KR20060023520A - 신규한 감광성 수지 조성물들 - Google Patents

신규한 감광성 수지 조성물들 Download PDF

Info

Publication number
KR20060023520A
KR20060023520A KR1020057016852A KR20057016852A KR20060023520A KR 20060023520 A KR20060023520 A KR 20060023520A KR 1020057016852 A KR1020057016852 A KR 1020057016852A KR 20057016852 A KR20057016852 A KR 20057016852A KR 20060023520 A KR20060023520 A KR 20060023520A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
coated substrate
substrate
group
photosensitive composition
positive photosensitive
Prior art date
Application number
KR1020057016852A
Other languages
English (en)
Inventor
어매드 에이. 나이니
파멜라 제이. 워터슨
윌리암 디. 웨버
일리야 러쉬킨
리차드 호플라
존 메티비어
Original Assignee
후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. filed Critical 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨.
Publication of KR20060023520A publication Critical patent/KR20060023520A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

포지티브 감광성 수지 조성물로서: (a) 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머 (b) 구조 III-V에 의해 표현되는 화합물들로부터 선택되며, 상기 구조들에서 R1, R2, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된(perfluorinated) C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기이거나, 또는 대안적으로 R1 및 R2 또는 R4, R5, 및 R6 중 임의의 두 개가 5-7 원자 고리(5-7 membered ring)를 형성할 수 있으며; 각 R3는 독립적으로 H, 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기, 비치환된 페닐기 및 페닐 또는 알킬 또는 할로겐 치환된 페닐기이고; 적어도 하나의 Q는 D인 조건을 만족하며, Q는 H 또는 D로 구성되는 군으로부터 선택되고; D는 앞서 정의된 바와 같고; (1)구조 III의 경우, a=b=1이고 OQ 모두 R1R2C 치환기에 대해 파라 치환되면, R1과 R2는 동시에 메틸이 아니며, (2) 1<=a+b<6인 조건을 만족하고; 구조 V의 경우, a=b=c=1이고 모든 OQ가 트리페닐 메탄 탄소 치환기에 대해 파라이면, 적어도 하나의 R3은 H가 아닌 조건을 만족하며 a는 1 내지 5의 정수이고; b 및 c는 0 내지 5의 정수들인, 적어도 하나의 감광성 화합물; (c) 적어도 하나의 용매; 및 (d) 선택적으로, 접착 촉진제를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물이 개시된다. 본 발명은 또한 상기 감광성 조성물을 이용하여 릴리프 패턴을 형성하고 전자 부품들을 제조하는 방법을 제공한다.
포지티브 감광성 수지 조성물, 릴리프 패턴, 접착 촉진제, 외부 접착 촉진제, 폴리벤족사졸 전구체 폴리머

Description

신규한 감광성 수지 조성물들{NOVEL PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITIONS}
본 발명은 포지티브 감광성 수지 조성물들에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 포지티브 방식의, 염기성 수용액으로 현상가능한(positive-working, aqueous base developable) 감광성 폴리벤족사졸(PBO) 전구체 조성물들, 상기 감광성 조성물의 사용 방법, 및 상기 사용 방법에 의해 생산된 전자 부품들에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉 응용들에서, 고온 내성을 보이는 폴리머류는 일반적으로 공지되어 있다. 그와 같은 폴리머류, 예를 들면, 폴리이미드류 및 폴리벤족사졸류의 전구체들은 적합한 첨가제들에 의해 감광성을 갖게 될 수 있다. 전구체들은 고온들에 대한 노출과 같은 공지된 기법들에 의해 원하는 폴리머로 전환된다. 폴리머 전구체들은 고도의 내열성을 가지는 폴리머류의 보호층들, 절연층들 및 릴리프 구조들을 제조하기 위해 사용된다.
기존의 포지티브 방식 감광성 폴리벤족사졸류(PBO)는 알칼리 용해성 PBO 전구체 및 미국 특허 제 4,371,685호에 개시된 디아조퀴논 광활성(photoactive) 화합물을 포함한다. 디아조퀴논 화합물은 PBO 전구체의 염기성 수용액에 대한 용해성을 억제한다. 노광 후에, 디아조퀴논 화합물은 광분해되어 인덴카르복시산으로 전환되 고, 이는 PBO 전구체의 염기성 수용액에 대한 용해성을 촉진한다. 디아지퀴논 부분들(moieties) 및 디아조퀴논 광활성 화합물들로 캡핑된(capped) 알칼리 가용성인 PBO 전구체들에 기반한 포지티브 방식의 감광성 제제들이 최근에 미국 특허 제 6,177,225 B1호 및 제 6,127,086호에서 개시되고 있다.
경화된 PBO 제제들은 고온 경화 동안 일어나는 무수한 고온 반응들 때문에 색상이 일반적으로 진하다(dark). 유감스럽게도, 포지티브 감광성 제제들의 경화된 필름들의 색상은 와이어 본딩(wire bonding) 및 기타 포장 및 조립 공정들 동안 정렬(alignment)을 위해 중요하다. 엷은 색상의(Lighter-colored), 보다 투명한 필름들은 종종 와이어 본딩 및 기타 포장 및 조립 공정들 동안 정렬에 있어서 상당한 장점들을 제공한다. 이는 증가된 처리 능력(throughput) 및 정확도를 가져올 수 있다. 일본 특허 공개(Kokai) 09-146273호는 비노광 영역들에 노광을 충분히 제공하기 위해 현상 후 추가적인 노광 단계를 수행하여, 그와 같은 암색화(darkening)를 억제하는 방법을 개시하고 있다. 이는 추가적인 비용들을 초래하고, 처리 능력의 둔화를 가져오며, 조성물의 경화 물성들 중 일부에 영향을 미칠 수 있다.
본 발명의 목적은 일반적인 경화 온도들에서 실질적으로 암색화되지 않는 고온 내성 특징들(features)로 경화할 수 있는 감광성 조성물들을 제공하는 것이다. 본 발명자들은 놀랍게도 PAC 백본 상에 벤질릭 수소들을 가지지 않는 디아조퀴논 광활성 화합물들을 포함하는 포지티브 폴리벤족사졸 전구체 감광성 제제들이 훨씬 더 엷은 색상의 경화된 필름들을 생성한다는 점을 발견했다. PAC 백본 상에 벤질릭 수소들을 가지지 않는 디아조퀴논 광활성 화합물들을 사용하는 포지티브 폴리벤족 사졸 감광성 제제들을 개시하는 이전의 특허들은 결과적으로 얻어진 그와 같은 제제들의 경화된 필름들의 색상 및 PBO 제제들에 있어서 진한 색상의 경화된 필름들의 문제를 다루는 방법에 대해 전혀 언급하지 않았다. 그와 같은 제제들은 본 명세서에 참조로서 포함된 미국 특허 제 5,376,499호, 미국 특허 제 5,726,279호, 미국 특허 제 5,783,654호, 미국 특허 제 5,883,221호, 미국 특허 제 5,922,825호, 미국 특허 제 5,973,202호, 미국 특허 제 6,120,970호 또는 미국 특허 제 6,153,350호에 개시된다.
발명의 요약
본 발명은 포지티브 감광성 수지 조성물로서:
(a) 구조 I 또는 II를 가지며,
Figure 112005050494573-PCT00001
상기에서 Ar1은 4가의 방향족기, 4가의 이종원자 고리기(heterocyclic), 또는 그들의 혼합물들이며; Ar2는 실리콘을 포함할 수 있는 2가의 방향족기, 2가의 이종원자 고리기, 2가의 지환족기, 또는 2가의 지방족기 또는 그들의 혼합물들이고; Ar3은 2가의 방향족기 또는 2가의 지방족기, 2가의 이종원자 고리기 또는 그들의 혼합물들이고; D는 다음 부분들(moieties) 중 하나이며:
Figure 112005050494573-PCT00002
Figure 112005050494573-PCT00003
상기에서 R은 H, 할로겐, C1 - C4 알킬기, C1 - C4 알콕시기, 또는 C5 - C7 시클로알킬기이고; (k1+k2)=2의 조건을 만족하면서, k1 은 약 0.5까지의 임의의 양수일 수 있고 k2는 약 1.5 내지 약 2의 임의의 값일 수 있으며, x는 약 10 내지 약 1000이고; y는 약 0 내지 약 900;인 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머;
(b) 구조 III - V에 의해 표현되는 화합물들로 구성되는 군으로부터 선택되며,
Figure 112005050494573-PCT00004
상기에서 R1, R2, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된(perfluorinated) C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기이거나, 또는 대안적으로 R1 및 R2 또는 R4, R5, 및 R6 중 임의의 두 개가 5-7 원자 고리(5-7 membered ring)를 형성할 수 있으며; 각 R3는 독립적으로 H, 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기, 비치환된 페닐기 및 페닐 또는 알킬 또는 할로겐 치환된 페닐기이고; 적어도 하나의 Q는 D인 조건을 만족하며, Q는 H 또는 D로 구성되는 군으로부터 선택되고; D는 앞서 정의된 바와 같고; (1)구조 III의 경우, a=b=1이고 OQ 모두 R1R2C 치환기에 대해 파라 치환되면, R1과 R2는 동시에 메틸이 아니며, (2) 1<=a+b<6인 조건을 만족하고; 구조 V의 경우, a=b=c=1이고 모든 OQ가 트리페닐 메탄 탄소 치환기에 대해 파라이면, 적어도 하나의 R3은 H가 아닌 조건을 만족하며 a는 1 내지 5의 정수이고; b 및 c는 0 내지 5의 정수들인, 적어도 하나의 감광성 화합물;
(c) 적어도 하나의 용매; 및
(d) 선택적으로, 접착 촉진제를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 감광성 조성물을 이용하여 릴리프 패턴을 형성하는 방법 및 전자 부품들을 제조하는 방법을 제공한다. 본 방법은:
(a) 적합한 기판 상에 구조 (I) 또는 (II)를 가지는 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머; 전술된 구조 III, IV, 또는 V 에 의해 표현된 화합물들로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 감광성 화합물; 및 적어도 하나의 용매;를 포함하는, 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
(b) 코팅된 기판을 예비 베이킹(prebaking)하는 단계;
(c) 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
(d) 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
(e) 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함한다.
발명의 상세한 설명
본 발명의 목적은 고온 내성인 특징들로 경화될 수 있고, 일반적인 경화 조건들에서 실질적으로 암색화(darken)되지 않을 감광성 조성물들을 제공하는 것이다. 본 발명자들은 놀랍게도 광활성 화합물 백본 상에 벤질릭 수소들을 가지지 않는 디아조퀴논 광활성 화합물들을 포함하는 포지티브 폴리벤족사졸 전구체 감광성 제제들이 색상이 훨씬 더 엷은 경화된 필름들을 생성한다는 점을 발견했다. 이 설명에 구애되지 않기를 바라면서, 벤질릭 수소들의 반응성은 고온 경화에서 디아조퀴논 광활성 화합물들에서 일반적으로 발견되는 히드록실 또는 술포닐기들과 같은 치환기들의 존재에 의해 영향을 받을 수 있으며 암색화(darkening)를 가져올 수 있다고 생각된다.
