この様にして製造されたポリアセチレンは、従来
チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリアセチレ
ン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や圧力あ
るいは紫外線などにたいして著しく安定であった。
チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリアセチレ
ン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や圧力あ
るいは紫外線などにたいして著しく安定であった。
以上の、実施例では、ＮＣ８やＴＭＳ−ＮＣ８について
のみ示したが、分子内にアセチレン（ＣＥｉＥＣ）基を
含み吸着膜形成が可能なものであれば、吸着条件は異な
っても同様の方法が利用出来ることは明らかであろう。
のみ示したが、分子内にアセチレン（ＣＥｉＥＣ）基を
含み吸着膜形成が可能なものであれば、吸着条件は異な
っても同様の方法が利用出来ることは明らかであろう。
例えば、ジアセチレン基１０を１個もつトリコサジイノ
イックトリクロロシラン（Ｈ−ＣＥＥＣ−ｃ＝ｃ （
ＣＨ２）ｔｏ−８ＩＣ１ｓ：第５図（ａ）、（ｂ））を
用いた場合にも、化学吸着膜作成後（第５図（Ｃ）Ｌ
金属触媒を用いて重合すると、Ｔｒａｎｓポリアセチ
レン結合３を有する単分子膜状のポリアセチレン型超長
共役ポリマー（第５図（ｄ））が得られる。更に、ポリ
ジアセチレンより得られたポリアセチレン型超長共役ポ
リマーに電子線（Ｘ線やガンマ線等の放射線でもよい）
を照射して重合するとポリアセン結合５を有するボリア
セン型超長共役ポリマー（第５図（ｅ））が得られる。
イックトリクロロシラン（Ｈ−ＣＥＥＣ−ｃ＝ｃ （
ＣＨ２）ｔｏ−８ＩＣ１ｓ：第５図（ａ）、（ｂ））を
用いた場合にも、化学吸着膜作成後（第５図（Ｃ）Ｌ
金属触媒を用いて重合すると、Ｔｒａｎｓポリアセチ
レン結合３を有する単分子膜状のポリアセチレン型超長
共役ポリマー（第５図（ｄ））が得られる。更に、ポリ
ジアセチレンより得られたポリアセチレン型超長共役ポ
リマーに電子線（Ｘ線やガンマ線等の放射線でもよい）
を照射して重合するとポリアセン結合５を有するボリア
セン型超長共役ポリマー（第５図（ｅ））が得られる。
また、前述の実施例では１層化学吸着膜を形成し重合を
行う方法について述べたが吸着膜を多層積層した後で重
合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜の形成−重合
反応を交互に行ってもポリアセチレンの多層分子膜の作
製が可能なことは明らかであろう。
行う方法について述べたが吸着膜を多層積層した後で重
合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜の形成−重合
反応を交互に行ってもポリアセチレンの多層分子膜の作
製が可能なことは明らかであろう。
発明の効果
本発明の方法を用いることにより、導電性や非線形光学
効果の非常に優れ安定なポリアセチレンのポリマーを高
能率に製造できる。なお、この方法によると、理論的に
は共役系が連続して数ｍｍ或は数Ｃｍ以上の長さを持つ
直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製造も可能であ
るため、非線形光学効果を利用したデバイスの製作には
極めて有効である。また、今後さらに原料となるアセチ
レンやジアセチレン誘導体モノマーの種類や製造条件を
適正化することにより、共役系が連続して数十ｃｍ或は
数ｍ以上の長さを持つ直鎖状で超高分子量の安定なポリ
アセチレンあるいはポリアセンの製造も可能になると思
われるため、この方法で冷却を必要としない有機超電導
物質の製造が可能となるかもしれない。
効果の非常に優れ安定なポリアセチレンのポリマーを高
能率に製造できる。なお、この方法によると、理論的に
は共役系が連続して数ｍｍ或は数Ｃｍ以上の長さを持つ
直鎖状の超高分子量のポリアセチレンの製造も可能であ
るため、非線形光学効果を利用したデバイスの製作には
極めて有効である。また、今後さらに原料となるアセチ
レンやジアセチレン誘導体モノマーの種類や製造条件を
適正化することにより、共役系が連続して数十ｃｍ或は
数ｍ以上の長さを持つ直鎖状で超高分子量の安定なポリ
アセチレンあるいはポリアセンの製造も可能になると思
われるため、この方法で冷却を必要としない有機超電導
物質の製造が可能となるかもしれない。
第１図（ａ）はＮＣ８吸着膜を１層形成した基板の分子
オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）は重合後のＴ
ｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣ８
吸着膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概
念図、第２図（ｂ）は重合後のＴｒａｎｓ型ポリアセチ
レンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念図
、第３図（ａ）はＮＣ８膜を１層形成した基板の分子オ
ーダーの拡大断面概念図、第３図（ｂ）は重合後のＣｉ
ｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オーダーの
拡大断面概念図、第４図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣ８吸着膜
を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念図、
第４図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポリアセチレンの形成
された基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第５図（
ａ）〜（ｅ）は分子オーダーでのポリアセン型超長共役
ポリマー作成における工程概念図である。 １・・・ＳｉＯ＊／Ｓｉ基板、２・・・単分子吸着Ｍ、
３−・・Ｔｒａｎｓ−ポリアセチレン結合、４・・・Ｃ
１ｇ−ポリアセチレン結合、５１１・・ポリアセン結合
。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名城
− ト
＼０く ＼へ
＾ こ゛ 憾 − 恢 −
オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）は重合後のＴ
ｒａｎｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣ８
吸着膜を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概
念図、第２図（ｂ）は重合後のＴｒａｎｓ型ポリアセチ
レンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面概念図
、第３図（ａ）はＮＣ８膜を１層形成した基板の分子オ
ーダーの拡大断面概念図、第３図（ｂ）は重合後のＣｉ
ｓ型ポリアセチレンの形成された基板の分子オーダーの
拡大断面概念図、第４図（ａ）はＴＭＳ−ＮＣ８吸着膜
を１層形成した基板の分子オーダーの拡大断面概念図、
第４図（ｂ）は重合後のＣｉｓ型ポリアセチレンの形成
された基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第５図（
ａ）〜（ｅ）は分子オーダーでのポリアセン型超長共役
ポリマー作成における工程概念図である。 １・・・ＳｉＯ＊／Ｓｉ基板、２・・・単分子吸着Ｍ、
３−・・Ｔｒａｎｓ−ポリアセチレン結合、４・・・Ｃ
１ｇ−ポリアセチレン結合、５１１・・ポリアセン結合
。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名城
− ト
＼０く ＼へ
＾ こ゛ 憾 − 恢 −
Claims (10)
- （１）アセチレン（−Ｃ≡Ｃ−）基と−Ｓｉ−Ｃｌ基を
含む物質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に表面
が親水性の基板を浸漬し化学吸着法により前記基板上に
前記物質の分子膜を化学吸着で形成する工程と、ハロゲ
ン化金属触媒を含む第２の有機溶媒中に前記単分子膜の
累積された基板を浸漬し前記単分子膜のアセチレン基の
部分を重合させる工程を含むことを特徴としたポリアセ
チレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （２）アセチレン基がジアセチレン基であることを特徴
とした特許請求の範囲第１項記載のポリアセチレン型超
長共役ポリマーの製造方法。 - （３）アセチレン基に−ＳｉＭｅ＿３基が結合している
ことを特徴とした特許請求の範囲第１項記載のポリアセ
チレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （４）ハロゲン化金属触媒の金属がＭｏ、またはＷ、ま
たはＮｂ、またはＴａであることを特徴とした特許請求
の範囲第１項、第２項又は第３項記載のポリアセチレン
型超長共役ポリマーの製造方法。 - （５）有機溶媒中にハロゲン化金属触媒とさらに共触媒
として有機Ｓｎあるいは有機Ｂｉ化合物を含むことを特
徴とした特許請求の範囲第１項、第２項、第３項又は第
４項記載のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方
法。 - （６）有機溶媒が含酸素有機溶媒で、ハロゲン化金属触
媒がＭｏＣｌ＿５であることを特徴とした特許請求の範
囲第５項記載のＣｉｓ型のポリアセチレン型超長共役ポ
リマーの製造方法。 - （７）アセチレン基に−ＳｉＭｅ＿３基が結合している
ことを特徴とした特許請求の範囲第６項記載のＣｉｓ型
のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （８）アセチレン基を含む物質がω−ノナデシルイノイ
ックトリクロロシランであることを特徴とした特許請求
の範囲第１項記載のポリアセチレン型超長共役ポリマー
の製造方法。 - （９）アセチレン基を含む物質が１−（トリメチルシリ
ル）−ω−ノナデシルイノイックトリクロロシランであ
ることを特徴とした特許請求の範囲第１項又は第２項記
載のポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （１０）ジアセチレン（−Ｃ≡Ｃ−）基と−Ｓｉ−Ｃｌ
基を含む物質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に
表面が親水性の基板を浸漬し化学吸着法により前記基板
上に前記物質の分子膜を化学吸着で形成する工程と、ハ
ロゲン化金属触媒を含む第２の有機溶媒中に前記単分子
膜の累積された基板を浸漬し前記単分子膜のアセチレン
基の部分を重合させる工程と、高エネルギーの放射線を
照射する工程を含むことを特徴としたポリアセン型超長
共役ポリマーの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631088A JPH0627140B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
| DE1989603420 DE68903420T2 (de) | 1988-04-28 | 1989-04-28 | Verfahren zur erzeugung von polyazetylen oder polyazen konjugierten polymeren mit sehr langer kette. |
| EP19890107790 EP0339677B1 (en) | 1988-04-28 | 1989-04-28 | Process for producing polyacetylene or polyacene type super long conjugated polymers |
| US07/807,636 US5302416A (en) | 1988-04-28 | 1991-12-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/926,381 US5248526A (en) | 1988-04-28 | 1992-08-10 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/959,432 US5304583A (en) | 1988-04-28 | 1992-10-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
| US07/959,431 US5304582A (en) | 1988-04-28 | 1992-10-13 | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10631088A JPH0627140B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01275614A true JPH01275614A (ja) | 1989-11-06 |
| JPH0627140B2 JPH0627140B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=14430416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10631088A Expired - Lifetime JPH0627140B2 (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627140B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305094A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ω−シリルアルキニルシラン化合物およびその製造方法 |
| JPH05186531A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP10631088A patent/JPH0627140B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01305094A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ω−シリルアルキニルシラン化合物およびその製造方法 |
| JPH05186531A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレン型共役ポリマーの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0627140B2 (ja) | 1994-04-13 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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