JP2008535003A - 新規な感光性樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
【化1】
Description
(a)少なくとも1つのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマー;
(b)少なくとも1つの、構造VI:
を有する化合物;及び
(c)少なくとも1つの溶媒;
を含み、
ここで、組成物中に存在する構造VIの化合物の量は、組成物が基板に塗布され、引き続いて塗布された基板が基板上に画像を形成するように処理された場合、残留物の形成を阻害するのに有効な量であり、
但し、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、単に、ポリマー中に光活性な部分を含有しないポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーのみから成る場合は、
(d)少なくとも1つの光活性な化合物も、又、組成物中に存在する;
感光性樹脂組成物を対象とする。
(a)少なくとも1つのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマー;
(b)少なくとも1つの、構造VI:
を有する化合物;及び
(c)少なくとも1つの溶媒;
を含み、
ここで、組成物中に存在する構造VIの化合物の量は、組成物が基板上に塗布され、引き続いて塗布された基板が基板上に画像を形成するように処理された場合、残留物の形成を阻害するのに有効な量であり、
但し、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、単に、ポリマー中に光活性な部分を含有しないポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーのみから成る場合は、
(d)少なくとも1つの光活性な化合物も、又、組成物中に存在する;
感光性樹脂組成物を対象とする。
の1つであり;k1は、約0.5までのいずれかの正の値であり;k2は、約1.5から約2までのいずれかの値であり;但し、(k1+k2)=2であり;Gは、カルボニル、カルボニルオキシ又はスルホニル基を有する1価の有機基であり;G*は、少なくとも1つのカルボニル又はスルホニル基を有する2価の有機基であり;Ar7は、少なくとも2個の炭素原子を有する2価から8価の有機基を表し;Ar8は、少なくとも2個の炭素原子を有する2価から6価の有機基を表し;そして、R4は、水素又は1個から10個の炭素原子を有する有機基を表し;m1及びm3は、0から4までの範囲の整数であって、m1とm3は、同時に0にはなり得ず;そして、m2は、0から2までの範囲の整数である;
を有する少なくとも1つのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマー;
から選択される成分;
(c)少なくとも1つの溶媒;
を含み、
但し、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、単に、構造I又はIII又はV又はその3つのいずれかを含有する混合物のみから成る場合は、
(d)少なくとも1つの光活性な化合物が加えられる;
ポジ型感光性樹脂組成物を対象とする。
が挙げられるが、これらに限定されない。R13の例としては、−CH3−、−C2H5−、n−C3H7−、i−C3H7−、n−C4H9−、t−C4H9−及びシクロヘキシルが挙げられるが、これらに限定されない。
が挙げられるが、これらに限定されない。適切なZ基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、n−オクチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及びシクロオクチルが挙げられるが、これらに限定されない。
が挙げられるが、これらに限定されない。
の1つが挙げられるが、これらに限定されない。適切なR基の例としては、メチル、エチル、プロピル、iso−プロピル、n−ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、シクロペンチル又はシクロヘキシルが挙げられるが、これらに限定されない。
は、構造Iのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーを、G−Mと反応させることにより構成することができ、ここで、Gは、カルボニル、カルボニルオキシ又はスルホニル基を有する1価の有機基であり、そしてMは、反応性の脱離基である。Gの例としては、以下の構造が挙げられるが、これらに限定されない。
の1つが挙げられるが、これらに限定されない。適切なR基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、シクロペンチル又はシクロヘキシルが挙げられるが、これらに限定されない。
を有する化合物を含む。
が挙げられるが、これらに限定されない。
の1つである;
によって記載することができる。
(a)適切な基板上に、構造I、II、III、III*、IV、IV*若しくはV、又はそれらの混合物を有するポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの1つ又はそれ以上、少なくとも1つの構造VIを有する化合物、及び少なくとも1つの溶媒を含み、但し、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、単に、I、III、III*若しくはV、又はそれらの4つのいずれかの混合物からのみ成る場合は、少なくとも1つの光活性化合物も、又、存在する、ポジ型の感光性組成物を塗布し、それにより塗布した基板を形成し;
(b)塗布した基板を予備焼成し;
(c)予備焼成した塗布基板を化学線で露光し;
(d)露光した塗布基板を水性の現像液を用いて現像し、それにより塗布基板上に未硬化のレリーフ画像を形成し;
(e)現像した塗布基板を昇温下で焼成し、それによりレリーフ画像を硬化する;
工程を含む。
Edwin P. Plueddemann, 1982, Plenum Press, New Yorkに記載されている。
(a)構造I、III又はIII*:
のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの1つ又はそれ以上;
を有する化合物;
(c)少なくとも1つの溶媒;
(d)少なくとも1つの、照射により酸を放出する光活性化合物(PAG);及び、
(e)それぞれ少なくとも2つの〜N−(CH2OR29)a単位を含有する少なくとも1つの潜在的架橋剤、ここで、a=1又は2であり;そしてR29は直鎖状又は分枝鎖状のC1−C8アルキル基である;
を含む組成物を対象とする。
を有する化合物を含む。
が挙げられるが、これらに限定されない。電子供与基の例としては、C1−C4アルキル基、C1−C4アルコキシ基、シクロペンチル及びシクロヘキシルが挙げられるが、これらに限定されない。好ましい化合物のVI−a〜VI−dに代わる互変異性型は、以下であろう。
