TW201504427A - 微影用沖洗液及使用其之圖案形成方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種微影用沖洗液,其改善圖案崩塌、缺陷、線寬粗糙度,更改善因圖案的細微化所產生的圖案熔融的問題,並提供一種使用該微影用沖洗液的光阻圖案形成方法。
為達成上述之目的,使用包含下述式(I)所示之非離子界面活性劑(式中,R1、R2可相同亦可為不同,表示氫原子或甲基;R3、R4可相同亦可為不同,表示氫原子、甲基或乙基;R5表示包含雙鍵或三鍵之碳數2~5的烴基或伸苯基;R6、R7可相同亦可為不同,表示氫原子或甲基)與水的微影用沖洗液,以對於將感光性樹脂曝光、顯影而得的光阻圖案進行沖洗。
式(I):
□
Description
本發明係關於微影用沖洗液及使用其之光阻圖案形成方法。更詳細而言,本發明係適用於感光性樹脂組成物顯影後的沖洗步驟中的沖洗液,該感光性樹脂組成物係用於半導體裝置、液晶顯示元件等的平面顯示器(FPD)、彩色濾光片(color filter)等的製造之中;以及使用該沖洗液的光阻圖案形成方法。
在以大型積體電路(LSI;large-scale integration)等的半導體積體電路、平面顯示器(FPD;flat panel display)的顯示面板、電路基板的製造、彩色濾光片的製造等為首的廣泛領域之中,為了形成細微元件或是進行細微加工,從以往就開始使用光微影技術。光微影技術中,為了形成圖案而使用正型或負型的感光性樹脂組成物(光阻組成物)。
近年,伴隨著與大型積體電路之高積體化、高速化及平面顯示器之顯示面板的細微化對應的半導體元件、電路的細微化等,設計規則從半微米朝向四分之一微米邁進,或要求更朝向該尺寸以下的細微化邁進。將以往使用的可見光或近紫外線(波長400~300nm)等作為曝光光源,並不足以對應這樣的要求,故有提案必須
使用KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)等的遠紫外線或極紫外線(EUV;波長13nm)、更甚X射線、電子束等般波長更短的放射線,而將此等作為曝光光源的微影製程,而這樣的微影製程亦正被實用化。對於用在該微影製程的光阻亦要求高解析度,再者,此外更同時要求提升感度、圖案形狀、影像尺寸之正確性等的性能。為了對應這樣的要求,有人提出化學放大型(chemically amplified)感光性樹脂組成物,以作為對於短波長的放射線具有感光性的高感度、高解析度之感放射線性樹脂組成物。該化學放大型感光性樹脂組成物,例如,包含藉由照射放射線而產生酸的化合物以及藉由酸使極性增大的樹脂;藉由放射線的照射,從產酸化合物產生酸,並藉由所產生之酸所致之觸媒式的影像形成步驟,使光阻膜所含之樹脂的極性增大,其後使用如鹼性水溶液之高極性的顯影液(正型顯影液)進行顯影,藉此形成正影像;另外,使用如有機溶劑之低極性的顯影液(負型顯影液)進行顯影,藉此形成負影像(例如,參照專利文獻1)。
然而,因為邁向細微化,使得在微影步驟的顯影、沖洗後的圖案崩塌的問題變得顯著。此問題,特別在形成高縱橫比(光阻圖案的高度相對於寬度的比例)的圖案時更為顯著。該圖案崩塌的情形,被認為是在沖洗後使光阻圖案乾燥時,因為相鄰圖案之間殘留的沖洗液之表面張力在圖案之間產生負壓,導致相鄰的光阻圖案互相拉扯,此時,因在複數的圖案之間的表面張力所
造成的負壓產生差值所致(例如,參照專利文獻2)。從此一觀點而言,為了改善在使用表面張力大之純水作為沖洗液的情況下圖案崩塌的情形,有提案不使用純水,而藉由含非離子界面活性劑的沖洗水溶液進行洗淨的技術(例如,參照專利文獻3~6)。然而,該等以往所提出的沖洗液之中,顯著地表現出因圖案的細微化而產生的圖案熔融(melting)的問題。
專利文獻1 日本特開2008-281975號公報
專利文獻2 日本特開2012-80033號公報
專利文獻3 日本特開2004-184648號公報
專利文獻4 日本特開平05-299336號公報
專利文獻5 日本特開平07-140674號公報
專利文獻6 日本特開2008-146099號公報
本發明係鑒於上述情事所完成者,其目的在於提供一種微影用沖洗液,其適用於半導體裝置、液晶顯示元件等的平面顯示器(FPD)、彩色濾光片等的製造中所使用的感光性樹脂組成物的顯影步驟,與以往含有界面活性劑之系列相同,對於圖案崩塌界限(margin)、缺陷、線寬粗糙度(線寬粗糙度;line width roughness)等的性能優異,此外,對於熔融更具有優良的特性。
另外,本發明之另一目的係提供一種光阻圖案形成方法,其係使用圖案崩塌界限、缺陷、線寬粗糙度等性能以及熔融性能皆為優良的沖洗液。
本案發明人,在進行各種檢討時,發現藉由在沖洗液中添加特定的非離子界面活性劑,而得到可滿足上述所有特性的沖洗液,亦即,可得到具有與使用以往之界面活性劑的沖洗液同樣優良的圖案崩塌界限、經改善之缺陷以及優良的線寬粗糙度特性,同時光阻膜之熔融特性亦改善的沖洗液,而且所得之沖洗液的保存穩定性亦為良好,並根據此發現,進而完成本發明。
本發明係關於一種微影用沖洗液,其特徵為包含:下式(I)所示的非離子界面活性劑及水。
(式中,R1、R2可相同亦可為不同,表示氫原子或甲基;R3、R4可相同亦可為不同,表示氫原子、甲基或乙基;R5表示含雙鍵或三鍵的碳數2~5的烴基或伸苯基;R6、R7可相同亦可為不同,表示氫原子或甲基。)
另外,本發明係關於一種圖案形成方法,其特徵為包含:(1)在基板上塗布感光性樹脂組成物,以形成感光性樹脂組成物層的步驟;(2)將該感光性樹脂組成物層曝光的步驟;(3)以顯影液對曝光結束的感光性樹脂組成物層進行顯影的步驟;及(4)在顯影後使用上述微影用沖洗液進行沖洗的步驟。
藉由使用本發明之微影用沖洗液,可形成圖案崩塌、缺陷及線寬粗糙度等的各種特性皆優良,同時不具有因圖案的細微化而產生的圖案熔融的問題的光阻圖案。該等效果,在使用ArF準分子雷射、EUV曝光裝置等形成高解析度的光阻圖案時特別有用。又,所得之沖洗液的保存穩定性亦優良。
以下,更進一步詳細說明本發明。
本發明的微影用沖洗液,其特徵為包含下述式(I)所示之非離子界面活性劑與水。
(式中,R1、R2可相同亦可為不同,表示氫原子或甲基;R3、R4可相同亦可為不同,表示氫原子、甲基或乙基;R5表示包含雙鍵或三鍵之碳數2~5的烴基或伸苯基;R6、R7可相同亦可為不同,表示氫原子或甲基。)
上述式(I)中,作為R5之包含雙鍵或三鍵的碳數2~5的烴基,可列舉例如:-CH=CH-、-C≡C-、-C≡C-CH2-C≡C-等。
本發明中所使用的式(I)所示之非離子界面活性劑,相對於25℃之水的最大溶解量,較佳為5,000ppm以上。另外,最大溶解量,係指在將添加劑加入25℃的水時,相對於水與加入其中之添加劑的總質量,添加的添加劑全部溶解的最大質量份(ppm)。藉由增加非離子界面活性劑溶於沖洗液的量,可提升圖案崩塌、粗糙度性能。非離子界面活性劑的最大溶解量大的情況下,因為改善該等沖洗液的特性,而可輕易地使沖洗液中含有必要量的界面活性劑。再者,非離子界面活
性劑的最大溶解量大的情況下,無需特別顧慮該沖洗液之保存穩定性的問題,從此點而言亦較佳。
本發明的沖洗液中,上述式(I)所示之非離子界面活性劑的含量,可因應所使用之非離子界面活性劑的種類、欲處理之光阻的種類等而任意決定。該含量,一般而言,係以沖洗液的總質量為基準,較佳為0.02~0.5質量%(200~5,000ppm),更佳為0.05~0.3質量%(500~3,000ppm)。若未滿0.02質量%(200ppm),則發生圖案崩塌界限、粗糙度降低這種問題的傾向變強,而超過0.5質量%(5,000ppm)的情況,則出現常發生膠狀缺陷這種問題的傾向。例如,在使用之界面活性劑相對於25℃之水的最大溶解量未滿500ppm的情況下,若考慮防止圖案崩塌、粗糙度、熔融的效果性能等而在沖洗液中添加超過可溶解的量,則在膠狀缺陷的產生以及沖洗液的保存性等方面,會發生問題。
作為本發明中可較佳使用的上述式(I)所示之非離子界面活性劑的代表,可列舉如下。當然,可用於本發明之式(I)所示的非離子界面活性劑,並不限於該等例示之化合物。
首先,作為R5係包含雙鍵或三鍵之碳數2~5之烴基的非離子界面活性劑,例如,可列舉:3-己烯-2,5-二醇、1,4-丁炔二醇、3-己炔-2,5-二醇、2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、2,4-己二炔-1,6-二醇等。
另外,作為R5係伸苯基的非離子界面活性劑,可列舉例如:1,2-苯二甲醇、1,3-苯二甲醇、p-二甲苯二醇、1,4-雙(甲氧基甲基)苯等。
本發明的微影用沖洗液,可因應需求更包含添加劑。作為此種添加劑,可列舉例如:酸、鹼基、有機溶劑、其他的水溶性化合物等。
酸或鹼基,係用以調整處理液的pH值,或改良添加成分的溶解性。所使用的酸或鹼基,在不損及本發明之效果的範圍內可任意選擇,例如,可列舉:羧酸、胺類、銨化物。該等化合物中,包含脂肪酸、芳香族羧酸、一級胺、二級胺、三級胺、銨化物;該等化合物,亦可以任意的取代基取代。更具體而言,可列舉:甲酸、乙酸、丙酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸、水楊酸、乳酸、蘋果酸、檸檬酸、乙二酸、丙二酸、琥珀酸、富馬酸、馬來酸、烏頭酸、戊二酸、己二酸、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、三異丙醇胺、乙二胺、二乙烯三胺、五乙烯六胺、六氫吡啶、六氫吡、啉、四甲基氫氧化銨等。酸的添加量並未特別限定,但相對於沖洗液的總質量,一般較佳為0.005~0.1質量%(50~1,000ppm);又,鹼基的添加量,相對於沖洗液的總質量,一般較佳為0.01~0.3質量%(100~3,000ppm)。
又,沖洗液中,亦可使用水以外的有機溶劑作為共同溶劑。有機溶劑具有調整沖洗液表面張力的作用,又,亦具有可改善對於光阻表面之潤濕性的情況。能夠用於此種情況的有機溶劑,可選自能夠溶於水的有
機溶劑。具體而言,可列舉:甲醇、乙醇、異丙醇、及三級丁醇等的醇類;乙二醇及二乙二醇等的二醇類;丙酮、甲基乙基酮等的酮類;乙酸甲酯、乙酸乙酯、乳酸乙酯等的酯類;二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、甲基賽路蘇、賽路蘇、丁基賽路蘇、乙酸賽路蘇、乙酸烷基賽路蘇、丙二醇烷基醚、丙二醇烷基醚乙酸酯、丁基卡必醇、卡必醇乙酸酯、四氫呋喃等的溶劑。
然而,因為該等有機溶劑具有溶解構成圖案之光阻或使其變質的情況,故在使用該等有機溶劑的情況下將其限定於少量。具體而言,有機溶劑的含量,以沖洗液的總質量為基準,一般為5質量%以下,較佳為1質量%以下,更佳為0.01~0.3質量%(100~3,000ppm)。然而,為了防止光阻溶解或變質的目的,完全不使用有機溶劑為較佳。
更進一步,作為其他的水溶性化合物,例如,可列舉為了改良添加成分之溶解性而使用的水溶性化合物等。作為此種水溶性化合物的例子,例如,可列舉上述式(I)所示的界面活性劑以外的界面活性劑。其他的界面活性劑,可為非離子界面活性劑、陽離子系界面活性劑、陰離子系界面活性劑、雙性界面活性劑中的任一種,該等之中,較佳為非離子界面活性劑。具體而言,可列舉:日信化學工業製Surfynol(「Surfynol」為註冊商標),ADEKA製Adeka Pluronic(「ADEKA」為註冊商標)。其他界面活性劑的添加量,相對於沖洗液總質量,一般較佳為0.01~0.3質量%(100~3,000ppm)。
本發明之微影用沖洗液中,亦可因應需求,更包含殺菌劑、抗菌劑、防腐劑及/或防霉劑。該等的藥劑,係用以防止細菌或菌類隨著時間在沖洗液中繁殖的情況。該等的例子當中,包含2-苯氧乙醇、異二氫噻唑酮(Isothiazolone)等的醇類。日本曹達股份有限公司於市面上販售的BESTSIDE(商品名),係特別有效的防腐劑、防霉劑及殺菌劑。典型而言,該等藥劑並不會對於微影用沖洗液的性能有所影響,以一般沖洗液的總質量為基準,其含量為0.0001~1質量%(1ppm~10,000ppm),較佳為0.001~0.1質量%(10~1,000ppm)。
本發明之微影用沖洗液,係將上述式(I)所示之非離子性界面活性劑及因應需求添加的其他成分溶解於作為溶劑的水中。本發明的微影用沖洗液,在構成沖洗液的成分溶解之後,可因應需求使用過濾器進行過濾,以去除不溶物。
接著,說明本發明的圖案形成方法。本發明的圖案形成方法中的微影步驟,可為使用以鹼性水溶液顯影之形式的周知的正型或負型感光性樹脂組成物而形成光阻圖案之方法中的任何方法。可列舉下述方法,以舉出本發明之微影用沖洗液所適用之代表性的圖案形成方法。
首先,在因應需求進行預先處理的矽基板、玻璃基板等的基板表面上,藉由以往已知的塗布方法塗布感光性樹脂組成物,以形成感光性樹脂組成物層。亦可在塗布感光性樹脂組成物之前,於基板上塗布形成反
射防止膜,亦可在塗布後的感光性樹脂膜上,塗布形成反射防止膜。藉由在感光性樹脂膜上層或下層形成反射防止膜,可改善剖面形狀及曝光界限。
以本發明之圖案形成方法所使用的鹼性顯影液進行顯影之形式的周知的正型或負型感光性樹脂組成物,作為其代表性的例子,例如,可列舉:包含二疊氮醌系感光劑與鹼性可溶性樹脂者、化學放大型感光性樹脂組成物等。從形成高解析度的細微光阻圖案的觀點而言,較佳為化學放大型感光性樹脂組成物。
作為上述包含二疊氮醌系感光劑與鹼性可溶性樹脂的正型感光性樹脂組成物中所使用的二疊氮醌系感光劑的例子,可列舉:1,2-二疊氮苯醌-4-磺酸、1,2-二疊氮化萘醌-4-磺酸、1,2-二疊氮化萘醌-5-磺酸、該等磺酸的酯或醯胺等;另外,作為鹼性可溶性樹脂的例子,可列舉:酚醛清漆樹脂、聚乙烯苯酚、聚乙烯醇、丙烯酸或甲基丙烯酸的共聚物等。作為酚醛清漆樹脂,可列舉:從酚、鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、二甲酚等的酚類的1種或是2種以上所製造者,以及從甲醛、三聚甲醛等的醛類的1種以上所製造者,以作為較佳的樹脂。
另外,可使用以往已知的任何材料,作為化學放大型的感光性樹脂組成物。化學放大型的感光性樹脂組成物,可列舉:正型化學放大型感光性樹脂組成物,其包含藉由照射活化光線或是放射線而產生酸的化合物(光酸產生劑),以及因從光酸產生劑產生之酸的作用使得極性增大而使得其在曝光區域與未曝光區域中相對顯
影液之溶解性改變的樹脂;或負型的化學放大型感光性樹脂組成物,其包含鹼性可溶性樹脂、光酸產生劑及交聯劑,因為酸的作用而引發交聯劑所造成的樹脂交聯,而在曝光區域與未曝光區域中,改變對於顯影液的溶解性。
作為極性因為該酸的作用而增大且導致在曝光區域與未曝光區域之中對於顯影液之溶解性改變的樹脂,可列舉樹脂的主鏈或側鏈,或是主鏈及側鏈雙方面,具有因酸之作用分解而產生鹼性可溶性基之基團的樹脂。若舉例表示具代表性者,可列舉:在羥苯乙烯系的聚合物(PHS)中,導入縮醛基或縮酮基以作為保護基的聚合物(例如,日本特開平2-141636號公報、日本特開平2-19847號公報、日本特開平4-219757號公報、日本特開平5-281745號公報),導入三級丁氧基羰氧基或對四氫吡喃基氧基作為酸分解基之相同的聚合物(日本特開平2-209977號公報、日本特開平3-206458號公報、日本特開平2-19847號公報),使具有丙烯酸或甲基丙烯酸這種羧酸部位的單體、或分子內具有羥基或氰基的單體與具有脂環式烴基之單體共聚合的樹脂;包含經含脂環式基之構造所保護的鹼性不溶性基,以及該鹼性不溶性基因酸脫離而可溶於鹼的結構單元的酸感應性樹脂(日本特開平9-73173號公報,日本特開平9-90637號,日本特開平10-161313號公報)等。
另外,作為光酸產生劑,只要是藉由活性光線或放射線的照射而產生酸之化合物即可,例如,可列
舉:重氮鹽、銨鹽、鏻鹽、錪鹽、鋶鹽、硒鹽、砷鹽等的鎓鹽;有機鹵化合物、有機金屬/有機鹵化物;具有鄰硝芐基型保護基的光酸產生劑、亞胺基磺酸酯(imino sulfonate)等所代表之進行光分解而產生磺酸的化合物;二磺酸化合物、重氮酮碸(diazoketosulfone)、重氮二磺酸化合物等。另外,亦可使用將該等藉由光產生酸的基或是化合物導入聚合物之主鏈或側鏈的化合物。
更進一步,該化學放大型的感光性樹脂組成物中,亦可因應需求,更包含阻止溶解的酸分解性化合物、染料、可塑劑、界面活性劑、光增感劑、有機鹼基性化合物,及促進對於顯影液之溶解性的化合物等。
上述感光性樹脂組成物,如前所述,藉由旋轉器、塗布機等適當的塗布裝置、塗布方法,被塗布於因應需求設有反射防止膜的矽基板、玻璃基板等的基板上,並例如在加熱板上進行預烤,以去除光阻組成物中的溶劑,而形成光阻膜。預烤溫度,根據使用的溶劑或光阻組成物而有所不同,一般為70~150℃,較佳為90~150℃的溫度,在以加熱板進行預烤的情況中,進行預烤10~180秒鐘,較佳為30~90秒鐘;在潔淨烘箱進行預烤的情況中,可進行1~30分鐘。使用高壓水銀燈、金屬鹵素燈、超高壓水銀燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EUV照射裝置、軟X射線照射裝置、電子束繪圖裝置(electron beam drawing equipment)等周知的照射裝置,因應需求隔著既定光罩,對以上述方法所形成的光阻膜進行曝光。進行曝光後烘烤(PEB;post exposure bake)之後,使用顯影液進行顯影。
作為顯影方法,可採用例如覆液顯影法(paddle lithography)等任意的方法。作為顯影液,可使用一般鹼性顯影液。作為鹼性顯影液,可使用例如氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨(TMAH;tetramethylammonium hydroxide)等的水溶液或水性溶液。顯影之後,馬上使用本發明之沖洗液,進行光阻圖案的沖洗(洗淨)。
本發明的圖案形成方法中,微影用沖洗液與光阻基板接觸的時間,亦即處理時間雖未特別限制,但一般而言,藉由使處理時間在1秒鐘以上,可表現本發明的效果。另外,處理溫度亦可為任意溫度。使沖洗液與光阻接觸的方法亦可為任意方法,例如,可藉由使光阻基板浸漬在沖洗液中、將沖洗液滴至旋轉中的光阻基板表面而進行。
本發明之圖案形成方法中,在顯影之後、以本發明之沖洗液進行處理之前,及/或以本發明之沖洗液進行處理之後,可以純水進行洗淨處理。前者係為了洗淨附著於光阻圖案的顯影液而進行的洗淨處理,後者係為了洗淨沖洗液而進行的洗淨處理。以本發明之沖洗液所進行之沖洗處理的方法,亦可以以往周知的任何方法進行。例如,可藉由將光阻基板浸漬在沖洗液中,或將沖洗液滴至旋轉中的光阻基板表面而進行。亦可將該等方法適當組合而進行。
本發明之圖案形成方法,不具有圖案崩塌界限、缺陷、線寬粗糙度的問題,特別對於細微且具有高縱橫比的光阻圖案,亦能有效地改善圖案崩塌及熔融的
情況。此處,縱橫比係光阻圖案的高度相對於寬度的比例。因此,本發明之圖案形成方法,較佳為組合形成細微之光阻圖案的微影步驟,亦即,包含使用KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、EUV、甚至是X射線、電子束等作為曝光光源,而在250nm以下的曝光波長之下所進行之曝光的微影步驟。再者,若從光阻圖案的圖案尺寸來看,包含形成下述光阻圖案的微影步驟者為較佳:線與間隔之圖案中的線寬、凹槽圖案中的凹槽寬度、接觸孔圖案中的孔徑、點狀圖案中的點徑在300nm以下。特別是在如使用極紫外線(EUV)對化學放大型感光性樹脂組成物進行曝光的超細微圖案形成之中,從防止圖案熔融、防止圖案崩塌、崩塌極限(limit)線寬等的觀點而言,使用本發明之沖洗液的微影為較佳。
以本發明之圖案形成方法所形成的光阻圖案,例如,可作為蝕刻、鍍敷、離子擴散、染色處理等的抗蝕層(resist)使用,之後可因應需求剝離。
以下列舉實施例、比較例,更具體說明本發明,但本發明不因該等實施例與比較例而有任何限定。
將AZ Electronic Materials manufacturing股份有限公司製的底面反射防止膜用組成物AZ Kr-F 17B(「AZ」為註冊商標)旋轉塗布於矽基板上,以180℃、60秒鐘烘烤,製作厚度為80nm的反射防止膜。再將化學放大型KrF光阻組成物AZ DX6270P(AZ Electronic
Materials manufacturing股份有限公司製)旋轉塗布於其上,並以120℃軟烤90秒鐘,而形成厚度620nm的光阻膜。以KrF曝光裝置FPA3000-EX5(佳能股份有限公司製;NA=0.63/1/2Ann.;Mask:HTPSM 6%),隔著尺寸為150nm(L:S=1:1)的光罩,一邊增加曝光量一邊對於所得之基板進行曝光,在以130℃進行90秒鐘的曝光後烘烤(PEB)之後,於AZ 300 MIF顯影液(AZ Electronic Materials manufacturing股份有限公司製;2.38%TMAH水溶液)中進行覆液顯影60秒鐘,在顯影液覆蓋於晶圓上的狀態下,開始以水進行沖洗,一邊旋轉一邊使水沖洗液取代顯影液,在被水覆蓋的狀態下使其停止。之後,在水覆蓋的狀態下,放入包含1,000ppm之3-己烯-2,5-二醇(HXED)的去離子水所構成的沖洗液,進行高速旋轉處理,以使晶圓乾燥。
為了對於所形成之圖案的崩塌極限的極限線寬進行評價,以日立製作所製的電子顯微鏡S9220,對所形成的圖案進行確認。此時,測量對於曝光量的圖案線寬,並將圖案崩塌之前的線寬作為極限線寬(崩塌極限CD)。結果顯示於表1。與使用去離子水作為沖洗液的情況(參照下述比較例1)相比,圖案崩塌界限得到改善。
另外,以下述方法確認上述沖洗液所造成的膠狀缺陷,以進行評價。結果顯示於表1。
將化學放大型KrF光阻組成物AZ DX6270P(AZ Electronic Materials manufacturing股份有
限公司製)旋轉塗布於矽基板上,以120℃軟烤90秒鐘,形成厚度為620nm的光阻膜。在該光阻膜上,塗布經過濾器過濾的沖洗液,並進行高速旋轉處理以使其乾燥。使用KLA Tencor製的缺陷檢査裝置KLA2360,進行缺陷檢査。使用Hitachi High-Technologies製RS5500,確認有無膠狀缺陷。若無膠狀缺陷則評價為「○」,若有則評價為「×」。
實施例1中所使用的沖洗液,未觀察到膠狀缺陷。因此評價為「○」。
接著以下述方法,探討實施例1中所使用之沖洗液的保存穩定性。結果顯示於表1。
以過濾器對調製為既定濃度的沖洗液進行過濾之後,在25℃下靜置1個月。將化學放大型KrF光阻組成物AZ DX6270P(AZ Electronic Materials manufacturing股份有限公司製)旋轉塗布於矽基板上,以120℃軟烤90秒鐘,形成厚度為620nm的光阻膜。在該光阻膜上,塗布保存後的沖洗液,並進行高速旋轉處理以使其乾燥。使用KLA Tencor製的缺陷檢査裝置KLA2360,量測該膜所包含的膠狀、粒子等的所有缺陷的缺陷數量。在與使用去離子水作為保存沖洗液的情況下(比較例1)之缺陷數量的比較之中,試驗沖洗液的缺陷數量與使用去離子水沖洗時的缺陷數量相同,或數量在其以下的情況中,評價為「○」,超過以水為沖洗液的情況則評價為「×」。
又,實施例1中所使用的沖洗液,其在保存後的沖洗液的缺陷數量,與使用去離子水進行沖洗時的缺陷數量相比,其數量相同或在其之下,故評價為「○」。
接著以下述方法,測定3-己烯-2,5-二醇(HXED)對於25℃之水的最大溶解量,以及沖洗液的表面張力。結果顯示於表1。
透明的螺管(screw)之間,改變沖洗液添加劑的量以進行添加,將去離子水作為溶劑,以使整體成為100g的方式製作。之後使用震盪器,在25℃下攪拌10小時以上,在相同溫度下暫時靜置,以目視確認溶解的情形,以無法確認不溶物的最大添加劑量作為最大溶解量(ppm)。
3-己烯-2,5-二醇(HXED)對於25℃之水的最大溶解量,超過10,000ppm。
使用協和界面科學製表面張力計CBVP-Z,測定經調整之沖洗液的表面張力。
含有1,000ppm之3-己烯-2,5-二醇(HXED)的沖洗液,其表面張力為66.5mN/m。
分別使用下述非離子界面活性劑,來代替非離子界面活性劑3-己烯-2,5-二醇(HXED):非離子界面活性劑3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇(DMOD)(實施例2)、2,4-己二炔-1,6-二醇(HXDD)(實施例3)、1,4-丁炔二醇
(BTD)(實施例4)、2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇(DMHD)(實施例5)、3-己炔-2,5-二醇(HXYD)(實施例6)、1,4-雙(甲氧基甲基)苯(DMPX)(實施例7)、p-二甲苯二醇(PXG)(實施例8)、1,2-苯二甲醇(OXG)(實施例9)、1,3-苯二甲醇(MXG)(實施例10);除此之外,以與實施例1相同的方式形成光阻圖案。與實施例1相同地,對於所形成之光阻圖案的崩塌極限的極限線寬進行評價。
另外,以與實施例1相同的方式,確認使用實施例2~10之沖洗液時的膠狀缺陷,以進行評價。更以與實施例1相同的方式,對於實施例2~10中所使用的沖洗液之保存穩定性進行試驗。該等的結果顯示於表1。除了該等的特性試驗,更進一步,亦使用以與實施例1相同的方法,測定添加至實施例2~10之沖洗液的界面活性劑對於25℃之水的最大溶解量,以及實施例2~10之沖洗液的表面張力。結果顯示於表1。
如表1所示,藉由使用實施例1~10所示之本發明的沖洗液,與將去離子水使用為沖洗液的情況(下述為參照比較例1)相比,崩塌極限界限皆改善,在實施例1~10中所使用的沖洗液之中,並未觀察到膠狀缺陷,且保存穩定性亦為良好。另外,實施例2~10中所使用的界面活性劑對於25℃之水的最大溶解量,除了實施例7中所使用的1,4-雙(甲氧基甲基)苯(DMPX),皆超過10,000ppm;而實施例7所使用的1,4-雙(甲氧基甲基)苯(DMPX)亦超過5,000ppm,其最大溶解量的值較大。
除了使用去離子水作為沖洗液,以與實施例1相同的方式,形成光阻圖案。對於所形成之光阻圖案的崩塌極限的極限線寬,以與實施例1相同的方式進行評價。結果顯示於表2。使用去離子水作為沖洗液的情況中,崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD)大於200nm。
另外,對於比較例1的沖洗液(去離子水),以與實施例1相同的方式,確認膠狀缺陷以進行評價,並測定沖洗液的表面張力。結果顯示於表2。又,如同實施例1之<沖洗液的保存穩定性試驗>中所記載,測定將在25℃靜置1個月之去離子水使用為沖洗液時的缺陷數量,並將其作為參考缺陷數量。參考缺陷數量為210。
分別使用下述非離子界面活性劑,代替1,000ppm的非離子界面活性劑3-己烯-2,5-二醇(HXED):Surfynol 104(日信化學工業;SF104)(「Surfynol」
為註冊商標)500ppm(比較例2)、Surfynol 104(日信化學工業;SF104)1,000ppm(比較例3)、3,8-二氧基-5-癸炔-4,7-二醇(DODD)1,000ppm(比較例4)、1,4-環己烷二甲醇(CHDM)1,000ppm(比較例5)、1,4-丁二醇1,000ppm(比較例6)、Surfynol 440(日信化學工業;SF440)1,000ppm(比較例7)、Surfynol 485(日信化學工業;SF485)1,000ppm(比較例8);除此之外,以與實施例1相同的方式,形成光阻圖案。以與實施例1相同的方式,對所形成的光阻圖案的崩塌極限的極限線寬進行評價。結果顯示於表2。
另外,對於比較例2~8的沖洗液,以與實施例1相同的方式,確認膠狀缺陷以進行評價,並且進行沖洗液的保存穩定性試驗、測定各比較例中使用之添加劑對於25℃之水的最大溶解量、以及沖洗液的表面張力。結果顯示於表2。
又,Surfynol 104係2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇;Surfynol 440係Surfynol 104之3.5莫耳之乙二醇的加成物;Surfynol 485係Surfynol 104之30莫耳之乙二醇的加成物。
從表2來看,比較例2、3的沖洗液被認為是因為其對於25℃之水的最大溶解量係未滿500ppm的較低值,故可觀察到膠狀產生或膠狀缺陷,且沖洗液的保存穩定性亦不佳。再者,使用比較例8之沖洗液的情況,添加劑相對於25℃之水的最大溶解量雖為超過10,000ppm的較大值,但可觀察到膠狀缺陷。又,表中雖未顯示,但在比較例4及比較例8之沖洗液中所使用的DODD或SF485,在其添加濃度超過3,000ppm的情況下,保存穩定性為「×」。另外,比較例7中所使用的SF440,其最大溶解度未滿1,500ppm,無法用於其量超過1,500ppm的沖洗液。
從表1、2可得知,藉由使用本發明之式(I)所示之非離子界面活性劑,圖案崩塌界限、缺陷、保存穩定性等的性能中,可得到與使用已知的非離子界面活性劑之沖洗液相同程度以上的特性。另一方面,比較例之中,對於水之溶解性拙劣者,具有在沖洗液之保存穩定性方面、或是產生膠狀缺陷等之的問題。另外,即使在對於水的溶解性沒有問題的情況下,在膠狀缺陷及保存穩定性方面亦具有問題。亦即,可得到下述結果:在使用已知非離子界面活性劑的沖洗液之中,到處可見無法同時改善圖案崩塌界限、膠狀缺陷、保存穩定性之問題者。
將AZ Electronic Materials manufacturing股份有限公司製的底面反射防止膜用組成物AZ Kr-F 17B
旋轉塗布於矽基板上,以180℃烘烤60秒鐘,以製作厚度60nm的反射防止膜。接著將化學放大型PHS-丙烯酸混合系EUV光阻旋轉塗布於其上,於100℃軟烤90秒鐘,以形成厚度80nm的光阻膜。以KrF曝光裝置FPA3000-EX5(佳能股份有限公司製;NA=0.63/Quadro.MASK:HTPSM 6%),隔著尺寸為150nm(L:S=1:1)的光罩,一邊增加曝光量一邊對所得之基板進行曝光,在70℃下進行90秒鐘的曝光後烘烤(PEB)之後,在AZ 300 MIF顯影液(AZ Electronic Materials manufacturing股份有限公司製;2.38%TMAH水溶液)中覆液顯影30秒鐘,在顯影液覆蓋於晶圓上的狀態下,開始以水進行沖洗,一邊旋轉一邊以水沖洗液取代顯影液,在被水覆蓋的狀態下使其停止。之後,在被水覆蓋的狀態下,放入包含1,000ppm之3-己烯-2,5-二醇(HXED)的去離子水所形成的沖洗液,並使其高速旋轉處理,以使晶圓乾燥。
使用日立製作所製的電子顯微鏡S9220,對於所形成之圖案中,100nm以下的圖案形狀進行確認,並使用下述評價基準進行評價。結果顯示於表3。
熔融的評價中,保持圖案的矩形性質,且線寬的改變在10nm以下者,則對於熔融的評價為「無」,未保持圖案之矩形性質的情況下,則對於熔融的評價為「有」。
實施例11中,並未確認熔融的情況,故評價為「無」。
另外,以下述方法測定線寬粗糙度,以進行評價。結果顯示於表3。
以與實施例11相同的方法,在矽基板上形成厚度80nm的化學放大型PHS-丙烯酸混合系EUV光阻膜,並在遮罩上150nm、L/S=1/1處,圖案CD(極限線寬)為100nm附近進行照射(shot)(曝光劑量:80mJ/cm2),以形成圖案,使用日立製作所製的S9220量測線寬粗糙度的長度。確認使用去離子水作為沖洗液時的線寬粗糙度值(6.0nm)是否改善,改善的情況評價為「改善」,未改善的情況則評價為「未改善」,而因為發生膠狀或是熔融而無法評價者,則評價為「發生膠狀」或是「熔融」。
分別使用下述非離子界面活性劑,來取代非離子界面活性劑3-己烯-2,5-二醇(HXED):非離子界面活性劑3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇(DMOD)(實施例12)、2,4-己二炔-1,6-二醇(HXDD)(實施例13)、1,4-丁炔二醇(BTD)(實施例14)、2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇(DMHD)(實施例15)、3-己炔-2,5-二醇(HXYD)(實施例16)、1,4-雙(甲氧基甲基)苯(DMPX)(實施例17)、p-二甲苯二醇(PXG)(實施例18)、1,2-苯二甲醇(OXG)(實施例19)、1,3-苯二甲醇(MXG)(實施例20);除此之外,以與實施例11相同的方式,形成光阻圖案。以與實施例11相同的方式,測定所形成之光阻圖案是否熔融以及其線寬粗糙度,以進行評價。結果顯示於表3。
從表3可明顯得知,實施例11~20的任一例中,並無熔融的情形,另外,與使用去離子水作為沖洗液的情況(參照比較例9)相比,已改善其線寬粗糙度。
使用去離子水作為沖洗液,以與實施例11相同的方式,形成光阻圖案。與實施例11相同地,對於所形成之光阻圖案是否熔融進行評價。另外,與實施例11相同地測定線寬粗糙度的值。結果顯示於表4。又,在以去離子水作為沖洗液時的線寬粗糙度為6.0nm。
分別使用下述非離子界面活性劑,代替1,000ppm之非離子界面活性劑3-己烯-2,5-二醇(HXED):Surfynol 104(SF104)500ppm(比較例10)、Surfynol 104(SF104)1,000ppm、(比較例11)3,8-二氧基-5-癸炔-4,7-二醇(DODD)1,000ppm(比較例12)、1,4-環己烷二甲醇(CHDM)1,000ppm(比較例13)、1,4-丁二醇1,000ppm(比較例14)、Surfynol 440(SF440)1,000ppm(比
較例15)、Surfynol 485(SF485)1,000ppm(比較例16);除此之外,以與實施例11相同的方式形成光阻圖案。以與實施例11相同的方式,測定形成之光阻圖案是否熔融,並測定其線寬粗糙度,以進行評價。結果顯示於表4。
從表4可得知,使用對於25℃之水的最大溶解量低為未滿500ppm(參照表2)之SF104的比較例11中,因為添加量大幅超過SF104的最大溶解量(500ppm),故產生膠狀而無法使用。另外,比較例12~16中,皆發生熔融的情形。又,在使用含有500ppm的SF104之沖洗液的比較例10中,無熔融的情形,線寬粗糙度亦獲改善,但如表2所示,仍然具有產生膠狀缺陷、保存穩定性不良的問題。
以上,根據表1~4,顯示藉由使用本發明之式(I)所示的非離子界面活性劑,在圖案崩塌界限、缺陷、線寬粗糙度等的性能方面,能達到與使用以往的非離子界面活性劑之沖洗液相同程度,或是更加改善圖案崩塌界限、缺陷、線寬粗糙度等的特性,並且同時改善在以
往細微圖案中顯著的圖案熔融的問題,更具有良好的沖洗液的保存穩定性。另一方面,比較例的沖洗液中,即使是圖案崩塌界限、缺陷、線寬粗糙度等的性能方面沒有問題的情況下,亦具有熔融的問題、最大溶解量過小而產生膠狀,或是膠狀缺陷及保存穩定性的問題等。另外,本發明的沖洗液即使具有高表面張力但仍改善了圖案崩塌。
使3-己烯-2,5-二醇(HXED)的含量為200ppm(實施例21)、500ppm(實施例22)、2,000ppm(實施例23)、3,000ppm(實施例24)、5,000ppm(實施例25),除此之外,以與實施例1相同的方式,形成光阻圖案。以與實施例1相同的方式,測定所形成之光阻圖案的崩塌極限的極限線寬,確認並評價使用之沖洗液中的缺陷,以及測定沖洗液的保存穩定性。結果如表5所示。又,為了作為參考,亦在表5中記載實施例1。
從表5可得知,實施例21~25中,與實施例1相同,與使用去離子水作為沖洗液的情況相比,在圖案崩塌界限、膠狀缺陷、保存穩定性方面,皆得到良好的結果。
使3-己烯-2,5-二醇(HXED)的含量為200ppm(實施例26)、500ppm(實施例27)、2,000ppm(實施例28)、3,000ppm(實施例29)、5,000ppm(實施例30),除此之外,以與實施例11相同的方式,形成光阻圖案。以與實施例11相同的方式,對於所形成之光阻圖案是否熔融,以及其線寬粗糙度進行評價。結果顯示於表6。又,為了作為參考,表6中亦記載實施例11。
從表6可得知,實施例26~30中,與實施例11相同,並未熔融,另外,線寬粗糙度亦改善。另外,保存穩定性亦為良好。
使用含有3-己烯-2,5-二醇(HXED)1,000ppm及乙酸100ppm的沖洗液,代替含有3-己烯-2,5-二醇(HXED)1,000ppm的沖洗液,除此之外,以與實施例1、實施例11相同的方式,形成光阻圖案。以與實施例1及實施例11相同的方式,對於該等的崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD)、膠狀缺陷、沖洗液的保存性、是否熔融、
線寬粗糙度的測定進行評價。又,與實施例1及實施例11相同,係在DX6270P上進行崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD)及膠狀缺陷的評價,另外,係在EUV光阻上進行圖案熔融及線寬粗糙度的評價。結果顯示於表7。
使用下述化合物代替乙酸100ppm:單乙醇胺1,000ppm(實施例32)、2-丙醇1,000ppm(實施例33)、Adeka Pluronic L-64 100ppm(實施例34)、乙酸100ppm與單乙醇胺1,000ppm(實施例35)、乙酸100ppm與2-丙醇1,000ppm(實施例36)、單乙醇胺1,000ppm與Adeka Pluronic L-64 100ppm(實施例37)、2-丙醇1,000ppm與Adeka PluronicL-64 100ppm(實施例38);除此之外,以與實施例31相同的方式,分別形成光阻圖案,並以與實施例31相同的方式,測定崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD)、膠狀缺陷、沖洗液的保存性、是否熔融、線寬粗糙度,以進行評價。結果顯示於表7。
又,Adeka Pluronic L-64(股份有限公司ADEKA),係下述式所示的化合物。
從表7可得知,即使在本發明的沖洗液中,更添加酸、鹼、有機溶劑及/或其他界面活性劑的情況下,於圖案崩塌界限、缺陷、線寬粗糙度等的性能方面,與使用以往的非離子界面活性劑之沖洗液為相同程度,或是更加改善該等特性,另外,同時可得到改善以往細微圖案中變得顯著之圖案熔融的效果。
將六甲基二矽氮烷(HMDS;hexamethyldisilazane)於矽基板上,以90℃處理60秒鐘。接著將化學放大型PHS-丙烯酸混合系EUV光阻旋轉塗布於其上,以110℃軟烤60秒鐘,形成厚度50nm的光阻膜。使用EUV曝光裝置ASML製
NXE-3100(NA=0.25,dipole),隔著尺寸為24nm(L:S=1:1)的光罩,一邊增加曝光量,一邊對所得之基板進行曝光,在100℃進行60秒鐘的曝光後烘烤(PEB)之後,於2.38%TMAH水溶液中,進行覆液顯影30秒鐘,在顯影液覆蓋於晶圓上的狀態下,開始以水進行沖洗,一邊旋轉,一邊以水沖洗液取代顯影液,而在被水覆蓋的狀態下使其停止。之後,在被水覆蓋的狀態下,放入包含1,000ppm之3-己烯-2,5-二醇(HXED)的去離子水所形成的沖洗液,使其高速旋轉處理,以將晶圓乾燥。藉由下述測定法,測定崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD),以進行評價。結果顯示於表8。
對於所形成之圖案,使用Applied Materials製的電子顯微鏡Verity-4i,在24nm、L/S=1/1之處,測量相對於曝光量的圖案尺寸(CD),將圖案崩塌前的極限線寬作為崩塌極限CD。另外,圖案皆崩塌的情況,評價為「皆崩塌」,無法保持所有圖案之矩形性質的情況,評價為「皆熔融」。
實施例39中所形成的光阻圖案的崩塌極限之極限線寬為17.2nm。
另外,對於上述形成的圖案,以下述方法確認是否熔融,以進行評價。結果顯示於表8。
對於所形成的圖案,使用Applied Materials製的電子顯微鏡Verity-4i,觀測遮罩上24nm、L/S=1/1(曝
光劑量(Dose):44mJ/cm2以上)的照射(shot),確認圖案是否溶解,將保持圖案矩形性者的熔融情形評價為「無」,所有圖案皆發生熔融之情況則評價為「有」,而在圖案產生膨潤之情況而無法進行評價的情況,則評價為「圖案產生膨潤」。
實施例39的圖案中,並未確認熔融的情形,故評價為「無」。
再者,針對上述所形成的圖案,測定其線寬粗糙度,以進行評價。結果顯示於表8。
使用Applied Materials製電子顯微鏡Verity-4i,對於遮罩上24nm L/S=1/1(曝光量(Dose):38mJ/cm2)的照射(shot),量測其線寬粗糙度的長度。確認對於使用去離子水作為沖洗液時的線寬粗糙度值(4.5nm)的改善情況,有改善的情況評價為「改善」,未改善的情況則評價為「未改善」,所有圖案皆發生熔融而無法評價的情況,則評價為「皆熔融」。
實施例39中,線寬粗糙度改善,而評價為「改善」。
分別使用下述非離子界面活性劑,代替非離子界面活性劑3-己烯-2,5-二醇(HXED)1,000ppm:非離子界面活性劑3-己烯-2,5-二醇(HXED)500ppm(實施例40)、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇(DMOD)1,000ppm(實施例41)、3-己烯-2,5-二醇(HXED)1,000ppm及Adeka Pluronic 100ppm(實施例42);除此之外,以與實施例39
相同的方式,形成光阻圖案。以與實施例39相同的方式,測定所形成之光阻圖案的崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD)、是否熔融、線寬粗糙度,以進行評價。結果顯示於表8。
從表8可得知,使用本發明的沖洗液,未發生熔融,另外,亦可在經改善的線寬粗糙度之下,以EUV曝光形成超細微圖案。
使用去離子水作為沖洗液,除此之外,以與實施例39相同的方式,形成光阻圖案,對於所形成的光阻圖案的崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD)進行長度測量。另外,以與實施例39相同的方式,對於所形成之光阻圖案是否熔融,以及其線寬粗糙度進行評價。結果顯示於表9。
分別使用下述非離子界面活性劑,代替非離子界面活性劑3-己烯-2,5-二醇(HXED)1,000ppm:Surfynol 104(SF104)500ppm(比較例18)、1,4-丁二醇1,000ppm(比較例19)、Surfynol 440(SF440)1,000ppm(比
較例20)、Surfynol 485(SF485)1,000ppm(比較例21);除此之外,以與實施例39相同的方式,形成光阻圖案。與實施例39相同地,測定對於所形成的光阻圖案的崩塌極限的極限線寬(崩塌極限CD)、是否熔融、以及其線寬粗糙度進行評價。結果顯示於表9。
如表9所示,除了比較例18以外的其他比較例中,發生圖案崩塌、圖案膨潤或是熔融的情況。又,比較例18中所使用的沖洗液,如表2所示,具有產生膠狀以及保存穩定性的問題,另外,與本發明之沖洗液相比,其崩塌極限的極限線寬並不足夠。
Claims (8)
- 一種微影用沖洗液,其特徵為包含:下述式(I)所示之非離子界面活性劑;及水,
- 如請求項1之微影用沖洗液,其中該式(I)所示之非離子界面活性劑對於25℃之水的最大溶解量為5,000ppm以上。
- 如請求項1或2之微影用沖洗液,其中該式(I)所示之非離子界面活性劑,係選自3-己烯-2,5-二醇、1,4-丁炔二醇、3-己炔-2,5-二醇、2,5-二甲基-3-己炔-2,5-二醇、3,6-二甲基-4-辛炔-3,6-二醇、2,4-己二炔-1,6-二醇、1,2-苯二甲醇、1,3-苯二甲醇、對二甲苯二醇以及1,4-雙(甲氧基甲基)苯中的至少1種。
- 如請求項1至3中任一項之微影用沖洗液,其中,在沖洗液中含有0.02~0.5質量%的式(I)所示之非離子界面活性劑。
- 如請求項1至4中任一項之微影用沖洗液,其中更包含:酸、鹼基、有機溶劑及式(I)所示之界面活性劑以外的界面活性劑中的至少1種。
- 如請求項1至5中任一項之微影用沖洗液,其中更包含:殺菌劑、抗菌劑、防腐劑及防霉劑中的至少1種。
- 一種圖案形成方法,其特徵為包含:(1)在基板上塗布感光性樹脂組成物,以形成感光性樹脂組成物層的步驟;(2)將該感光性樹脂組成物層曝光的步驟;(3)以顯影液將完成曝光的感光性樹脂組成物層顯影的步驟;(4)顯影後,使用如請求項1~6中任一項之微影用沖洗液進行沖洗的步驟。
- 如請求項7之圖案形成方法,其中該感光性樹脂組成物為化學放大型感光性樹脂組成物,另外,在該曝光中使用極紫外線。
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