Figure 112005050494573-PCT00005
따라서, 본 발명은 포지티브 감광성 수지 조성물로서:
(a) 구조 I 또는 II를 가지며,
Figure 112005050494573-PCT00006
상기에서 Ar1은 4가의 방향족기, 4가의 이종원자 고리기, 또는 그들의 혼합물들이며; Ar2는 실리콘을 포함할 수 있는 2가의 방향족기, 2가의 이종원자 고리기, 2가의 지환족기, 또는 2가의 지방족기 또는 그들의 혼합물들이고; Ar3은 2가의 방향족기 또는 2가의 지방족기, 2가의 이종원자 고리기, 또는 그들의 혼합물들이며; D는 다음 부분들(moieties) 중 하나이고:
Figure 112005050494573-PCT00007
Figure 112005050494573-PCT00008
상기에서 R은 H, 할로겐, C1 - C4 알킬기, C1 - C4 알콕시기, 또는 C5 - C7 시클로알킬기이고; (k1+k2)=2의 조건을 만족하면서, k1 은 약 0.5까지의 임의의 양수일 수 있고 k2는 약 1.5 내지 약 2의 임의의 값일 수 있으며, x는 약 10 내지 약 1000이고; y는 약 0 내지 약 900인 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머;
(b) 구조 III - V에 의해 표현되는 화합물들로 구성되는 군으로부터 선택되고,
Figure 112005050494573-PCT00009
상기에서 R1, R2, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된(perfluorinated) C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기이거나, 또는 대안적으로 R1 및 R2 또는 R4, R5, 및 R6 중 임의의 두 개가 5-7 원자 고리(5-7 membered ring)를 형성할 수 있으며; 각 R3는 독립적으로 H, 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기, 비치환된 페닐기 및 페닐 또는 알킬 또는 할로겐 치환된 페닐기이고; 적어도 하나의 Q는 D인 조건을 만족하며, Q는 H 또는 D로 구성되는 군으로부터 선택되고; D는 앞서 정의된 바와 같고; (1)구조 III의 경우, a=b=1이고 OQ 모두 R1R2C 치환기에 대해 파라 치환되면, R1과 R2는 동시에 메틸이 아니며, (2) 1<=a+b<6인 조건을 만족하고; 구조 V의 경우, a=b=c=1이고 모든 OQ가 트리페닐 메탄 탄소 치환기에 대해 파라이면, 적어도 하나의 R3은 H가 아닌 조건을 만족하며 a는 1 내지 5의 정수이고; b 및 c는 0 내지 5의 정수들인, 적어도 하나의 감광성 화합물;
(c) 적어도 하나의 용매; 및
(d) 선택적으로, 접착 촉진제를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물을 제공한다.
구조 I의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머류는 염기의 존재 하에 구조 (VI), (VII), 및 (VIII)을 가지는 단량체들의 반응에 의해 합성될 수 있고:
Figure 112005050494573-PCT00010
상기에서, Ar1, Ar2, Ar3, x, 및 y는 앞서 정의된 바와 같고, W는 C(O)Cl, COOH 또는 C(O)OR9이고 상기에서 R9은 C1 - C7 선형 도는 가지형 알킬기 또는 C5 -C8 시클로알킬기이다.
구조(VI)에서 Ar1은 4가의 방향족, 4가의 이종원자 고리기, 또는 그들의 혼합물들이다. Ar1의 예들은 다음을 포함하나, 이에 한정되지 않으며:
Figure 112005050494573-PCT00011
상기에서 X1은 -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, -NHCO- 또는 -SiR8 2-이고 각 R8은 독립적으로 C1 - C7 선형 또는 가지형 알킬 또는 C5 - C8 시클로알킬기이다. R8의 예들은 -CH3, -C2H5, n-C3H7, i-C3H7, n-C4H9, t-C4H9, 및 시클로헥실을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
Ar1을 포함하는 구조 (VI)의 단량체들의 예들은 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판, 3,3'-디히드록시-4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디히드록시벤지딘, 4,6-디아미노레졸시놀, 및 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 구조 VI의 단량체 내의 2개의 히드록시 및 2개의 아미노기들의 치환 패턴은 벤족사졸 고리를 형성할 수 있기 위해서 각 아미노기가 히드록실기와 오르토(ortho) 관계를 가지는 조건을 만족하는 임의의 가능한 치환 패턴들일 수 있다. 나아가, 구조 I의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머는 구조 VI에 의해 표현되는 둘 또는 그 이상의 단량체들의 혼합물을 이용하여 합성될 수 있다.
구조 (VII)에서, Ar2는 실리콘을 포함할 수 있는 2가의 방향족기, 2가의 이종원자 고리기, 2가의 지환족, 또는 2가의 지방족기이다. Ar2의 예들은 다음을 포함하나, 이에 한정되지 않으며:
Figure 112005050494573-PCT00012
상기에서 X1은 앞서 정의된 바와 같고, X2는 -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, 또는 -NHCO-이고; Z는 H 또는 Cl - C8 선형 또는 가지형 알킬기이고 p는 1 내지 6인 정수이다. 적합한 Z 기들의 예들은 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, t-부틸, n-옥틸, 시클로펜틸, 시클로헥실 및 시클로옥틸을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
Ar2를 포함하는 구조 (VII)을 가지는 단량체들의 예들은 5(6)-아미노-1-(4-아미노페닐)-1,3,3-트리메틸인단(DAPI), m-페닐렌디아민, p-페닐렌디아민, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노-1,1'-비페닐, 3,4'-디아미노디페닐 에테르, 4,4'-디아미노디페닐 에테르, 3,3'-디아미노디페닐 에테르, 2,4-토릴렌디아민, 3, 3'-디아미노디페닐 술폰, 3,4'-디아미노디페닐 술폰, 4,4'-디아미노디페닐 술폰, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐 케톤, 3,3'-디아미노디페닐 케톤, 3,4'-디아미노디페닐 케톤, 1,3-비스(4-아미노페녹시) 벤젠, 1,3-비스(3-아미노-페녹시) 벤젠, 1,4-비스(γ-아미노프로필)테트라메틸디실록산, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌디아민, m-크실렌디아민, p-크실렌디아민, 메틸렌디아민, 테트라메틸렌디아민, 펜타메틸렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 2,5-디메틸헥사메틸렌디아민, 3-메톡시헥사메틸렌디아민, 헵타메틸렌디아민, 2,5-디메틸헵타메틸렌디아민, 3-메틸헵타메틸렌디아민, 4,4-디메틸헵타메틸렌디아민, 옥타메틸렌디아민, 노나메틸렌디아민, 2,5-디메틸노나메틸렌디아민, 데카메틸렌디아민, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 2,2-디메틸프로필렌디아민, 1,10-디아미노-1,10-디메틸데칸, 2,11-디아미니도데칸, 1,12-디아미노옥타데칸, 2,17-디아미노에이코산(2,17-diaminoeicosane), 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 비스(4-아미노시클로헥실)메탄, 비스(3-아미노노르보르닐)메탄, 3,3'-디아미노디페닐에탄, 4,4'-디아미노디페닐에탄, 및 4,4'-디아미노디페닐 술피드, 2,6-디아미노피리딘, 2,5-디아미노피리딘, 2,6-디아미노-4-트리플루오로메틸피리딘, 2,5-디아미노-1,3,4,-옥사디아졸, 1,4-디아미노시클로헥산, 피페라진, 4,4'-메틸렌디아닐린, 4,4'-메틸렌-비스(o-클로로아닐린(choloroaniline)), 4,4'-메틸렌-비스(3-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-메톡시아닐린), 4,4'-옥시-디아닐린, 4,4'-옥시-비스-(2-메톡시아닐린), 4,4'-옥시-비스-(2-클로로아닐린), 4,4'-티오-디아닐린, 4,4'-티오-비스-(2-메틸아닐린), 4,4'-티오-비스-(2-메톡시아닐린), 4,4'-티오-비스-(2-클로로아닐린), 3,3'-술포닐-디아닐린, 및 3,3'-술포닐-디아닐린을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 또한, 구조 I의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머는 구조 VII에 의해 표현되는 둘 또는 그 이상의 단량체들의 혼합물을 이용하여 합성될 수 있다.
구조 (VIII)에서, Ar3는 2가의 방향족, 2가의 지방족, 2가의 이종원자 고리기, 또는 그들의 혼합물들이다. Ar3의 예들은 다음을 포함하나 이에 한정되지 않으며:
Figure 112005050494573-PCT00013
상기에서 X2는 -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, 또는 -NHCO-이다.
구조 (VIII)에서, W는 C(O)Cl, COOH 또는 C(O)OR9이고, 상기에서 R9은 C1 - C7 선형 또는 가지형 알킬기 또는 C5 - C8 시클로알킬기이다. R9의 예들은 -CH3, -C2H5, n-C3H7, i-C3H7, n-C4H9, t-C4H9, 및 시클로헥실을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 구조 VIII을 가지는 단량체들은 이산류(diacids), 이염화 이산류(diacid dichlorides) 및 디에스테르류(diesters)이다. 적합한 디카르복시산류(W = COOH)의 예들은 4,4'-디페닐에테르디카르복시산, 테레프탈산, 이소프탈산 및 그들의 혼합물들을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 적합한 염화 이산류(W = C(O)Cl)는 이소프탈로일 디클로라이드, 프탈로일 디클로라이드, 테르프탈로일 디클로라이드, 4,4'-디페닐에테르디카르복시산 디클로라이드, 및 그들의 혼합물들을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 적합한 디카르복실 에스테르류(dicarboxylic esters)(W = C02R9)의 예들은 디메틸이소프탈레이트, 디메틸프탈레이트, 디메틸테르프탈레이트, 디에틸이소프탈레이트, 디에틸프탈레이트, 디에틸테르프탈레이트 및 그들의 혼합물들을 포함하나 이에 한정되지 않는다.
폴리머(I)은 단량체들 (VI) 및 (VII) 및 (VIII)의 반응에 의해 합성될 수 있다. 디카르복시산 또는 그의 디클로라이드 또는 디에스테르를 적어도 하나의 방향족 및/또는 이종원자 고리형 디히드록시디아민(heterocyclic dihydroxydiamine)과, 및 선택적으로 적어도 하나의 디아민과 반응시키는 임의의 기존 방법이 사용될 수 있다. 일반적으로, 염화 이산류(W = C(O)Cl)의 반응은 이론적 양 수준(an approximately stoichiometric amount)의 아민 염기의 존재 하에서 약 6시간 내지 약 48시간 동안 약 -10 ℃ 내지 약 30℃에서 수행된다. 적합한 아민 염기들의 예들은 피리딘, 트리에틸 아민, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데크-7-엔(DBU), 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔(DBN), 디메틸 피리딘, 및 디메틸아닐린을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 구조 I의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머는 물로의 침전에 의해 분리되고, 여과에 의해 회수되며 건조될 수 있다. 디에스테르류 또는 이산류를 사용하는 적합한 합성들의 개시는 본 명세서에 참조에 의해 포함된, 미국 특허 제 4,395,482호, 제 4,622,285호, 및 제 5,096,999호에서 찾을 수 있다.
바람직한 반응 용매들은 N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 감마-부티로락톤(GBL), N, N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸-2-피페리돈, 디메틸술폭시드(DMSO), 술포란(sulfolane), 및 디글라임(diglyme)이다. 가장 바람직한 용매들은 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 및 감마-부티로락톤(GBL)이다.
구조 VI, VII, 및 VIII을 가지는 단량체들은 [(VI) + (VII)]/(VIII)의 비가 일반적으로 약 0.9 내지 약 1.1이 되도록 사용된다. 바람직하게는, [(VI) + (VII)]/(VIII)의 비는 일반적으로 약 0.92 내지 약 1.08이다. 구조 (VI)을 가지는 단량체는 [(VI) + (VII)]의 약 10 내지 약 100 몰%로 사용되며, 구조 (VII)을 가지는 단량체는 [(VI) + (VII)]의 약 0 내지 약 90 몰%로 사용된다. 폴리벤족사졸 전구체 폴리머에서 구조 VI 및 VII을 가지는 단량체들로부터 얻어지는 폴리머성 단위들(구조 I 및 II에서 괄호로 묶임)의 분포는 그 내부에서 무작위이거나 또는 블록단위(in blocks)일 수 있다.