が挙げられるが、これらに限定されない。
を有する。bの好ましい範囲は、約25から約175である。bのより好ましい範囲は、約50から約150である。ポリマーXVは、ネガ型感光性組成物の他の成分と相溶性を有し、水性の現像液に溶解性を有する必要がある。
を反応させることにより製造される。XVIは、1つの種類の二酸無水物でもよく、又はいくつかの二酸無水物の混合物でもよいが、但し、最終ポリマーは、感光性組成物の溶媒に可溶である。XVIの例としては、以下の二酸無水物が挙げられるが、これらに限定されない:3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、特に、3,3’,4,4’−ジフェニルオキシドテトラカルボン酸二無水物(4,4’−オキシジフタル酸二無水物)、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、1,3−ジフェニルヘキサフルオロプロパン−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,8,9,10−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物及び1,2,3,4−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物。名前を挙げた化合物のような二酸無水物の混合物も、又、使用してよい。
の1つを有する、少なくとも1つの物質を含む。
を有する少なくとも1つの化合物を含む。
の1つである;
によって記載することができる。好ましい接着促進剤は、R16が以下の部分構造から選択されるものである。
(a)基板を用意し;
(b)該基板上に、1つ又はそれ以上の、構造I、III又はIII*を有するポリベンゾオキサゾール前躯体;少なくとも1つの、構造VIを有する化合物;少なくとも1つの溶媒;少なくとも1つの、照射により酸を放出する光活性化合物;それぞれ少なくとも2つの〜N−(CH2OR29)a単位を含有する、少なくとも1つの潜在的な架橋剤、ここで、a=1又は2であり、R29は直鎖状又は分枝鎖状C1−C8アルキル基である;及び場合により、少なくとも1つの溶解速度調整剤(全ては、前記した通りである);但し、潜在的な架橋剤の反応性が高い場合は、溶解速度調整剤はカルボン酸基を含まない;を含むネガ型感光性組成物を塗布し、それにより塗布された基板を形成し;
(c)塗布された基板に化学線を照射し;
(d)塗布された基板を、昇温下で露光後焼成し;
(e)塗布された基板を、水性の現像液で現像し、それによりレリーフ画像を形成し;そして、
(f)基板を昇温下で焼成し、それによりレリーフ画像を硬化する;
を含む。
構造(Ia)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの合成
収率はほぼ定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.20dL/gであった。
構造(IIa)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの合成
機械式攪拌装置を装着した1Lの三口丸底フラスコに、合成例1で得られたポリマー(54.2g、100mmol)及びテトラヒドロフラン(THF、500mL)を加えた。混合物を10分間攪拌し、固形物を完全に溶解した。次いで、5−ナフトキノンジアジドスルホニルクロリド(S−215−Cl)(0.81g、3mmol)を添加し、混合液を更に10分間攪拌した。トリエチルアミン(0.3g、3mmol)を15分以内に徐々に加え、次いで反応混合液を5時間攪拌した。次いで、反応混合液を、激しく攪拌する5,000mLの脱イオン水に徐々に加えた。沈殿した生成物を濾過により分離し、2Lの脱イオン水で洗浄した。上記の生成物に、更に6Lの脱イオン水を加え、混合物を30分間激しく攪拌した。濾過した後、生成物を1Lの脱イオン水で洗浄した。単離した生成物を40℃で一夜乾燥した。収率は、ほぼ定量的であった。
ポリマーの固有粘度は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.21g/gであった。
構造(XIIIp)の光活性化合物(PAC)の合成
構造(XIIIp’)の光活性化合物(PAC)の合成
合成例2で得られたポリマー(100部)、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(1.53部)、ジフェニルシランジオール(2.48部)、合成例3で合成したPAC(13.51部)及び2−メルカプトベンゾオキサゾール(7部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を銅ウエハー上にスピンコートし、次いで、ホットプレート上120℃で4分焼成して、11.22μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。2−メルカプトベンゾオキサゾールを除いた配合物は、露光部に残留するぼってりした残留物質を示した(比較例1参照)。
実施例2〜7及び比較例1〜3は、各配合で2−メルカプトベンゾオキサゾールの量を変化させた以外は、実施例1と同じ組成とした。各組成物に対して、実施例1に記載した方法と同様の方法を使用した。結果を表2に示す。
実施例4の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、10.96μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初215mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、5mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=263mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.43μmであった。
実施例5の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、11.07μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初215mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、5mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=294mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.74μmであった。
