JPH0864494A - レジストパターン形成方法とその装置 - Google Patents
レジストパターン形成方法とその装置Info
- Publication number
- JPH0864494A JPH0864494A JP19577494A JP19577494A JPH0864494A JP H0864494 A JPH0864494 A JP H0864494A JP 19577494 A JP19577494 A JP 19577494A JP 19577494 A JP19577494 A JP 19577494A JP H0864494 A JPH0864494 A JP H0864494A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- resist pattern
- chemically amplified
- bake plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 化学増幅型レジストを使用したフォトリソグ
ラフィにおける現像工程で発生するレジストパターンの
面内バラツキを改善するためのレジストパターン形成方
法に関し、現像方法特有のウェハ面内不均一性を考慮し
た露光後のベーク方法を提供する。 【構成】 基板１上に塗布した化学増幅型レジスト２の
露光後ベークに用いるベークプレート４を凸型あるいは
凹型の湾曲面または斜面にして、基板１とベークプレー
ト４の間に連続的に異なるギヤップ長５を形成する。
ラフィにおける現像工程で発生するレジストパターンの
面内バラツキを改善するためのレジストパターン形成方
法に関し、現像方法特有のウェハ面内不均一性を考慮し
た露光後のベーク方法を提供する。 【構成】 基板１上に塗布した化学増幅型レジスト２の
露光後ベークに用いるベークプレート４を凸型あるいは
凹型の湾曲面または斜面にして、基板１とベークプレー
ト４の間に連続的に異なるギヤップ長５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学増幅型レジストを
使用したフォトリソグラフィ（電子ビーム露光等を含
む）における現像工程で発生するレジストパターンの面
内バラツキを改善するためのレジストパターン形成方法
とその装置に関する。
使用したフォトリソグラフィ（電子ビーム露光等を含
む）における現像工程で発生するレジストパターンの面
内バラツキを改善するためのレジストパターン形成方法
とその装置に関する。
【０００２】近年の半導体デバイスの微細化、高密度化
により、半導体ウェハ内の面内寸法バラツキにより、ト
ランジスタ特性等が大きく左右されるため、より均一な
面内精度が要求されている。
により、半導体ウェハ内の面内寸法バラツキにより、ト
ランジスタ特性等が大きく左右されるため、より均一な
面内精度が要求されている。
【０００３】このため、プロセス単体の高精度化ととも
に、プロセス全体での高精度化により、ウェハ面内での
均一化を進める必要がある。
に、プロセス全体での高精度化により、ウェハ面内での
均一化を進める必要がある。
【０００４】
【従来の技術】図６は従来例の説明図である。図におい
て、１は基板、２は化学増幅型のレジスト、４はベーク
プレート、８はスプレーノズル、９は現像液、11は滴下
ノズル、12は現像槽である。
て、１は基板、２は化学増幅型のレジスト、４はベーク
プレート、８はスプレーノズル、９は現像液、11は滴下
ノズル、12は現像槽である。
【０００５】従来、レジストのＰＥＢ（Post Exposure
Bake: 露光後ベーク) 処理においては、図６（ａ）に示
すように、ＰＥＢ用ベーク炉の基板１に接触して基板１
を加熱するベークプレート４の構造は平坦であり、全面
で接触している。
Bake: 露光後ベーク) 処理においては、図６（ａ）に示
すように、ＰＥＢ用ベーク炉の基板１に接触して基板１
を加熱するベークプレート４の構造は平坦であり、全面
で接触している。
【０００６】また、レジストの現像処理は、図６（ｂ）
に示すスプレー（噴霧）方式、図６（ｃ）に示すディス
ペンス（滴下）、或いは、図６（ｄ）に示すデイップ
（浸漬）方式が採用されていた。
に示すスプレー（噴霧）方式、図６（ｃ）に示すディス
ペンス（滴下）、或いは、図６（ｄ）に示すデイップ
（浸漬）方式が採用されていた。
【０００７】ところが、現像は、図６に示すように、基
板に対する現像液のスプレー、滴下、浸漬等の種々の処
理方法により特有の基板面内不均一性があるために、Ｐ
ＥＢ処理での酸発生や、架橋を均一にする構造をとって
も現像処理後ではレジストパターンの幅寸法において基
板１の面内バラツキが発生していた。
板に対する現像液のスプレー、滴下、浸漬等の種々の処
理方法により特有の基板面内不均一性があるために、Ｐ
ＥＢ処理での酸発生や、架橋を均一にする構造をとって
も現像処理後ではレジストパターンの幅寸法において基
板１の面内バラツキが発生していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、現像工程から
の面内の不均一により、エッチング処理等でのウェハ面
内バラツキを軽減することができず、高精度な面内均一
性を得られないといった問題を生じていた。
の面内の不均一により、エッチング処理等でのウェハ面
内バラツキを軽減することができず、高精度な面内均一
性を得られないといった問題を生じていた。
【０００９】このバラツキを、基板の径が５インチ角の
レチクルで実測した測定値は、現像後で０．０８μｍ、
エッチング後で０．１μｍであり、その工程差における
バラツキの増加は０．０２μｍであり、現像後のバラツ
キを抑えればエッチング後の総合的なバラツキをも改善
出来る。
レチクルで実測した測定値は、現像後で０．０８μｍ、
エッチング後で０．１μｍであり、その工程差における
バラツキの増加は０．０２μｍであり、現像後のバラツ
キを抑えればエッチング後の総合的なバラツキをも改善
出来る。
【００１０】本発明は、以上の点を鑑み、現像方法特有
のウェハ面内不均一性を考慮してＰＥＢベーク炉を改良
する方法、及びその装置を提供する。
のウェハ面内不均一性を考慮してＰＥＢベーク炉を改良
する方法、及びその装置を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図において、１は基板、２は化学増幅型レジ
スト、３はＰＥＢにより拡散する酸、４はベークプレー
ト、５は基板とベークプレートとのギャップ（隙間）長
である。
図である。図において、１は基板、２は化学増幅型レジ
スト、３はＰＥＢにより拡散する酸、４はベークプレー
ト、５は基板とベークプレートとのギャップ（隙間）長
である。
【００１２】本発明では、レジスト２がＰＥＢによる温
度差のために、発生する酸３の拡散長が違うため、現像
方式やネガ／ポジのレジストタイプに合わせて、ウェハ
とベークプレートのギャップの造り方を変更する。
度差のために、発生する酸３の拡散長が違うため、現像
方式やネガ／ポジのレジストタイプに合わせて、ウェハ
とベークプレートのギャップの造り方を変更する。
【００１３】このため、発生した酸によるレジストの架
橋の度合いを変更させ、現像処理後のウェハ面内のパタ
ーン幅を均一に仕上げるようにする。例えば、レジスト
２がネガタイプであり、現像方式がスプレー方式の場
合、スプレー方式では、寸法バラツキが基板１の中心部
が太く、基板１の周辺部が細くなる傾向を有しているた
め、ＰＥＢでは基板１の中心部の酸発生量を基板１の周
辺部と比較して小さくすることによりパターン寸法を細
くなるようにベークを行う。この制御方法として、ベー
クプレート内のギャップを設定し、基板１内に温度分布
を造り、基板１面内のレジストパターンを現像方法と合
わせて均一な幅に仕上げる。
橋の度合いを変更させ、現像処理後のウェハ面内のパタ
ーン幅を均一に仕上げるようにする。例えば、レジスト
２がネガタイプであり、現像方式がスプレー方式の場
合、スプレー方式では、寸法バラツキが基板１の中心部
が太く、基板１の周辺部が細くなる傾向を有しているた
め、ＰＥＢでは基板１の中心部の酸発生量を基板１の周
辺部と比較して小さくすることによりパターン寸法を細
くなるようにベークを行う。この制御方法として、ベー
クプレート内のギャップを設定し、基板１内に温度分布
を造り、基板１面内のレジストパターンを現像方法と合
わせて均一な幅に仕上げる。
【００１４】すなわち、本発明の目的は、図１に示すよ
う。基板１上に塗布した化学増幅型レジスト２の露光後
ベークに用いるベークプレート４を凸型あるいは凹型の
湾曲面または斜面にして、基板１とベークプレート４の
間に連続的に異なるギャップ長５を形成することによ
り、また、前記ギャップ長５は、前記化学増幅型レジス
ト２のタイプ、及び現像方式に応じて、適正に設定する
ことにより達成される。
う。基板１上に塗布した化学増幅型レジスト２の露光後
ベークに用いるベークプレート４を凸型あるいは凹型の
湾曲面または斜面にして、基板１とベークプレート４の
間に連続的に異なるギャップ長５を形成することによ
り、また、前記ギャップ長５は、前記化学増幅型レジス
ト２のタイプ、及び現像方式に応じて、適正に設定する
ことにより達成される。
【００１５】
【作用】上記のように、本発明では基板の現像方法や使
用する化学増幅型レジストのタイプに応じて、基板とベ
ークプレートのギャップ長を設定したベークプレートを
用いて、基板のベーク温度を面内で変えて、化学増幅型
レジストの酸の拡散長を基板面内でそれぞれ制御し、現
像法に特有なレジストパターン幅の面内バラツキが少な
くなるように補正しているので、エッチング等後工程に
影響するレジストパターン幅のバラツキを極力軽減する
ことが出来る。
用する化学増幅型レジストのタイプに応じて、基板とベ
ークプレートのギャップ長を設定したベークプレートを
用いて、基板のベーク温度を面内で変えて、化学増幅型
レジストの酸の拡散長を基板面内でそれぞれ制御し、現
像法に特有なレジストパターン幅の面内バラツキが少な
くなるように補正しているので、エッチング等後工程に
影響するレジストパターン幅のバラツキを極力軽減する
ことが出来る。
【００１６】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図、図３は基
板とベークプレート間のギャップ長と基板温度の関係
図、図４は基板とベークプレート間のギャップ長と寸法
誤差、図５は本発明の第二の実施例の説明図である。
板とベークプレート間のギャップ長と基板温度の関係
図、図４は基板とベークプレート間のギャップ長と寸法
誤差、図５は本発明の第二の実施例の説明図である。
【００１７】図において、１は基板、２化学増幅型のレ
ジスト、３はＰＥＢにより拡散する酸、４はベークプレ
ート、５はギャップ長、６はパターン、７は真空チャッ
ク、８はスプレーノズル、９は現像液、10はカップであ
る。
ジスト、３はＰＥＢにより拡散する酸、４はベークプレ
ート、５はギャップ長、６はパターン、７は真空チャッ
ク、８はスプレーノズル、９は現像液、10はカップであ
る。
【００１８】図２においては、化学増幅型ネガタイプの
レジスト２を使用した電子ビーム露光用レチクル製作用
の基板１を用い、現像方式をスプレー方式にした時のＰ
ＥＢ用ベーク炉の構造を示している。
レジスト２を使用した電子ビーム露光用レチクル製作用
の基板１を用い、現像方式をスプレー方式にした時のＰ
ＥＢ用ベーク炉の構造を示している。
【００１９】ギャップ間隔はＡ−Ａ’よりＢ−Ｂ’の方
がギャップが大きく、連続的になっている。現像方式が
スプレー方式の場合で、且つベークプレートが平坦な場
合は、面内寸法バラツキをバラツキのパラメータとして
みると、ウェハ中心が太く、ウェハ周辺が細くなるが、
図２に示すようなベークプレートを用いると、Ａ−Ａ’
よりＢ−Ｂ’の方がベークによる酸３の拡散長が小さく
なり、寸法的には基板１中心が細く、基板１周辺が太く
なるように制御することができる。
がギャップが大きく、連続的になっている。現像方式が
スプレー方式の場合で、且つベークプレートが平坦な場
合は、面内寸法バラツキをバラツキのパラメータとして
みると、ウェハ中心が太く、ウェハ周辺が細くなるが、
図２に示すようなベークプレートを用いると、Ａ−Ａ’
よりＢ−Ｂ’の方がベークによる酸３の拡散長が小さく
なり、寸法的には基板１中心が細く、基板１周辺が太く
なるように制御することができる。
【００２０】これは、基板１のベーク温度に差ができる
ためであり、ギャップ長５と基板温度との関係は図３に
示すようなものとなる。また、ベークプレート４の構造
変化による温度変化に対して、レジスト寸法の変化は、
図４に示すようなものとなる。
ためであり、ギャップ長５と基板温度との関係は図３に
示すようなものとなる。また、ベークプレート４の構造
変化による温度変化に対して、レジスト寸法の変化は、
図４に示すようなものとなる。
【００２１】図５は本発明の第二の実施例の説明図であ
り、現像方式をディスペンス方式にした場合であるが、
ディスペンス方式では基板中心寸法が細く、基板周辺寸
法が太くなる傾向があるので、ベークプレートの構造
は、図２と逆のような凸型になる。
り、現像方式をディスペンス方式にした場合であるが、
ディスペンス方式では基板中心寸法が細く、基板周辺寸
法が太くなる傾向があるので、ベークプレートの構造
は、図２と逆のような凸型になる。
【００２２】また、ポジタイプレジストを使用する場合
には、スプレー方式とディスペンス方式では図２と図５
のベークプレートと基板の関係が逆構造となる。
には、スプレー方式とディスペンス方式では図２と図５
のベークプレートと基板の関係が逆構造となる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
現像方法による基板面内精度の不均一を軽減する効果を
奏し、基板面内に現像後で０．０６μｍのバラツキ、エ
ッチング後で０．０８μｍのバラツキと、均一性が向上
したレジストパターン幅の形成ができ、高精度パターン
を得ることができ、半導体デバイスの微細化、高集積化
に寄与するところが大きい。
現像方法による基板面内精度の不均一を軽減する効果を
奏し、基板面内に現像後で０．０６μｍのバラツキ、エ
ッチング後で０．０８μｍのバラツキと、均一性が向上
したレジストパターン幅の形成ができ、高精度パターン
を得ることができ、半導体デバイスの微細化、高集積化
に寄与するところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第一の実施例の説明図
【図３】 基板とベークプレート間のギャップ長と基板
温度
温度
【図４】 基板とベークプレート間のギャップ長と寸法
誤差
誤差
【図５】 本発明の第二の実施例の説明図
【図６】 従来例の説明図
図において １ 基板 ２ 化学増幅型レジスト ３ 酸 ４ ベークプレート ５ ギャップ長 ６ パターン ７ 真空チャック ８ スプレーノズル ９ 現像液 10 カップ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に塗布した化学増幅型レジストの
露光後ベークに用いるベークプレートを凸型あるいは凹
型の湾曲面または斜面にして、基板とベークプレートの
間に連続的に異なるギヤップ長を形成することを特徴と
するレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記ギャップ長は、前記化学増幅型レジ
ストのタイプ、及び該化学増幅型レジストの現像方式に
応じて、適正に設定することを特徴とする請求項１記載
のレジストパターン形成方法。 - 【請求項３】 基板上に塗布した化学増幅型レジストの
露光後ベークに用いるベークプレートの形状が凸型ある
いは凹型の湾曲面または斜面からなることを特徴とする
レジストパターン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19577494A JPH0864494A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | レジストパターン形成方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19577494A JPH0864494A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | レジストパターン形成方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864494A true JPH0864494A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16346749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19577494A Withdrawn JPH0864494A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | レジストパターン形成方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864494A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123651A (ja) * | 2000-12-26 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法 |
| JP2006135080A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| JP2007035706A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nikon Corp | 搬送装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP19577494A patent/JPH0864494A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005123651A (ja) * | 2000-12-26 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | レジスト膜の処理装置、およびレジストパターン形成方法 |
| JP2006135080A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| JP2007035706A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Nikon Corp | 搬送装置、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101432658B (zh) | 半导体处理中控制形成在晶片上的结构的临界尺寸的方法和系统 | |
| JP2000508118A (ja) | 駆動電流を制御するための半導体ウェハの処理方法 | |
| US6806941B2 (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus | |
| JPH07211630A (ja) | パターン形成方法及びその装置 | |
| JPH0864494A (ja) | レジストパターン形成方法とその装置 | |
| JP2000306795A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3719837B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH10135099A (ja) | 露光装置及び露光方法 | |
| JPH04282820A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPH0572747A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100395720B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 포토마스크 및 반도체 장치의제조 장치 | |
| JPH10256114A (ja) | フォトレジスト膜のパターン形成方法 | |
| JPH0620903A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0955352A (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPH1098023A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2000277423A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100236202B1 (ko) | 기판베이킹장치 및 기판베이킹방법(an apparatus for baking a substrate for photo mask and a method thereof) | |
| JPS6347924A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN110890273A (zh) | 半导体器件、硬掩膜结构及其制造方法 | |
| JPH07135136A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11274038A (ja) | パターン描画方法及び描画装置 | |
| JPH07161619A (ja) | 半導体ウェハのベーク方法及びベーク装置 | |
| JPS6219049B2 (ja) | ||
| JPH02218115A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH04110854A (ja) | フォトレジスト膜の塗布方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011106 |