구조 I 및 II에서, x는 약 10 내지 약 1000의 정수이고, y는 약 0 내지 약 900의 정수이며 (x+y)는 약 1000 미만이다. x의 바람직한 범위는 약 10 내지 약 300이고 y의 바람직한 범위는 약 0 내지 약 250이다. x의 보다 바람직한 범위는 약 10 내지 약 100이고 y의 보다 바람직한 범위는 약 0 내지 약 100이다. x의 가장 바람직한 범위는 약 10 내지 약 50이고 y의 가장 바람직한 범위는 약 0 내지 약 5이다. (x+y)의 양은 구조 I 또는 II의 폴리머의 수치 평균 분자량(Mn)을 반복 단위의 평균 분자량으로 나누어서 계산될 수 있다. Mn의 값은 예를 들면, Jan Rabek, Experimental Methods in Polymer Chemistry, John Wiley & Sons, New York, 1983에 개시된 바와 같은 막 삼투압법 또는 겔 투과 크로마토그래피와 같은 표준 방법들에 의해 결정될 수 있다.
반응 1에 따라 구조(II)의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머를 생성하기 위해서, 결과물인 폴리벤족사졸 전구체 폴리머(I)는 염기의 존재 하에 적어도 하나의 디아조퀴논(DCI)의 (구조 VI의 단량체로부터의 OH 기들의 수를 기준으로) 약 1-50 몰%와 선택적으로 반응될 수 있고, 상기에서 Ar1, Ar2, Ar3, D, k1, k2, x 및 y는 앞서 정의된 바와 같다. 약 1 내지 약 40 몰%와의 반응이 바람직하다.
반응 1
Figure 112005050494573-PCT00014
구조(I)의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머와 반응될 수 있는 디아조퀴논 화합물 DCI의 예들은:
Figure 112005050494573-PCT00015
을 포함하나, 이에 한정되지 않으며, 상기에서 R은 H, 할로겐, C1 내지 C4 알킬기, C1 내지 C4 알콕시기, 또는 시클로헥실이다. 적합한 R기들의 예들은 클로로, 메틸, 에틸, 이소프로필, n-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소-프로폭시, n-부톡시, 시클로펜틸 또는 시클로헥실을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 바람직한 DCI는
Figure 112005050494573-PCT00016
이며 가장 바람직한 DCI는 R=H인 동일한 부분들이다.
일반적으로, 반응은 염기의 존재 하에 용매에서 약 0℃ 내지 약 30℃에서 약 3 내지 약 24시간 동안 수행된다. 일반적으로, DCI에 대해 근소한 과량(slight excess)의 염기가 사용된다. 염기들의 예들은 피리딘, 트리알킬아민, 메틸피리딘, 루티딘, n-메틸몰포린, 및 그 등가물들을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 가장 바람직한 염기는 트리에틸아민이다. 바람직한 반응 용매들은 N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 감마-부티로락톤(GBL), N,N-디메틸포름아미드(DMF), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸-2-피페리돈, 디메틸술폭시드(DMSO), 술포란, 디글라임 및 테트라히드로퓨란(THF)이다. 가장 바람직한 용매들은 테트라히드로퓨란(THF) 및 감마-부티로락톤(GBL)이다. 반응 혼합물은 광화학선으로부터 보호되어야 한다.
약 0.01 내지 약 0.5의 k1을 산출하기 위해서, DCI의 몰량은 구조 VI의 단량체들로부터의 OH기들의 양의 약 1% 내지 약 50% 범위일 수 있다. 약 0.01 내지 약 0.40의 k1을 산출하기 위해서, DCI의 바람직한 양은 구조 VI의 단량체들로부터의 OH기들의 양의 약 1% 내지 약 40%일 수 있다. 약 0.01 내지 약 0.10의 k1을 산출하기 위해서, DCI의 보다 바람직한 양은 구조 VI의 단량체들로부터의 OH기들의 양의 약 1% 내지 약 10%일 수 있다. 약 0.01 내지 약 0.05의 k1을 산출하기 위해서, DCI의 가장 바람직한 양은 구조 VI의 단량체들로부터의 OH기들의 양의 약 1% 내지 약 5%이다.
본 발명의 광활성 조성물은 또한 구조 III, IV 및 V 에 의해 표현되는 화합물들의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 광활성 화합물을 포함한다.
Figure 112005050494573-PCT00017
상기에서 R1, R2, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기이거나, 또는 대안적으로 R1 및 R2 또는 R4, R5, 및 R6 중 임의의 두 개가 5-7 원자 고리를 형성할 수 있으며; 각 R3는 독립적으로 H, 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기, 비치환된 페닐기 및 페닐 또는 알킬 또는 할로겐 치환된 페닐기이고; 적어도 하나의 Q는 D인 조건을 만족하며, Q는 H 또는 D로 구성되는 군으로부터 선택되고; D는 앞서 정의된 바와 같고; a는 1 내지 5의 정수이며; (1)구조 III의 경우, a=b=1이고 OQ 모두 R1R2C 치환기에 대해 파라 치환되면, R1과 R2는 동시에 메틸이 아니며, (2) 1<=a+b<6인 조건을 만족하며, b 및 c는 0 내지 5의 정수들이며; 구조 V의 경우, a=b=c=1이고 모든 OQ가 트리페닐 메탄 탄소 치환기에 대해 파라이면, 적어도 하나의 R3은 H가 아닌 조건을 만족한다.
적합한 R1, R2, R3, R4, R5, R6 및 R7기들의 예들은 메틸, 에틸, 이소프로필, 터트-부틸, 2-페닐프로필, 1-메틸-1-페닐에틸, 트리플루오로메틸, 트리플루오로에틸, 3-클로로프로필, 시클로펜틸, 시클로헥실, 2-메틸시클로펜틸 및 3-클로로시클로헥실을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. R1 및 R2 또는 R4, R5, 및 R6 중 임의의 두 개가 형성하는 5-7 원자 고리는 시클로펜틸렌 및 시클로헥실렌을 포함하나 이에 한정되지 않는다. R3의 적합한 예들은 페닐, 비페닐, 4-클로로페닐, 2-에틸 페닐, 및 2,4,6-트리메틸 페닐을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
구조 III-V에서, Q는 H 또는 D이고, D는 다음 부분들 중 하나이다:
Figure 112005050494573-PCT00018
바람직한 D들은
Figure 112005050494573-PCT00019
이다.
가장 바람직한 D는
Figure 112005050494573-PCT00020
이고,
상기에서 R은 H, 할로겐, C1 - C4 알킬기, C1 - C4 알콕시기, 또는 C5 - C7 시클로알킬기이다. 적합한 R기들의 예들은 클로로, 메틸, 에틸, 이소프로필, n-프로필, n-부틸, 이소-부틸, 세크(sec)-부틸, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소-프로폭시, n-부톡시, 시클로펜틸 또는 시클로헥실을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
구조 III, IV, 및 V에 의해 표현되는 화합물들의 바람직한 예들은:
Figure 112005050494573-PCT00021
Figure 112005050494573-PCT00022
Figure 112005050494573-PCT00023
을 포함하나, 이에 한정되지 않으며, 상기에서 Q 및 D의 정의는 전술된 바와 같다.
구조 III, IV, 및 V에 의해 표현되는 화합물들의 가장 바람직한 예들은:
Figure 112005050494573-PCT00024
Figure 112005050494573-PCT00025
Figure 112005050494573-PCT00026
및
Figure 112005050494573-PCT00027
를 포함하나, 이에 한정되지 않는다.
광활성 화합물(즉, 백본)의 제조에서 일반적으로 사용되는 페놀성 화합물들은 임의의 적합한 방법에 의해 제조될 수 있다. 보편적인 합성 방법은 메탄올과 같은 용매의 존재 하에 적합한 페놀 유도체와 적합한 알데히드 또는 케톤의 반응에 의해 이루어진다. 반응은 강산(예를 들면, 황산 또는 p-톨루엔 술폰산)에 의해 가장 자주 촉매된다. 일반적으로, 반응은 약 3시간 내지 약 48시간 동안 약 15℃ 내지 약 80℃에서 수행된다. 광활성 화합물들은 백본과 DCI의 반응에 의해 합성된다. 일반적으로 그 반응은 염기의 존재 하에 용매에서 약 4시간 내지 약 36시간 동안 약 0℃ 내지 약 30℃에서 수행된다. 일반적으로, DCI에 대해 근소한 과량(slight excess)의 염기가 사용된다. 염기들의 예들은 피리딘, 트리알킬아민, 메틸피리딘, 루티딘, n-메틸몰포린, 및 그 등가물들을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 가장 바람직한 염기는 트리에틸아민이다. 바람직한 반응 용매들은 테트라히드로퓨란(THF), 감마-부티로락톤(GBL), N,N-디메틸포름아미드(DMF), 아세톤, N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸-2-피페리돈, 디메틸술폭시드(DMSO), 술포란, 및 디글라임이다. 가장 바람직한 용매들은 테트라히드로퓨란(THF), 아세톤 및 감마-부티로락톤(GBL)이다. 반응 혼합물은 광화학선으로부터 보호되어야 한다.
DCI의 몰량은 광활성 화합물의 백본에 있는 OH기들의 양의 약 25% 내지 약 100% 범위일 수 있다. 바람직한 DCI의 양은 광활성 화합물의 백본에 있는 OH기들의 양의 약 40% 내지 약 98% 범위이다. 보다 바람직한 DCI의 양은 광활성 화합물의 백본에 있는 OH기들의 양의 약 50% 내지 약 98% 범위이다.
본 발명의 포지티브 방식의 감광성 조성물은 또한 적어도 하나의 용매를 포함한다. 적합한 용매들은 N-메틸피롤리돈(NMP), 감마-부티로락톤(GBL), N,N-디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸-2-피페리돈, N,N-디메틸포름아미드(DMF), 및 그들의 혼합물들과 같은 유기 용매들을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 바람직한 용매들은 감마-부티로락톤 및 N-메틸피롤리돈이다. 가장 바람직한 용매는 감마-부티로락톤이다.
본 발명의 포지티브 감광성 수지 조성물은 적어도 하나의 구조 (I) 또는 (II)의 폴리벤족사졸 전구체를 총 조성물의 약 5 중량% 내지 약 50 중량%로 포함한다. (I) 또는 (II)의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 보다 바람직한 양은 약 10 중량% 내지 약 45 중량%이다. (I) 또는 (II)의 폴리벤족사졸 전구체들의 보다 바람직한 양은 약 15 중량% 내지 약 43 중량%이다. (I) 또는 (II)의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 가장 바람직한 양은 약 20 중량% 내지 약 40 중량%이다.
감광성 조성물에서 사용되는 폴리벤족사졸 전구체 폴리머들은 구조 I에 의해 표현되는 폴리벤족사졸 전구체 폴리머, 구조 II에 의해 표현되는 폴리벤족사졸 전구체 폴리머, 또는 그들의 혼합물들을 포함할 수 있다. 구조 I 및 II에 의해 표현되는 폴리머들은 임의의 비율로 혼합될 수 있다. 바람직한 감광성 조성물들은 구조 I에 의해 표현되는 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머와 구조 II에 의해 표현되는 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 혼합물 또는 구조 II에 의해 표현되는 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머를 사용하는 조성물들을 포함한다. 보다 바람직한 감광성 조성물들은 구조 II에 의해 표현되는 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머만을 사용한다.
본 발명의 조성물에서 사용되는 구조 III, IV 및 V에 의해 표현되는 감광성 화합물의 양은 조성물의 총 중량의 약 1 중량% 내지 약 20 중량%이고, 바람직하게는 약 2 중량% 내지 약 10 중량%이며, 가장 바람직하게는 약 3 중량% 내지 약 5 중량%이다. III, IV 및 V의 디아조퀴논 화합물들은 임의의 적절한 비율로 혼합될 수 있다.