実施例6の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、11.06μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初215mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、5mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=315mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.83μmであった。
実施例7の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、10.91μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初215mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、5mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=312mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.78μmであった。
比較例4〜7では、2−メルカプトベンゾオキサゾールの代わりに、いろいろな量の2−メルカプトベンゾチアゾールをこれらの配合に使用した以外は、実施例1と同じ組成とした。各組成物に対して、実施例1に記載した方法と同様の方法を使用した。結果を表3に示す。
合成例2で得たポリマー(100部)、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(3部)、ジフェニルシランジオール(5部)、実施例4で合成したPAC(11.9部)、及び2−メルカプトベンゾオキサゾール(2部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成し、10.95μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。残留物は認められなかった。
実施例13〜15及び比較例8〜10は、各配合で2−メルカプトベンゾオキサゾールの量を変化させた以外は、実施例12と同じ組成とした。各組成物に対して、実施例12に記載した方法と同様の方法を使用した。結果を表4に示す。
実施例16〜19では、2−メルカプトベンゾオキサゾールの代わりに、異なった量の2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾールを使用した以外は、実施例1と同じ組成とした。各組成物に対して、実施例1に記載した方法と同様の方法を使用した。結果を表5に示す。
実施例16の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、11.01μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初100mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、10mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=240mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.20μmであった。
実施例17の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、10.97μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初100mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、10mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=254mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.26μmであった。
実施例22〜26並びに比較例7及び8では、2−メルカプトベンゾオキサゾールの代わりに、異なった量の2−メルカプト−1−メチルイミダゾールを使用した以外は、実施例1と同じ組成とした。各組成物に対して、実施例1に記載した方法と同様の方法を使用した。結果を表6に示す。
実施例22の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、11.04μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初200mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、5mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=236mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.04μmであった。
実施例23の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、11.01μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初200mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、5mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=264mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.41μmであった。
実施例24の組成物を、シリコン・ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成して、11.10μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初200mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、5mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。露光部から全ての物質を除去するのに必要な露光エネルギーを観測し、E0=286mJ/cm2と報告された。現像後の未露光部の膜厚は6.75μmであった。
構造(Ib)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの合成
収率は95%であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.242dL/gであった。
構造(Ic)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの合成
1,4−オキシジベンゾイルクロリド対イソフタロイルクロリドの比を1/1から4/1に変えた以外は、合成例1の手順により、ポリマーIcを合成した。
収率は定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.185dL/gであった。
構造(IIc)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの合成
収率は定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.180dL/gであった。
構造(IV*c)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの合成
収率はほぼ定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.181dL/gであった。
構造(Id)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの製造
収率は定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.21dL/gであった。
構造(Ie)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの製造
収率は定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.205dL/gであった。
構造(If)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの製造
収率は定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.20dL/gであった。
構造(IIIa)のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの製造
収率は100%であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.205dL/gであった。
ポリマーIVaの合成
収率はほぼ定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.20dL/gであった。
イミド末端封止剤で末端封止したPBO前躯体ポリマーIII*aの製造
収率はほぼ定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.20dL/gであった。
4,4’−オキシジフタル酸無水物(ODPA)/オキシジアニリン(ODA)ポリアミド酸の製造
構造III*dのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの製造
収率はほぼ定量的であり、ポリマーの固有粘度(iv)は、NMP中、濃度0.5g/dL、温度25℃で測定して、0.20dL/gであった。
p−トルエンスルホン基で末端封止したPBO前躯体ポリマーの製造
合成例5で得られたポリマー(100部)、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)マレイン酸モノアミド(3部)、2−メルカプトベンゾオキサゾール(1部)、ジフェニルシランジオール(2.5部)、及び実施例3で合成したPAC(20部)を、GBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成し、11.1μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例8で得られたポリマー(100部)、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(3部)、2−メルカプトベンゾオキサゾール(1部)、及びPACXIIIr、ここで、QはH又は以下の部分構造:
合成例9で得られたポリマー(100部)、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(3部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(0.5部)、2−メルカプトベンゾオキサゾール(0.5部)、及びPACXIIIo、ここで、QはH又は以下の部分構造:
合成例10で得られたポリマー(100部)、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(3部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(1部)、及びPACXIIIe、ここで、QはH又は以下の部分構造:
合成例11で得られたポリマー(100部)、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン(3部)、2−メルカプトベンゾオキサゾール(1部)、及びPACXIIIf、ここで、QはH又は以下の部分構造:
合成例7で得られたポリマー(50部)、合成例8で得られたポリマー(50部)、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)マレイン酸モノアミド(3部)、2−メルカプトベンゾオキサゾール(0.5部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(0.5部)、ジフェニルシランジオール(2.5部)、及び実施例4で合成したPAC(12部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成し、11μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例1で得られたポリマー(50部)、合成例2で得られたポリマー(50部)、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)マレイン酸モノアミド(3部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(1部)、ジフェニルシランジオール(2.5部)、及び実施例4で合成したPAC(16部)をGBL(160部)と乳酸エチル(10部)の混合液に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成し、11μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例2で得られたポリマー(50部)、合成例7で得られたポリマー(50部)、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)マレイン酸モノアミド(3部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(1部)、ジフェニルシランジオール(2.5部)、及び実施例4で合成したPAC(12部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上130℃で2分焼成し、11μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例12で得られたポリマー(100部)、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(3部)、 ジフェニルシランジオール(5部)、実施例4で合成したPAC(11.9部)、及び2−メルカプトベンゾオキサゾール(0.5部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上90℃で5分焼成し、11μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。残留物は認められなかった。
合成例13で得られたポリマー(100部)、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(3部)、 ジフェニルシランジオール(5部)、実施例4で合成したPAC(11.9部)、及び2−メルカプトベンゾオキサゾール(0.5部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成し、11μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。残留物は認められなかった。
合成例2で得られたポリマー(100部)、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(1.53部)、 ジフェニルシランジオール(2.48部)、実施例3で合成したPAC(13.51部)、及び2−メルカプトベンゾオキサゾール(1部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成し、11μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。残留物は認められなかった。
合成例12と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(100重量部)、GBL(200部)、(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−2−メチルフェニル−アセトニトリル(5部)、合成例15で製造したODPA/ODAポリマー(31.25部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(3部)、及び Powderlink 1174 (10部)を一緒に混合することによって、感光性組成物を製造した。次いで、この組成物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で3分焼成し、約12μmの厚みを有する膜を得た。上記膜を、Cannon 3000i4 露光装置上で、増分露光法を用いて、一部ずつ露光した。その際、最初50mJ/cm2で開始し、50mJ/cm2ずつ露光量を増加した。次いで、塗布し露光したウエハーを120℃で3分焼成し、0.262NのTMAH水溶液を95秒間連続スプレーして現像し、脱イオン水でリンスして、レリーフ・パターンを得た。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより未露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例14と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(100重量部)、GBL(180部)、PGMEA(20部)、(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−2−メチルフェニル−アセトニトリル(5部)、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール(1.4部)、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(3部)、及び Cymel 303 (10部)を一緒に混合することによって、感光性組成物を製造した。次いで、この組成物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で3分焼成し、約12μmの厚みを有する膜を得た。上記膜を、Cannon 3000i4 露光装置上で、増分露光法を用いて、一部ずつ露光した。その際、最初50mJ/cm2で開始し、50mJ/cm2ずつ露光量を増加した。次いで、塗布し露光したウエハーを120℃で3分焼成し、0.262NのTMAH水溶液を95秒間連続スプレーして現像し、脱イオン水でリンスして、レリーフ・パターンを得た。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより未露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例9と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(50重量部)、合成例16と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(50重量部)、GBL(180部)、PGMEA(20部)、(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−2−メチルフェニル−アセトニトリル(5部)、合成例15で製造したODPA/ODA(22.5部)、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(3部)、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール(2部)、及び Powderlink 1174 (10部)を一緒に混合することによって、感光性組成物を製造した。次いで、この組成物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上115℃で4分焼成し、約11.5μmの厚みを有する膜を得た。上記膜を、Cannon 3000i4 露光装置上で、増分露光法を用いて、一部ずつ露光した。その際、最初50mJ/cm2で開始し、25mJ/cm2ずつ露光量を増加した。次いで、塗布し露光したウエハーを125℃で150秒焼成し、0.262NのTMAH水溶液を80秒間連続スプレーして現像し、脱イオン水でリンスして、レリーフ・パターンを得た。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより未露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例14と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(50重量部)、合成例16と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(50重量部)、GBL(175部)、ジプロピレングリコールジメチルエーテル(25部)、PAG A(構造は下に示す)(7.5部)、合成例3で製造したODPA/ODA(27.5部)、N−(3−トリエトキシシリルプロピル)−4,5−ジヒドロイミダゾール(4部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(2.5部)、及び Powderlink 1174 (10部)を一緒に混合することによって、感光性組成物を製造した。次いで、この組成物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上125℃で3.5分焼成し、約13μmの厚みを有する膜を得た。上記膜を、Cannon 3000i4 露光装置上で、増分露光法を用いて、一部ずつ露光した。その際、最初50mJ/cm2で開始し、50mJ/cm2ずつ露光量を増加した。次いで、塗布し露光したウエハーを130℃で175秒焼成し、0.262NのTMAH水溶液を100秒間連続スプレーして現像し、脱イオン水でリンスして、レリーフ・パターンを得た。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより未露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例16と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(100重量部)、GBL(170部)、ジグライム(30部)、PAG B(構造は下に示す)(7.5部)、n−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン(2部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(0.5部)、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール(0.75部)、及び Cymel 303 (15部)を一緒に混合することによって、感光性組成物を製造した。次いで、この組成物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4.5分焼成し、約12.5μmの厚みを有する膜を得た。上記膜を、Cannon 3000i4 露光装置上で、増分露光法を用いて、一部ずつ露光した。その際、最初50mJ/cm2で開始し、50mJ/cm2ずつ露光量を増加した。次いで、塗布し露光したウエハーを125℃で175秒焼成し、0.262NのTMAH水溶液を100秒間連続スプレーして現像し、脱イオン水でリンスして、レリーフ・パターンを得た。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより未露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例4と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(50重量部)、合成例6と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(50重量部)、GBL(165部)、ジアセトンアルコール(35部)、PAG C(構造は下に示す)(10部)、合成例3で製造したODPA/ODA(35部)、(シクロヘキシルアミノメチル)トリエトキシシラン(2部)、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール(0.75部)、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール(0.75部)、及び Powderlink 1174 (7.5部)を一緒に混合することによって、感光性組成物を製造した。次いで、この組成物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上130℃で4分焼成し、約10μmの厚みを有する膜を得た。上記膜を、Cannon 3000i4 露光装置上で、増分露光法を用いて、一部ずつ露光した。その際、最初50mJ/cm2で開始し、50mJ/cm2ずつ露光量を増加した。次いで、塗布し露光したウエハーを130℃で175秒焼成し、0.262NのTMAH水溶液を100秒間連続スプレーして現像し、脱イオン水でリンスして、レリーフ・パターンを得た。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより未露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例17で得られたポリマー(100部)、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(1.53部)、 ジフェニルシランジオール(2.48部)、実施例3で合成したPAC(13.51部)、及び2−メルカプトベンゾオキサゾール(1部)をGBL(175部)に溶解し、濾過した。上記配合物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で4分焼成し、11μmの膜厚を得た。次いで、上記膜を、i線ステッパーを用いて、画像パターンを有する露光配列で露光し、その際、最初300mJ/cm2の露光エネルギーで開始し、30mJ/cm2ずつ露光エネルギーを増加した。次いで、露光した膜を、2.38%のTMAH水溶液で30秒のパドリングを2回行って、現像した。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。残留物は認められなかった。
合成例12と同じ方法で製造したPBO前躯体ポリマー(100重量部)、GBL(200部)、(5−プロピルスルホニルオキシイミノ−5H−チオフェン−2−イリデン)−2−メチルフェニル−アセトニトリル(5部)、合成例15で製造したODPA/ODAポリマー(31.25部)、及び Powderlink 1174 (10部)を一緒に混合することによって、感光性組成物を製造した。次いで、この組成物を、銅ウエハー上にスピンコートし、ホットプレート上120℃で3分焼成し、約12μmの厚みを有する膜を得た。上記膜を、Cannon 3000i4 露光装置上で、増分露光法を用いて、一部ずつ露光した。その際、最初50mJ/cm2で開始し、50mJ/cm2ずつ露光量を増加した。次いで、塗布し露光したウエハーを120℃で3分焼成し、0.262NのTMAH水溶液を95秒間連続スプレーして現像し、脱イオン水でリンスして、レリーフ・パターンを得た。次いで、画像パターンを付与した銅ウエハーを、銅基板に至るまでのいかなる物質も剥離するように、1対のピンセットで引っ掻いた。次いで、引っ掻きにより未露光パターンが切り裂かれた場所に焦点を合わせながら、引っ掻き傷を顕微鏡下で分析した。この引っ掻き手法は、基板(裸の銅)と露光部に残存するいずれかの残留物との区別を可能にした。比較的厚い残留物が認められた。
Claims (26)
- (a)少なくとも1つのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマー;
(b)少なくとも1つの、構造VI:
(c)少なくとも1つの溶媒;
を含む感光性樹脂組成物であって、ここで、組成物中に存在する構造VIの化合物の量は、組成物が基板に塗布され引き続いて塗布された基板が基板上に画像を形成するように処理された場合、残留物の形成を阻害するのに有効な量であり、但し、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、単に、ポリマー中に光活性な部分を含有しないポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーのみから成る場合は、
(d)少なくとも1つの光活性な化合物;
も、又、組成物中に存在する上記組成物。 - ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、
構造I、II、III、III*、IV、IV*又はV:
の1つから成る基から選択され;k1は、約0.5までのいずれかの正の値であり;k2は、約1.5から約2までのいずれかの値であり;但し、(k1+k2)=2であり;Gは、カルボニル、カルボニルオキシ及びスルホニル基から成るグループから選択される基を有する1価の有機基であり;G*は、少なくとも1つのカルボニル又はスルホニル基を有する2価の有機基であり;Ar7は、少なくとも2個の炭素原子を有する2価から8価の有機基であり;Ar8は、少なくとも2個の炭素原子を有する2価から6価の有機基であり;そして、R4は、水素及び1個から10個の炭素原子を有する有機基から成るグループから選択され;m1及びm3は、0から4までの範囲の整数であるが、m1とm3は、同時に0にはなり得ず;m2は、0から2までの範囲の整数である}
を有する少なくとも1つのポリベンゾオキサゾール前駆体ポリマーを含むポジ型感光性樹脂組成物を含む、請求項1に記載の感光性組成物であって、但し、ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、単に、構造I、III若しくはV、又はこれら3つの構造のいずれかを含有する混合物のみから成る場合は、感光性樹脂組成物は、又、
(d)少なくとも1つの光活動性化合物;
を含む上記組成物。 - ポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、構造I、II、III、IV及びVのそれらから成るグループから選択される、少なくとも1つのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーである、請求項2に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
- 接着促進剤を更に含む、請求項2に記載のポジ型感光性組成物。
- 接着促進剤が構造XIV:
の1つから成る基から選択される}
の化合物である、請求項6に記載のポジ型感光性組成物。 - 接着促進剤を更に含み、接着促進剤が構造XIV:
の1つから成る基から選択される}
の化合物である、請求項3に記載のポジ型感光性組成物。 - ネガ型フォトレジスト組成物を含む請求項1に記載の感光性組成物であって、ここで、ポリベンゾオキサゾール前躯体は、構造I、III又はIII*:
のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーの1つ又はそれ以上を含み、そしてこの組成物は、更に、
(d)少なくとも1つの、照射により酸を放出する光活性化合物;及び、
(e)少なくとも2つの〜N−(CH2OR29)a単位(ここで、aは1又は2から選択され;R29は直鎖状又は分枝鎖状のC1−C8アルキル基である)を含有する、少なくとも1つの潜在的な架橋剤;
を含む上記組成物。 - 1つ又はそれ以上のポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーが、構造I及びIIIのポリベンゾオキサゾール前躯体ポリマーから選択される、ネガ型フォトレジスト組成物を含む、請求項9に記載のフォトレジスト組成物。
- ポジ型感光性組成物を用いてレリーフ・パターンを形成する方法であって、
(a)基板上に、請求項2に記載のポジ型感光性組成物を塗布し;
(b)塗布した基板を予備焼成し;
(c)予備焼成した塗布基板を化学線で露光し;
(d)露光した塗布基板を水性の現像液を用いて現像し、それにより塗布基板上に未硬化のレリーフ画像を形成し;そして
(e)現像した塗布基板を昇温下で焼成し、それによりレリーフ画像を硬化する;
工程を含む方法。 - ポジ型感光性組成物を用いてレリーフ・パターンを形成する方法であって
(a)基板上に、請求項3に記載のポジ型感光性組成物を塗布し;
(b)塗布した基板を予備焼成し;
(c)予備焼成した塗布基板を化学線で露光し;
(d)露光した塗布基板を水性の現像液を用いて現像し、それにより塗布基板上に未硬化のレリーフ画像を形成し;そして
(e)現像した塗布基板を昇温下で焼成し、それによりレリーフ画像を硬化する;
工程を含む方法。 - 工程(a)の前に、接着促進剤を含有する溶媒を用いて基板を予備塗布する、請求項15に記載の方法。
- 工程(a)の前に、接着促進剤を含有する溶媒を用いて基板を予備塗布する、請求項16に記載の方法。
- ネガ型のレリーフ画像を形成する方法であって、
(a)基板を用意し;
(b)該基板上に、請求項9に記載のネガ型感光性組成物を塗布し;
(c)塗布基板を化学線で露光し;
(d)塗布基板を昇温下で露光後焼成し;
(e)塗布基板を水性の現像液を用いて現像し、それによりレリーフ画像を形成し;そして、
(f)基板を昇温下で焼成し、それによりレリーフ画像を硬化する;
工程を含む方法。 - ネガ型のレリーフ画像を形成する方法であって、
(a)基板を用意し;
(b)該基板上に、請求項10に記載のネガ型感光性組成物を塗布し;
(c)塗布基板を化学線で露光し;
(d)塗布基板を昇温下で露光後焼成し;
(e)塗布基板を水性の現像液を用いて現像し、それによりレリーフ画像を形成し;そして、
(f)基板を昇温下で焼成し、それによりレリーフ画像を硬化する;
工程を含む方法。 - 工程(b)の前に、接着促進剤を含有する溶媒を用いて基板を予備塗布する、請求項19に記載の方法。
- 工程(b)の前に、接着促進剤を含有する溶媒を用いて基板を予備塗布する、請求項20に記載の方法。
- 請求項15の方法により形成された、基板上のレリーフ画像。
- 請求項16の方法により形成された、基板上のレリーフ画像。
- 請求項19の方法により形成された、基板上のレリーフ画像。
- 請求項20の方法により形成された、基板上のレリーフ画像。
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