JP5742843B2 - 硬化膜形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、硬化膜形成方法に関する。
従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜には、耐熱性に優れ、かつ卓越した電気特性、機械特性等を有するポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂が用いられてきた。
ここでポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂を用いた場合のプロセスを簡略化するために、感光材のジアゾキノン化合物をこれらの樹脂と組み合わせたポジ型感光性樹脂組成物が使用されている(例えば、特許文献1参照)。
近年、半導体素子の小型化、高集積化による多層配線化、チップサイズパッケージ(CSP)、ウェハレベルパッケージ(WLP)への移行などにより、半導体素子に対するダメージを低減するため、低応力性に優れたポリベンゾオキサゾール樹脂やポリイミド樹脂を使用したポジ型感光性樹脂組成物が必要とされている。これらポジ型感光性樹脂組成物を実際のプロセスに用いた場合、半導体装置の小型化に伴い微細パターンの形成が必要となる。
特公平1−46862号公報
微細パターン形成を従来の現像工程、洗浄工程で実施すると、現像時に開口されたパターン周辺に残渣物がつき、その残渣物の影響でパターン開口部寸法が所望のサイズより小さくなるという問題があった。
本発明者らが、鋭意検討を行った結果、以下のことがわかった。
アルカリ現像液に感光性樹脂組成物が溶解する際において、アルカリ現像液の感光性樹脂組成物側(ウェハ側)の領域には、溶解した感光性樹脂組成物が高濃度で存在すると考えられる。
洗浄工程において、ウェハを高速で回転させると、洗浄液が供給される前に、アルカリ現像液のうち、上部側(ウェハと反対側)の部分が遠心力により除去されてしまっていることがわかった。ウェハ上には、感光性樹脂組成物が高濃度に溶解したアルカリ現像液が残ってしまう。そして、洗浄液が供給されると、アルカリ現像液のアルカリ濃度が低下し、アルカリ現像液に溶解していた感光性樹脂組成物が析出してしまい、この析出物が開口部付近に付着して残ってしまうと考えられた。
本発明は、このような知見に基づいて発案されたものである。
本発明によれば、
支持体にポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成する方法であって、
前記支持体に前記ポジ型感光性樹脂組成物を塗布する塗布工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物に対し、化学線を選択的に照射して露光する露光工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物の露光部をアルカリ現像液にて現像する現像工程と、
前記現像液を洗浄液にて洗浄するとともに、前記ポジ型感光性樹脂組成物の露光部を除去する洗浄工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物を加熱して、硬化膜を形成する硬化工程とを有し、
前記洗浄工程は、前記支持体を周速度0.21m/s以上0.53m/s以下で回転させながら、洗浄液を供給する第一の洗浄工程と、
前記第一の洗浄工程よりも速い周速度で前記支持体を回転させながら洗浄液を供給する第二の洗浄工程とを含み、
前記第二の洗浄工程の前記支持体の周速度が、3〜40m/sであり、
前記ポジ型感光性樹脂組成物は、ポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂の少なくともいずれかの樹脂(A)と、感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含むものであるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法が提供される。
この構成の発明によれば、第一の洗浄工程では、支持体を周速度0.53m/s以下で回転させている。これにより、支持体上のアルカリ現像液が飛散してしまうことを抑制できる。そのため、アルカリ現像液中の感光性樹脂組成物が析出しにくくなる。
また、仮に感光性樹脂組成物が析出したとしても、回転速度が遅いため、液が多量に支持体上に残った状態が維持され、析出物が液中に浮遊した状態となり、第二の洗浄工程で飛散させることができる。これにより、析出物が残存してしまうことが抑制でき、所望のパターンの硬化膜を得ることができる。
本発明によれば、所望のパターンを形成することができるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成する方法を提供することができる。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本発明の一実施形態にかかるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成工程を示す模式図である。 本発明の一実施形態にかかるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成工程を示す模式図である。
以下、本発明の支持体にポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を成形する方法について詳細に説明する。図1および図2を参照して説明する。
本実施形態のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法は、
支持体1にポジ型感光性樹脂組成物2の硬化膜を形成する方法であって、
前記支持体1に前記ポジ型感光性樹脂組成物2を塗布する塗布工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物2に対し、化学線を選択的に照射して露光する露光工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物2の露光部20をアルカリ現像液Dにて現像する現像工程と、
前記アルカリ現像液Dを洗浄液にて洗浄するとともに、前記ポジ型感光性樹脂組成物の露光部20を除去する洗浄工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物を加熱して、硬化膜を形成する硬化工程とを有し、
前記洗浄工程は、前記支持体1を周速度0.53m/s以下で回転させながらあるいは、前記支持体を静止した状態(周速度0m/s)で、前記洗浄液を供給する第一の洗浄工程と、
前記第一の洗浄工程よりも早い周速度で前記支持体1を回転させながら前記洗浄液を供給する第二の洗浄工程とを含む。
より具体的に説明すると、支持体1にポジ型感光性樹脂組成物2を塗布して塗布膜を形成する塗布工程(以下、塗布工程とも記載する。)と、前記塗布膜に化学線を選択的に照射して、前記塗布膜を露光する露光工程(以下、露光工程とも記載する。)と、前記塗布膜にアルカリ現像液Dの供給を行い、前記アルカリ現像液Dを前記塗布膜上に拡げ、前記塗布膜を静置する工程を1回または2回以上繰返す現像工程(以下、現像工程とも記載する。)と、前記現像工程後の前記塗布膜の中心部に洗浄液Cを供給し、前記塗布膜を回転させ前記塗布膜を洗浄する洗浄工程(以下、洗浄工程とも記載する。)と、前記洗浄工程後に塗布膜を加熱して、硬化膜を形成する硬化工程(以下、硬化工程とも記載する。)である。
以下、本発明の支持体1にポジ型感光性樹脂組成物2の硬化膜を成形する方法について詳細に説明する。
塗布工程は、図1(A)に示すように、ポジ型感光性樹脂組成物2を支持体1(基板)に塗布し塗布膜を作製する工程である。ここで、支持体1とは、例えば、シリコンウェハ、セラミック基板、アルミ基板などである。塗布量は、半導体素子上に塗布する場合、硬化後の最終膜厚が0.1〜30μmになるよう塗布する。膜厚を上記範囲とすることにより、半導体素子の保護表面膜としての機能を十分に発揮することができ、微細な加工パターンが可能であり、加工時間も短くできる。
塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーティングなどが挙げられる。
次に、図1(B)、(C)に示すように、露光を行う。露光工程は、塗布工程で作製した塗布膜に所望のパターン形状になるよう化学線を照射する工程である。前記化学線を照射した部分(露光部20)は、塗布膜を構成するポジ型感光性樹脂組成物2中の感光性ジアゾキノン化合物(B)(詳しくは後述する)が化学変化により酸を発生するため、現像工程(後述する)で溶解除去される。
化学線としては、紫外線、可視光線などが使用できるが、200〜500nmの波長のものが好ましい。
具体的には、所望のパターン形状が得られるように、石英ガラス基板などの表面を例えばクロムなどで遮蔽させたフォトマスク、レチクル(フォトマスク等3とする)と呼ばれるものを作製し、前記フォトマスク等3を通して前記塗布膜に化学線を照射させる。露光装置の照射方法として、前記フォトマスク等3とポジ型感光性樹脂組成物2を塗布した支持体1との位置関係または、前記フォトマスク等3に描かれたパターンと所望のパターンとの縮小比の関係により、密着露光、近接露光、等倍投影露光、縮小投影露光、走査露光などを適宜選択することができる。
現像工程は、図1(D)に示すように、前記塗布膜の前記露光工程で化学線を照射した部分(露光部20)をアルカリ現像液Dにより溶解除去し、ポジ型感光性樹脂組成物2からなるレリーフパターンを得る目的で行われる。現像方法としては、パドル方式などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
前記パドル方式による現像方法では、露光された塗布膜上にアルカリ現像液Dが一様に濡れ拡がるように供給し、その後、アルカリ現像液の供給を停止し、塗布膜上にアルカリ現像液を盛った状態(塗布膜がアルカリ現像液Dの膜により覆われる状態)にしておき塗布膜の露光部20を溶解除去する工程があり、この工程を静置工程と呼ぶ。この時、未露光部もアルカリ現像液Dと接しているため、塗布膜表層の一部が溶解(以下、膜減りとも記載)する。たとえば、アルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物とを含むポジ型感光性樹脂組成物を使用する場合には、この現像のメカニズムは以下のように説明できる。
露光部は、露光によりポジ型感光性樹脂組成物2中の感光性ジアゾキノン化合物が化学変化により酸を発生するため、アルカリ現像液Dに対する溶解性が向上する。
一方、未露光部は、アルカリ現像液D存在下でアルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物がアゾカップリング反応を生じ、塗布膜表層にアルカリ現像液に難溶である層を形成し、アルカリ現像液Dに対する溶解性が低下する。このように、露光部と未露光部とでアルカリ現像液Dに対する溶解性に差異があるため、現像することによりポジ型感光性樹脂組成物2からなるレリーフパターンを作製することができる。
前記アルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミンなどの第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンなどの第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミンなどの第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどの第4級アンモニウム塩などのアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールなどのアルコール類などの水溶性有機溶媒や界面活性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができる。
ここで、アルカリ現像液の25℃での粘度は、0.8mPa.s以上、3.0mPa.s以下である。
前記アルカリ現像液の現像工程は、現像液の供給が1回(静置処理が1回)でも可能であるが、現像時間を短縮する目的で複数回繰返し行ってもよい。ここで、現像時間とは、塗布膜上にアルカリ現像液を静置処理している合計の時間を指す。
前記静置処理が1回の場合、塗布膜を構成するポジ型感光性樹脂組成物2のアルカリ可溶性樹脂とアルカリ現像液D中のアルカリが作用し、しだいにアルカリ現像液Dのアルカリ濃度が低下するため、現像速度が低下してくる。
一方、前記静置処理を複数回繰返し行った場合、アルカリ現像液Dのアルカリ濃度を高い状態に保つことができるため、現像時間を短縮することが可能となる。
静置処理を複数回実施する場合には、1回目の静置処理が終了した後、たとえば、支持体1を回転させることで、支持体1上のアルカリ現像液Dを除去する。そして、再度、塗布膜上に、アルカリ現像液Dを供給し、塗布膜上に新たなアルカリ現像液Dの膜を形成すればよい。
一方、前記アルカリ現像液Dの静置処理を複数回繰返し行うことにより、現像時間を短縮することは可能となるが、アルカリ現像液Dのアルカリ濃度が高くなりすぎる場合があり、塗布膜開口部21の形状や大きさにばらつきを生じる場合がある。
また、前記アルカリ現像液Dの静置処理を複数回繰返し行うと、アルカリ現像液Dの消費量が増えるため、生産コストが高くなるという問題も発生する。
前記アルカリ現像液Dの静置処理の繰返し回数は、1〜5回が好ましく、1〜4回が特に好ましい。上記範囲とすることで、塗布膜開口部21の形状や大きさにばらつきの少ないものが得られ、さらに、生産コストを低減することが可能となる。
洗浄工程は、現像工程後に塗布膜に付着する現像液を除去するために行われるものである。洗浄工程は、図2に示すように、現像工程後の塗布膜(たとえば、塗布膜の中心部)に洗浄液C(たとえば、水)を供給し、塗布膜を回転させ塗布膜を洗浄する工程である。塗布膜の中心部とは、回転させたときの回転中心部のことである。
洗浄液Cの供給場所は、塗布膜の中心部のみだけではなく、塗布膜中心部と外周部間の任意の場所に複数設けてもよい。前記洗浄液Cとしては、特に限定されるものではないが、例えば蒸留水を用いることができる。
ここで、従来の洗浄工程では、塗布膜上の現像液、現像液と洗浄液の混合液または洗浄液を回転させながら飛散させる必要があるため、洗浄液を供給し始める際は、塗布膜を周速度1m/s以上で回転させながら洗浄液を供給する場合が普通であり、開口部21に残渣物が観察される場合があった。たとえば、特許4678772号では、基板を1000rpm以上で回転させながら洗浄したとある。基板の直径の記載はないが、基板であるシリコンウェハは最小で4インチ、最大で12インチと考えられるから、周速度は、4インチの場合で5.2m/s以上、12インチの場合で15.7m/s以上であると考えられる。
なお、周速度とは、回転している物体(ここでは、塗布膜)の最大半径位置における速さであり、回転数をn、最大半径をRとすると、周速度は、2πnRとなる。
前記開口部21に残渣物が観察されるメカニズムは、以下のように考えられる。
前述の通り、たとえば、アルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物とを含むポジ型感光性樹脂組成物を使用する場合には、未露光部の塗布膜は、アルカリ現像液D存在下でアルカリ可溶性樹脂と感光性ジアゾキノン化合物がアゾカップリング反応を起こすため、塗布膜表層にアルカリ現像液Dに対して難溶である層を形成する一方、アルカリ現像液により徐々にではあるが未露光部の塗布膜は溶解していく。
アルカリ現像液Dに塗布膜が溶解すると、アルカリ現像液D中に均一に溶解するのではなく、大部分は塗布膜界面およびその周辺に留まる。その状態において洗浄工程を行うと、塗布膜を周速度1m/s以上で回転させることで、大部分のアルカリ現像液Dは塗布膜上より急激に排除される。しかし、塗布膜界面およびその周辺のアルカリ現像液Dは排除されにくく、塗布膜上に残っていると考えられる。
前述の通り、そのアルカリ現像液Dには、溶解した塗布膜の大部分が溶存しており、その状態において、塗布膜上に洗浄液Cが供給されると、アルカリ現像液Dのアルカリ濃度が大きく低下することになり、アルカリ現像液Dに溶解していたポジ型感光性樹脂組成物が析出し、特に、溶解した量が多い開口部21に残渣物が観察されると考えられる。
また、塗布膜の回転と同時に洗浄液を供給する場合においても、遠心力の関係上、塗布膜の略外周部にあるアルカリ現像液Dは、洗浄液が供給される前に排除されると考えられるため、その状態においては、前述の通り、ポジ型感光性樹脂組成物が析出し、特に、溶解した量が多い開口部21に残渣物が観察されると考えられる。なお、残渣物は、未露光部の塗布膜が溶解したものであると推測される。
本発明は、上述の残渣物が発生するメカニズムに基づき鋭意検討を重ねた結果、洗浄工程が、ポジ型感光性樹脂組成物2を塗布、露光、現像した支持体1を周速度0.53m/s以下で回転させながら、あるいは、回転を停止した状態で前記洗浄液Cを供給する第一の洗浄工程と、前記第一の洗浄工程よりも早い周速度で回転させながら前記洗浄液Cを供給する第二の洗浄工程とを含むことにより、残渣物の発生を抑制できることを見出した。
第一の洗浄工程において、周速度0.53m/s以下で回転あるいは、回転を停止した状態とすることで、塗布膜上のアルカリ現像液が塗布膜上から急激に排除されてしまうことを防止する。
この周速度で回転させつつあるいは、回転を停止した状態で洗浄液を供給することで、支持体上のアルカリ現像液Dのアルカリ濃度を徐々に低下することが可能となり、ポジ型感光性樹脂組成物の析出を抑制して、洗浄することが可能となる。また、仮に、洗浄液の供給速度が速く、アルカリ現像液D中のアルカリ濃度が急激に低下して感光性樹脂組成物が析出したとしても、回転速度が遅い、あるいは回転が停止しているから、液が多量に支持体1上に残った状態が維持され、析出物が液中に浮遊した状態となり、後段の第二の洗浄工程で飛散させることができる。これにより、析出物(残渣物)が残存してしまうことが抑制でき、所望のパターンの硬化膜を得ることができる。
一方で、周速度0.53m/sを超えてしまうと、洗浄液Cが供給される前に、アルカリ現像液Dのうち、上部側(支持体1と反対側)の部分が遠心力により除去されてしまう。この状態で、洗浄液Cを供給しても、析出物は塗布膜の開口部21に付着しやすく、開口部21に析出物が残存してしまう。
第一の洗浄工程の支持体1の回転速度(周速度)は、0.53m/s以下であり、0.53m/s以下とすることで、開口部21に残渣物が析出してしまうことを抑制できる。より好ましくは、0.42m/s以下であり、0.001m/s以上である。また、0m/sにおいても、開口部の残渣物は観察されないが、開口部21を精度良く開口させるためには、支持体1を回転させることが好ましく、0.21m/s以上がより好ましい。
上記周速度の範囲であれば、一定の周速度であっても、変動する周速度であっても問題ない。
また、上記第一の洗浄工程の時間は、1秒以上、15秒以下が好ましく、なかでも、5秒以上、10秒以下が特に好ましい。1秒以上とすることで、支持体上のアルカリ現像液Dのアルカリ濃度を徐々に低下させる時間を確保することができる。一方で、15秒以下とすることで、支持体上でアルカリ現像液の濃度分布が発生している状態が長く続いてしまうことが防止され、塗布膜面内にある開口部21の寸法精度を維持することができる。
洗浄液Cを塗布膜上に供給する際の流量は、0.5〜1.5L/minが好ましく、0.7〜1.3L/minが特に好ましい。上記範囲の流量とすることにより、塗布膜に付着する現像液を速やかに除去することが可能であり、アルカリ現像液Dの濃度を大きく低下させないため、残渣物の発生を抑制することができる。
また、洗浄工程の洗浄液Cの流量は、一定の流量であっても、変動する流量であっても問題ない。
なお、第一の洗浄工程では、支持体1上に洗浄液Cおよびアルカリ現像液Dが多量に存在するが、洗浄液Cを供給している間、洗浄液Cおよびアルカリ現像液Dは、わずかながら支持体1上から除去される。
第一の洗浄工程後、第二の洗浄工程を実施する。第二の洗浄工程は、第一の洗浄工程の回転速度(周速度)よりも速い回転速度であればよいが、なかでも、第二の洗浄工程において、周速度3〜40m/sで回転させることが好ましい。3m/s以上とすることで、塗布膜および支持体1上のアルカリ現像液Dを塗布膜および支持体上から確実に排除できる。一方で、40m/s以下とすることで、回転している支持体周辺に発生する乱流を低減するという効果があると考えられる。
第二の洗浄工程では、第一の洗浄工程において、徐々にアルカリ濃度を低下させた現像液を排除する。
第二の洗浄工程の支持体1の周速度は、一定の周速度であっても、変動する周速度であっても問題ない。
また、この際の洗浄液の流量は、第一の洗浄工程と同様である。
第一の洗浄工程から、第二の洗浄工程に移る際、第一の洗浄工程で支持体1を回転させている場合には、支持体1の回転を止めず、支持体1の回転速度を速めればよい。
第二の洗浄工程は、所定の周速度に達してから、洗浄液を供給し、たとえば、5秒以上、30秒以下実施することが好ましい。このようにすることで、現像液を除去することができる。
なお、第一の洗浄工程終了後、第二の洗浄工程に移る間の支持体1の回転により、支持体1上の洗浄液Cおよびアルカリ現像液Dが徐々に除去されることとなる。しかしながら、第一の洗浄工程を実施しているため、従来のように、塗布膜界面に塗布膜を高濃度で含むアルカリ現像液Dが残ることはない。
本発明に係る硬化工程は、前記洗浄工程を経た塗布膜を加熱し、最終パターンを得る。加熱温度は、たとえば、160℃〜380℃が好ましく、より好ましくは180℃〜350℃である。加熱をする際、加熱装置内に窒素などの不活性ガスを流して、塗布膜の酸化を低減させることも可能である。
前記ポジ型感光性樹脂組成物2を支持体1に塗布中または塗布後に支持体1の裏面、側面または外周部近傍に付着したポジ型感光性樹脂組成物2を溶剤により溶解させ、装置の汚染を抑制することも可能である。
前記溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネートなどが挙げられるが、これらに限ったものではない。また、単独でも混合して用いても良い。
また、前記塗布工程後に、前記塗布膜をプリベークして溶剤を揮散させ、塗膜を乾燥させてもよい。
前記プリベークの方法としては、ホットプレート、オーブンなどの加熱装置を用い、加熱温度としては、60〜140℃が好ましく、より好ましくは100〜130℃である。加熱をする際、加熱装置内に窒素などの不活性ガスを流して、塗布膜の酸化を低減させることも可能である。
ここで、ポジ型感光性樹脂組成物2について詳細に説明する。
なお下記は例示であり、ポジ型感光性樹脂組成物2は下記に限定されるものではない。
本発明に係るポジ型感光性樹脂組成物2は、アルカリ可溶樹脂(A)と、感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含むものを例示として挙げることができる。
前記アルカリ可溶性樹脂(A)としては、例えばクレゾール型ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、メタクリル酸樹脂、メタクリル酸エステル樹脂等のアクリル系樹脂、水酸基、カルボキシル基等を含む環状オレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂などが挙げられる。
これらの中でも耐熱性に優れ、機械特性が良いという点からポリアミド系樹脂が好ましく、具体的にはポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂の少なくともいずれか1つが挙げられる。
このようなポリアミド系樹脂としては、例えば下記式(1)で示される構造を含むポリアミド系樹脂を挙げることができる。また、下記式(1)で示される構造の繰り返し単位は、2〜1000であることが好ましい。
Figure 0005742843
(式中、X、Yは有機基である。Rは水酸基、−O−R、アルキル基、アシルオキシ基、シクロアルキル基であり、同一でも異なっても良い。Rは水酸基、カルボキシル基、−O−R、−COO−Rのいずれかであり、同一でも異なっても良い。mおよびnは0〜8の整数である。Rは炭素数1〜15の有機基である。ここで、Rが複数ある場合は、それぞれ異なっていても同じでもよい。Rとして水酸基がない場合は、Rは少なくとも1つはカルボキシル基でなければならない。また、Rとしてカルボキシル基がない場合、Rは少なくとも1つは水酸基でなければならない。)
前記一般式(1)で示される構造を含むポリアミド系樹脂において、Xの置換基としての−O−R、Yの置換基としての−O−R、−COO−Rは、水酸基、カルボキシル基のアルカリ水溶液に対する溶解性を調節する目的で、炭素数1〜15の有機基であるRで保護された基であり、必要により水酸基、カルボキシル基を保護しても良い。Rの例としては、ホルミル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ターシャリーブトキシカルボニル基、フェニル基、ベンジル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基などが挙げられる。
以上のようなポリアミド系樹脂を加熱すると脱水閉環し、ポリイミド樹脂、又はポリベンゾオキサゾール樹脂、或いは両者の共重合という形で耐熱性樹脂が得られる。
前記一般式(1)で示される構造を含むポリアミド系樹脂は、例えば、Xを含むジアミン或いはビス(アミノフェノール)、2,4−ジアミノフェノールなどから選ばれる化合物と、Yを含むジカルボン酸或いはジカルボン酸ジクロライド、ジカルボン酸誘導体などから選ばれる化合物とを反応して得られるものである。
なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾールなどを予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
前記一般式(1)のXとしては、例えばベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、フラン類などの複素環式化合物、シロキサン化合物などが挙げられ、より具体的には下記式(2)で示されるものを好ましく挙げることができる。これらは、必要により1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。
Figure 0005742843
一般式(1)で示すように、XにはRが0〜8個結合される(式(2)において、Rは省略)。
式(2)中で特に好ましいものとしては、耐熱性、機械特性が特に優れる下記式(3)で表されるものが挙げられる。
Figure 0005742843
(式中、*はNH基に結合することを示す。式中Dは、−CH−、−CH(CH)−、−C(CH−、−O−、−S−、−SO−、−CO−、−NHCO−、−C(CF−、又は単結合である。R10はアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、シクロアルキル基のいずれかであり、同一でも異なっても良い。R11は、アルキル基、アルキルエステル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。s=1〜3、t=0〜2の整数である。)
Figure 0005742843
(式中、*はNH基に結合することを示す。)
また、前記一般式(1)のYは有機基であり、前記Xと同様のものが挙げられ、例えばベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族化合物、ビスフェノール類、ピロール類、ピリジン類、フラン類などの複素環式化合物などが挙げられ、より具体的には下記式(4)で示されるものを好ましく挙げることができる。これらは1種類又は2種類以上組み合わせて用いてもよい。
Figure 0005742843
一般式(1)で示すように、Yには、Rが0〜8個結合される(式(4)において、Rは省略)。
これらの中で特に好ましいものとしては、耐熱性、機械特性が特に優れる下記式(5)、式(6)で表されるものが挙げられる。
下記式(5)中のテトラカルボン酸二無水物由来の構造については、C=O基に結合する位置が両方メタ位であるもの、両方パラ位であるものを挙げているが、メタ位とパラ位をそれぞれ含む構造でもよい。
Figure 0005742843
Figure 0005742843
(式中、*はC=O基に結合することを示す。R18は、アルキル基、アルキルエステル基、アルキルエーテル基、ベンジルエーテル基、ハロゲン原子の内から選ばれた1つを表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。R19は、水素原子又は炭素数1〜15の有機基から選ばれた1つを示し、一部が置換されていてもよい。v=0〜2の整数である。
式中Aは、−C(CH−、−O−、−SO−、−CO−、又は−C(CF−である。)
Figure 0005742843
(式中、*はC=O基に結合することを示す。)
また、上述の一般式(1)で示されるポリアミド系樹脂は、該ポリアミド系樹脂の末端のアミノ基を、アルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基、または環式化合物基を含む酸無水物又は酸誘導体を用いてアミドとしてキャップすることが好ましい。これにより、ポジ型感光性樹脂組成物の保存性を向上することができる。
このような、ポリアミド系樹脂のアミノ基と反応するアルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基または環式化合物基を含む酸無水物としては、マレイン酸無水物、ビシクロ[2.2.1]ヘプタ−5−エン−2,3−ジカルボン酸無水物、4−エチニルフタル酸無水物、4−(フェニルエチニル)フタル酸無水物、などが挙げられる。例えば下記式(7)などである。アミノ基と反応するアルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基または環式化合物基を含む酸誘導体は、アルケニル基またはアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基または環式化合物基を含むカルボン酸または多価カルボン酸のカルボキシル基のOH基を置換することにより構成された酸誘導体で、カルボン酸のハロゲン化物などがあり、例えば下記式(8)などが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、2種類以上組み合わせて用いても良い。
Figure 0005742843
Figure 0005742843
これらの中で特に好ましいものとしては、下記式(9)で選ばれる基が好ましい。これにより、保存性をより向上することができる。
Figure 0005742843
また前記方法に限定される事はなく、前記ポリアミド系樹脂中に含まれる末端の酸にアルケニル基又はアルキニル基を少なくとも1個有する脂肪族基又は環式化合物基を含むアミン誘導体を反応させアミドとしてキャップすることもできる。
感光性ジアゾキノン化合物(B)は、例えばフェノール化合物と1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸または1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホン酸とのエステルが挙げられる。具体的には、式(10)〜式(13)に示すエステル化合物を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いても良い。
Figure 0005742843
Figure 0005742843
Figure 0005742843



Figure 0005742843


(式中、Aは有機基、R20〜R23は水素原子、又はアルキル基、R24〜R27は水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、シクロアルキル基の中から選ばれる1つを表し、それぞれ同じでも異なっていてもよい。n〜qは0〜4の整数である。)
Figure 0005742843
式中Qは、水素原子、式(14)、式(15)のいずれかから選ばれるものである。ここで各化合物のQのうち、少なくとも1つは式(14)、式(15)である。
感光性ジアゾキノン化合物(B)の添加量は、アルカリ可溶性樹脂(A)100重量部に対して1〜50重量部が好ましい。より好ましくは10〜40重量部である。添加量が上記範囲内であるとすると、特に感度が優れる。
ポジ型感光性樹脂組成物は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系などのレベリング剤、あるいはシランカップリング剤などの添加剤などを含んでも良い。
前記シランカップリング剤としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、p−スチリルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス(トリエトキシプロピル)テトラスルフィド、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明においては、これらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用することが好ましい。溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネートなどが挙げられ、単独でも混合して用いても良い。
この出願は、2010年7月9日に出願された日本特許出願特願2010−156274を基礎とする優先権を主張し、その開示をすべてここに取り込む。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
≪実施例1≫
[アルカリ可溶性樹脂(A−1)の合成]
ジフェニルエーテル−4,4'−ジカルボン酸0.9モルと1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール1.8モルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体(活性エステル)443.21g(0.9モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン366.26g(1モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3200gを加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応させた。
次にN−メチル−2−ピロリドン100gに溶解させた4−エチニルフタル酸無水物34.43g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌して反応を終了した。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/イソプロパノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のアルカリ可溶性樹脂(A−1)を得た。
Figure 0005742843
[ポジ型感光性樹脂組成物の作製]
合成したアルカリ可溶性樹脂(A−1)100g、下記式(B−1)の構造を有する感光性ジアゾキノン化合物15gを、γ―ブチロラクトン150gに溶解した後、孔径0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過しポジ型感光性樹脂組成物を得た。
Figure 0005742843
[現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価]
上記ポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハ(8インチ)上にスピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて120℃で4分プリベークし、膜厚約8.0μmの塗布膜を得た。この塗布膜にマスク(凸版印刷(株)製、テストチャートNo.1:幅0.88〜50μmの残しパターン及び抜きパターンが描かれている)を通して、i線ステッパー((株)ニコン製・NSR−4425i)を用いて、100mJ/cmから780mJ/cmまで10mJ/cm刻みで露光量を変化させて化学線を照射した。
次に、ポジ型感光性樹脂組成物が塗布・露光されたシリコンウェハを周速度0.53m/sで回転させて、シリコンウェハの中心部に配置してある現像ノズルから2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液(2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液)を吐出させ、現像ノズルをシリコンウェハの外周部へと移動させ、シリコンウェハの外周部近傍にて現像ノズルの移動を停止させた。現像ノズルを移動させる際にシリコンウェハの周速度を徐々に落としていき最終的には0.21m/sにし、現像ノズルを停止すると同時にシリコンウェハの回転も停止して50秒静置した。このとき、シリコンウェハの塗膜上には、アルカリ現像液が膜状に存在している。
次に、シリコンウェハを周速度7.33m/sで回転させシリコンウェハ上の現像液を排除した。次に、シリコンウェハを周速度7.33m/sで回転させておきながら、シリコンウェハの中心部に配置してある現像ノズルから2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド現像液(2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液)を吐出させ、現像ノズルをシリコンウェハの外周部近傍へと移動させ、シリコンウェハの外周部近傍にて現像ノズルの移動を停止させた。現像ノズルを移動させる際にシリコンウェハの回転数を徐々に落としていき最終的には0.21m/sにし、現像ノズルを停止すると同時に前記ウェハの回転も停止して50秒静置した。このとき、シリコンウェハの塗膜上には、アルカリ現像液が膜状に存在している。
次に、シリコンウェハを周速度0.31m/sで回転させながら、洗浄液である純水をシリコンウェハの中心部に5秒間供給(1L/min、第一の洗浄工程)し、その後、シリコンウェハの回転速度を速めシリコンウェハを周速度12.57m/sで回転させながら、純水をシリコンウェハの中心部に10秒間供給(1L/min、第二の洗浄工程)し、洗浄した。なお、第一の洗浄工程ではシリコンウェハの回転開始と同時に、純水を供給している。また、第一の洗浄工程終了後、シリコンウェハの周速度が12.57m/sに達するまでの間にも、純水は供給されている。
洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。残渣物の評価としては、以下のとおりとした。
◎:塗布膜全体で現像、洗浄後の開口部に残渣物なし。
○:塗布膜の略外周部の一部の開口部に残渣物がごくわずかにあり。
(実用上問題ないレベル)
△:塗布膜の略外周部全体の開口部に残渣物あり。
×:塗布膜全体の開口部に残渣物あり。
≪実施例2≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度0.31m/sで10秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例3≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度0.31m/sで1秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例4≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度0.42m/sで5秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例5≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度0.42m/sで10秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例6≫
実施例1において、第二の洗浄工程を周速度12.57m/sで20秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例7≫
実施例1において、第二の洗浄工程を周速度3.14m/sとした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例8≫
実施例1において、第二の洗浄工程を周速度26.18m/sとした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例9≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度0.21m/sで5秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例10≫
実施例1において、第二の洗浄工程を周速度38m/sで10秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった。
≪実施例11≫
実施例1において、第一の洗浄工程および第二の洗浄工程を洗浄液の流量を0.8L/minとした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった(評価結果「◎」)。
≪実施例12≫
実施例1において、第一の洗浄工程および第二の洗浄工程を洗浄液の流量を1.2L/minとした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった(評価結果「◎」)。
≪実施例13≫
実施例1の感光剤(B−1)を感光剤(B−2)とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察されなかった(評価結果「◎」)。
感光剤(B−2)の合成は、フェノール式(Q−2)15.82g(0.025モル)と、トリエチルアミン8.40g(0.083モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、テトラヒドロフラン135gを加えて溶解させた。この反応溶液を10℃以下に冷却した後に、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スルホニルクロライド22.30g(0.083モル)をテトラヒドロフラン100gと共に10℃以上にならないように徐々に滴下した。その後10℃以下で5分攪拌した後、室温で5時間攪拌して反応を終了させた。反応混合物を濾過した後、反応混合物を水/メタノール=3/1(体積比)の溶液に投入、沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、式(B−2)の構造で示される感光性ジアゾキノン化合物を得た。
Figure 0005742843
≪比較例1≫
実施例1において、第一の洗浄工程を未実施にした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察された(評価結果「×」)。
≪比較例2≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度0.63m/sで5秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察された(評価結果「×」)。
≪比較例3≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度0.63m/sで10秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察された(評価結果「△」)。
≪比較例4≫
実施例1において、第一の洗浄工程を周速度1.05m/sで5秒とした以外は、実施例1と同様に現像、洗浄後塗布膜表面状態の評価を行った。洗浄後の塗布膜開口部に残渣物は観察された(評価結果「×」)。
Figure 0005742843
Figure 0005742843
実施例1〜13では、いずれも、開口部の残渣物はほとんどないことがわかる。これに対し、比較例1に示すように、従来のように、洗浄工程で支持体を高速で回転させた場合には、残渣物が発生してしまうことがわかる。さらに、比較例2〜4に示すように、第一の洗浄工程の周速度を0.53m/sを超えるものとした場合には、残渣物が発生してしまうことがわかる。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物からなる硬化膜の形成方法により、開口部に残渣物がなく高解像度でパターンを形成することができるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成する方法を提供することができる。
以下、参考形態の例を付記する。
<1>
支持体にポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成する方法であって、
前記支持体に前記ポジ型感光性樹脂組成物を塗布する塗布工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物に対し、化学線を選択的に照射して露光する露光工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物の露光部をアルカリ現像液にて現像する現像工程と、
前記現像液を洗浄液にて洗浄するとともに、前記ポジ型感光性樹脂組成物の露光部を除去する洗浄工程と、
前記ポジ型感光性樹脂組成物を加熱して、硬化膜を形成する硬化工程とを有し、
前記洗浄工程は、前記支持体を周速度0.53m/s以下で回転させながら、あるいは、前記支持体を静止した状態で、洗浄液を供給する第一の洗浄工程と、
前記第一の洗浄工程よりも速い周速度で前記支持体を回転させながら洗浄液を供給する第二の洗浄工程とを含むポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
<2>
第二の洗浄工程の前記支持体の周速度が、3〜40m/sである<1>記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
<3>
<1>または<2>に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
前記第一の洗浄工程を1秒以上実施するポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
<4>
<1>乃至<3>のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
前記現像工程では、前記ポジ型感光性樹脂組成物上に前記アルカリ現像液の膜を形成するパドル現像を実施するポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
<5>
<1>乃至<4>のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
前記ポジ型感光性樹脂組成物は、ポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂の少なくともいずれかの樹脂(A)と、感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含むものであるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
<6>
<1>乃至<5>のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
前記アルカリ現像液は、25℃での粘度が0.8mPa・s以上、3.0mPa・s以下であるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。

Claims (5)

  1. 支持体にポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜を形成する方法であって、
    前記支持体に前記ポジ型感光性樹脂組成物を塗布する塗布工程と、
    前記ポジ型感光性樹脂組成物に対し、化学線を選択的に照射して露光する露光工程と、
    前記ポジ型感光性樹脂組成物の露光部をアルカリ現像液にて現像する現像工程と、
    前記現像液を洗浄液にて洗浄するとともに、前記ポジ型感光性樹脂組成物の露光部を除去する洗浄工程と、
    前記ポジ型感光性樹脂組成物を加熱して、硬化膜を形成する硬化工程とを有し、
    前記洗浄工程は、前記支持体を周速度0.21m/s以上0.53m/s以下で回転させながら、洗浄液を供給する第一の洗浄工程と、
    前記第一の洗浄工程よりも速い周速度で前記支持体を回転させながら洗浄液を供給する第二の洗浄工程とを含み、
    前記第二の洗浄工程の前記支持体の周速度が、3〜40m/sであり、
    前記ポジ型感光性樹脂組成物は、ポリベンゾオキサゾール構造およびポリイミド構造の少なくとも一方を有し、かつ主鎖または側鎖に水酸基、カルボキシル基、エーテル基またはエステル基を有する樹脂、ポリベンゾオキサゾール前駆体構造を有する樹脂、ポリイミド前駆体構造を有する樹脂、ポリアミド酸エステル構造を有する樹脂の少なくともいずれかの樹脂(A)と、感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含むものであるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
  2. 請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
    前記第一の洗浄工程を1秒以上実施するポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
  3. 請求項1または2に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
    前記現像工程では、前記ポジ型感光性樹脂組成物上に前記アルカリ現像液の膜を形成するパドル現像を実施するポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
  4. 請求項1乃至のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
    前記アルカリ現像液は、25℃での粘度が0.8mPa・s以上、3.0mPa・s以下であるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
  5. 請求項1乃至のいずれか1項に記載のポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法において、
    前記第一の洗浄工程の前記支持体の周速度が、0.21m/s以上0.42m/s以下であるポジ型感光性樹脂組成物の硬化膜形成方法。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014211490A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
CN111896362A (zh) * 2020-07-31 2020-11-06 中国航发湖南动力机械研究所 光敏树脂模型旋转冻结方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5627140A (en) * 1979-08-01 1981-03-16 Siemens Ag Thermally stabilized positive resist and preparation of thermally stable relief structure using same
JPS60124821A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 Toshiba Corp 半導体基体に被着されたポジレジスト現像方法
JP2004014869A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 現像装置
JP2007134516A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Tokyo Electron Ltd リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
WO2007122929A1 (ja) * 2006-03-30 2007-11-01 Jsr Corporation 感放射線性絶縁樹脂組成物
JP2008535003A (ja) * 2005-03-25 2008-08-28 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP2009071027A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置および基板処理方法
JP2010026460A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
JP2010139802A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Toray Ind Inc 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6433930A (en) * 1987-07-29 1989-02-03 Sanken Electric Co Ltd Spinner type photoresist developing method
JPH10189412A (ja) * 1996-12-25 1998-07-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の回転洗浄方法
JP2000223457A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Sony Corp 半導体装置の洗浄方法及び洗浄装置、及び半導体装置の製造方法
JP2002075834A (ja) * 2000-08-29 2002-03-15 Sharp Corp 半導体製造工程における現像方法
JP3810056B2 (ja) * 2001-03-22 2006-08-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、現像処理方法および基板処理装置
AU2003234811A1 (en) * 2002-06-07 2003-12-22 Tokyo Electron Limited Substrate processing device, substrate processing method, and developing device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5627140A (en) * 1979-08-01 1981-03-16 Siemens Ag Thermally stabilized positive resist and preparation of thermally stable relief structure using same
JPS60124821A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 Toshiba Corp 半導体基体に被着されたポジレジスト現像方法
JP2004014869A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Tokyo Electron Ltd 現像装置
JP2008535003A (ja) * 2005-03-25 2008-08-28 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP2007134516A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Tokyo Electron Ltd リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
WO2007122929A1 (ja) * 2006-03-30 2007-11-01 Jsr Corporation 感放射線性絶縁樹脂組成物
JP2009071027A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置および基板処理方法
JP2010026460A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
JP2010139802A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Toray Ind Inc 感光性組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子

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