용매는 감광성 조성물의 약 40 중량% 내지 약 80 중량%를 차지한다. 용매의 바람직한 범위는 약 45 중량% 내지 약 70 중량%이다. 용매의 보다 바람직한 범위는 약 50 중량% 내지 약 65 중량%이다.
선택적으로, 접착 촉진제가 감광성 조성물에 포함될 수 있다. 사용되는 경우, 접착 촉진제의 양은 약 0.1 중량% 내지 약 2 중량%의 범위이다. 접착 촉진제의 바람직한 양은 약 0.2 중량% 내지 약 1.5 중량%이다. 접착 촉진제의 보다 바람직한 양은 약 0.3 중량% 내지 약 1 중량%이다. 적합한 접착 촉진제들은 예를 들면, 아미노 실란류, 및 그들의 혼합물들 또는 유도체들을 포함한다. 본 발명에서 사용될 수 있는 적합한 접착 촉진제들의 예들은 구조 IX에 의해 표현될 수 있으며
Figure 112005050494573-PCT00028
상기에서 각 R10은 독립적으로 C1 - C4 알킬기 또는 C5 - C7 시클로알킬기이고 각 R11은 독립적으로 Cl - C4 알킬기, C1 - C4 알콕시기, C5 - C7 시클로알킬기 또는 C5 - C7 시클로알콕시기이며; d는 O 내지 3인 정수이고 n은 1 내지 약 6인 정수이다. R12는 다음 부분들 중 하나이고:
Figure 112005050494573-PCT00029
상기에서 각 R13 및 R14는 독립적으로 C1 - C4 알킬기 또는 C5 - C7 시클로알킬기이고, R15은 C1 - C4 알킬기 및 C5 - C7 시클로알킬기이다. 바람직한 접착 촉진제들은 R12가:
Figure 112005050494573-PCT00030
인 화합물들이다.
보다 바람직한 접착 촉진제들은 R12가
Figure 112005050494573-PCT00031
인 화합물들이다.
가장 바람직한 접착 촉진제들은
Figure 112005050494573-PCT00032
이다.
본 발명의 감광성 조성물들은 다른 첨가제들을 더 포함할 수 있다. 적합한 첨가제들은, 예를 들면, 평활제들, 용해 억제제들 및 그 등가물들을 포함한다. 그와 같은 첨가제들은 감광성 조성물들 내에 광활성제 및 폴리벤족사졸 전구체 폴리머 I 및 II의 중량들의 합의 약 0.1 - 10 중량%로 포함될 수 있다.
또한, 본 발명은 감광성 조성물을 이용하여 릴리프 패턴 및 전자 부품들을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 방법은:
(a) 적합한 기판 상에 구조 (I) 또는 (II)를 가지는 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머; 전술된 바와 같은 구조 III, IV 또는 V에 의해 표현되는 화합물들의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 감광성 화합물; 및 적어도 하나의 용매;를 포함하는 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
(b) 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
(c) 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
(d) 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
(e) 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함한다.
감광성 조성물의 기판으로의 적절한 접착을 보장하기 위해, 기판이 제 1 코팅 단계 전에 선택적으로 (외부) 접착 촉진제로 처리되거나 감광성 조성물이 내부 접착 촉진제를 사용할 수 있다. 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자들에게 공지된 접착 촉진제로 기판을 처리하는 임의의 적합한 방법이 사용될 수 있다. 실시예들은 기판을 접착 촉진제 증기들, 접착 촉진제 용액들, 또는 100% 농도로의 처리를 포함한다. 처리 시간 및 온도는 특정 기판, 접착 촉진제 및 방법에 따라 좌우될 것이고, 이들은 상승된 온도들을 적용할 수 있다. 임의의 적합한 외부 접착 촉진제가 사용될 수 있다. 적합한 외부 접착 촉진제들의 종류들은 비닐알콕시실란류, 메타크릴옥스알콕시실란류, 머캅토알콕시실란류, 아미노알콕시실란류, 에폭시알콕시실란류 및 글리시드옥시알콕시실란류를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 아미노실란류 및 글리시드옥시실란류가 보다 바람직하다. 일차 아미노알콕시실란류가 보다 바람직하다. 적합한 외부 접착 촉진제들의 예들은 감마-아미노프로필트리메톡시실란, 감마-글리시드옥시프로필메틸디메톡시실란, 감마-글리시드옥시프로필-메틸디에톡시실란, 감마-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필디메톡시메틸실란 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 감마-아미노프로필트리메톡시실란이 보다 바람직하다. 추가적인 적합한 접착 촉진제들은 1982년 뉴욕 플럼 프레스(Pleum Press)에서 발간된 에드윈 피. 플루이드만(Edwin P. Plueddemann)의 "실란 결합제(Silane Coupling Agent)"에 개시되어 있다. 본 방법은 선택적으로 현상 전에, 노광된 코팅 기판을 상승된 온도에서 노광-후 베이킹하는 단계를 포함할 수 있다. 또 다른 선택적 단계는 경화 전에, 기판을 세정하는 단계이다.
본 발명의 포지티브 방식의 광활성 수지는 적합한 기판 상에 코팅된다. 기판은 예를 들면, 실리콘 웨이퍼 또는 세라믹 기판과 같은 반도체 물질들, 유리, 금속 또는 플라스틱일 수 있다. 코팅 방법들은 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 오프셋 인쇄, 롤러 코팅, 스크린 인쇄, 압출 코팅, 메니스커스 코팅, 커튼 코팅, 및 침지 코팅을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 결과물인 필름은 상승된 온도에서 예비 베이킹된다. 베이킹은 잔류 용매를 증발시키기 위한 방법에 따라 약 70℃ 내지 약 120℃의 베이킹 온도 범위 내의 하나 또는 그 이상의 온도들에서 약 수분 내지 약 반 시간 동안 완료될 수 있다. 임의의 적합한 베이킹 수단들이 사용될 수 있다. 적합한 베이킹 수단들의 예들은 열판 및 대류 오븐들을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 결과물인 건조된 필름은 약 3 내지 약 20 미크론 또는 보다 바람직하게는 약 4 내지 약 15 미크론 또는 가장 바람직하게는 약 5 내지 약 10 미크론의 두께를 가진다.
베이킹 단계 후, 결과물인 건조된 필름은 마스크를 통해 원하는 패턴으로 광화학선에 노광된다. X-선, 전자 빔, 자외선, 가시광, 및 그와 동종의 것들이 광화학선으로 사용될 수 있다. 가장 바람직한 광선들은 436 nm(g-라인) 및 365 nm (i-라인)의 파장을 가진 광선들이다.
광화학선에 의한 노광 후에, 선택적인 단계로, 노광되고 코팅된 기판은 약 70℃ 내지 120℃ 사이의 온도까지 가열하는 것이 유용할 수 있다. 노광되고 코팅된 기판은 단시간, 통상적으로 수초 내지 수분간 이 온도 범위에서 가열되고 가열은 임의의 적합한 가열 수단을 이용하여 수행될 수 있다. 바람직한 수단들은 열판 상 또는 대류 오븐 내에서의 베이킹을 포함한다. 이 공정 단계는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 노광-후 베이킹으로 통칭된다.
그 다음, 필름은 수성 현상액을 이용하여 현상되고 릴리프 패턴이 형성된다. 수성 현상액은 수용성 염기를 포함한다. 적합한 염기들의 예들은 무기 알칼리류(예를 들면, 수산화 칼륨, 수산화 나트륨, 암모니아수), 일차 아민류(예를 들면, 에틸아민, n-프로필아민), 이차 아민류(예를 들면, 디에틸아민, 디-n-프로필아민), 삼차 아민류(예를 들면, 트리에틸아민), 알코올아민류(예를 들면, 트리에탄올아민), 사차 암모늄 염들(예를 들면, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드), 및 그들의 혼합물들을 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 사용된 염기의 농도는 사용된 폴리머의 염기성 용해도 및 사용된 특정 염기에 따라 변할 것이다. 가장 바람직한 현상액들은 테트라메틸암모늄 히드록시드(TMAH)를 포함하는 것들이다. TMAH의 적합한 농도들은 약 1% 내지 약 5%의 범위이다. 또한, 적합한 양의 계면활성제가 현상액에 첨가될 수 있다. 현상은 약 10℃ 내지 약 40℃의 온도에서 약 30초 내지 약 5분간 침지, 스프레이, 퍼들(puddle), 또는 다른 유사한 현상 방법들에 의해 수행될 수 있다. 현상 후에, 릴리프 패턴은 선택적으로 탈이온수를 이용하여 세정되고 스피닝, 열판 상에서의 베이킹, 오븐 내에서의 베이킹, 또는 다른 적합한 수단들에 의해 건조될 수 있다.
그 후, 최종적인 내열성 패턴을 얻기 위해 비경화된(uncured) 릴리프 패턴의 경화에 의해 벤족사졸 고리가 형성된다. 고도의 내열성을 제공하는 벤족사졸 고리를 얻기 위해서, 경화는 감광성 조성물의 유리 전이 온도, Tg 또는 그 이상의 온도에서 현상되고 비경화된 릴리프 패턴을 베이킹하여 수행된다. 일반적으로, 약 200℃보다 높은 온도가 사용된다.
Figure 112005050494573-PCT00033
바람직하게는, 약 250℃ 내지 약 400℃의 온도들이 적용된다. 경화 시간은 사용된 특정의 가열 방법에 따라, 약 15분 내지 약 24시간이다. 보다 바람직한 경화 시간의 범위는 약 20분 내지 약 5시간이며 가장 바람직한 경화 시간의 범위는 약 30분 내지 약 3시간이다. 경화는 공기 중에서 또는 바람직하게는 질소 블랭킷 하에서 이루어질 수 있고 임의의 적합한 가열 수단에 의해 수행될 수 있다. 바람직한 수단은 열판 상에서 또는 대류 오븐 내에서의 베이킹을 포함한다.
또한, 본 발명은 본 발명의 조성물을 이용하여 수득되는 전자 부품들을 포함한다.
본 발명을 설명하기 위해서, 다음의 실시예들이 제공된다. 본 발명은 기재된 실시예들에 의해 한정되지 않는 것으로 이해되어야 한다.
합성예 1
구조 Ia 를 가지는 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 제조
Figure 112005050494573-PCT00034
기계적 교반기, 질소 인입관 및 추가 깔때기(addition funnel)가 장착된 100 mL 삼목 원형 플라스크(three-necked round bottom flask)에, 3.66g (10mmol)의 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 1.70g (21mmol)의 피리딘 및 15g의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 첨가했다. 실온에서 모든 고형 성분들이 용해될 때까지 용액을 교반하고 0 - 5℃의 냉수조(ice water bath)에서 냉각시켰다. 이 용액에, 10g의 NMP에 용해된 1.01g (5mmol)의 이소프탈로일 클로라이드 및 1.477 g (5mmol)의 1,4-옥시디벤조일 클로라이드를 방울 단위로 첨가했다. 첨가를 완료한 후, 결과물인 혼합물을 실온에서 18시간 동안 교반했다. 점성 용액을 800mL의 강하게 교반되는 탈이온수에서 침전시켰다. 여과에 의해 폴리머를 회수하고 탈이온수 및 물/메탄올(50/50) 혼합물로 세척했다. 폴리머를 진공 하에 105℃에서 24시간 동안 건조시켰다. 수율은 거의 정량적(quantitative)이었으며 폴리머의 고유 점도(inherent viscosity)는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.36 dL/g으로 측정되었다.
합성예 2
대안적인 단량체 비율들을 가지는 구조 Ia 의 폴리벤족사졸 전구체
폴리머의 제조
이산(diacid) 디클로라이드 혼합물의 몰 비가 1:1에서 0.91:1로 감소된 것을 제외하고는 합성예 1을 반복했다. 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.23 dL/g으로 측정되었다.
합성예 3
구조 IIa 의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 제조
Figure 112005050494573-PCT00035
기계적 교반기가 장착된 100 mL 삼목 원형 플라스크에, 5.42g(10.0 mmole)의 합성예 1에서 수득한 폴리머 및 50 mL의 테트라히드로퓨란(THF)을 첨가했다. 그 혼합물을 10분동안 교반하여 고형물을 완전히 용해시켰다. 그 후, 0.81g (3mmole)의 2,1-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 클로라이드를 첨가하고 그 혼합물을 다시 10분간 교반하였다. 0.3g(3 mmole)의 트리에틸아민을 15분간 점진적으로 첨가하고 그 반응 혼합물을 5시간 동안 교반했다. 반응 혼합물을 점진적으로 500 mL의 강하게 교반된 탈이온수에 첨가했다. 침전된 생성물을 여과에 의해 분리하고 200mL의 탈이온수로 세척했다. 그 생성물에 새로운 600mL의 탈이온수를 첨가하고 그 혼합물을 30분간 강하게 교반했다. 여과 후에, 생성물을 100mL의 탈이온수로 세척했다. 분리된 생성물을 40℃에서 밤새 건조시켰다. 수율은 91%였다.
합성예 4
대안적인 단량체 비율들을 가지는 구조 IIa 의 폴리벤족사졸 전구체
폴리머의 제조
합성예 2에서 수득한 폴리머를 3 몰%의 2,1-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 클로라이드와 반응시킨 것을 제외하고는 합성예 3을 반복했다. 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.21 dL/g으로 측정되었다.
합성예 5
구조 Ib 의 폴리벤족사졸 폴리머 전구체의 합성
Figure 112005050494573-PCT00036
기계적 교반기, 질소 인입관 및 열전기쌍(thermocouple)이 장착된 20 L의 반응기에, 1500 g (4.09 mol)의 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 622 g (7.86 mol)의 피리딘 및 7250 g의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 첨가하였다. 용액을 실온에서 모든 고형물들이 용해될 때까지 교반하고 0-5℃의 냉수조에서 냉각시켰다. 이 용액에, 2760 g의 NMP에 용해된 291 g (1.43 mol)의 테레프탈로일 클로라이드 및 634.5 g (2.15 mol)의 1,4-옥시디벤조일 클로라이드를 다이아프램 펌프 및 테플론 이송 라인들을 이용하여 첨가하였다. 200 g의 NMP를 이용하여 펌프 및 테플론 이송 라인들을 세척하였다. 첨가를 완료한 후에, 결과물인 혼합물을 실온에서 18시간 동안 교반하였다. 점성 용액을 140 L의 강하게 교반된 탈이온수에서 침전시켰다. 폴리머를 여과에 의해 회수하고 35 L의 탈이온수 및 35 L의 물/메탄올(50/50) 혼합액으로 세척하였다. 폴리머를 진공 하에 75℃에서 24시간 동안 건조시켰다. 수율은 거의 정량적이었으며 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.183 dL/g으로 측정되었다.
합성예 6
구조 IIb 의 폴리벤족사졸 폴리머 전구체의 합성
Figure 112005050494573-PCT00037
합성예 5로부터 수득한 폴리머를 사용하고 그 폴리머의 OH기들의 총 수에 대한 2,1-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 클로라이드의 비가 0.02로 변경된 것을 제외하고는 합성예 3을 반복했다. 수율은 96%였으며 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.201dL/g으로 측정되었다.
합성예 7
구조 Ic 의 폴리벤족사졸 폴리머 전구체의 합성
Figure 112005050494573-PCT00038
기계적 교반기, 질소 인입관 및 열전기쌍이 장착된 20 L의 반응기에, 1500 g (4.09 mol)의 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 622 g (7.86 mol)의 피리딘 및 5000 g의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 첨가하였다. 용액을 실온에서 모든 고형물들이 용해될 때까지 교반하고 0-5℃의 냉수조에서 냉각시켰다. 이 용액에, 2960 g의 NMP에 용해된 212.0 g (1.04 mol)의 테레프탈로일 클로라이드, 212.0 g (1.04 mol)의 이소프탈로일 클로라이드 및 411.0g (1.39 mol)의 1,4-옥시디벤조일 클로라이드를 다이아프램 펌프 및 테플론 이송 라인들을 이용하여 첨가하였다. 200 g의 NMP를 이용하여 펌프 및 테플론 이송 라인들을 세척하였다. 첨가를 완료한 후에, 결과물인 혼합물을 실온에서 18시간 동안 교반하였다. 점성 용액을 140 L의 강하게 교반된 탈이온수에서 침전시켰다. 폴리머를 여과에 의해 회수하고 35 L의 탈이온수 및 물/메탄올(50/50) 혼합액으로 세척하였다. 폴리머를 진공 하에 75℃에서 24시간 동안 건조시켰다. 수율은 거의 정량적이었으며 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.205 dL/g으로 측정되었다.
합성예 8
구조 IIc 의 폴리벤족사졸 폴리머 전구체의 합성
Figure 112005050494573-PCT00039
합성예 7로부터 수득한 폴리머를 사용하고 그 폴리머의 OH기들의 총 수에 대한 2,1-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 클로라이드의 비가 0.025로 변경된 것을 제외 하고는 합성예 3을 반복했다. 수율은 96%였으며 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.201dL/g으로 측정되었다.
합성예 9
구조 Id의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 제조
Figure 112005050494573-PCT00040
기계적 교반기, 질소 인입관 및 온도계가 장착된 1L의 삼목 원형 플라스크에, 69.54g(0.1899 mol)의 헥사플루오로-2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 2.0g(0.0099 mol)의 4,4'-디아미노디페닐 에테르, 30.19g(0.3817 mol)의 피리딘 및 1899.85g의 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 첨가하였다. 이 용액을 모든 고형물들이 용해될 때까지 실온에서 교반하고 -15℃의 냉수조에서 냉각시켰다. 이 용액에, 190.3 g의 NMP에 용해된 18.4g(0.091mol)의 이소프탈로일 클로라이드 및 26.86g(0.091mol)의 1,4-옥시디벤조일 클로라이드를 첨가 깔때기를 이용하여 첨가하였다. 첨가를 완료한 후에, 결과물인 혼합물을 실온에서 18시간 동안 교반하였다. 점성 용액을 6.5L의 강하게 교반된 탈이온수에서 침전시켰다. 폴리머를 여과에 의해 회수하고 1L의 탈이온수에 의한 세척을 2회 반복했다. 3200ml의 탈이온수 및 3200ml의 메탄올 혼합물을 이용하여 재슬리러화 하기 전에 폴리머를 먼저 30분간 자연 건조시켰다. 폴리머를 여과에 의해 회수하고 1L 탈이온수에 의한 세척을 2회 반복했다. 그 후 폴리머를 24시간 동안 자연 건조시키고 진공 하에 40℃에서 60시간 동안 건조시켰다. 수율은 거의 정량적이었으며 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.198dL/g으로 측정되었다.
합성예 10
구조 IId 의 폴리벤족사졸 폴리머 전구체의 합성
합성예 9로부터 수득한 폴리머를 사용하고 폴리머의 OH기들의 총 수에 대한 2,1-나프토퀴논디아지드-5-술포닐 클로라이드의 비가 0.0222로 변경된 것을 제외하고는 합성예 2를 반복했다. 수율은 96%였으며 폴리머의 고유 점도는 25℃, 0.5g/dL의 농도일 때, NMP에서 0.193 dL/g으로 측정되었다.
실시예 1
다음과 같은 포지티브 방식의 감광성 조성물을 준비했다:
합성예 4에서 수득한 폴리머 100 중량부, 비스페놀 AP PAC 11.9 중량부, 디페닐실란 디올 5중량부를 GBL에 용해시키고 여과시켰다.
Figure 112005050494573-PCT00041
본 조성물 3ml를 2000rpm으로 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고 120℃ 열판 상에서 3분간 베이킹하여 1.42㎛ 두께의 필름을 생성했다. 그 후, 웨이퍼를 N2 퍼지(purge) 하에 진공 오븐에서 경화시켰다. 오븐 경화 프로그램은 100℃에서 개시되 어 350℃까지 분당 5℃의 속도로 온도를 상승시켰다. 350℃에서 1시간 동안 경화를 유지하고 그 후 100℃까지 2시간에 걸쳐 냉각시켰다. 경화된 필름 두께는 1.21㎛였다. 그 후 경화된 필름을 끓는 물에서 실리콘 웨이퍼들로부터 들어올렸다. 이 필름의 색상은 엷은 노란색이었다.
비교예 1
다음과 같은 포지티브 방식의 감광성 조성물을 준비했다:
합성예 4에서 수득한 폴리머 100 중량부, 구조 X를 가지는 PAC 11.9 중량부, 디페닐실란 디올 5중량부를 390 중량부의 GBL에 용해시키고 여과시켰다. 구조 X에서, Q2는 H 20% 및 하기에 도시된 구조의 디아조퀴논 80%이다.
Figure 112005050494573-PCT00042
본 조성물 3ml를 2000rpm으로 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고 120℃ 열판 상에서 3분간 베이킹하여 1.51㎛ 두께의 필름을 생성했다. 그 후, 웨이퍼를 N2 퍼지 하에 진공 오븐에서 경화시켰다. 오븐 경화 프로그램은 100℃에서 개시되어 350℃ 까지 분당 5℃의 속도로 온도를 상승시켰다. 350℃에서 1시간 동안 경화를 유지하고 그 후 100℃까지 2시간에 걸쳐 냉각시켰다. 경화된 필름 두께는 1.34㎛로 측정되었다. 그 후 경화된 필름을 끓는 물에서 실리콘 웨이퍼들로부터 들어올렸다. 이 필름의 색상은 실시예 1의 경우보다 훨씬 짙었다.
실시예 2-9
다음과 같은 포지티브 방식의 감광성 조성물들을 준비했다: 합성예 4에서 수득한 폴리머 100 중량부, 비스페놀 AP PAC 11.9 중량부, 디페닐실란 디올 5 중량부 및 표 1에 열거된 접착 촉진제 3 중량부를 170 중량부의 GBL에 용해시키고 여과시켰다. 각 조성물 3ml를 2100rpm으로 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고 120℃ 열판 상에서 3분간 베이킹하여 표면조도계(profilometer)에 의해 측정된 9.8㎛ 두께의 각 조성물의 필름을 생성했다. 그 후, 웨이퍼들을 칼 수스 노광 얼라이너(Karl Suss Exposure Aligner)를 사용하여 접착력 테스트 마스크로 노광시켰다. 마스크는 100개의 2mm X 2mm 정사각형 패드들을 포함하는 4개의 영역들을 상으로 형성했다. 코팅된 웨이터들을 아치 케미칼스(Arch Chemicals)사의 테트라메틸 암모늄 히드록시드 수성 현상액인 OPD 4262를 사용하여 현상했다. 그 후, 웨이퍼들을 500rpm의 스핀 속도로 회전(spin)시키면서 45초간 현상액 스프레이를 거치게 했다. 웨이퍼들을 15초간 탈이온수로 세정하고 30초간 스핀-건조시켰다. 그리고나서, 웨이퍼들을 N2 퍼지 하에 진공 오븐에서 경화시켰다. 오븐 경화 프로그램은 100℃에서 개시되어 350℃까지 분당 5℃의 속도로 온도를 상승시켰다. 350℃에서 1시간 동안 경화를 유 지하고 그 후 100℃까지 2시간에 걸쳐 냉각시켰다. 경화된 웨이퍼들을 1갤론의 탈이온수를 포함하는 압력솥에 넣었다. 압력솥을 1700 시간 동안 121℃(압력은 2.05 bar였음)까지 가열했다. ASTM D-3359-83 방법 B 테스트를 이용하여 다양한 시간대에서 물질의 접착력을 측정했다. 3M 테이프 #681(단위 너비 인치당 30 oz)를 모두 100개의 패드들을 포함하는 해당 영역에 적용했다. 그 테이프를 신속하게 떼어내고 물질을 조사하여 ASTM D-3359-83 방법 B에 약술된 기준에 근거하여 0(최저) 내지 5(최고)의 등급으로 평가하였다. 그 결과들은 표 1에 도시된다.
Figure 112005050494573-PCT00043
본 결과들은 수지의 3% 정도의 접착 촉진제를 포함하는 실시예 2-9의 조성물들이 탁월한 접착력을 가지며 이 접착 촉진제들은 경화 색상에는 영향을 미치지 않 았다는 것을 보여주었다.
비교예 2
비교예 2의 조성물은 구조 XI의 접착 촉진제가 사용된 점을 제외하고는 실시예 2-9의 조성물들과 동일했다. 경화된 필름은 엷은 색상을 가졌다. 테스트 기간이 300시간이었다는 점을 제외하고는 실시예 2-9에 기술된 방법대로 이 조성물을 테스트했다. ASTM D-3359-83 방법에 약술된 기준에 근거하여 이 조성물은 0 등급으로 평가되었다.
Figure 112005050494573-PCT00044
본 결과는 구조 XI의 접착 촉진제를 수지의 100 부분당 3 부분의 비율로 포함하는 조성물은 압력솥 테스트 요건을 충족시킬 수 없고 300시간 후 실패했다는 것을 보여준다.
실시예 10
실시예 10의 조성물은 1.5 중량부의 접착 촉진제가 사용되었다는 점을 제외하고는 실시예 4의 조성물과 동일했다. 경화된 필름은 엷은 색상을 가졌다. 테스트를 500시간 동안 수행했다는 점을 제외하고는 실시예 2-9에 기술된 방법대로 이 조성물을 테스트했다. 본 조성물은 500시간 후 5의 평가등급을 받았다.
비교예 3
비교예 3의 조성물은 구조 XII의 접착 촉진제가 사용된 점을 제외하고는 실 시예 2-9의 조성물들과 동일했다. 본 조성물을 실시예 2-9의 절차를 사용하여 테스트하였고 336시간, 672시간, 및 1000시간 테스트들에서 5의 평가등급으로 결정되었다. 경화된 필름은 엷은 색상을 가졌다.
Figure 112005050494573-PCT00045
비교예 4
비교예 4의 조성물은 구조 XII의 접착 촉진제가 사용된 점을 제외하고는 실시예 10의 조성물과 동일했다. 본 조성물을 실시예 2-9의 절차를 사용하여 테스트하였고 500시간 후 0의 평가등급으로 결정되었다. 경화된 필름은 엷은 색상을 가졌다.
실시예 11
실시예 4의 조성물에 대해 가속 노화 방법(accelerated aging procedure)을 이용하여 안정성을 테스트하였다. 여과 후 수분 경과한 때 동점도(kinematic viscosity)를 측정하였다. 실온에서 24시간 동안 방치한 후, 동점도를 재측정하였고, 재측정된 결과는 이전 결과와 실질적으로 동일했다. 본 조성물을 33℃에서 14일간 가열하고 동점도를 모니터링하였다. (표 2 참조)
조정된 캐논-펜스케 상용 점도계(Cannon Fenske routine viscometer) 크기 500을 이용하여 동점도를 측정하였다.
Figure 112005050494573-PCT00046
본 실시예의 조성물들은 가열에 의해 매우 낮은 정도의 점도 변화만을 보였다.
비교예 5
비교예 3의 조성물에 대해 조정된 캐논-펜스케 사용 점도계의 크기가 600이었다는 점을 제외하고는 실시예 11에서와 동일한 방법으로 안정성을 테스트하였다. 여과 후 수분 경과한 때 동점도를 측정하였고 동점도는 1850 cSt였다. 실온에서 24시간 동안 방치한 후, 동점도를 재측정하였고, 동점도는 3304 cSt로 증가된 것으로 관찰되었다. 본 조성물을 33℃에서 14일간 가열하고 동점도를 모니터링하였다. (표 2 참조)
Figure 112005050494573-PCT00047
비교예 4의 조성물은 가열에 따라 동점도의 큰 변화를 보였다. 비교예 3, 4 및 5 및 실시예 11의 결과들은 접착 촉진제들이 조성물들의 안정성에 부정적으로 영향을 미칠 수 있고 접착력 테스트 및 안정성 테스트들을 통과하는 접착 촉진제들의 선정이 명확치 않다는 것을 의미한다. 실시예 11 및 비교예 5의 비교는 또한 접착 촉진제가 감광성 조성물의 초기 동점도에 놀랄 만큼 큰 효과를 가질 수 있다는 점을 보여준다. 점도를 낮추는 접착 촉진제들이 여과 및 다루기에 훨씬 용이하다. 어느 접착 촉진제가 조성물의 점도를 낮추고 어느 접착 촉진제가 조성물의 점도를 높일 것인지 분명치 않다.
실시예 12
실시예 11(또는 4)의 조성물 3ml를 1700rpm으로 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고 120℃ 열판 상에서 3분간 베이킹하여 표면조도계에 의해 측정된 12.38㎛ 두께의 필름을 생성했다. 웨이퍼들의 세그먼트들을 캐논 4000 IE i-라인 스텝퍼(Cannon 4000 IE i-line stepper)를 이용하여 다양한 수준들의 노광 에너지에서 노광시켰다. 그 후, 웨이퍼들을 OPD 4262에서 현상했다. 현상액을 웨이퍼 표면 상에 흐르게 하고 41.5초 동안 현상시켜서 웨이퍼들을 현상했다. 수초간 스피닝하여 현상액을 필름으로부터 제거하고 다시 새로운 현상액을 웨이퍼에 흘려보냈다. 필름을 다시 41.5초동안 현상하고 현상액을 스피닝에 의해 제거했다. 그 후 웨이퍼를 1000rpm으로 스피닝하면서 12초 동안 DI H2O로 세정하고, 3500rpm에서의 10초간 건조 단계를 수행했다. 노광 영역으로부터 물질을 완전히 제거하기 위해 필요한 노광 에너지를 관찰했고 E0= 180mJ/cm2로 보고되었다. 표면조도계로 측정된 비노광 필름 두께는 7.39㎛였다.
비교예 6
비교예 6의 조성물은 접착 촉진제가 구조 XIII을 가지는 것이라는 점을 제외하고는 실시예 2-9의 조성물들과 동일했다. 본
Figure 112005050494573-PCT00048
조성물을 실시예 12에 기술된 방식과 동일한 방식으로 테스트하였다. 노광 영역으로부터 물질을 완전히 제거하기 위해 필요한 노광 에너지를 관찰했고 E0= 780mJ/cm2로 보고되었다. 표면조도계로 측정된 비노광 필름 두께는 7.99㎛였다.
비교예 6 및 실시예 12의 결과들은 접착 촉진제가 조성물의 현상 속도(photospeed)에 상당하고 놀라운 효과를 가질 수 있다는 것을 보여준다.
실시예 13
합성예 8에서 수득한 폴리머 40 중량부, 비스페놀 AP PAC 15 중량부, 디페닐실란 디올 2 중량부 및 감마-머캅토프로필트리메톡시실란 2.0 중량부를 NMP에 용해시키고 여과시켰다. 본 제제를 1650rpm으로 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고 120℃ 열판에서 4분간 베이킹하여 표면조도계에 의해 측정된 14.16㎛의 필름 두께를 얻었다. 그 필름을 개방 프레임 노광 어레이에서 i-라인 스텝퍼를 이용하여 노광시켰고 700mJ/cm2를 개시 노광 에너지로 하여 25mJ/cm2 씩 노광 에너지를 증가시켰다. 그 후 웨이퍼를 0.262N 테트라메틸 암모늄 히드록시드 수용액을 이용한 2회의 40초 퍼들(puddle)로 현상하여, 감광성 조성물이 완전히 제거되거나 또는 잔류 감광성 조성물을 포함하는 노광된 상자들의 어레이를 생성하였다. 감광성 조성물이 노광 영역들로부터 완전히 제거되는 노광 에너지를 파악하기 위해 이들 상자들을 시각적으로 조사하였다. 제제는 1050mJ/cm2의 양에서 상자들로부터 완전히 제거되었다. 비노광 필름 두께는 6.7 미크론까지 감소되었다.
실시예 14
합성예 10에서 수득한 폴리머 40 중량부, 비스페놀 AP PAC 13 중량부, 디페닐실란디올 4 중량부 및 트리에톡시실릴프로필에틸카르바메이트(triethoxysilylpropylethylcarbamate) 4.0 중량부를 NMP에 용해시키고 여과시켰다. 본 제제를 1600rpm으로 실리콘 웨이퍼 상에 스핀 코팅하고 120℃ 열판에서 4분간 베이킹하여 표면조도계에 의해 측정된 14.25㎛의 필름 두께를 얻었다. 그 필름을 개방 프레임 노광 어레이에서 i-라인 스텝퍼를 이용하여 노광시켰고 500mJ/cm2를 개시 노광 에너지로 하여 20mJ/cm2 씩 노광 에너지를 증가시켰다. 그 후 웨이퍼를 0.262N 테트라메틸 암모늄 히드록시드 수용액을 이용한 2회의 10초 퍼들로 현상하여, 감광성 조성물이 완전히 제거되거나 또는 잔류 감광성 조성물을 포함하는 노광된 상자들의 어레이를 생성하였다. 감광성 조성물이 노광 영역들로부터 완전히 제거되는 노광 에너지를 파악하기 위해 이들 상자들을 시각적으로 조사하였다. 제제 는 550mJ/cm2의 양에서 상자들로부터 완전히 제거되었다. 비노광 필름 두께는 9.68 미크론까지 감소되었다.
실시예 15
다음과 같은 포지티브 방식의 감광성 조성물들을 준비하였다: 합성예 4에서 수득한 폴리머 100 중량부, 비스페놀 AP PAC-1D 21.7 중량부, 및
Figure 112005050494573-PCT00049
디페닐실란 디올 5 중량부를 GBL에 용해시키고 여과시켰다. 본 조성물 3ml를 석영 슬라이드 상에 스핀 코팅하고 120℃ 열판 상에서 3분간 베이킹하여 3.88㎛ 두께의 필름을 생성했다. 그 후, 웨이퍼들을 N2 퍼지 하에 진공 오븐에서 경화시켰다. 오븐 경화 프로그램은 100℃에서 개시되어 350℃까지 분당 5℃의 속도로 온도를 상승시켰다. 350℃에서 1시간 동안 경화를 유지하고 그 후 100℃까지 2시간에 걸쳐 냉각시켰다. 경화된 필름 두께는 2.93㎛로 측정되었다. 이 필름의 색상은 엷은 노란색이었다.
실시예 16
다음과 같은 포지티브 방식의 감광성 조성물들을 준비하였다: 합성예 4에서 수득한 폴리머 100 중량부, 비스페놀 AP PAC 11.9 중량부, 및
Figure 112005050494573-PCT00050
디페닐실란 디올 5 중량부를 GBL에 용해시키고 여과시켰다. 실리콘 웨이퍼를 머카토 라이프 시스템즈(Mercator Life Systems) 장치(500 와트, 0.3-0.5 torr)에서 O2 플라즈마로 세척하였다. 에탄올에 용해된 감마-아미노프로필 트리에톡시 실란 1%(중량) 용액 약 1mL 내지 3mL를 웨이퍼 상에 분배하고 4000rpm으로 45초간 웨이퍼를 스핀 건조하여 본 웨이퍼를 외부 접착 촉진제인 감마-아미노프로필 트리에톡시 실란으로 준비시켰다. 본 조성물 3ml를 실리콘 웨이퍼 상에 1700rpm으로 스핀 코팅하고 120℃ 열판 상에서 3분간 베이킹하여 표면조도계에 의해 측정된 약 12.4㎛ 두께의 필름을 생성하였다. 웨이퍼들의 세그먼트들을 캐논 4000 IE i-라인 스텝퍼를 이용하여 다양한 수준들의 노광 에너지에서 노광시켰다. 그 후, 웨이퍼들을 OPD 4262에서 현상했다. 현상액을 웨이퍼 표면 상에 흐르게 하고 41.5초 동안 현상 시켜서 현상했다. 수초간 스피닝하여 현상액을 필름으로부터 제거하고 다시 새로운 현상액을 웨이퍼에 흘려보냈다. 필름을 다시 41.5초동안 현상하고 현상액을 스피닝에 의해 제거했다. 그 후 웨이퍼를 1000rpm으로 스피닝하면서 약 12초 동안 DI H2O로 세정하고, 3500rpm에서 스피닝하여 약 10초의 건조 단계를 수행했다. 노광 영역으로부터 물질을 완전히 제거하기 위해 필요한 노광 에너지는 약 180mJ/cm2로 보고되었다. 표면조도계로 측정된 비노광 필름 두께는 약 7.4㎛였다. 생성된 패턴들을 경화시키고 1000시간 동안 실시예 2에 기술된 압력솥 테스트를 수행하였다. 경화된 감광성 조성물들의 색상은 엷었고 본 조성물은 접착력 테스트를 통과했다.
본 발명은 그의 구체적인 실시예들을 참조하여 본 명세서에 기술되었으나, 본 명세서에 개시된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어남이 없이 그 변경, 수정 및 변형이 이루어질 수 있다. 따라서, 첨부된 청구항들의 정신 및 범위에 속하는 그와 같은 변경, 수정 및 변형들 모두를 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (58)

  1. 포지티브 감광성 수지 조성물로서:
    (a) 구조 I 또는 II를 가지며,
    Figure 112005050494573-PCT00051
    상기에서 Ar1은 4가의 방향족기, 4가의 이종원자 고리기(heterocyclic), 또는 그들의 혼합물들로 구성되는 군으로부터 선택되고; Ar2는 실리콘을 포함할 수 있는 2가의 방향족기, 2가의 이종원자 고리기, 2가의 지환족기, 또는 2가의 지방족기 또는 이들의 혼합물들로 구성되는 군으로부터 선택되며; Ar3은 2가의 방향족기 또는 2가의 지방족기, 2가의 이종원자 고리기 또는 그들의 혼합물들로 구성되는 군으로부터 선택되고; D는 다음 부분들(moieties) 중 하나로 구성되는 군으로부터 선택되며:
    Figure 112005050494573-PCT00052
    Figure 112005050494573-PCT00053
    상기에서 R은 H, 할로겐, C1 - C4 알킬기, C1 - C4 알콕시기, 또는 C5 - C7 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되고; (k1+k2)=2의 조건을 만족하면서, k1 은 약 0.5까지의 임의의 양수일 수 있고 k2는 약 1.5 내지 약 2의 임의의 값일 수 있으며, x는 약 10 내지 약 1000이고; y는 약 0 내지 약 900인 적어도 하나의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머;
    (b) 구조 III - V에 의해 표현되는 화합물들로 구성되는 군으로부터 선택되며,
    Figure 112005050494573-PCT00054
    상기에서 R1, R2, R4, R5, R6 및 R7은 각각 독립적으로 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된(perfluorinated) C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되거나, 또는 대안적으로 R1 및 R2 또는 R4, R5, 및 R6 중 임의의 두 개가 5-7 원자 고리(5-7 membered ring)를 형성할 수 있으며; 각 R3는 독립적으로 H, 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, 페닐 또는 할로겐 치환된 C1 - C4 선형 또는 가지형 알킬기, 과불화된 선형 또는 가지형 C1 - C4 알킬기, C5 - C7 시클로알킬기, C1 - C4 알킬 또는 할로겐 치환된 C5 - C7 시클로알킬기, 비치환된 페닐기 및 페닐 또는 알킬 또는 할로겐 치환 된 페닐기로 구성되는 군으로부터 선택되고; 적어도 하나의 Q는 D인 조건을 만족하며, Q는 H 또는 D로 구성되는 군으로부터 선택되며; D는 앞서 정의된 바와 같고; (1)구조 III의 경우, a=b=1이고 OQ 모두 R1R2C 치환기에 대해 파라 치환되면, R1과 R2는 동시에 메틸이 아니며, (2) 1<=a+b<6인 조건을 만족하고; 구조 V의 경우, a=b=c=1이고 모든 OQ가 트리페닐 메탄 탄소 치환기에 대해 파라이면, 적어도 하나의 R3은 H가 아닌 조건을 만족하며 a는 1 내지 5의 정수이고; b 및 c는 0 내지 5의 정수들인, 적어도 하나의 감광성 화합물;
    (c) 적어도 하나의 용매; 및
    (d) 선택적으로, 접착 촉진제를 포함하는 포지티브 감광성 수지 조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 구조 I 및 II의 Ar1은
    Figure 112005050494573-PCT00055
    로 구성되는 군으로부터 선택되고, 상기에서 X1은 -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, -NHCO- 또는 -SiR8 2-로 구성되는 군으로부터 선택되며 각 R8은 독립적으로 C1 - C7 선형 또는 가지형 알킬 또는 C5 - C8 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되는 포지티브 감광성 조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 구조 I 및 II의 Ar1은
    Figure 112005050494573-PCT00056
    인 포지티브 감광성 조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 구조 I 및 II의 Ar2는
    Figure 112005050494573-PCT00057
    로 구성되는 군으로부터 선택되는 부분(moiety)이고, 상기에서 X1은 -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, -NHCO- 및 -SiR8 2-로 구성되는 군으로부터 선택되며 X2는 -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, 및 -NHCO-로 구성되는 군으로부터 선택되고, Z는 H 또는 Cl - C8 선형, 가지형 또는 고리형 알킬기이고 p는 1 내지 6인 정수이며, 각 R8은 독립적으로 C1 - C7 선형 또는 가지형 알킬 및 C5 - C8 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되는 포지티브 감광성 조성물.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 Z는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 세크(sec)-부틸, t-부틸, n-옥틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 및 시클로옥틸로 구성되는 구성되는 군으로부터 선택되는 포지티브 감광성 조성물.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 구조 I 및 II의 Ar3은
    Figure 112005050494573-PCT00058
    로 구성되는 군으로부터 선택되는 부분이고, 상기에서 X2는 -O-, -S-, -C(CF3)2-, -CH2-, -SO2-, 또는 -NHCO-로 구성되는 군으로부터 선택되는 포지티브 감 광성 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 구조 II의 D는
    Figure 112005050494573-PCT00059
    또는
    Figure 112005050494573-PCT00060
    로 구성되는 군으로부터 선택되는 포지티브 감광성 조성물.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리벤족사졸 전구체 폴리머는 구조 II를 가지는 포지티브 감광성 조성물.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 조성물에서 구조 I 또는 II의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 양은 약 2.5 중량% 내지 약 45 중량%인 포지티브 감광성 조성물.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 조성물에서 구조 I 또는 II의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 양은 약 15 중량% 내지 약 40 중량%인 포지티브 감광성 조성물.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 조성물에서 구조 I 또는 II의 폴리벤족사졸 전구체 폴리머의 양은 약 25 중량% 내지 약 35 중량%인 포지티브 감광성 조성물.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 화합물 (b)는
    Figure 112005050494573-PCT00061
    Figure 112005050494573-PCT00062
    Figure 112005050494573-PCT00063
    로 구성되는 군으로부터 선택되는 포지티브 감광성 조성물.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 화합물 (b)는
    Figure 112005050494573-PCT00064
    Figure 112005050494573-PCT00065
    로 구성되는 군으로부터 선택되는 포지티브 감광성 조성물.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 화합물 (b)는
    Figure 112005050494573-PCT00066
    인 포지티브 감광성 조성물.
  15. 제 1항에 있어서,
    상기 접착 촉진제는 식 IX에 의해 표현되고
    Figure 112005050494573-PCT00067
    상기에서 각 R10은 독립적으로 C1 - C4 알킬기 및 C5 - C7 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되고 각 R11은 독립적으로 Cl - C4 알킬기, C1 - C4 알콕시기, C5 - C7 시클로알킬기 및 C5 - C7 시클로알콕시기로 구성되는 군으로부터 선택되 며; d는 O 내지 3인 정수이고 n은 1 내지 약 6인 정수이며 R12는 다음 부분들 중 하나로 구성되는 군으로부터 선택되고:
    Figure 112005050494573-PCT00068
    상기에서, 각 R13 및 R14는 독립적으로 C1 - C4 알킬기 및 C5 - C7 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되고, R15은 C1 - C4 알킬기 및 C5 - C7 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되는, 포지티브 감광성 수지 조성물.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 R12는
    Figure 112005050494573-PCT00069
    로 구성되는 군으로부터 선택되는 부분인, 포지티브 감광성 수지 조성물.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 접착 촉진제는
    Figure 112005050494573-PCT00070
    로 구성되는 군으로부터 선택되는, 포지티브 감광성 수지 조성물.
  18. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 조성물에서 접착 촉진제의 양은 약 0.1 중량% 내지 약 10 중량%인 포지티브 감광성 조성물.
  19. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 조성물에서 접착 촉진제의 양은 약 0.3 중량% 내지 약 5 중량%인 포지티브 감광성 조성물.
  20. 제 1항에 있어서,
    상기 감광성 조성물에서 접착 촉진제의 양은 약 0.5 중량% 내지 약 2.5 중량%인 포지티브 감광성 조성물.
  21. 제 1항에 있어서,
    상기 폴리벤족사졸 전구체 폴리머는 구조 II의 폴리머이며 상기 폴리머 구조에서 D는
    Figure 112005050494573-PCT00071
    로 구성되는 군으로부터 선택되고, 상기 감광성 화합물 (b)는 구조 V를 가지는 화합물인, 포지티브 감광성 조성물.
  22. 제 21항에 있어서,
    접착 촉진제가 상기 조성물에 존재하는 것인, 포지티브 감광성 조성물.
  23. 제 22항에 있어서,
    상기 접착 촉진제는 식 IX에 의해 표현되고
    Figure 112005050494573-PCT00072
    상기에서 각 R10은 독립적으로 C1 - C4 알킬기 및 C5 - C7 시클로알킬기로 구 성되는 군으로부터 선택되고 각 R11은 독립적으로 Cl - C4 알킬기, C1 - C4 알콕시기, C5 - C7 시클로알킬기 및 C5 - C7 시클로알콕시기로 구성되는 군으로부터 선택되며; d는 O 내지 3인 정수이고 n은 1 내지 약 6인 정수이며 R12는 다음 부분들 중 하나로 구성되는 군으로부터 선택되고:
    Figure 112005050494573-PCT00073
    상기에서, 각 R13 및 R14는 독립적으로 C1 - C4 알킬기 및 C5 - C7 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되고, R15은 C1 - C4 알킬기 및 C5 - C7 시클로알킬기로 구성되는 군으로부터 선택되는, 포지티브 감광성 수지 조성물.
  24. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 1항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹(prebaking)하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  25. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 2항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  26. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 3항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  27. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 4항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  28. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 5항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  29. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 6항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  30. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 7항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  31. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 8항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  32. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 9항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  33. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 10항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  34. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 11항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  35. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 12항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  36. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 13항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  37. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 14항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  38. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 15항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  39. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 16항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  40. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 17항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  41. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 18항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  42. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 19항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  43. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 20항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  44. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 21항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  45. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 22항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  46. 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법으로서:
    (a) 적합한 기판 상에 제 23항의 포지티브 방식의 감광성 조성물로 코팅하여 코팅된 기판을 형성하는 단계;
    (b) 상기 코팅된 기판을 예비 베이킹하는 단계;
    (c) 상기 예비 베이킹된 코팅 기판을 광화학선 조사로 노광하는 단계;
    (d) 상기 노광된 코팅 기판을 수성 현상액으로 현상하여 상기 코팅 기판 상에 비경화된 릴리프 이미지를 형성하는 단계; 및
    (e) 상기 현상된 코팅 기판을 상승된 온도에서 베이킹하여 상기 릴리프 이미지를 경화하는 단계;를 포함하는, 기판 상에 릴리프 패턴을 형성하는 방법.
  47. 제 24항에 있어서,
    상기 단계 (a)에서 포지티브 방식의 감광성 조성물이 코팅될 적합한 기판은 외부 접착 촉진제로 처리된 기판인 것인 방법.
  48. 제 47항에 있어서,
    상기 외부 접착 촉진제는 비닐알콕시실란류, 메타크릴옥스알콕시실란류, 머캅토알콕시실란류, 아미노알콕시실란류, 에폭시알콕시실란류 및 글리시드옥시알콕시실란류로 구성되는 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  49. 제 48항에 있어서,
    상기 외부 접착 촉진제는 감마-아미노프로필트리메톡시-실란, 감마-글리시드옥시프로필메틸디메톡시실란, 감마-글리시드옥시프로필메틸디에톡시실란, 감마-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필디메톡시메틸실란, 및 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란으로 구성되는 군으로부터 선택되는 방법.
  50. 제 49항에 있어서,
    상기 외부 접착 촉진제는 감마-아미노프로필트리메톡시실란인 방법.
  51. 제 24항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
  52. 제 30항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
  53. 제 35항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
  54. 제 38항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
  55. 제 44항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
  56. 제 45항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
  57. 제 46항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
  58. 제 47항의 방법에 의해 생성된 패턴화된 이미지를 가지는 기판.
KR1020057016852A 2003-03-11 2004-03-04 신규한 감광성 수지 조성물들 KR20060023520A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US45375703P 2003-03-11 2003-03-11
US60/453,757 2003-03-11
US46852603P 2003-05-07 2003-05-07
US60/468,526 2003-05-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060023520A true KR20060023520A (ko) 2006-03-14

Family

ID=33513843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057016852A KR20060023520A (ko) 2003-03-11 2004-03-04 신규한 감광성 수지 조성물들

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7195849B2 (ko)
EP (1) EP1611483A4 (ko)
JP (1) JP4317875B2 (ko)
KR (1) KR20060023520A (ko)
TW (1) TWI341438B (ko)
WO (1) WO2004109400A2 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023089B1 (ko) * 2008-09-29 2011-03-24 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
US8841064B2 (en) 2010-12-31 2014-09-23 Cheil Industries Inc. Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film
US9176381B2 (en) 2009-12-29 2015-11-03 Cheil Industries Inc. Positive type photosensitive resin composition

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7101652B2 (en) * 2003-03-11 2006-09-05 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
KR20060002768A (ko) * 2003-03-11 2006-01-09 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 새로운 감광성 수지 조성물들
TWI363249B (en) * 2003-10-15 2012-05-01 Fujifilm Electronic Materials Novel photosensitive resin compositions
JP4581706B2 (ja) * 2004-01-29 2010-11-17 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、該ポジ型感光性樹脂組成物を用いた半導体装置及び表示素子、並びに半導体装置及び表示素子の製造方法
JP2006227063A (ja) * 2005-02-15 2006-08-31 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
KR20070118584A (ko) * 2005-03-25 2007-12-17 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 신규한 감광성 수지 조성물
TW200702913A (en) * 2005-06-03 2007-01-16 Fujifilm Electronic Materials Pretreatment compositions
JP4759613B2 (ja) * 2005-06-03 2011-08-31 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 新規な感光性樹脂組成物
JP5419324B2 (ja) * 2006-12-27 2014-02-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
JP5012345B2 (ja) * 2007-09-11 2012-08-29 住友ベークライト株式会社 電子部品の製造方法
TW200927832A (en) * 2007-10-16 2009-07-01 Fujifilm Electronic Materials Novel photosensitive resin compositions
KR100932765B1 (ko) 2008-02-28 2009-12-21 한양대학교 산학협력단 폴리이미드-폴리벤조옥사졸 공중합체, 이의 제조방법, 및이를 포함하는 기체 분리막
CA2640517A1 (en) * 2008-05-19 2009-11-19 Industry-University Cooperation Foundation, Hanyang University Polyamic acids dope composition, preparation method of hollow fiber using the same and hollow fiber prepared therefrom
US8013103B2 (en) * 2008-10-10 2011-09-06 Industry-University Cooperation Foundation, Hanyang University Polymer compounds and a preparation method thereof
US8487064B2 (en) 2008-10-10 2013-07-16 Industry-University Cooperation Foundation, Hanyang University Polymer compounds and a preparation method thereof
KR20120066923A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 제일모직주식회사 신규 페놀 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR101423539B1 (ko) 2010-12-20 2014-07-25 삼성전자 주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
JP5419952B2 (ja) * 2011-12-02 2014-02-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
KR101659940B1 (ko) * 2013-04-26 2016-09-27 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 감광성 조성물 및 이의 적용
KR20200094734A (ko) 2017-09-22 2020-08-07 주빌런트 에피파드 엘엘씨 Pad 억제제로서의 헤테로사이클릭 화합물
DK3697785T3 (da) 2017-10-18 2023-04-03 Jubilant Epipad LLC Imidazo-pyridine forbindelser som pad-inhibitorer
AU2018362046B2 (en) 2017-11-06 2023-04-13 Jubilant Prodel LLC Pyrimidine derivatives as inhibitors of PD1/PD-L1 activation
CA3083374A1 (en) 2017-11-24 2019-05-31 Jubilant Episcribe Llc Heterocyclic compounds as prmt5 inhibitors
AU2019234185A1 (en) 2018-03-13 2020-10-01 Jubilant Prodel LLC. Bicyclic compounds as inhibitors of PD1/PD-L1 interaction/activation

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2931297A1 (de) 1979-08-01 1981-02-19 Siemens Ag Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen
DE3021748A1 (de) 1980-06-10 1981-12-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Strahlungsreaktive vorstufen hochwaermebestaendiger polymerer
DE3411659A1 (de) 1984-03-29 1985-10-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von polyoxazol- und polythiazol-vorstufen
US5021320A (en) 1986-10-02 1991-06-04 Hoechst Celanese Corporation Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group with O-quinone diazide in positive working photoresist
US5077378A (en) 1986-10-02 1991-12-31 Hoechst Celanese Corporation Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group
US5240819A (en) 1986-10-02 1993-08-31 Hoechst Celanese Corporation Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group and process of using to form a positive image
DE3850809D1 (de) 1987-05-18 1994-09-01 Siemens Ag Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen.
US5037720A (en) 1987-07-21 1991-08-06 Hoechst Celanese Corporation Hydroxylated aromatic polyamide polymer containing bound naphthoquinone diazide photosensitizer, method of making and use
EP0391196A3 (de) 1989-04-06 1991-02-27 Siemens Aktiengesellschaft Herstellung von Hydroxypolyamiden
JP3063148B2 (ja) * 1989-12-27 2000-07-12 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
EP0459395B1 (en) 1990-05-29 1999-08-18 Sumitomo Bakelite Company Limited Positive photo-sensitive resin composition
EP0512339B1 (de) 1991-05-07 1997-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Hochwärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung hochwärmebeständiger Reliefstrukturen
EP0761716B1 (de) 1995-08-31 2001-02-28 Infineon Technologies AG Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden
DE59606657D1 (de) 1995-08-31 2001-05-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden
EP0761721B1 (de) 1995-08-31 2001-02-28 Infineon Technologies AG Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden
DE59606488D1 (de) 1995-08-31 2001-04-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von Poly-o-hydroxyamiden und Poly-o-mercaptoamiden
JP3304250B2 (ja) 1995-11-27 2002-07-22 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物の硬化方法
TW502135B (en) 1996-05-13 2002-09-11 Sumitomo Bakelite Co Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same
DE59711315D1 (de) 1996-12-11 2004-03-25 Infineon Technologies Ag Herstellung von Polybenzoxazol- und Polybenzothiazol-Vorstufen
US6207356B1 (en) 1996-12-31 2001-03-27 Sumitomo Bakelite Company Limited Method for the pattern-processing of photosensitive resin composition
JP3633179B2 (ja) * 1997-01-27 2005-03-30 Ｊｓｒ株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
EP0905170B1 (de) 1997-09-24 2013-10-30 Qimonda AG Polybenzoxazol- und Polybenzothiazol-Vorstufen
EP0905169B8 (de) 1997-09-24 2008-07-16 Infineon Technologies AG Polybenzoxazol- und Polybenzothiazol-Vorstufen
JPH11109635A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Asahi Chem Ind Co Ltd 感光性ポリアミド樹脂組成物
US6127086A (en) * 1998-10-01 2000-10-03 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
US6177225B1 (en) 1998-10-01 2001-01-23 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
JP2002040654A (ja) * 2000-07-31 2002-02-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
KR20060002768A (ko) * 2003-03-11 2006-01-09 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 새로운 감광성 수지 조성물들
US7101652B2 (en) * 2003-03-11 2006-09-05 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101023089B1 (ko) * 2008-09-29 2011-03-24 제일모직주식회사 포지티브형 감광성 수지 조성물
US8703367B2 (en) 2008-09-29 2014-04-22 Cheil Industries Inc. Positive photosensitive resin composition
US9176381B2 (en) 2009-12-29 2015-11-03 Cheil Industries Inc. Positive type photosensitive resin composition
US8841064B2 (en) 2010-12-31 2014-09-23 Cheil Industries Inc. Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film

Also Published As

Publication number Publication date
TWI341438B (en) 2011-05-01
US20040229160A1 (en) 2004-11-18
WO2004109400A3 (en) 2006-11-23
EP1611483A2 (en) 2006-01-04
TW200428137A (en) 2004-12-16
JP4317875B2 (ja) 2009-08-19
EP1611483A4 (en) 2009-12-16
WO2004109400A2 (en) 2004-12-16
JP2007508582A (ja) 2007-04-05
US7195849B2 (en) 2007-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20060023520A (ko) 신규한 감광성 수지 조성물들
US7056641B2 (en) Photosensitive resin compositions
US20040253537A1 (en) Novel photosensitive resin compositions
US20090004444A1 (en) Novel Photosensitive Resin Compositions
JP3507798B2 (ja) 新規な光感受性樹脂組成物
KR100740020B1 (ko) 신규한 감광성 수지 조성물
KR20060002751A (ko) 새로운 감광성 수지 조성물들
US7101652B2 (en) Photosensitive resin compositions
JP4625769B2 (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
KR100767197B1 (ko) 신규한 감광성 수지 조성물 및 이를 사용하는 릴리프 패턴의 형성방법
JP2007240975A (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007298833A (ja) 感光性樹脂組成物の製造方法、及びそれを用いたレリーフパターン
JP2007297531A (ja) ポリアミド樹脂、該樹脂を用いた感光性樹脂組成物及び半導体装置の製造方法
JP2007206637A (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007065023A (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007240976A (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2007114693A (ja) 感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid