JPH02182708A - 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 - Google Patents
金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法Info
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- JPH02182708A JPH02182708A JP1002424A JP242489A JPH02182708A JP H02182708 A JPH02182708 A JP H02182708A JP 1002424 A JP1002424 A JP 1002424A JP 242489 A JP242489 A JP 242489A JP H02182708 A JPH02182708 A JP H02182708A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性や非線形光学効果を示すポリアセチレ
ン結合を有する打機物質である、金属化ポリアセチレン
又は金属化ボリアセン型超長共役ポリマーの製造方法に
関するものである。
ン結合を有する打機物質である、金属化ポリアセチレン
又は金属化ボリアセン型超長共役ポリマーの製造方法に
関するものである。
従来の技術
アセチレン誘導体のポリマーは、パイ電子共役系を持つ
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
一次元の主鎖を分子内に保有していることで、導電性や
非線形光学効果を持つことから光、電子機能材料として
広く研究されている。
また、ポリアセチレンの製造方法としては、チグラーナ
ソタ触媒を用いた白州らの重合方法がよく知られている
。
ソタ触媒を用いた白州らの重合方法がよく知られている
。
一方、疎水性基と親水性基を持つ両親媒性のアセチレン
誘導体を用いれば、゛水面上で単分子膜を形成でき、さ
らにラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法により累積
膜を形成することが出来ることがよく知られている。
誘導体を用いれば、゛水面上で単分子膜を形成でき、さ
らにラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法により累積
膜を形成することが出来ることがよく知られている。
ＬＢ法は、近年分子そのものに機能を持たせた分子デバ
イス開発において、措築手段の一つとして有望視されて
いる方法である。ＬＢ法によれば、数十オングストロー
ムオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を作成でき、さ
らにその累積膜も容易に得ることが出来る。
イス開発において、措築手段の一つとして有望視されて
いる方法である。ＬＢ法によれば、数十オングストロー
ムオーダのアセチレン誘導体の単分子膜を作成でき、さ
らにその累積膜も容易に得ることが出来る。
発明が解決しようとする課題
ところが、現在知られているポリアセチレン誘導体は、
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定である。
酸素を含む雰囲気中では、熱や圧力あるいは紫外線など
にたいして不安定である。
そこで、安定化させる研究が進められているが、未だに
アセチレン誘導体ポリマを安定化する方法は見いたされ
ていない。
アセチレン誘導体ポリマを安定化する方法は見いたされ
ていない。
課題を解決するための手段
有機溶媒に溶解させたアセチレン基を含む物質を水面上
に展開し前記有機溶媒を蒸発させた後、水面上に残った
前記アセチレン基を含む物質の分子を水面上で水面方向
にバリヤでかき集め、所定の表面圧を加えながら基板を
上下させてアセチレン誘導体の単分子膜を基板上に累積
（この累積法をラングミュア−彎ブロジェット（ＬＢ）
法と言い、この方法により累積された単分子膜をＬＢ膜
という）された単分子膜を、さらにＡｇやＣｕなどの金
属イオンを含む水溶液中に浸漬し、金属アセチリド反応
にてアセチレン基またはジアセチレン基の水素と前記金
属原子とを置換し、さらにハロゲン化金属触媒を含む有
機溶媒中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し前記
単分子膜のアセチレン基の部分を重合させる。
に展開し前記有機溶媒を蒸発させた後、水面上に残った
前記アセチレン基を含む物質の分子を水面上で水面方向
にバリヤでかき集め、所定の表面圧を加えながら基板を
上下させてアセチレン誘導体の単分子膜を基板上に累積
（この累積法をラングミュア−彎ブロジェット（ＬＢ）
法と言い、この方法により累積された単分子膜をＬＢ膜
という）された単分子膜を、さらにＡｇやＣｕなどの金
属イオンを含む水溶液中に浸漬し、金属アセチリド反応
にてアセチレン基またはジアセチレン基の水素と前記金
属原子とを置換し、さらにハロゲン化金属触媒を含む有
機溶媒中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し前記
単分子膜のアセチレン基の部分を重合させる。
また、前記ＬＢ膜の累積時に面方向に直流バイアスを印
加しておく。
加しておく。
作用
上記の方法によれば、超高分子量で共役系が非常に長く
しかも酸素を含む雰囲気中でも安定な金属化ポリアセチ
レン型超長共役ポリマーが形成される。即ち、一定の配
向性を保った状態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体
の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状
で超高分子量（語長共役ポリマー）のポリマーを作製す
ることができる。
しかも酸素を含む雰囲気中でも安定な金属化ポリアセチ
レン型超長共役ポリマーが形成される。即ち、一定の配
向性を保った状態で金属触媒を用いてアセチレン誘導体
の分子を重合することにより、共役系が連続した直鎖状
で超高分子量（語長共役ポリマー）のポリマーを作製す
ることができる。
また、アセチレン誘導体分子を水面上で面方向にバリヤ
でかき集める際、面方向に直流バイアスを印加してお（
と、更にモノマー分子の累積時の配向性がよくなり、よ
り共役系が長い金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマ
ーを作ることが可能となる。
でかき集める際、面方向に直流バイアスを印加してお（
と、更にモノマー分子の累積時の配向性がよくなり、よ
り共役系が長い金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマ
ーを作ることが可能となる。
実施例
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
使用したサンプルのうち、アセチレン誘導体の一種であ
るオメガトリコシノイック酸（Ｔ ＣＡ：ＣＨ≡Ｃ（Ｃ
Ｈ２） ｎ Ｃ００Ｈ１ここでｎは２０であるが１４か
ら２３の誘導体でも良好な結果が得られた）の場合を用
いて説明する。
るオメガトリコシノイック酸（Ｔ ＣＡ：ＣＨ≡Ｃ（Ｃ
Ｈ２） ｎ Ｃ００Ｈ１ここでｎは２０であるが１４か
ら２３の誘導体でも良好な結果が得られた）の場合を用
いて説明する。
ＬＢ膜の累積には、ジョイスレーベル社のトラフＩ Ｖ
（Ｊｏｌｃｅ−Ｌｏｅｂｌ Ｔｒｏｕｇｈ ＩＶ
）を用い、５００ｎｍ以下の光をカットしたイエロー光
照明のクラス１００のクリーンルーム内で行った。この
ときクリーンルーム内は、室温２３±１℃、湿度４０±
５％に調節されている。ＬＢ膜の累積に使用した基板は
、直径３インチの酸化膜を形成したＳｉ基板である。重
合反応に使用したハロゲン化金属触媒はＭｏＣｌ５、ま
たはＷＣｌａ、またはＮｂＣｌ５、またはＴａＣｌ５、
またはＭｏ（ＣＯ）ｓ、またはＷ（ＣＯ）６、またはＮ
ｂ（ＣＯ）ｓｌ またはＴａ（ＧＯ）ｓ等が利用できた
。また、有機溶媒はトルエン、ジオ牛サン、アニソール
等が利用できる。
（Ｊｏｌｃｅ−Ｌｏｅｂｌ Ｔｒｏｕｇｈ ＩＶ
）を用い、５００ｎｍ以下の光をカットしたイエロー光
照明のクラス１００のクリーンルーム内で行った。この
ときクリーンルーム内は、室温２３±１℃、湿度４０±
５％に調節されている。ＬＢ膜の累積に使用した基板は
、直径３インチの酸化膜を形成したＳｉ基板である。重
合反応に使用したハロゲン化金属触媒はＭｏＣｌ５、ま
たはＷＣｌａ、またはＮｂＣｌ５、またはＴａＣｌ５、
またはＭｏ（ＣＯ）ｓ、またはＷ（ＣＯ）６、またはＮ
ｂ（ＣＯ）ｓｌ またはＴａ（ＧＯ）ｓ等が利用できた
。また、有機溶媒はトルエン、ジオ牛サン、アニソール
等が利用できる。
例えば、Ｓｉ基板１上にオメガトリコシノイック酸（Ｔ
ＣＡ）ＬＢＨをＣａＣＬ等の無機塩素を含む水相上で累
積すると第１図（ａ）に示すような分子配列状態の単分
子膜２が得られる。また、分子末端のアセチレン基にＭ
ｅａＳｉ−基を付けたシラン界面活性剤として１−（ト
リメチルシリル）−ω−トリコシノイック酸（ＴＭＳ−
ＴＣＡ： ＳｉＭｅ３−ｃミＣ（ＣＨ２）ｎ Ｃ０
０Ｈ１ここでｎは２０であるが１４から２３の誘導体で
も良好な結果が得られた）を用いて累積を行う方法があ
る。この場合は、吸着後１０パーセントＫＯＨ水溶液に
浸漬すると一３ｉＭｅ３基が脱離されて同様にＣＨミＣ
（ＣＨｚ）ｚａ−Ｃ００Ｈの単分子膜２が形成できる。
ＣＡ）ＬＢＨをＣａＣＬ等の無機塩素を含む水相上で累
積すると第１図（ａ）に示すような分子配列状態の単分
子膜２が得られる。また、分子末端のアセチレン基にＭ
ｅａＳｉ−基を付けたシラン界面活性剤として１−（ト
リメチルシリル）−ω−トリコシノイック酸（ＴＭＳ−
ＴＣＡ： ＳｉＭｅ３−ｃミＣ（ＣＨ２）ｎ Ｃ０
０Ｈ１ここでｎは２０であるが１４から２３の誘導体で
も良好な結果が得られた）を用いて累積を行う方法があ
る。この場合は、吸着後１０パーセントＫＯＨ水溶液に
浸漬すると一３ｉＭｅ３基が脱離されて同様にＣＨミＣ
（ＣＨｚ）ｚａ−Ｃ００Ｈの単分子膜２が形成できる。
次に、金属イオンを含む化合物、例えば硝酸銀（Ａ ｇ
Ｎ Ｏ３）の水溶液または水酸化銅アンモニウム（Ｃ
ｕ （ＮＨ３）２０Ｈ）の水溶液に浸漬すると金属アセ
チリド反応にて−ＣミＣＨ基のＨとＡｇ（またはＣｕ）
が置換される（第１図（ｂ））。
Ｎ Ｏ３）の水溶液または水酸化銅アンモニウム（Ｃ
ｕ （ＮＨ３）２０Ｈ）の水溶液に浸漬すると金属アセ
チリド反応にて−ＣミＣＨ基のＨとＡｇ（またはＣｕ）
が置換される（第１図（ｂ））。
次に、金属触媒としてＭｏＣｌ５を溶かしたトルエン中
にオメガトリコシノイック酸ＬＢ膜が１層累積された基
板を浸漬し３０〜７０’Ｃ程度に溶媒を昇温すると第１
図（Ｃ）に示すような反応、即ち金属化トランス−ポリ
アセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩＲ分析によ
り明かとなった。
にオメガトリコシノイック酸ＬＢ膜が１層累積された基
板を浸漬し３０〜７０’Ｃ程度に溶媒を昇温すると第１
図（Ｃ）に示すような反応、即ち金属化トランス−ポリ
アセチレン結合３が製造されたことがＦＴＩＲ分析によ
り明かとなった。
なお、触媒としてはｗｃ ｌａやＮｂＣｌ５、ＴａＣｌ
５を用いても分子量は異なるが同様の重合膜が得られた
。さらにまた、触媒としてＭｏ（Ｃｏ）ｓあルイはＷ（
ＧＯ）ｓをＣＣＩ、溶媒に溶かした溶液に基板を浸漬し
紫外線を照射しても分子量は異なるが赤褐色の重合膜が
得られた。
５を用いても分子量は異なるが同様の重合膜が得られた
。さらにまた、触媒としてＭｏ（Ｃｏ）ｓあルイはＷ（
ＧＯ）ｓをＣＣＩ、溶媒に溶かした溶液に基板を浸漬し
紫外線を照射しても分子量は異なるが赤褐色の重合膜が
得られた。
また、Ｓｉ基板上にオメガトリコシノイック酸ＬＢ膜を
１層累積した基板を硝酸銀（Ａ ｇ Ｎ Ｏ３）の水溶
液または水酸化銅アンモニウム（Ｃｕ（ＮＨｚ）２０Ｈ
）の水溶液に浸漬して金属アセチリド反応にて−（、：
ＣＨ基のＨとＡｇ（またはＣｕ）に置換した後（第２図
（ａ）Ｌ 金属触媒としてＭｏＣ１ａを溶かした含酸
素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７０ ’
Ｃ程度に溶媒を昇温すると第３図（ｂ）に示すような反
応、即ち金属化シス−ポリアセチレン４が製造されたこ
とがＦＴＩＲ分析により明かとなった。
１層累積した基板を硝酸銀（Ａ ｇ Ｎ Ｏ３）の水溶
液または水酸化銅アンモニウム（Ｃｕ（ＮＨｚ）２０Ｈ
）の水溶液に浸漬して金属アセチリド反応にて−（、：
ＣＨ基のＨとＡｇ（またはＣｕ）に置換した後（第２図
（ａ）Ｌ 金属触媒としてＭｏＣ１ａを溶かした含酸
素有機溶媒であるアニソール中に浸漬し３０〜７０ ’
Ｃ程度に溶媒を昇温すると第３図（ｂ）に示すような反
応、即ち金属化シス−ポリアセチレン４が製造されたこ
とがＦＴＩＲ分析により明かとなった。
なお、−ヒ述の方法で累積されたＬＢ膜はアルコール溶
媒には不溶性であるることが確認された。
媒には不溶性であるることが確認された。
以上の結果より、本発明の重合方法を用いればシス型あ
るいはトランス型金属化ポリアセチレンを容易に製造で
きることが確認された。
るいはトランス型金属化ポリアセチレンを容易に製造で
きることが確認された。
なお、この様にして製造された金属化ポリアセチレンは
、従来チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリア
セチレン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や
圧力あるいは紫外線などにたいして著しく安定であった
。
、従来チグラーナッタ系触媒法で製造されていたポリア
セチレン誘導体に比べ、酸素を含む雰囲気中でも、熱や
圧力あるいは紫外線などにたいして著しく安定であった
。
また、アセチレン誘導体分子を水面上で而方向にバリヤ
でかき集めたり、累積を行う際、而方向に数十ボルトの
直流バイアスを印加しておくと更にモノマ分子の配向性
がよくなり、より共役系が長い金属化ポリアセチレン型
超長共役ポリマーを作ることも可能なことが確認された
。
でかき集めたり、累積を行う際、而方向に数十ボルトの
直流バイアスを印加しておくと更にモノマ分子の配向性
がよくなり、より共役系が長い金属化ポリアセチレン型
超長共役ポリマーを作ることも可能なことが確認された
。
以上の、実施例では、ω−トリコシノイック酸やＴＭＳ
−ＴＣＡについてのみ示したが、分子内にアセチレン（
Ｃ≡Ｃ）基を含みＬＢ膜形成が可能なものであれば、累
積条件は異なっても同様の方法が利用出来ることは明ら
かであろう。例えば、ジアセチレン基１０を１個もつベ
ンタコサジイノイック酸（ＨＣ≡Ｃ−ｃ＝ｃ （ＣＨ
２） ２ｅ Ｃ００Ｈ：第３図（ａ）、 （ｂ））を
用いた場合にも、ＬＢ膜形成後（第３図（Ｃ））、硝酸
銀（ＡｇＮＣｈ）の水溶液または水酸化銅アンモニウム
（Ｃｕ （ＮＨ３） ２０ Ｈ）の水溶液に浸漬して金
属アセチリド反応にて−ＣＥＣＨ基のＨとＡｇまたはＣ
ｕに置換しく第３図（ｄ））、さらに金属触媒を用いて
重合すると、単分子膜状のトランスポリアセチレン結合
３を有する金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマー（
第３図（ｅ））が得られる。
−ＴＣＡについてのみ示したが、分子内にアセチレン（
Ｃ≡Ｃ）基を含みＬＢ膜形成が可能なものであれば、累
積条件は異なっても同様の方法が利用出来ることは明ら
かであろう。例えば、ジアセチレン基１０を１個もつベ
ンタコサジイノイック酸（ＨＣ≡Ｃ−ｃ＝ｃ （ＣＨ
２） ２ｅ Ｃ００Ｈ：第３図（ａ）、 （ｂ））を
用いた場合にも、ＬＢ膜形成後（第３図（Ｃ））、硝酸
銀（ＡｇＮＣｈ）の水溶液または水酸化銅アンモニウム
（Ｃｕ （ＮＨ３） ２０ Ｈ）の水溶液に浸漬して金
属アセチリド反応にて−ＣＥＣＨ基のＨとＡｇまたはＣ
ｕに置換しく第３図（ｄ））、さらに金属触媒を用いて
重合すると、単分子膜状のトランスポリアセチレン結合
３を有する金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマー（
第３図（ｅ））が得られる。
更に、ポリジアセチレンより得られた金属化ポリアセチ
レン型超長共役ポリマーに電子線（Ｘ線やガンマ線等の
放射線でもよい）を照射して重合するとポリアセン型結
合５ををする金属化ボリアセン型超長共役ポリマー（第
３図（ｆ））が得られる。
レン型超長共役ポリマーに電子線（Ｘ線やガンマ線等の
放射線でもよい）を照射して重合するとポリアセン型結
合５ををする金属化ボリアセン型超長共役ポリマー（第
３図（ｆ））が得られる。
また、実施例では１層ＬＢ膜を累積した後に重合する方
法を示したが、ＬＢ膜を多層累積した後重合反応を行っ
ても良いし、あるいは累積−重合反応の工程を交互に行
っても多分子層の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリ
マー膜を作ることも可能なことが確認された。
法を示したが、ＬＢ膜を多層累積した後重合反応を行っ
ても良いし、あるいは累積−重合反応の工程を交互に行
っても多分子層の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリ
マー膜を作ることも可能なことが確認された。
なお、今後さらに原料となるアセチレンやジアセチレン
誘導体モノマの種類や製造条件を適正化することにより
、共役系が連続して数十〇ｍ或は数ｍ以上の長さを持つ
直鎖状で超高分子量の安定な金属化ポリアセチレンある
いは金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造も可能
になると思われるため、この方法で、冷却を必要としな
い有機超電導物質の製造の可能性も予測される。
誘導体モノマの種類や製造条件を適正化することにより
、共役系が連続して数十〇ｍ或は数ｍ以上の長さを持つ
直鎖状で超高分子量の安定な金属化ポリアセチレンある
いは金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造も可能
になると思われるため、この方法で、冷却を必要としな
い有機超電導物質の製造の可能性も予測される。
発明の効果
本発明の方法を用いることにより、導電性や非線形光学
効果の非常に優れ安定な金属化ポリアセチレン型超長共
役ポリマーを高能率に製造できる。
効果の非常に優れ安定な金属化ポリアセチレン型超長共
役ポリマーを高能率に製造できる。
また、この方法によると、理論的には共役系が連続して
数ｍｍ或は数ｃｍ以上の長さを持つ直鎖状の超高分子量
の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造も可
能であるため、非線形光学効果を利用したデバイスの製
作には極めて有効である。
数ｍｍ或は数ｃｍ以上の長さを持つ直鎖状の超高分子量
の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造も可
能であるため、非線形光学効果を利用したデバイスの製
作には極めて有効である。
第１図（ａ）はＴＣＡ−ＬＢ膜を１層累積した基板の分
子オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）はＡｇを付
加させたＴＣＡ−ＬＢ膜を１居累積した基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第１図（Ｃ）は重合後の金属化
トランス型ポリアセチレンの形成された基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）はＡｇを付加させ
たＴＣＡ−ＬＢ膜を１層累積した基板の分子オーダーの
拡大断面概念図、第２図（ｂ）は重合後の金属化シス型
ポリアセチレンの形成された基板の分子オーダーの拡大
断面概念図、第３図（ａ）〜（ｆ）は分子オーダーでの
ボリアセン型超長共役ポリマー作成における工程概念図
である。 １・・・Ｓｉ基板、２・０・単分子累積膜（ＬＢ膜）、
３・書・金属化トランス−ポリアセチレン結合、４・拳
や金属化ンスーポリアセチレン結ム ・金属化ボリアセン結合。
子オーダーの拡大断面概念図、第１図（ｂ）はＡｇを付
加させたＴＣＡ−ＬＢ膜を１居累積した基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第１図（Ｃ）は重合後の金属化
トランス型ポリアセチレンの形成された基板の分子オー
ダーの拡大断面概念図、第２図（ａ）はＡｇを付加させ
たＴＣＡ−ＬＢ膜を１層累積した基板の分子オーダーの
拡大断面概念図、第２図（ｂ）は重合後の金属化シス型
ポリアセチレンの形成された基板の分子オーダーの拡大
断面概念図、第３図（ａ）〜（ｆ）は分子オーダーでの
ボリアセン型超長共役ポリマー作成における工程概念図
である。 １・・・Ｓｉ基板、２・０・単分子累積膜（ＬＢ膜）、
３・書・金属化トランス−ポリアセチレン結合、４・拳
や金属化ンスーポリアセチレン結ム ・金属化ボリアセン結合。
Claims (12)
- （１）有機溶媒に溶解させたアセチレン（−Ｃ≡Ｃ−）
基を含む物質を水面上に展開し前記有機溶媒を蒸発させ
た後、水面上に残った前記アセチレン基を含む物質の分
子を水面上で水面方向にバリヤでかき集め、所定の表面
圧を加えて単分子膜を水面上に形成する工程と、所定の
表面圧のもとで前記単分子膜を横切るように基板を上下
させながらながら前記基板上に累積する工程と、前記単
分子膜の累積された基板を金属イオンを含む水溶液中に
浸漬しアセチレン基の水素と前記金属イオンを置換する
工程と、ハロゲン化金属触媒を含む有機溶媒中に前記単
分子膜の累積された基板を浸漬し前記単分子膜のアセチ
レン基の部分を重合させる工程とを含むことを特徴とす
る金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法
。 - （２）所定の表面圧を加えると同時に水面と平行する方
向に直流電界を印加しながら累積することを特徴とする
請求項１記載の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマ
ーの製造方法。 - （３）水の中に無機塩が含まれていることを特徴とする
請求項１又は２記載の金属化ポリアセチレン型超長共役
ポリマーの製造方法。 - （４）アセチレン基がジアセチレン基であることを特徴
とする請求項１又は２記載の金属化ポリアセチレン型超
長共役ポリマーの製造方法。 - （５）アセチレン基に−ＳｉＭｅ＿３基が結合している
ことを特徴とする請求項１又は２記載の金属化ポリアセ
チレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （６）ハロゲン化金属触媒の金属がＭｏ、Ｗ、Ｎｂ、ま
たはＴａであることを特徴とする請求項１又は２記載の
金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （７）有機溶媒中にハロゲン化金属触媒とさらに共触媒
として有機Ｓｎあるいは有機Ｂｉ化合物を含むことを特
徴とする請求項１又は２記載の金属化ポリアセチレン型
超長共役ポリマーの製造方法。 - （８）有機溶媒が含酸素有機溶媒で、ハロゲン化金属触
媒がＭｏＣｌ＿５であることを特徴とする請求項１又は
２記載の金属化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製
造方法。 - （９）アセチレン基に−ＳｉＭｅ＿３基が結合している
ことを特徴とする請求項８記載の金属化ポリアセチレン
型超長共役ポリマーの製造方法。 - （１０）アセチレン基を含む物質がω−トリコシノイッ
ク酸であることを特徴とする請求項１又は２記載の金属
化ポリアセチレン型超長共役ポリマーの製造方法。 - （１１）アセチレン基を含む物質が１−（トリメチルシ
リル）−ω−トリコシノイック酸であることを特徴とす
る請求項１又は２記載の金属化ポリアセチレン型超長共
役ポリマーの製造方法。 - （１２）有機溶媒に溶解させたジアセチレン（−Ｃ≡Ｃ
−Ｃ≡Ｃ−）基を含む物質を水面上に展開し前記有機溶
媒を蒸発させた後、水面上に残った前記ジアセチレン基
を含む物質の分子を水面上で水面方向にバリヤでかき集
め、所定の表面圧を加えて単分子膜を水面上に形成する
工程と、所定の表面圧のもとで前記単分子膜を横切るよ
うに基板を上下させながらながら前記基板上に累積する
工程と、前記単分子膜の累積された基板を金属イオンを
含む水溶液中に浸漬しアセチレン基の水素と前記金属イ
オンを置換する工程と、ハロゲン化金属触媒を含む有機
溶媒中に前記単分子膜の累積された基板を浸漬し前記単
分子膜のアセチレン基の部分を重合させる工程と、高エ
ネルギーの放射線を照射する工程を含むことを特徴とす
る金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002424A JPH0651757B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
| US07/448,237 US5057339A (en) | 1988-12-29 | 1989-12-11 | Metallized polyacetylene-type or polyacene-type ultralong conjugated polymers and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002424A JPH0651757B2 (ja) | 1989-01-09 | 1989-01-09 | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02182708A true JPH02182708A (ja) | 1990-07-17 |
| JPH0651757B2 JPH0651757B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=11528874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002424A Expired - Fee Related JPH0651757B2 (ja) | 1988-12-29 | 1989-01-09 | 金属化ポリアセチレン又は金属化ポリアセン型超長共役ポリマーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651757B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008084979A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Canon Inc | 配向膜を用いたデバイス |
| US8450724B2 (en) | 2006-09-26 | 2013-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical device containing helical substituted polyacetylene |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP1002424A patent/JPH0651757B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008084979A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Canon Inc | 配向膜を用いたデバイス |
| US8450724B2 (en) | 2006-09-26 | 2013-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrical device containing helical substituted polyacetylene |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0651757B2 (ja) | 1994-07-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |