WO2014181748A1 - リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
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Definitions
- Photolithographic technology is used.
- a positive or negative photosensitive resin composition photoresist composition
- R 1 and R 2 may be the same or different and each represents a hydrogen atom or a methyl group
- R 3 and R 4 may be the same or different
- R 5 represents a hydrocarbon group having 2 to 5 carbon atoms or a phenylene group containing a double bond or a triple bond
- R 6 and R 7 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom or a methyl group.
- examples of the nonionic surfactant in which R 5 is a hydrocarbon group having 2 to 5 carbon atoms containing a double bond or a triple bond include 3-hexene-2,5-diol, 1,4-butynediol, 3-hexyne-2,5-diol, 2,5-dimethyl-3-hexyne-2,5-diol, 3,6-dimethyl-4-octyne-3,6-diol, 2,4-hexadiyne-1, Examples include 6-diol.
- an organic solvent other than water can be used as a co-solvent in the rinsing liquid.
- the organic solvent has an effect of adjusting the surface tension of the rinsing liquid and may improve wettability to the resist surface.
- the organic solvent that can be used in such a case is selected from organic solvents that are soluble in water.
- the rinsing liquid for lithography according to the present invention may further contain a bactericidal agent, an antibacterial agent, a preservative, and / or a fungicide as necessary.
- bactericidal agent an antibacterial agent
- preservative a preservative
- fungicide a fungicide
- these agents are used to prevent bacteria or fungi from breeding in aging rinses. Examples of these include alcohols such as phenoxyethanol and isothiazolone. Bestside (trade name) commercially available from Nippon Soda Co., Ltd. is a particularly effective antiseptic, fungicide, and fungicide.
- Examples of the quinonediazide-based photosensitive agent used in the positive photosensitive resin composition comprising the quinonediazide-based photosensitive agent and the alkali-soluble resin include 1,2-benzoquinonediazide-4-sulfonic acid, 1,2-naphthoquinonediazide- 4-sulfonic acid, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid, esters or amides of these sulfonic acids, and examples of alkali-soluble resins include novolak resin, polyvinylphenol, polyvinyl alcohol, acrylic acid or Examples include methacrylic acid copolymers.
- the collapse limit margin In the rinsing solutions used in Examples 1 to 10 no gel defects were observed and the storage stability was good.
- the maximum amount of the surfactant used in Examples 2 to 10 in water at 25 ° C. was 10,000 ppm except for 1,4-bis (methoxymethyl) benzene (DMPX) used in Example 7.
- the amount of 4-bis (methoxymethyl) benzene (DMPX) used in Example 7 was also over 5,000 ppm, and the maximum dissolution amount was large.
- the conventional nonionic surfactant represented by the formula (I) of the present invention
- the conventional nonionic surfactant was used in performance such as pattern collapse margin, defect, and LWR. Improvements in characteristics such as pattern collapse margin, defects, LWR, etc., equivalent to or higher than those of the rinsing liquid are shown.
- the problem of pattern melting that has become prominent in conventional fine patterns has been improved. It can be seen that the storage stability is also good.
- Example 31 Use a rinsing solution containing 1,000 ppm of 3-hexene-2,5-diol (HXED) and 100 ppm of acetic acid instead of a rinsing solution containing 1,000 ppm of 3-hexene-2,5-diol (HXED). Except for, a resist pattern was formed in the same manner as in Example 1 and Example 11. In the same manner as in Example 1 and Example 11, the limit line width (falling limit CD), gel defect, rinsing liquid storage stability, presence / absence of melting, and LWR were measured and evaluated. As in Example 1 and Example 11, the limit line width (falling limit CD) and gel defect of the tilt limit are evaluated on DX6270P, and pattern melting and LWR are evaluated on the EUV resist. . The results are shown in Table 7.
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Abstract
Description
(1)基板に感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂組成物層を形成する工程、
(2)前記感光性樹脂組成物層を露光する工程、
(3)露光済みの感光性樹脂組成物層を現像液により現像する工程、
(4)現像後上記のリソグラフィー用リンス液を用いてリンスする工程
を含んでなることを特徴とするパターン形成方法にも関する。
本発明のリソグラフィー用リンス液は、下記式(I)で表されるノニオン系界面活性剤と水とを含むことを特徴とするものである。
シリコン基板上にAZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社製底面反射防止膜用組成物 AZ Kr-F 17B(「AZ」は登録商標)をスピン塗布し、180℃、60秒ベークして、80nm厚の反射防止膜を製膜した。その上に化学増幅型KrFレジスト組成物 AZ DX6270P(AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社製)をスピン塗布し、120℃で90秒ソフトベークして、620nm厚のレジスト膜を形成した。得られた基板をKrF露光装置 FPA3000-EX5(キャノン株式会社製;NA=0.63/1/2Ann.;Mask:HTPSM 6%)でマスクサイズ150nm(L:S=1:1)を通して露光量を増加させながら露光し、130℃、90秒のポスト エクスポジャー ベーク(PEB)を行った後、AZ 300 MIF現像液(AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社製;2.38%TMAH水溶液)にて60秒パドル現像し、現像液がウェハー上にパドルされている状態で水リンスを流し始め、回転させながら現像液から水リンスに置換し、水でパドルさせた状態で停止させた。その後、水パドルさせた状態の中に、3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)を1,000ppm含む脱イオン水からなるリンス液を入れ、高速回転処理し、ウェハーを乾燥させた。
シリコン基板上に、化学増幅型KrFレジスト組成物 AZ DX6270P(AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社製)をスピン塗布し、120℃で90秒ソフトベークして、620nm厚のレジスト膜を形成する。このレジスト膜上に、フィルターにてろ過したリンス液を塗布し、高速回転処理し、乾燥させる。KLA Tencor製欠陥検査装置KLA2360を用いて欠陥検査を行う。日立ハイテクノロジーズ製RS5500を用いてゲル欠陥の有無を確認する。ゲル欠陥がなければ「○」、あれば「×」と評価した。
実施例1で用いたリンス液については、ゲル欠陥は観察されなかった。したがって評価は「○」であった。
所定濃度で調製されたリンス液をフィルターにてろ過後、25℃で1ヶ月間静置する。シリコン基板上に、化学増幅型KrFレジスト組成物 AZ DX6270P(AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社製)をスピン塗布し、120℃で90秒ソフトベークして、620nm厚のレジスト膜を形成する。このレジスト膜上に、保存後のリンス液を塗布し、高速回転処理し、乾燥させる。この膜について、KLA Tencor製欠陥検査装置KLA2360を用い、ゲル、パーティクルなどを含む全ての欠陥についての欠陥数を計測する。保存リンス液として脱イオン水を用いた場合(比較例1)の欠陥数との対比において、試験リンス液の欠陥数が脱イオン水リンスの際の欠陥数と同等またはそれ以下の場合は「○」と評価し、水リンスを超える場合は「×」と評価した。
なお、実施例1で用いたリンス液の保存後のリンス液の欠陥数は脱イオン水リンスの際の欠陥数に比べ同等以下であり、評価は「○」であった。
透明なスクリュー間にリンス液添加剤の量を変えて添加し、脱イオン水を溶媒として全体が100gとなるように作成する。その後振とう機を用いて25℃で10時間以上攪拌し、同温度でしばらく静置し、目視にて溶解の様子を確認し、不溶物が確認できない最大添加剤量を最大溶解量(ppm)とする。
3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)の25℃の水への最大溶解量は、10,000ppm超であった。
調整したリンス液を協和界面科学製表面張力計CBVP-Zを用いて表面張力の測定を行った。
3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)1,000ppm含有リンス液の表面張力は、66.5mN/mであった。
ノニオン系界面活性剤3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)に替えて、ノニオン系界面活性剤3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール(DMOD)(実施例2)、2,4-ヘキサジイン-1,6-ジオール(HXDD)(実施例3)、1,4-ブチンジオール(BTD)(実施例4)、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール(DMHD)(実施例5)、3-ヘキシン-2,5-ジオール(HXYD)(実施例6)、1,4-ビス(メトキシメチル)ベンゼン(DMPX)(実施例7)、p-キシリレングリコール(PXG)(実施例8)、1,2-ベンゼンジメタノール(OXG)(実施例9)、1,3-ベンゼンジメタノール(MXG)(実施例10)を各々用いることを除き実施例1と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅を、実施例1と同様に評価した。
リンス液として脱イオン水を用いることを除き、実施例1と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅を、実施例1と同様にして評価した。結果を表2に示す。リンス液として脱イオン水を用いた場合の倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)は、>200nmであった。
ノニオン系界面活性剤3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)1,000ppmに替えて、サーフィノール104(日信化学工業;SF104)(「サーフィノール」は登録商標)500ppm(比較例2)、サーフィノール104(日信化学工業;SF104)1,000ppm(比較例3)、3,8-ジオキサ-5-デシン-4,7-ジオール(DODD)1,000ppm(比較例4)、1,4-シクロヘキサンジメタノール(CHDM)1,000ppm(比較例5)、1,4-ブタンジオール1,000ppm(比較例6)、サーフィノール440(日信化学工業;SF440)1,000ppm(比較例7)、サーフィノール485(日信化学工業;SF485)1,000ppm(比較例8)を各々用いることを除き実施例1と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅を、実施例1と同様に評価した。結果を表2に示す。
シリコン基板上にAZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社製底面反射防止膜用組成物 AZ Kr-F 17Bをスピン塗布し、180℃、60秒ベークして、60nm厚の反射防止膜を製膜した。その上に化学増幅型PHS-アクリレートハイブリッド系EUVレジストをスピン塗布し、100℃で90秒間ソフトベークして、80nm厚のレジスト膜を形成した。得られた基板をKrF露光装置 FPA3000-EX5(キャノン株式会社製;NA=0.63/Quadro. Mask:HTPSM 6%)でマスクサイズ150nm(L:S=1:1)を通して露光量を増加させながら露光し、70℃、90秒のポスト エクスポジャー ベーク(PEB)を行った後、AZ 300 MIF現像液(AZエレクトロニックマテリアルズマニュファクチャリング株式会社製;2.38%TMAH水溶液)にて30秒パドル現像し、現像液がウェハー上にパドルされている状態で水リンスを流し始め、回転させながら現像液から水リンスに置換し、水でパドルさせた状態で停止させた。その後、水パドルさせた状態の中に、3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)を1,000ppm含む脱イオン水からなるリンス液を入れ、高速回転処理し、ウェハーを乾燥させた。
メルティングの評価は、パターン矩形性が保たれており、かつ線幅の変動が10nm以下であるものを、メルティング「無」とし、パターン矩形性が保たれていない場合を、メルティング「有」と評価した。
実施例11においては、メルティングは認められず、評価は「無」であった。
実施例11と同様の方法でシリコン基板上に80nm厚の化学増幅型PHS-アクリレートハイブリッド系EUVレジスト膜を形成し、マスク上150nm、L/S=1/1でパターンCD(限界線幅)が100nm付近のショット(ドーズ:80mJ/cm2)でパターンを形成し、日立製作所製S9220を用いてLWRを測長する。リンス液として脱イオン水を用いた際のLWR値(6.0nm)に対する改善を確認し、改善している場合は、「改善」と評価し、改善されていない場合は、「改善されず」と評価し、ゲル発生あるいはメルティングにより評価できないものについては、「ゲル発生」あるいは「メルティング」と評価した。
ノニオン系界面活性剤3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)に替えて、ノニオン系界面活性剤3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール(DMOD)(実施例12)、2,4-ヘキサジイン-1,6-ジオール(HXDD)(実施例13)、1,4-ブチンジオール(BTD)(実施例14)、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール(DMHD)(実施例15)、3-ヘキシン-2,5-ジオール(HXYD)(実施例16)、1,4-ビス(メトキシメチル)ベンゼン(DMPX)(実施例17)、p-キシリレングリコール(PXG)(実施例18)、1,2-ベンゼンジメタノール(OXG)(実施例19)、1,3-ベンゼンジメタノール(MXG)(実施例20)を各々用いることを除き実施例11と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンのメルティングの有無、LWRを、実施例11と同様にして測定、評価した。結果を表3に示す。
リンス液として脱イオン水を使用し、実施例11と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンのメルティングの有無を実施例11と同様にして評価した。また、LWRの値を実施例11と同様にして測定した。結果を表4に示す。なお、リンス液として脱イオン水を用いた際のLWRは、6.0nmであった。
ノニオン系界面活性剤3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)1,000ppmに替えて、サーフィノール104(SF104)500ppm(比較例10)、サーフィノール104(SF104)1,000ppm(比較例11)3,8-ジオキサ-5-デシン-4,7-ジオール(DODD)1,000ppm(比較例12)、1,4-シクロヘキサンジメタノール(CHDM)1,000ppm(比較例13)、1,4-ブタンジオール1,000ppm(比較例14)、サーフィノール440(SF440)1,000ppm(比較例15)、サーフィノール485(SF485)1,000ppm(比較例16)を各々用いることを除き実施例11と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンのメルティングの有無、LWRを、実施例11と同様に測定、評価した。結果を表4に示す。
3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)の含有量を200ppm(実施例21)、500ppm(実施例22)、2,000ppm(実施例23)、3,000ppm(実施例24)、5,000ppm(実施例25)とすることを除き実施例1と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅の測定、使用リンス液におけるゲル欠陥の確認、評価、リンス液の保存安定性の測定を、実施例1と同様にして行った。結果を表5に示す。なお、表5には、参考のため実施例1についても掲載した。
3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)の含有量を200ppm(実施例26)、500ppm(実施例27)、2,000ppm(実施例28)、3,000ppm(実施例29)、5,000ppm(実施例30)とすることを除き実施例11と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンについてのメルティングの有無およびLWRを実施例11と同様にして評価した。結果を表6に示す。なお、表6には、参考のため実施例11についても掲載した。
3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)を1,000ppm含有するリンス液に替えて、3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)1,000ppmおよび酢酸100ppmを含有するリンス液を用いることを除き、実施例1、実施例11と同様にして、レジストパターンを形成した。実施例1および実施例11と同様の方法で、これらの倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)、ゲル欠陥、リンス液の保存性、メルティングの有無、LWRの測定、評価を行った。なお、実施例1および実施例11と同様、倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)およびゲル欠陥はDX6270P上での評価であり、またパターンメルティングおよびLWRはEUVレジスト上での評価である。結果を表7に示す。
酢酸100ppmに替えて、モノエタノールアミン1,000ppm(実施例32)、2-プロパノール1,000ppm(実施例33)、アデカプルロニックL-64 100ppm(実施例34)、酢酸100ppmとモノエタノールアミン1,000ppm(実施例35)、酢酸100ppmと2-プロパノール1,000ppm(実施例36)、モノエタノールアミン1,000ppmとアデカプルロニックL-64 100ppm(実施例37)、2-プロパノール1,000ppmとアデカプルロニックL-64 100ppm(実施例38)を用いることを除き、実施例31と同様にして、それぞれレジストパターンを形成し、実施例31と同様にして倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)、ゲル欠陥、リンス液の保存性、メルティングの有無、LWRの測定、評価を行った。結果を表7に示す。
シリコン基板上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を90℃、60秒処理した。その上に化学増幅型PHS-アクリレートハイブリッド系EUVレジストをスピン塗布し、110℃、60秒ソフトベークして、50nm厚のレジスト膜を形成した。得られた基板をEUV露光装置 ASML製NXE-3100(NA=0.25、dipole)でマスクサイズ24nm(L:S=1:1)を通して露光量を増加させながら露光し、100℃、60秒のポスト エクスポジャー ベーク(PEB)を行った後、2.38%TMAH水溶液にて30秒パドル現像し、現像液がウェハー上にパドルされている状態で水リンスを流し始め、回転させながら現像液から水リンスに置換し、水でパドルさせた状態で停止させた。その後、水パドルさせた状態の中に、3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)を1,000ppm含む脱イオン水からなるリンス液を入れ、高速回転処理し、ウェハーを乾燥させた。下記測定法により、倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)を測定、評価した。結果を表8に示す。
形成されたパターンを、アプライドマテリアルズ製電子顕微鏡Verity-4iを用いて、24nm L/S=1/1の場所について、露光量に対するパターンサイズ(CD)を測長し、パターンが倒れる直前の限界線幅を倒れ限界CDとした。また、パターンが全て倒壊している場合は、「全て倒壊」と評価し、全てのパターンの矩形性が保持されていない場合、「全てメルティング」と評価した。
実施例39で形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅は、17.2nmであった。
形成されたパターンについて、マスク上24nm L/S=1/1(露光量(Dose):44mJ/cm2以上)のショットを、アプライドマテリアルズ製電子顕微鏡Verity-4iを用いて観測し、パターンの溶解の有無を確認し、パターン矩形性が保たれているものをメルティング「無」と評価し、全てのパターンにメルティングが発生している場合を、「有」と評価し、パターンに膨潤が発生しており評価できない場合を、「パターン膨潤発生」と評価した。
実施例39のパターンにおいては、メルティングは認められず、評価は「無」であった。
マスク上24nm L/S=1/1(露光量(Dose):38mJ/cm2)のショットを、アプライドマテリアルズ製電子顕微鏡Verity-4iを用いてLWRを測長する。リンス液として脱イオン水を用いた際のLWR値(4.5nm)に対する改善を確認し、改善している場合は、「改善」と評価し、改善されていない場合は、「改善されず」と評価し、全パターンにメルティングが発生しており評価できない場合を、「全てメルティング」と評価した。
実施例39においては、LWRは改善されており、評価は「改善」であった。
ノニオン系界面活性剤3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)1,000ppmに替えて、ノニオン系界面活性剤3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)500ppm(実施例40)、3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール(DMOD)1,000ppm(実施例41)、3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)1,000ppmおよびアデカプルロニック100ppm(実施例42)を各々用いることを除き実施例39と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)、メルティングの有無、LWRを、実施例39と同様にして測定、評価した。結果を表8に示す。
リンス液として脱イオン水を用いることを除き、実施例39と同様にして、レジストパターンを形成し、形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)を測長した。また、形成されたレジストパターンのメルティングの有無、LWRを、実施例39と同様にして評価した。結果を表9に示す。
ノニオン系界面活性剤3-ヘキセン-2,5-ジオール(HXED)1,000ppmに替えて、サーフィノール104(SF104)500ppm(比較例18)、1,4-ブタンジオール1,000ppm(比較例19)、サーフィノール440(SF440)1,000ppm(比較例20)、サーフィノール485(SF485)1,000ppm(比較例21)を各々用いることを除き実施例39と同様にして、レジストパターンを形成した。形成されたレジストパターンの倒れ限界の限界線幅(倒れ限界CD)、メルティングの有無、LWRを、実施例39と同様に測定、評価した。結果を表9に示す。
Claims (8)
- 前記式(I)で表されるノニオン系界面活性剤の25℃の水への最大溶解量が、5,000ppm以上であることを特徴とする請求項1記載のリソグラフィー用リンス液。
- 前記式(I)で表されるノニオン系界面活性剤が、3-ヘキセン-2,5-ジオール、1,4-ブチンジオール、3-ヘキシン-2,5-ジオール、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール、3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール、2,4-ヘキサジイン-1,6-ジオール、1,2-ベンゼンジメタノール、1,3-ベンゼンジメタノール、p-キシリレングリコール、および1,4-ビス(メトキシメチル)ベンゼンから選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2記載のリソグラフィー用リンス液。
- 式(I)で表されるノニオン系界面活性剤がリンス液中に0.02~0.5質量%含有されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載のリソグラフィー用リンス液。
- 酸、塩基、有機溶剤および式(I)で表される界面活性剤以外の界面活性剤、の少なくとも1種がさらに含まれてなることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のリソグラフィー用リンス液。
- 殺菌剤、抗菌剤、防腐剤および防カビ剤、の少なくとも1種がさらに含まれてなることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のリソグラフィー用リンス液。
- (1)基板に感光性樹脂組成物を塗布して感光性樹脂組成物層を形成する工程、
(2)前記感光性樹脂組成物層を露光する工程、
(3)露光済みの感光性樹脂組成物層を現像液により現像する工程、
(4)現像後、請求項1~6のいずれか1項に記載されるリソグラフィー用リンス液を用いてリンスする工程
を含んでなることを特徴とするパターン形成方法。 - 前記感光性樹脂組成物が化学増幅型感光性樹脂組成物であり、また前記露光が極端紫外線を用いての露光であることを特徴とする請求項7記載のパターン形成方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017174476A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Gap filling composition and pattern forming method using low molecular weight compound |
JP2019515350A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-06 | ヨンチャン ケミカル カンパニー リミテッドYoung Chang Chemical Co.,Ltd | ネガ型フォトレジストを用いたパターニング工程におけるlwr改善方法及び組成物 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101617169B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2016-05-03 | 영창케미칼 주식회사 | 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
KR20180123024A (ko) * | 2016-03-30 | 2018-11-14 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트패턴 피복용 수용액 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
EP3472671A1 (en) * | 2016-06-20 | 2019-04-24 | AZ Electronic Materials Luxembourg S.à.r.l. | A rinse composition, a method for forming resist patterns and a method for making semiconductor devices |
EP3545361A1 (en) * | 2016-11-25 | 2019-10-02 | Ridgefield Acquisition | A lithography composition, a method for forming resist patterns and a method for making semiconductor devices |
EP3751346A4 (en) * | 2018-02-05 | 2021-10-27 | Zeon Corporation | PROCESS FOR FORMING A RESERVE REASON |
CN108345176A (zh) * | 2018-03-02 | 2018-07-31 | 睿力集成电路有限公司 | 光阻剂涂布工艺、润湿溶剂筛选方法及润湿溶剂 |
JP2020067547A (ja) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 半導体水溶性組成物およびその使用 |
KR20200056515A (ko) * | 2018-11-14 | 2020-05-25 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조 방법, 포토레지스트 현상 방법, 그들을 포함하는 포토리소그래피 방법, 및 기판 건조 장치 |
KR20210069352A (ko) * | 2019-12-03 | 2021-06-11 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 | 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 재료의 표면처리 방법 |
CN111166883A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-05-19 | 南方科技大学 | 一种磁性l型微纳米机器人及其制备方法和用途 |
JP2021165771A (ja) | 2020-04-06 | 2021-10-14 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 電子機器製造水溶液、レジストパターンの製造方法およびデバイスの製造方法 |
IL309082A (en) | 2021-07-15 | 2024-02-01 | Merck Patent Gmbh | Aqueous solution for manufacturing an electronic device, a method for manufacturing a resistive pattern and a method for manufacturing a device |
WO2023170021A1 (en) | 2022-03-09 | 2023-09-14 | Merck Patent Gmbh | Electronic device manufacturing solution, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10104840A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 平版印刷版及びその処理方法 |
JP2004339226A (ja) * | 2000-01-04 | 2004-12-02 | Air Products & Chemicals Inc | アセチレン列ジオールエチレンオキシド/プロピレンオキシド付加物および現像剤におけるその使用 |
JP2005043472A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製版方法 |
JP2006030483A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Tokyo Electron Ltd | リンス処理方法および現像処理方法 |
WO2006025303A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用リンス液とレジストパターン形成方法 |
JP2008180895A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2012042531A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Az Electronic Materials Kk | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2014044298A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujitsu Ltd | リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5326672A (en) | 1992-04-23 | 1994-07-05 | Sortec Corporation | Resist patterns and method of forming resist patterns |
JPH06105683B2 (ja) | 1992-04-23 | 1994-12-21 | 株式会社ソルテック | レジストパターン形成方法 |
JPH07140674A (ja) | 1993-06-17 | 1995-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジストリンス液、及びレジスト現像処理法 |
US20040029395A1 (en) | 2002-08-12 | 2004-02-12 | Peng Zhang | Process solutions containing acetylenic diol surfactants |
US6455234B1 (en) | 1999-05-04 | 2002-09-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use in photoresist developers |
KR101017738B1 (ko) * | 2002-03-12 | 2011-02-28 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물 |
JP4045180B2 (ja) | 2002-12-03 | 2008-02-13 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
KR20050044085A (ko) * | 2003-11-07 | 2005-05-12 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 소자의 세정액 및 그 세정액을 이용한 세정방법 |
JP5011018B2 (ja) | 2007-04-13 | 2012-08-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
CN101802161B (zh) | 2007-09-14 | 2013-11-06 | 花王株式会社 | 碱性非离子型表面活性剂组合物 |
WO2010086893A1 (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-05 | 三洋化成工業株式会社 | 銅配線半導体用洗浄剤 |
TW201031744A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-01 | Sanyo Chemical Ind Ltd | Clean agent for copper wiring semicomductor |
JP5622512B2 (ja) | 2010-10-06 | 2014-11-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP5705607B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-04-22 | メルクパフォーマンスマテリアルズIp合同会社 | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
-
2013
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10104840A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 平版印刷版及びその処理方法 |
JP2004339226A (ja) * | 2000-01-04 | 2004-12-02 | Air Products & Chemicals Inc | アセチレン列ジオールエチレンオキシド/プロピレンオキシド付加物および現像剤におけるその使用 |
JP2005043472A (ja) * | 2003-07-23 | 2005-02-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版の製版方法 |
JP2006030483A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Tokyo Electron Ltd | リンス処理方法および現像処理方法 |
WO2006025303A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | リソグラフィー用リンス液とレジストパターン形成方法 |
JP2008180895A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2012042531A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Az Electronic Materials Kk | リソグラフィー用リンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
JP2014044298A (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-13 | Fujitsu Ltd | リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017174476A1 (en) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Gap filling composition and pattern forming method using low molecular weight compound |
US11169443B2 (en) | 2016-04-05 | 2021-11-09 | Merck Patent Gmbh | Gap filling composition and pattern forming method using low molecular weight compound |
JP2019515350A (ja) * | 2016-05-04 | 2019-06-06 | ヨンチャン ケミカル カンパニー リミテッドYoung Chang Chemical Co.,Ltd | ネガ型フォトレジストを用いたパターニング工程におけるlwr改善方法及び組成物 |
US11187985B2 (en) | 2016-05-04 | 2021-11-30 | Young Chang Chemical Co., Ltd | Method and composition for improving LWR in patterning step using negative tone photoresist |
JP7004671B2 (ja) | 2016-05-04 | 2022-01-21 | ヨンチャン ケミカル カンパニー リミテッド | ネガ型フォトレジストを用いたパターニング工程におけるlwr改善方法及び組成物 |
Also Published As
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WWE | Wipo information: entry into national phase |
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NENP | Non-entry into the national phase |
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ENP | Entry into the national phase |
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122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
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