JPH0651756B2 - 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 - Google Patents
金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法Info
- Publication number
- JPH0651756B2 JPH0651756B2 JP63333288A JP33328888A JPH0651756B2 JP H0651756 B2 JPH0651756 B2 JP H0651756B2 JP 63333288 A JP63333288 A JP 63333288A JP 33328888 A JP33328888 A JP 33328888A JP H0651756 B2 JPH0651756 B2 JP H0651756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metallized
- polyacetylene
- group
- conjugated polymer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレ
ン結合を有する有機物質である、金属化ポリアセチレン
叉は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法に
関するものである。
ン結合を有する有機物質である、金属化ポリアセチレン
叉は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法に
関するものである。
従来の技術 アセチレン誘導体のポリマーは、パイ電子共役系を持つ
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
また、ポリアセチレンの製造方法としては、チグラーナ
ッタ触媒を用いた白川らの重合方法がよく知られてい
る。
ッタ触媒を用いた白川らの重合方法がよく知られてい
る。
発明が解決しようとする課題 ところが、現在知られているポリアセチレン誘導体は、
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定である。
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定である。
そこで、安定化させる研究が進められているが、未だに
アセチレン誘導体ポリマを安定化する方法は見いだされ
ていない。
アセチレン誘導体ポリマを安定化する方法は見いだされ
ていない。
課題を解決するための手段 アセチエン（−Ｃ≡Ｃ−）基と−Ｓｉ−Ｃｌ基を含む物
質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に表面が親水
性の基板を浸漬し化学吸着法により前記基板上に前記物
質の単分子膜を化学吸着で形成する工程と、前記単分子
膜の形成された基板を金属イオンを含む水溶液中に浸漬
しアセチレン基の水素と前記金属イオンを置換する工程
と、ハロゲン化金属触媒を含む第２の有機溶媒中に前記
単分子膜の累積された基板を浸漬し前記単分子膜のアセ
チレン基の部分を重合させる工程とを含む製造方法を用
いる。
質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中に表面が親水
性の基板を浸漬し化学吸着法により前記基板上に前記物
質の単分子膜を化学吸着で形成する工程と、前記単分子
膜の形成された基板を金属イオンを含む水溶液中に浸漬
しアセチレン基の水素と前記金属イオンを置換する工程
と、ハロゲン化金属触媒を含む第２の有機溶媒中に前記
単分子膜の累積された基板を浸漬し前記単分子膜のアセ
チレン基の部分を重合させる工程とを含む製造方法を用
いる。
作用 直鎖状炭化水素の一部にアセチレン基を含むような物質
を用い化学吸着法を行えば、数＋オングストロームオー
ダのアセチレン誘導体の単分子膜を形成でき、さらに多
層の累積膜も容易に得ることが出来る。
を用い化学吸着法を行えば、数＋オングストロームオー
ダのアセチレン誘導体の単分子膜を形成でき、さらに多
層の累積膜も容易に得ることが出来る。
この方法により累積された単分子膜を、さらにＡｇやＣ
ｕなどの金属イオンを含む水溶液中に浸漬し、金属アセ
チリド反応にてアセチレン基またはジアセチレン基の水
素と前記金属原子とを置換し、次にハロゲン化金属触媒
を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分子膜のアセチレン
基の部分を重合させると、超分子量で共役系が非常に長
くしかも酸素を含む雰囲気中でも安定な金属化ポリアセ
チレンが形成される。
ｕなどの金属イオンを含む水溶液中に浸漬し、金属アセ
チリド反応にてアセチレン基またはジアセチレン基の水
素と前記金属原子とを置換し、次にハロゲン化金属触媒
を含む有機溶媒中に浸漬し、前記単分子膜のアセチレン
基の部分を重合させると、超分子量で共役系が非常に長
くしかも酸素を含む雰囲気中でも安定な金属化ポリアセ
チレンが形成される。
つまり、一定の配向性を保った状態で金属触媒を用いて
金属化アセチレン誘導体の分子を重合することにより、
共役系が連続した直鎖状で超高分子量のポリマー（超長
共役ポリマー）を作できる。
金属化アセチレン誘導体の分子を重合することにより、
共役系が連続した直鎖状で超高分子量のポリマー（超長
共役ポリマー）を作できる。
実施例 一端に−Ｓｉ−Ｃｌ基を持つ直鎖上の炭化水素誘導体を
用いれば、有機溶媒中で化学吸着により親水性基板表面
に単分子膜を形成でき、さらに前記累積された単分子膜
表面を酸素を含むガス中で高エネルギー線照射して表面
を親水性化することにより単分子膜を累積膜を形成する
ことが出来る。
用いれば、有機溶媒中で化学吸着により親水性基板表面
に単分子膜を形成でき、さらに前記累積された単分子膜
表面を酸素を含むガス中で高エネルギー線照射して表面
を親水性化することにより単分子膜を累積膜を形成する
ことが出来る。
すなわち、アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン
基（−ＳｉＣｌ）を含む物質を溶解させた非水系有機溶
媒中に表面が親水性の基板を浸漬し、前記基板表面に前
記アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−Ｓ
ｉＣｌ）を含む物質を化学吸着させることにより、基板
上にアセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−
ＳｉＣｌ）を含む物質の単分子膜を分子が並んだ状態で
作成することが出来る。
基（−ＳｉＣｌ）を含む物質を溶解させた非水系有機溶
媒中に表面が親水性の基板を浸漬し、前記基板表面に前
記アセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−Ｓ
ｉＣｌ）を含む物質を化学吸着させることにより、基板
上にアセチレン（Ｃ≡Ｃ）基およびクロルシラン基（−
ＳｉＣｌ）を含む物質の単分子膜を分子が並んだ状態で
作成することが出来る。
次に、ＡｇやＣｕなどの金属イオンを含む水溶液中に浸
漬し、金属アセチリド反応にてアセチレン基またはジア
セチレン基の水素と前記金属原子とを置換すると金属化
アセチレン誘導体の単分子膜を形成できる。
漬し、金属アセチリド反応にてアセチレン基またはジア
セチレン基の水素と前記金属原子とを置換すると金属化
アセチレン誘導体の単分子膜を形成できる。
さらに所定の基板上に形成した金属化アセチレン誘導体
の化学吸着膜を金属触媒を用いて重合することにより、
重合時の分子配向性を保った状態で、共役系が連続した
直鎖状の超高分子量の金属化ポリアセチレンを作ること
ができる。
の化学吸着膜を金属触媒を用いて重合することにより、
重合時の分子配向性を保った状態で、共役系が連続した
直鎖状の超高分子量の金属化ポリアセチレンを作ること
ができる。
また、重合反応には、ハロゲン化金属触媒たとえばＭｏ
Ｃｌ5やＷＣｌ6、ＮｂＣｌ5、ＴａＣｌ5、Ｍｏ（ＣＯ）
5、Ｗ（ＣＯ）6、あるいはＮｂ（ＣＯ）5、やＴａ（Ｃ
Ｏ）5等が利用できる。また、有機溶媒はトルエン、ジ
オキサン、アニソール等が利用できる。
Ｃｌ5やＷＣｌ6、ＮｂＣｌ5、ＴａＣｌ5、Ｍｏ（ＣＯ）
5、Ｗ（ＣＯ）6、あるいはＮｂ（ＣＯ）5、やＴａ（Ｃ
Ｏ）5等が利用できる。また、有機溶媒はトルエン、ジ
オキサン、アニソール等が利用できる。
以下、実施例を用いて本発明の詳細を説明する。
アセチレン誘導体の一種であり末端にアセチレン基を１
個含むω−ノナデシルイノイックトリクロルシラン（Ｎ
ＣＳ；ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、ここでｎは
１７であるが、１４から２４の範囲で良好な結果が得ら
れた）の場合を用いて説明する。
個含むω−ノナデシルイノイックトリクロルシラン（Ｎ
ＣＳ；ＣＨ≡Ｃ−（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、ここでｎは
１７であるが、１４から２４の範囲で良好な結果が得ら
れた）の場合を用いて説明する。
例えば、ＳｉＯ2の形成されたSi基板１上にシラン系界
面活性剤（ＮＣＳ：ＣＨ≡Ｃ−(ＣＨ2)17−ＳｉＣｌ3）
を用いて基板表面に単分子膜を化学吸着して形成する。
この時、-SiCl基と基板表面のＳｉＯ2とともに形成され
ている-OH基が反応して脱塩酸して、基板表面に の単分子膜２が形成できる。
面活性剤（ＮＣＳ：ＣＨ≡Ｃ−(ＣＨ2)17−ＳｉＣｌ3）
を用いて基板表面に単分子膜を化学吸着して形成する。
この時、-SiCl基と基板表面のＳｉＯ2とともに形成され
ている-OH基が反応して脱塩酸して、基板表面に の単分子膜２が形成できる。
例えば２．０Ｘ１０-3〜５．０Ｘ１０-3mol/ｌの濃度で
前記シラン系界面活性剤を溶かした80%ｎ−ヘキサン、1
2％四塩化炭素、8%クロロホルム溶液中に、室温で数分
間ＳｉＯ2の形成されたＳｉ基板浸漬すると、ＳｉＯ2表
面で−Ｓｉ−Ｏ−の結合を形成できる(第１図(ａ))。
前記シラン系界面活性剤を溶かした80%ｎ−ヘキサン、1
2％四塩化炭素、8%クロロホルム溶液中に、室温で数分
間ＳｉＯ2の形成されたＳｉ基板浸漬すると、ＳｉＯ2表
面で−Ｓｉ−Ｏ−の結合を形成できる(第１図(ａ))。
ここで、基板表面に の単分子膜２が形成できていることは、ＦＴＩＲにて確
認された。
認された。
なお、このとき化学吸着膜の形成は、湿気を含まないＮ
2雰囲気中で行った。化学吸着膜の形成に使用した基板
１は、直径３インチの酸化膜（ＳｉＯ2）を形成したＳ
ｉ基板である。
2雰囲気中で行った。化学吸着膜の形成に使用した基板
１は、直径３インチの酸化膜（ＳｉＯ2）を形成したＳ
ｉ基板である。
また、分子末端のアセチレン基の安定かをはかるためシ
ラン界面活性剤として１−（トリメチルシリル）−ω−
ノナデシルイノイックトリクロロシラン（ＴＭＳ−ＮＣ
Ｓ：ＳｉＭｅ3−Ｃ Ｃ（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、ここ
でｎは１７であるが、１４から２４の範囲で良好な結果
が得られた）を用いて化学吸着を行う方法がある。この
場合は、吸着後１０パーセントＫＯＨ水溶液に浸漬する
と−ＳｉＭｅ3基が脱離させて同様に の単分子膜２が形成できる。
ラン界面活性剤として１−（トリメチルシリル）−ω−
ノナデシルイノイックトリクロロシラン（ＴＭＳ−ＮＣ
Ｓ：ＳｉＭｅ3−Ｃ Ｃ（ＣＨ2）ｎ−ＳｉＣｌ3、ここ
でｎは１７であるが、１４から２４の範囲で良好な結果
が得られた）を用いて化学吸着を行う方法がある。この
場合は、吸着後１０パーセントＫＯＨ水溶液に浸漬する
と−ＳｉＭｅ3基が脱離させて同様に の単分子膜２が形成できる。
次に、金属イオンを含む化合物、例えば硝酸銀（ＡｇＮ
Ｏ3）の水溶液または水酸化銅アンモニウム（Ｃｕ（Ｎ
Ｈ3）2ＯＨ）の水溶液に浸漬すると金属アセチリド反応
にて−Ｃ≡ＣＨ基のＨとＡｇ（またはＣｕ）が置換され
る（第１図（ｂ））。
Ｏ3）の水溶液または水酸化銅アンモニウム（Ｃｕ（Ｎ
Ｈ3）2ＯＨ）の水溶液に浸漬すると金属アセチリド反応
にて−Ｃ≡ＣＨ基のＨとＡｇ（またはＣｕ）が置換され
る（第１図（ｂ））。
次に、金属触媒としてＭｏＣｌ5を溶かしたトルエン中
にＮＣＳ吸着膜が１層形成された基板を浸漬し３０〜７
０℃程度に溶媒を昇温すると第１図（ｃ）に示すような
反応、即ちハロゲン化金属触媒による反応にて金属化ト
ランス−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＵＶ
スペクトルにより明かとなった。なお、触媒としてはＷ
Ｃｌ6やＮｂＣｌ5、ＴａＣｌ5を用いても分子量は異な
るが同様の重合膜が得られた。さらにまた、触媒として
Ｍｏ（ＣＯ）6あるいはＷ（ＣＯ）6をＣＣｌ4溶媒に溶
かした溶液に基板を浸漬し紫外線を照射しても分子量は
異なるが赤褐色の重合膜が得られた。
にＮＣＳ吸着膜が１層形成された基板を浸漬し３０〜７
０℃程度に溶媒を昇温すると第１図（ｃ）に示すような
反応、即ちハロゲン化金属触媒による反応にて金属化ト
ランス−ポリアセチレン結合３が製造されたことがＵＶ
スペクトルにより明かとなった。なお、触媒としてはＷ
Ｃｌ6やＮｂＣｌ5、ＴａＣｌ5を用いても分子量は異な
るが同様の重合膜が得られた。さらにまた、触媒として
Ｍｏ（ＣＯ）6あるいはＷ（ＣＯ）6をＣＣｌ4溶媒に溶
かした溶液に基板を浸漬し紫外線を照射しても分子量は
異なるが赤褐色の重合膜が得られた。
またＳｉ基板上にＮＣＳ吸着膜を１層累積した基板を硝
酸銀（ＡｇＮＯ3）の水溶液または水酸化銅アンモニウ
ム（Ｃｕ（ＮＨ3）2ＯＨ）の水溶液に浸漬して金属アセ
チリド反応にて−Ｃ≡ＣＨ基のＨとＡｇまたはＣｕに置
換した後（第２図(ａ)）、金属触媒としてＭｏＣｌ6を
溶かした含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３
０〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（ｂ）に示す
ような反応、即ち金属化シス−ポリアセチレン４が製造
されたことが明かとなった。
酸銀（ＡｇＮＯ3）の水溶液または水酸化銅アンモニウ
ム（Ｃｕ（ＮＨ3）2ＯＨ）の水溶液に浸漬して金属アセ
チリド反応にて−Ｃ≡ＣＨ基のＨとＡｇまたはＣｕに置
換した後（第２図(ａ)）、金属触媒としてＭｏＣｌ6を
溶かした含酸素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３
０〜７０℃程度に溶媒を昇温すると第２図（ｂ）に示す
ような反応、即ち金属化シス−ポリアセチレン４が製造
されたことが明かとなった。
なお、上述の方法で累積された吸着膜はアルコール溶媒
には不溶性であることが確認された。
には不溶性であることが確認された。
以上の結果より、本発明の重合方法を用いればシス型あ
るいはトランス型の金属化ポリアセチレンを容易に製造
できることが確認された。
るいはトランス型の金属化ポリアセチレンを容易に製造
できることが確認された。
なお、この様にして製造された金属化ポリアセチレン
は、従来チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリ
アセチレン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱
や圧力あるいは紫外線などにたいして著しく安定であっ
た。
は、従来チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリ
アセチレン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱
や圧力あるいは紫外線などにたいして著しく安定であっ
た。
以上の、実施例では、ＮＣＳについてのみ示したが、分
子内にアセチレン（Ｃ≡Ｃ）基を含み吸着膜形成が可能
なものであれば、吸着条件は異なっても同様の方法が利
用出来ることは明らかであろう。
子内にアセチレン（Ｃ≡Ｃ）基を含み吸着膜形成が可能
なものであれば、吸着条件は異なっても同様の方法が利
用出来ることは明らかであろう。
例えば、ジアセチレン基１０を１個もうトリコサジイノ
イックトリクロロシラン（Ｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ
2）19−ＳｉＣｌ3：第３図（ａ）、（ｂ））を用いた場
合にも、化学吸着膜作成後（第３図（ｃ））、硝酸銀
（ＡｇＮＯ3）の水溶液または水酸化銅アンモニウム
（Ｃｕ（ＮＨ3）2ＯＨ）の水溶液に浸漬して金属アセチ
リド反応にて−Ｃ≡ＣＨ基のＨとＡｇまたはＣｕに置換
し（第３図（ｄ））、さらに金属触媒を用いて重合する
と、金属化トランスポリアセチレン結合３を有する単分
子膜状の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマー（第
３図（ｅ））が得られる。更に、ポリジアセチレンより
得られたポリアセチレン型超長共役ポリマーに電子線
（Ｘ線やガンマ線等の放射線でもよい）を照射して重合
すると金属化ポリアセチレン結合５を有する金属化ポリ
アセン型超長共役ポリマー（第３図（ｆ））が得られ
る。
イックトリクロロシラン（Ｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（ＣＨ
2）19−ＳｉＣｌ3：第３図（ａ）、（ｂ））を用いた場
合にも、化学吸着膜作成後（第３図（ｃ））、硝酸銀
（ＡｇＮＯ3）の水溶液または水酸化銅アンモニウム
（Ｃｕ（ＮＨ3）2ＯＨ）の水溶液に浸漬して金属アセチ
リド反応にて−Ｃ≡ＣＨ基のＨとＡｇまたはＣｕに置換
し（第３図（ｄ））、さらに金属触媒を用いて重合する
と、金属化トランスポリアセチレン結合３を有する単分
子膜状の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマー（第
３図（ｅ））が得られる。更に、ポリジアセチレンより
得られたポリアセチレン型超長共役ポリマーに電子線
（Ｘ線やガンマ線等の放射線でもよい）を照射して重合
すると金属化ポリアセチレン結合５を有する金属化ポリ
アセン型超長共役ポリマー（第３図（ｆ））が得られ
る。
また、前述の実施例では１層化学吸着膜を形成し重合し
行う方法について述べたが吸着膜を多層積層した後で重
合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜の形成−重合
反応を交互に行ってもポリアセチレンの多層分子膜の作
製が可能なことは明らかであろう。
行う方法について述べたが吸着膜を多層積層した後で重
合反応を行っても良いし、あるいは吸着膜の形成−重合
反応を交互に行ってもポリアセチレンの多層分子膜の作
製が可能なことは明らかであろう。
なお、今後さらに原料となるアセチレンやジアセチレン
誘導体モノマーの種類や製造条件を適正化することによ
り、共役系が連続して数＋ｃｍ或は数ｍ以上の長さを持
つ直鎖状で超高分子量の安定な金属化ポリアセチレンあ
るいは金属化ポリアセンの製造も可能になると思われる
ため、この方法で、冷却を必要としない有機超電導物質
の製造の可能性も予測される。
誘導体モノマーの種類や製造条件を適正化することによ
り、共役系が連続して数＋ｃｍ或は数ｍ以上の長さを持
つ直鎖状で超高分子量の安定な金属化ポリアセチレンあ
るいは金属化ポリアセンの製造も可能になると思われる
ため、この方法で、冷却を必要としない有機超電導物質
の製造の可能性も予測される。
発明の効果 本発明の方法を用いることにより、導電性や非線形光学
効果の非常に優れ安定な金属化ポリアセチレンのポリマ
ーを高能率に製造できる。
効果の非常に優れ安定な金属化ポリアセチレンのポリマ
ーを高能率に製造できる。
また、この方法によると、理論的には共役系が連続して
数ｍｍ或は数ｃｍ以上の長さをもつ直鎖状の超高分子量
の金属化ポリアセチレンの製造も可能であるため、非線
形光学効果を利用したデバイスの製作には極めて有効で
ある。
数ｍｍ或は数ｃｍ以上の長さをもつ直鎖状の超高分子量
の金属化ポリアセチレンの製造も可能であるため、非線
形光学効果を利用したデバイスの製作には極めて有効で
ある。
第１図（ａ）はＮＣＳ吸着膜を１層形成した基板の分子
オーダーの拡大断面概念図、第１図(ｂ)はＮＣＳ吸着膜
の末端をＡｇで置換した基板の分子オーダーの拡大断面
概念図、第１図（ｃ）は重合後の金属化トランス型ポリ
アセチレンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面
概念図、第２図（ａ）は、ＮＣＳ膜を１層形成した後Ａ
ｇ置換した基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第２
図（ｂ）は重合後の金属化シス型ポリアセチレンの形成
された基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第３図
（ａ）〜（ｆ）は分子オーダーでの金属化ポリアセン型
超長共役ポリマー作成における工程概念図である。 １……ＳｉＯ2／Ｓｉ基板、２……単分子吸着膜、３…
…金属化トランス−ポリアセチレン結合、４……金属化
シス−ポリアセチレン結合、５……金属化ポリアセン結
合。
オーダーの拡大断面概念図、第１図(ｂ)はＮＣＳ吸着膜
の末端をＡｇで置換した基板の分子オーダーの拡大断面
概念図、第１図（ｃ）は重合後の金属化トランス型ポリ
アセチレンの形成された基板の分子オーダーの拡大断面
概念図、第２図（ａ）は、ＮＣＳ膜を１層形成した後Ａ
ｇ置換した基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第２
図（ｂ）は重合後の金属化シス型ポリアセチレンの形成
された基板の分子オーダーの拡大断面概念図、第３図
（ａ）〜（ｆ）は分子オーダーでの金属化ポリアセン型
超長共役ポリマー作成における工程概念図である。 １……ＳｉＯ2／Ｓｉ基板、２……単分子吸着膜、３…
…金属化トランス−ポリアセチレン結合、４……金属化
シス−ポリアセチレン結合、５……金属化ポリアセン結
合。
Claims (10)
- 【請求項１】アセチレン（−Ｃ≡Ｃ−）基と−Ｓｉ−Ｃ
ｌ基を含む物質を溶解させた非水系の第１の有機溶媒中
に表面が親水性の基板を浸漬し化学吸着法により前記基
板上に前記物質の単分子膜を化学吸着で形成する工程
と、前記単分子膜の形成された基板を金属イオンを含む
水溶液中に浸漬しアセチレン基の水素と前記金属イオン
を置換する工程と、ハロゲン化金属触媒を含む第２の有
機溶媒中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し前記
単分子膜のアセチレン基の部分を重合させる工程とを含
むことを特徴とする金属化ポリアセチレン型超長共役ポ
リマーの製造方法。 - 【請求項２】アセチレン基がジアセチレン基であること
を特徴とする請求項１記載の金属化ポリアセチレン型超
長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項３】アセチレン基に−ＳｉＭｅ3基が結合して
いる分子を用いることを特徴とする請求項１記載の金属
化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項４】ハロゲン化金属触媒の金属がＭｏ、Ｗ、Ｎ
ｂ、またはＴａであることを特徴とする請求項１、２叉
は３記載の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの
製造方法。 - 【請求項５】有機溶媒中に、ハロゲン化金属触媒とさら
に共触媒として有機Ｓｎあるいは有機Ｂｉ化合物を含む
ことを特徴とする請求項１、２、３叉は４記載の金属化
ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項６】有機溶媒が含酸素有機溶媒で、ハロゲン化
金属触媒がＭｏＣｌ5であることを特徴とする請求項５
記載の金属化シス型ポリアセチレン型超長共役ポリマー
の製造方法。 - 【請求項７】金属イオンとしてＡｇまたはＣｕイオンを
用いることを特徴とする請求項１記載の金属化シス型ポ
リアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項８】アセチレン基を含む物質がω−ノナデシル
イノイックトリクロロシランであることを特徴とする請
求項１記載の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマー
の製造方法。 - 【請求項９】アセチレン基を含む物質が１−（トリメチ
ルシリル）−ω−ノナデシルイノイックトリクロロシラ
ンであることを特徴とする請求項１叉は２記載の金属化
ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - 【請求項１０】ジアセチレン（−Ｃ≡Ｃ−）基と−Ｓｉ
−Ｃｌ基を含む物質を溶解させた非水系の第１の有機溶
媒中に表面が親水性の基板を浸漬し化学吸着法により前
記基板上に前記物質の単分子膜を化学吸着で形成する工
程と、前記単分子膜の形成された基板を金属イオンを含
む水溶液中に浸漬しアセチレン基の水素と前記金属イオ
ンを置換する工程と、ハロゲン化金属触媒を含む第２の
有機溶媒中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し前
記単分子膜のアセチレン基の部分を重合させる工程と、
高エネルギーの放射線を照射する工程を含むことを特徴
とする金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63333288A JPH0651756B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
| US07/448,237 US5057339A (en) | 1988-12-29 | 1989-12-11 | Metallized polyacetylene-type or polyacene-type ultralong conjugated polymers and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63333288A JPH0651756B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178311A JPH02178311A (ja) | 1990-07-11 |
| JPH0651756B2 true JPH0651756B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=18264421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63333288A Expired - Fee Related JPH0651756B2 (ja) | 1988-12-29 | 1988-12-29 | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651756B2 (ja) |
-
1988
- 1988-12-29 JP JP63333288A patent/JPH0651756B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02178311A (ja) | 1990-07-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5057339A (en) | Metallized polyacetylene-type or polyacene-type ultralong conjugated polymers and process for producing the same | |
| US5270417A (en) | Method of manufacturing a polyacetylene conjugate polymer | |
| US5011518A (en) | Permselective membrane and process for producing the same | |
| JPH01275613A (ja) | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 | |
| US5008127A (en) | Process for the production of a highly-orientated ultralong conjugated polymer | |
| JPH0766990B2 (ja) | 有機デバイスおよびその製造方法 | |
| EP0523503B1 (en) | Ultra thin polymer film electret and method of manufacturing the same | |
| US5277980A (en) | Mass of fine particles of inorganic material and a film of the fine inorganic particles | |
| EP0322233B1 (en) | Method for producing ultrathin metal film and ultrathin-thin metal pattern | |
| EP0312100B1 (en) | Process for producing a polyacetylene or polydiacetylene film | |
| EP0339677B1 (en) | Process for producing polyacetylene or polyacene type super long conjugated polymers | |
| JPH0651756B2 (ja) | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 | |
| US5019303A (en) | Process for producing polyacetylene | |
| JPH0627140B2 (ja) | ポリアセチレン又はポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 | |
| US5304583A (en) | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers | |
| US5304582A (en) | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers | |
| JPH0667982B2 (ja) | 高配向性共役ポリマーの製造方法 | |
| JPH03230156A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH0651757B2 (ja) | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 | |
| US5302416A (en) | Process for producing polyacetylene or polyacene type long conjugated polymers | |
| JPH0627139B2 (ja) | ポリアセチレンの製造方法 | |
| JPH075672B2 (ja) | 高配向性超長共役ポリマーの製造方法 | |
| JPH075671B2 (ja) | ポリアセチレンの製造方法 | |
| Rosner et al. | Fabrication of Langmuir—Blodgett films of polypyrrole by solid state reactions on an iron (III) stearate template | |
| JPH0761427B2 (ja) | 選択透過性膜およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |