JP3505117B2 - 洗浄剤組成物 - Google Patents
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- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子類の製造
工程に用いられるスピン−オン−ガラス及び感光性樹脂
組成物の除去用洗浄剤（ｔｈｉｎｎｅｒ）組成物に関
し、特に、層間絶縁膜の形成に用いられるシロキサン結
合を有する有機けい素化合物のオリゴマー溶液を基板に
回転塗布する時に発生するスピン−オン−ガラス（ｓｐ
ｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ；以下ＳＯＧという）の膜中の
不必要なエッジ部分のＳＯＧ及び基板の背面のＳＯＧを
洗浄除去するか、または、フォトリソグラフィー工程に
おいてマスクとして用いられる感光性樹脂組成物のうち
の端部エッジ部分の感光膜及び基板の背面の感光膜を洗
浄除去するのに用いることができる洗浄剤組成物に関す
る。
工程に用いられるスピン−オン−ガラス及び感光性樹脂
組成物の除去用洗浄剤（ｔｈｉｎｎｅｒ）組成物に関
し、特に、層間絶縁膜の形成に用いられるシロキサン結
合を有する有機けい素化合物のオリゴマー溶液を基板に
回転塗布する時に発生するスピン−オン−ガラス（ｓｐ
ｉｎ−ｏｎ−ｇｌａｓｓ；以下ＳＯＧという）の膜中の
不必要なエッジ部分のＳＯＧ及び基板の背面のＳＯＧを
洗浄除去するか、または、フォトリソグラフィー工程に
おいてマスクとして用いられる感光性樹脂組成物のうち
の端部エッジ部分の感光膜及び基板の背面の感光膜を洗
浄除去するのに用いることができる洗浄剤組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】大規模の半導体集積回路素子（Ｌａｒｇ
ｅＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ；以
下、ＬＳＩという）の微細化、高集積化及び多層化が進
むことにより、素子の幅と素子の間隔、即ち、金属配線
の幅の間の間隔がさらに減少している。これに比べて、
金属配線などの素子の高さは配線の抵抗及び電流の密度
を高めることができない理由で殆ど減少していない。し
たがって、金属配線間の横方向の側間が極度に狭まるこ
とによって配線の高さは自然に高まった形状をなすよう
になった。このような配線は異方性の強いエッチングで
形成されるので配線の段差は激しい傾斜を有するように
なり、配線の多層化によって配線の交差及び溝の数が増
大し、ＬＳＩチップの表面の段差がさらに大きくなっ
た。
ｅＳｃａｌｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ；以
下、ＬＳＩという）の微細化、高集積化及び多層化が進
むことにより、素子の幅と素子の間隔、即ち、金属配線
の幅の間の間隔がさらに減少している。これに比べて、
金属配線などの素子の高さは配線の抵抗及び電流の密度
を高めることができない理由で殆ど減少していない。し
たがって、金属配線間の横方向の側間が極度に狭まるこ
とによって配線の高さは自然に高まった形状をなすよう
になった。このような配線は異方性の強いエッチングで
形成されるので配線の段差は激しい傾斜を有するように
なり、配線の多層化によって配線の交差及び溝の数が増
大し、ＬＳＩチップの表面の段差がさらに大きくなっ
た。
【０００３】このように凹凸の激しい表面に配線を形成
する場合、配線パターンのエッチングの時に段差の側壁
部にエッチング残渣が発生して短絡することもある。こ
のような問題を解決するために配線層間の段差を最小に
平坦化する必要性が増大した。特に、第１アルミニウム
配線層の上の層間の絶縁膜の表面が十分に平坦化しない
場合、その上層の配線の短絡及び信頼性の試験における
不良を引き起こす原因となる。
する場合、配線パターンのエッチングの時に段差の側壁
部にエッチング残渣が発生して短絡することもある。こ
のような問題を解決するために配線層間の段差を最小に
平坦化する必要性が増大した。特に、第１アルミニウム
配線層の上の層間の絶縁膜の表面が十分に平坦化しない
場合、その上層の配線の短絡及び信頼性の試験における
不良を引き起こす原因となる。
【０００４】このように、半導体の多層配線の工程にお
ける配線と配線との中間絶縁層の役割と、次の配線の工
程の前の配線を平坦化する目的で用いられるシロキサン
オリゴマー溶液をＳＯＧと総称し、このＳＯＧの一般的
な構造は下記の化学式１に表示されたように−Ｓｉ−Ｏ
−Ｓｉ−の主鎖にアルキル基の側鎖が結合した構造であ
る。
ける配線と配線との中間絶縁層の役割と、次の配線の工
程の前の配線を平坦化する目的で用いられるシロキサン
オリゴマー溶液をＳＯＧと総称し、このＳＯＧの一般的
な構造は下記の化学式１に表示されたように−Ｓｉ−Ｏ
−Ｓｉ−の主鎖にアルキル基の側鎖が結合した構造であ
る。
【０００５】
【化１】
前記式において、ｎは１以上の整数である。
【０００６】前記ＳＯＧは文献（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ Ｖｏｌ．Ａ９Ｎｏ．５，１９９１，ｐ２６９
６）と特許公報（特開昭６２−２３０８２８号、特開平
７−２４２７４７号、及び特開平９−２６０３８４号公
報）などに開示されている。
Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌｏｇｙ Ｖｏｌ．Ａ９Ｎｏ．５，１９９１，ｐ２６９
６）と特許公報（特開昭６２−２３０８２８号、特開平
７−２４２７４７号、及び特開平９−２６０３８４号公
報）などに開示されている。
【０００７】また、半導体の装備においてパターニング
（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）が可能な絶縁膜の上でＳＯＧ
に感光性の特性を付与した材料が提案されたことがあ
り、これは特開平９−３６１１０号及び特開平８−２０
３８７６号などに開示されている。
（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）が可能な絶縁膜の上でＳＯＧ
に感光性の特性を付与した材料が提案されたことがあ
り、これは特開平９−３６１１０号及び特開平８−２０
３８７６号などに開示されている。
【０００８】層間の絶縁膜の形成にはシロキサン結合を
有した有機けい素化合物のオリゴマー溶液を基板の上に
回転塗布、焼成させると、加熱縮重合により酸化けい素
質の絶縁膜となる。このようなＳＯＧは溶液を用いたプ
ロセスとして微細な配線の間にも液が進入して段差を減
少させる平坦化が行われ、縮重合が４００℃以下で進む
のでプロセスの低温化が可能となる。また、得られる絶
縁膜が酸化けい素の膜質であるので、従来のエッチング
などの加工技術の適用が可能となる。
有した有機けい素化合物のオリゴマー溶液を基板の上に
回転塗布、焼成させると、加熱縮重合により酸化けい素
質の絶縁膜となる。このようなＳＯＧは溶液を用いたプ
ロセスとして微細な配線の間にも液が進入して段差を減
少させる平坦化が行われ、縮重合が４００℃以下で進む
のでプロセスの低温化が可能となる。また、得られる絶
縁膜が酸化けい素の膜質であるので、従来のエッチング
などの加工技術の適用が可能となる。
【０００９】このようなＳＯＧ溶液を基板に回転塗布し
て膜を形成する工程は下記のフォトリソグラフィーの工
程通りであり、回転塗布の時に基板に発生するＳＯＧ膜
の中の不必要なエッジ部分のＳＯＧ及び基板の背面のＳ
ＯＧを洗浄除去する工程は必須である。
て膜を形成する工程は下記のフォトリソグラフィーの工
程通りであり、回転塗布の時に基板に発生するＳＯＧ膜
の中の不必要なエッジ部分のＳＯＧ及び基板の背面のＳ
ＯＧを洗浄除去する工程は必須である。
【００１０】洗浄剤組成物はこのような基板の端部エッ
ジ部位と背面部位のＳＯＧを迅速で完全に除去すること
ができる。また、微細回路パターンの具現のためのフォ
トリソグラフィー工程のマスクとして用いられる感光性
樹脂の組成物を回転塗布する時に発生する不必要な感光
膜の除去に有用である。
ジ部位と背面部位のＳＯＧを迅速で完全に除去すること
ができる。また、微細回路パターンの具現のためのフォ
トリソグラフィー工程のマスクとして用いられる感光性
樹脂の組成物を回転塗布する時に発生する不必要な感光
膜の除去に有用である。
【００１１】一方、半導体の素子類の製造工程のうちで
フォトリソグラフィー工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒ
ａｐｈｙ）とは、基板に感光膜を塗布し、事前に設計さ
れた通りのパターンを転写し、転写されたパターンによ
って適切に切り出すエッチング工程を通じて電子回路を
構成する作業である。
フォトリソグラフィー工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒ
ａｐｈｙ）とは、基板に感光膜を塗布し、事前に設計さ
れた通りのパターンを転写し、転写されたパターンによ
って適切に切り出すエッチング工程を通じて電子回路を
構成する作業である。
【００１２】このようなフォトリソグラフィー工程は、
ａ）基板の表面に感光性樹脂の組成物を均一に塗布する
塗布工程； ｂ）塗布された感光膜から溶剤を蒸発させて感光膜がウ
ェーハの表面に固着するようにするソフトベーキング
（ｓｏｆｔｂａｋｉｎｇ）工程； ｃ）紫外線などの光源を用いてマスク上の回路パターン
を繰り返して、また、順次に縮小投影しながら基板を露
光してマスクのパターンを基板上に転写する露光工程； ｄ）光源への露出による感光によって生じる溶解度の差
のような物理的な性質が異なる部分を現像液を用いて選
択的に除去する現像工程； ｅ）現像作業の後に基板の上に残留する感光膜をさらに
強く固着するためのハードベーキング（ｈａｒｄｂａｋ
ｉｎｇ）工程； ｆ）現像された基板のパターンによって電気的な特性を
付与するために所定の部位をエッチングするエッチング
工程；及び ｇ）前記工程の後、不必要となった感光膜を除去する剥
離工程などに進む。
塗布工程； ｂ）塗布された感光膜から溶剤を蒸発させて感光膜がウ
ェーハの表面に固着するようにするソフトベーキング
（ｓｏｆｔｂａｋｉｎｇ）工程； ｃ）紫外線などの光源を用いてマスク上の回路パターン
を繰り返して、また、順次に縮小投影しながら基板を露
光してマスクのパターンを基板上に転写する露光工程； ｄ）光源への露出による感光によって生じる溶解度の差
のような物理的な性質が異なる部分を現像液を用いて選
択的に除去する現像工程； ｅ）現像作業の後に基板の上に残留する感光膜をさらに
強く固着するためのハードベーキング（ｈａｒｄｂａｋ
ｉｎｇ）工程； ｆ）現像された基板のパターンによって電気的な特性を
付与するために所定の部位をエッチングするエッチング
工程；及び ｇ）前記工程の後、不必要となった感光膜を除去する剥
離工程などに進む。
【００１３】このようなフォトリソグラフィー工程を通
じて究極的に半導体の集積回路を製作するために基板の
上に多数の微細回路を形成する。このような工程のうち
に回路配線の間の微細な間隔のために、外部の粒子、た
とえば、粒子が導入されることを防止しなければならな
い。基板の上に存在する粒子はエッチングやイオンの注
入などのような後続工程において様々な不良を発生させ
ることがあり、これによって全体工程の収率の低下を招
くようになる。このような粒子の流入の主な発生箇所が
感光液で塗布された基板の周辺に球形で存在する、未使
用の感光液である。
じて究極的に半導体の集積回路を製作するために基板の
上に多数の微細回路を形成する。このような工程のうち
に回路配線の間の微細な間隔のために、外部の粒子、た
とえば、粒子が導入されることを防止しなければならな
い。基板の上に存在する粒子はエッチングやイオンの注
入などのような後続工程において様々な不良を発生させ
ることがあり、これによって全体工程の収率の低下を招
くようになる。このような粒子の流入の主な発生箇所が
感光液で塗布された基板の周辺に球形で存在する、未使
用の感光液である。
【００１４】前記フォトリソグラフィー工程のうちで基
板の上に感光膜を供給して基板を回転させて遠心力によ
って表面に均一に拡散するようにする回転塗布工程を用
いた後に、このような球形の感光物質が発生するように
なる。このような回転塗布工程は基板の端部の部位と背
面に遠心力によって偏った感光膜が一部分に集まるよう
になって小さい球形の物質を形成する。この球形の物質
はベーキング工程を経た後、基板の移送途中に剥離し、
装置内のパーティクルの原因となったり、露光の時のデ
ィフォーカス（ｄｅｆｏｃｕｓ）の原因になったりす
る。このような不必要な感光物質が装備汚染の原因とな
って半導体素子類の製造工程の収率を低下させるので、
これを除去するために基板のエッジ部分と背面の上下に
噴射ノズルを設置し、ノズルを通してエッジ部分と背面
に有機溶剤の成分から構成された洗浄剤組成物を噴射し
て、これを除去している。
板の上に感光膜を供給して基板を回転させて遠心力によ
って表面に均一に拡散するようにする回転塗布工程を用
いた後に、このような球形の感光物質が発生するように
なる。このような回転塗布工程は基板の端部の部位と背
面に遠心力によって偏った感光膜が一部分に集まるよう
になって小さい球形の物質を形成する。この球形の物質
はベーキング工程を経た後、基板の移送途中に剥離し、
装置内のパーティクルの原因となったり、露光の時のデ
ィフォーカス（ｄｅｆｏｃｕｓ）の原因になったりす
る。このような不必要な感光物質が装備汚染の原因とな
って半導体素子類の製造工程の収率を低下させるので、
これを除去するために基板のエッジ部分と背面の上下に
噴射ノズルを設置し、ノズルを通してエッジ部分と背面
に有機溶剤の成分から構成された洗浄剤組成物を噴射し
て、これを除去している。
【００１５】化学増幅型のレジストの実際的な面を見る
と次の通りである。ノボラック（ｎｏｖｏｌａｋ）フェ
ノール樹脂を用いた化学増幅型のレジストを用いるパタ
ーンの形成方法において、露光の光源が従来のｇ／ｉ−
ｌｉｎｅ光源からエキシマレーザ光源に変更する時、バ
インダー樹脂及び架橋樹脂による吸収の影響が生じて形
成されるパターンが逆ティパーになる問題があることが
報告された（Ｊｏｕｒｎａｌ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．，Ｖｏｌ．Ｂ７，ｐ１
７７１，１９８９）。
と次の通りである。ノボラック（ｎｏｖｏｌａｋ）フェ
ノール樹脂を用いた化学増幅型のレジストを用いるパタ
ーンの形成方法において、露光の光源が従来のｇ／ｉ−
ｌｉｎｅ光源からエキシマレーザ光源に変更する時、バ
インダー樹脂及び架橋樹脂による吸収の影響が生じて形
成されるパターンが逆ティパーになる問題があることが
報告された（Ｊｏｕｒｎａｌ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅ
ｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．，Ｖｏｌ．Ｂ７，ｐ１
７７１，１９８９）。
【００１６】これに対する対案として、ポジティブ型化
学増幅形のレジストが提案され、これは文献（Ｐｒｏ
ｃ．ＳＰＩＥ．，Ｖｏｌ．１２６２，ｐ３２，１９９
０）に記載されている。この化学増幅型のレジストは放
射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸によって
反応する化合物を含む多成分組成物である。酸によって
反応する高分子化合物としては下記の化学式２で示され
る構造をもったものが知られている。
学増幅形のレジストが提案され、これは文献（Ｐｒｏ
ｃ．ＳＰＩＥ．，Ｖｏｌ．１２６２，ｐ３２，１９９
０）に記載されている。この化学増幅型のレジストは放
射線が照射されると酸を発生する酸発生剤と酸によって
反応する化合物を含む多成分組成物である。酸によって
反応する高分子化合物としては下記の化学式２で示され
る構造をもったものが知られている。
【００１７】
【化２】
前記式において、ｎは１以上の整数であり、Ｒはアルコ
キシカルボニル基、アルキル基、アルコキシアルキル
基、アルキルシリル基、テトラヒドロピラニル（ｔｅｔ
ｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｙｌ）基、アルコキシカルボ
ニルメチル基などであり、酸によって容易に分解反応を
引き起こす化合物である。
キシカルボニル基、アルキル基、アルコキシアルキル
基、アルキルシリル基、テトラヒドロピラニル（ｔｅｔ
ｒａｈｙｄｒｏｐｙｒａｎｙｌ）基、アルコキシカルボ
ニルメチル基などであり、酸によって容易に分解反応を
引き起こす化合物である。
【００１８】このようなポリビニルフェノール誘導体の
ように、短波長領域の光吸収率の低い高分子の化合物を
主成分とし、このために化学増幅型のレジストはさらに
透明になり、酸触媒による連鎖反応によってレジストの
反応が進むので高感度を有すると同時に解像度が優れて
いる。
ように、短波長領域の光吸収率の低い高分子の化合物を
主成分とし、このために化学増幅型のレジストはさらに
透明になり、酸触媒による連鎖反応によってレジストの
反応が進むので高感度を有すると同時に解像度が優れて
いる。
【００１９】上述したように、ポリビニルフェノール誘
導体はエキシマレーザ光線に対する透過性が高いため
に、下部の基板からの光の反射による膜の内部の多重反
射の効果を強く受ける。膜内部の多重反射の効果は図５
のように照射された光１と下部の基板２からの反射光と
の干渉によって発生する。図６を見ると、レジスト膜の
厚さが変動によってパターンの大きさが大きく変化する
ことがわかる。
導体はエキシマレーザ光線に対する透過性が高いため
に、下部の基板からの光の反射による膜の内部の多重反
射の効果を強く受ける。膜内部の多重反射の効果は図５
のように照射された光１と下部の基板２からの反射光と
の干渉によって発生する。図６を見ると、レジスト膜の
厚さが変動によってパターンの大きさが大きく変化する
ことがわかる。
【００２０】これとは別に、露光する時の照射源の種類
によっても様々な問題が発生する。たとえば、水銀光で
露光する場合には、半導体基板の上の段差に起因する反
射光の干渉作用が、パターンの大きさに大きな影響を与
える。このフォトリソグラフィー工程における基板に凹
凸や段差がある場合、入射した光が段差の部分で乱反射
を引き起こして、いわゆるハレーション（ｈａｌａｔｉ
ｏｎ）現象が発生し、パターン現像の流れが生じて良好
なレジストパターンが形成されない。
によっても様々な問題が発生する。たとえば、水銀光で
露光する場合には、半導体基板の上の段差に起因する反
射光の干渉作用が、パターンの大きさに大きな影響を与
える。このフォトリソグラフィー工程における基板に凹
凸や段差がある場合、入射した光が段差の部分で乱反射
を引き起こして、いわゆるハレーション（ｈａｌａｔｉ
ｏｎ）現象が発生し、パターン現像の流れが生じて良好
なレジストパターンが形成されない。
【００２１】そして、基板の上部と下部とではレジスト
層の膜の厚さが異なるので、レジスト層内の光の干渉状
態が変化してパターンの大きさの変動を引き起こす。ま
た、エキシマレーザ露光を行う場合には、電子の後方散
乱による近接効果が生じるので、微細なパターンの高さ
と幅との比を調節することができない。
層の膜の厚さが異なるので、レジスト層内の光の干渉状
態が変化してパターンの大きさの変動を引き起こす。ま
た、エキシマレーザ露光を行う場合には、電子の後方散
乱による近接効果が生じるので、微細なパターンの高さ
と幅との比を調節することができない。
【００２２】基板の表面の凹凸によって生じるこれらの
問題を解決する方法の一つとして、ＳＯＧ膜を用いた多
層レジストシステムが提案された（特開平３−２０３２
４０号）。多層レジストシステムは基板の表面の上に吸
光性の高い、厚い第１有機レジスト層を全体の面に塗布
し、前記基板の表面の凹凸や段差を平坦にした後、その
上に周知のフォトリソグラフィーの技術を用いて薄い第
２レジストパターンを形成し、このレジストパターンを
前記厚い第１有機レジスト層に転写して前記基板の露出
された部分をエッチングする方法である。前記第２レジ
ストパターンをマスクとして用いて厚い第１有機レジス
ト層を直接エッチングすることもできるが、両層の間に
耐エッチング性の大きいＳＯＧのような中間層を形成
し、このＳＯＧ中間層の必要のない部分を除去した後、
このＳＯＧ膜をマスクとして用いて第１有機レジスト層
の露出部分をエッチングしてもよい。多層レジストシス
テムにおいては、基板の表面の凹凸や段差は吸光性の高
い第１有機レジスト層で平坦になっているので、その上
に形成された第２レジスト膜を上部から通過した光は第
１有機レジスト層によって吸収される。したがって、基
板の表面から光の反射、散乱に起因するハレーション現
象やレジスト膜内における光の干渉現象を低減すること
ができ、パターン形状の流れや大きさの変動を抑制する
ことができる。
問題を解決する方法の一つとして、ＳＯＧ膜を用いた多
層レジストシステムが提案された（特開平３−２０３２
４０号）。多層レジストシステムは基板の表面の上に吸
光性の高い、厚い第１有機レジスト層を全体の面に塗布
し、前記基板の表面の凹凸や段差を平坦にした後、その
上に周知のフォトリソグラフィーの技術を用いて薄い第
２レジストパターンを形成し、このレジストパターンを
前記厚い第１有機レジスト層に転写して前記基板の露出
された部分をエッチングする方法である。前記第２レジ
ストパターンをマスクとして用いて厚い第１有機レジス
ト層を直接エッチングすることもできるが、両層の間に
耐エッチング性の大きいＳＯＧのような中間層を形成
し、このＳＯＧ中間層の必要のない部分を除去した後、
このＳＯＧ膜をマスクとして用いて第１有機レジスト層
の露出部分をエッチングしてもよい。多層レジストシス
テムにおいては、基板の表面の凹凸や段差は吸光性の高
い第１有機レジスト層で平坦になっているので、その上
に形成された第２レジスト膜を上部から通過した光は第
１有機レジスト層によって吸収される。したがって、基
板の表面から光の反射、散乱に起因するハレーション現
象やレジスト膜内における光の干渉現象を低減すること
ができ、パターン形状の流れや大きさの変動を抑制する
ことができる。
【００２３】多層レジストシステムを用いる方法は、マ
スクとしてレジストパターンの特徴を左右する第１のレ
ジスト層と感光性と分解能とに必要な第２のレジスト層
とを自由自在に結合することができるので、フォトリソ
グラフィーにおける高度の応用が可能であるという利点
がある。たとえば、ドライエッチングに対する抵抗の特
性が優れている第１レジスト層と３００nm以下の波長の
遠紫外線エキシマレーザ光に高感度と高い分解能とを有
する第２の感光性レジストとを用いることによって、こ
の方法を光源として遠紫外線エキシマレーザ光を用いる
遠紫外線フォトリソグラフィーに容易に適用することが
できる。
スクとしてレジストパターンの特徴を左右する第１のレ
ジスト層と感光性と分解能とに必要な第２のレジスト層
とを自由自在に結合することができるので、フォトリソ
グラフィーにおける高度の応用が可能であるという利点
がある。たとえば、ドライエッチングに対する抵抗の特
性が優れている第１レジスト層と３００nm以下の波長の
遠紫外線エキシマレーザ光に高感度と高い分解能とを有
する第２の感光性レジストとを用いることによって、こ
の方法を光源として遠紫外線エキシマレーザ光を用いる
遠紫外線フォトリソグラフィーに容易に適用することが
できる。
【００２４】したがって、洗浄剤組成物は半導体の多層
配線の工程における層間絶縁膜の形成や平坦化用ＳＯＧ
溶液の塗布工程、多層レジストシステムにおける中間層
ＳＯＧ溶液の塗布工程の時、またはフォトリソグラフィ
ーにおいてマスクとして用いられる各種の感光性樹脂の
組成物の塗布工程において、基板の端部エッジ部位及び
背面の不必要な塗布液を洗浄除去するのに用いることが
できる。
配線の工程における層間絶縁膜の形成や平坦化用ＳＯＧ
溶液の塗布工程、多層レジストシステムにおける中間層
ＳＯＧ溶液の塗布工程の時、またはフォトリソグラフィ
ーにおいてマスクとして用いられる各種の感光性樹脂の
組成物の塗布工程において、基板の端部エッジ部位及び
背面の不必要な塗布液を洗浄除去するのに用いることが
できる。
【００２５】前記洗浄剤組成物の性能を決定する要素と
しては溶解速度、揮発性などがある。洗浄剤組成物の溶
解速度はＳＯＧ及び感光性樹脂をどれだけ効果的で迅速
に溶解して除去するかの能力からみて非常に重要であ
る。
しては溶解速度、揮発性などがある。洗浄剤組成物の溶
解速度はＳＯＧ及び感光性樹脂をどれだけ効果的で迅速
に溶解して除去するかの能力からみて非常に重要であ
る。
【００２６】特に、エッジ部位のリンスの場合において
も、図２のように適切な溶解速度を有しなければスムー
スな処理断面を有することができず、溶解速度が早すぎ
る場合には図３のように基板に塗布された感光膜のリン
スにおいて感光膜の攻撃（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ａ
ｔｔａｃｋ）が現れることがあり、溶解速度が遅すぎる
場合には、図４のように基板に塗布された感光膜のリン
スにおいてテーリング（Ｔａｉｌｉｎｇ）という部分溶
解された感光膜テール（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｔａ
ｉｌ）の流れ現象（ｆｌｏｗ ｐｈｅｎｏｍｅｎａ）が
現れることがある。特に、半導体の集積回路の高集積
化、高密度化による基板の大径化によって、回転塗布器
を用いたリンス工程の場合、回転速度の低ｒｐｍ化は必
然的であると言える。このようなリンス工程における低
回転速度による基板の揺動や噴射される液の接触速度に
おいて適切な溶解速度を有することができない場合、バ
ウンディング（ｂｏｕｎｄｉｎｇ）現象を現し、不必要
に薬液の使用が増加する。
も、図２のように適切な溶解速度を有しなければスムー
スな処理断面を有することができず、溶解速度が早すぎ
る場合には図３のように基板に塗布された感光膜のリン
スにおいて感光膜の攻撃（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ａ
ｔｔａｃｋ）が現れることがあり、溶解速度が遅すぎる
場合には、図４のように基板に塗布された感光膜のリン
スにおいてテーリング（Ｔａｉｌｉｎｇ）という部分溶
解された感光膜テール（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｔａ
ｉｌ）の流れ現象（ｆｌｏｗ ｐｈｅｎｏｍｅｎａ）が
現れることがある。特に、半導体の集積回路の高集積
化、高密度化による基板の大径化によって、回転塗布器
を用いたリンス工程の場合、回転速度の低ｒｐｍ化は必
然的であると言える。このようなリンス工程における低
回転速度による基板の揺動や噴射される液の接触速度に
おいて適切な溶解速度を有することができない場合、バ
ウンディング（ｂｏｕｎｄｉｎｇ）現象を現し、不必要
に薬液の使用が増加する。
【００２７】このように、大径化による低ｒｐｍリンス
工程においては、従来の高ｒｐｍリンス工程よりさらに
洗浄剤の強力な溶解速度が要求されている。
工程においては、従来の高ｒｐｍリンス工程よりさらに
洗浄剤の強力な溶解速度が要求されている。
【００２８】また、揮発性はＳＯＧ及び感光性樹脂を除
去した後にすぐ揮発し、基板の表面に残留しないことが
要求され、揮発性が低すぎて洗浄剤が揮発せずに残留す
る場合、残留する洗浄剤自体が各種の工程、特に、後続
エッチング工程などにおける汚染源として作用し、半導
体の直接素子の収率を低下させる問題点が発生し得、揮
発性が高すぎると、基板が急速に冷却して回転塗布され
たＳＯＧ及び感光性樹脂の膜の厚さの偏差が激しくなる
現象と取り扱い中にも大気中に揮発して清浄室自体を汚
染する原因になることもある。これによる各種のテーリ
ングや感光膜攻撃などの不良は全て半導体の素子類の製
造収率を低下する直接の原因となっている。
去した後にすぐ揮発し、基板の表面に残留しないことが
要求され、揮発性が低すぎて洗浄剤が揮発せずに残留す
る場合、残留する洗浄剤自体が各種の工程、特に、後続
エッチング工程などにおける汚染源として作用し、半導
体の直接素子の収率を低下させる問題点が発生し得、揮
発性が高すぎると、基板が急速に冷却して回転塗布され
たＳＯＧ及び感光性樹脂の膜の厚さの偏差が激しくなる
現象と取り扱い中にも大気中に揮発して清浄室自体を汚
染する原因になることもある。これによる各種のテーリ
ングや感光膜攻撃などの不良は全て半導体の素子類の製
造収率を低下する直接の原因となっている。
【００２９】従来の洗浄剤組成物は次の通りである。特
開昭６３−６９５６３号において、洗浄剤を基板の主導
部、縁導部、背面部の不必要な感光膜に接触して除去す
る方法を提案している。この方法において洗浄除去用の
溶剤として、たとえば、セロソルブ、セロソルブアセテ
ート、プロピレングリコールエーテル、プロピレングリ
コールエーテルアセテートなどのエーテル及びエーテル
アセテート類、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、メチルアセ
テート、エチルアセテート、ブチルアセテートなどのエ
ステル類を洗浄剤として用い、特開平４−４９９３８号
ではプロピレングリコールメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ；ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎ
ｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）を洗浄剤と
して用い、特開平４−４２５２３号にはアルキルアルコ
キシプロピオネート（ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）を洗浄剤
として用いる方法などが開示されている。
開昭６３−６９５６３号において、洗浄剤を基板の主導
部、縁導部、背面部の不必要な感光膜に接触して除去す
る方法を提案している。この方法において洗浄除去用の
溶剤として、たとえば、セロソルブ、セロソルブアセテ
ート、プロピレングリコールエーテル、プロピレングリ
コールエーテルアセテートなどのエーテル及びエーテル
アセテート類、アセトン、メチルエチルケトン、メチル
イソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類、
乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステル、メチルアセ
テート、エチルアセテート、ブチルアセテートなどのエ
ステル類を洗浄剤として用い、特開平４−４９９３８号
ではプロピレングリコールメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ；ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎ
ｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）を洗浄剤と
して用い、特開平４−４２５２３号にはアルキルアルコ
キシプロピオネート（ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）を洗浄剤
として用いる方法などが開示されている。
【００３０】しかし、このような従来の洗浄剤は、主に
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（Ｅ
ＧＭＥＡ；ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｅｔ
ｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；ｐｒ
ｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔ
ｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）及び乳酸エチルエステル（Ｅ
Ｌ；ｅｔｈｙｌｌａｃｔａｔｅ）などの単一溶剤が広く
用いられてきたが、次のような限界を有していて使用に
問題がある。
エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（Ｅ
ＧＭＥＡ；ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｅｔ
ｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）、プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ；ｐｒ
ｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔ
ｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）及び乳酸エチルエステル（Ｅ
Ｌ；ｅｔｈｙｌｌａｃｔａｔｅ）などの単一溶剤が広く
用いられてきたが、次のような限界を有していて使用に
問題がある。
【００３１】即ち、エチレングリコールモノエチルエー
テルアセテートの場合、溶解速度は優れているが、揮発
性と引火性とが高く、特に、白血球の減少症及び胎児の
流産の誘発などの生殖毒性を現す問題点があり、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートは製造工
程上、β形態の物質を含有し、これもやはり奇形児の誘
発及び母胎毒性を現す問題点を有している。乳酸エチル
エステルは粘度が高く溶解速度が低いので、単独では十
分な洗浄の効果を得ることができず、アセトン、メチル
エチルケトンなどは引火点が低くて作業性が低下する問
題点がある。
テルアセテートの場合、溶解速度は優れているが、揮発
性と引火性とが高く、特に、白血球の減少症及び胎児の
流産の誘発などの生殖毒性を現す問題点があり、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテートは製造工
程上、β形態の物質を含有し、これもやはり奇形児の誘
発及び母胎毒性を現す問題点を有している。乳酸エチル
エステルは粘度が高く溶解速度が低いので、単独では十
分な洗浄の効果を得ることができず、アセトン、メチル
エチルケトンなどは引火点が低くて作業性が低下する問
題点がある。
【００３２】これを解決するために、従来の単一溶剤を
混合して用いる方法などが開発された。
混合して用いる方法などが開発された。
【００３３】特開平４−１３０７１５号にはピルビン酸
アルキル系溶剤とメチルエチルケトンからなる混合溶剤
を洗浄剤として用い、特開平７−１４６５６２号にはプ
ロピレングリコールアルキルエーテルと３−アルコキシ
プロピオン酸アルキル類の混合物からなる洗浄剤組成物
を用い、特開平７−１２８８６７号にはプロピレングリ
コールアルキルエーテルとブチルアセテートと乳酸エチ
ルエステルの混合物、或いはブチルアセテートと乳酸エ
チルエステル、プロピレングリコールアルキルエーテル
アセテートの混合物からなる洗浄剤を用い、特開平７−
１６０００８号にはプロピレングリコールアルキルエー
テルプロピオネートとメチルエチルケトンとの混合物、
或いはプロピレングリコールアルキルエーテルプロピオ
ネートと酢酸ブチルエステルとの混合物からなる洗浄剤
を用い、米国特許第４，９８３，４９０号にはプロピレ
ングリコールアルキルエーテルアセテートとプロピレン
グリコールアルキルエーテルからなる混合溶剤を洗浄剤
として用い、米国特許第４，８８６，７２８号には乳酸
エチルエステルとメチルエチルケトンとからなる混合物
を洗浄剤として用いている。
アルキル系溶剤とメチルエチルケトンからなる混合溶剤
を洗浄剤として用い、特開平７−１４６５６２号にはプ
ロピレングリコールアルキルエーテルと３−アルコキシ
プロピオン酸アルキル類の混合物からなる洗浄剤組成物
を用い、特開平７−１２８８６７号にはプロピレングリ
コールアルキルエーテルとブチルアセテートと乳酸エチ
ルエステルの混合物、或いはブチルアセテートと乳酸エ
チルエステル、プロピレングリコールアルキルエーテル
アセテートの混合物からなる洗浄剤を用い、特開平７−
１６０００８号にはプロピレングリコールアルキルエー
テルプロピオネートとメチルエチルケトンとの混合物、
或いはプロピレングリコールアルキルエーテルプロピオ
ネートと酢酸ブチルエステルとの混合物からなる洗浄剤
を用い、米国特許第４，９８３，４９０号にはプロピレ
ングリコールアルキルエーテルアセテートとプロピレン
グリコールアルキルエーテルからなる混合溶剤を洗浄剤
として用い、米国特許第４，８８６，７２８号には乳酸
エチルエステルとメチルエチルケトンとからなる混合物
を洗浄剤として用いている。
【００３４】しかし、前述した前記混合溶剤も徐々に高
集積化、大口径化している半導体の素子類の製造に適用
するのには難しさがある。
集積化、大口径化している半導体の素子類の製造に適用
するのには難しさがある。
【００３５】たとえば、ピルビン酸アルキル系溶剤とメ
チルエチルケトンとからなる混合溶剤とは、感光膜の主
要成分の一つである感光剤のうちのエステル化率の高い
１，２−ナフトキノンジアジド系の感光剤に対する溶解
性が低下し、プロピレングリコールアルキルエーテルプ
ロピオネートと酢酸ブチルエステルとの混合溶剤など揮
発性の高い溶剤を背面洗浄に適用する場合、基板が冷却
しながら感光膜の厚さの偏差が激しくなる現象が発生
し、乳酸エチルエステルとメチルエチルケトンとの混合
溶剤のように揮発性の低い溶剤を用いる場合、基板の端
部エッジ部位の洗浄性能が低下する。特に、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチルなどの溶剤は長期間用いる
時、感光膜回転塗布器に付属する廃感光液の保存槽の中
の金属部位を腐食することが知られている。
チルエチルケトンとからなる混合溶剤とは、感光膜の主
要成分の一つである感光剤のうちのエステル化率の高い
１，２−ナフトキノンジアジド系の感光剤に対する溶解
性が低下し、プロピレングリコールアルキルエーテルプ
ロピオネートと酢酸ブチルエステルとの混合溶剤など揮
発性の高い溶剤を背面洗浄に適用する場合、基板が冷却
しながら感光膜の厚さの偏差が激しくなる現象が発生
し、乳酸エチルエステルとメチルエチルケトンとの混合
溶剤のように揮発性の低い溶剤を用いる場合、基板の端
部エッジ部位の洗浄性能が低下する。特に、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチルなどの溶剤は長期間用いる
時、感光膜回転塗布器に付属する廃感光液の保存槽の中
の金属部位を腐食することが知られている。
【００３６】用いられる溶剤の特性を見ると、先ず、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルは、既存のエチ
レングリコールモノエチルエーテルに比べて感光性樹脂
の感光速度を増加させる利点があるが（即ち、光活性物
質に対する溶解性が優れていることを意味する）、これ
に接触する人は悪臭と生態学的な憂慮で不快感を感じ
る。これを改善する方法としてプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテートと混合して用いようとする
試み（米国特許第４，９８３，４９０号）があったが、
これもやはり悪臭などによる不快感を完全に解消するこ
とはできなかった。
ロピレングリコールモノメチルエーテルは、既存のエチ
レングリコールモノエチルエーテルに比べて感光性樹脂
の感光速度を増加させる利点があるが（即ち、光活性物
質に対する溶解性が優れていることを意味する）、これ
に接触する人は悪臭と生態学的な憂慮で不快感を感じ
る。これを改善する方法としてプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテートと混合して用いようとする
試み（米国特許第４，９８３，４９０号）があったが、
これもやはり悪臭などによる不快感を完全に解消するこ
とはできなかった。
【００３７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来の
洗浄剤組成物の短所を補完し、半導体の集積回路素子の
微細化、高集積化によって長波長の領域の感光性樹脂の
組成物から短波長エキシマレーザ用感光性樹脂の組成物
まで、様々な種類の感光性樹脂の組成物を単一の洗浄剤
組成物を用いて工程を単純化し、集積回路素子の多層化
に用いられる層間絶縁膜用、平坦化用、多層レジストシ
ステムの中間層用であるＳＯＧの回転塗布工程において
発生する基板の端部エッジ部位と背面部位との不必要な
塗布液の除去に最適の効率を発揮することができる洗浄
剤組成物を提供することを目的とする。
洗浄剤組成物の短所を補完し、半導体の集積回路素子の
微細化、高集積化によって長波長の領域の感光性樹脂の
組成物から短波長エキシマレーザ用感光性樹脂の組成物
まで、様々な種類の感光性樹脂の組成物を単一の洗浄剤
組成物を用いて工程を単純化し、集積回路素子の多層化
に用いられる層間絶縁膜用、平坦化用、多層レジストシ
ステムの中間層用であるＳＯＧの回転塗布工程において
発生する基板の端部エッジ部位と背面部位との不必要な
塗布液の除去に最適の効率を発揮することができる洗浄
剤組成物を提供することを目的とする。
【００３８】また、本発明の他の目的は、ＳＯＧ及び短
波長エキシマレーザ用感光性樹脂に対して優れた溶解速
度と揮発性とを有する洗浄剤組成物を提供することにあ
る。
波長エキシマレーザ用感光性樹脂に対して優れた溶解速
度と揮発性とを有する洗浄剤組成物を提供することにあ
る。
【００３９】本発明の他の目的は、ノズルを通した噴射
によって前記ＳＯＧ及び感光性樹脂の組成物を効果的に
除去し、スムーズな処理断面を得ることができる半導体
素子類の製造工程用の洗浄剤組成物を提供することにあ
る。
によって前記ＳＯＧ及び感光性樹脂の組成物を効果的に
除去し、スムーズな処理断面を得ることができる半導体
素子類の製造工程用の洗浄剤組成物を提供することにあ
る。
【００４０】本発明の他の目的は、人体に対する毒性が
なく、悪臭による不快感がないので作業の安定性が高
く、腐食性が低い洗浄剤組成物を提供することにある。
なく、悪臭による不快感がないので作業の安定性が高
く、腐食性が低い洗浄剤組成物を提供することにある。
【００４１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく、ＳＯＧや各種の感光性樹脂の除去に有効
な洗浄剤組成物について鋭意研究したところ、本発明の
如き組成を有する洗浄剤組成物により上記目的が達成で
きることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、
本発明の要旨は、下記の通りである。
を達成すべく、ＳＯＧや各種の感光性樹脂の除去に有効
な洗浄剤組成物について鋭意研究したところ、本発明の
如き組成を有する洗浄剤組成物により上記目的が達成で
きることを見出し、本発明を完成するに至った。即ち、
本発明の要旨は、下記の通りである。
【００４２】１．ａ）プロピレングリコールモノアルキ
ルエーテル４０〜８０重量％、 ｂ）モノオキシカルボン酸エステル（乳酸アルキルエス
テルを除く）１０〜３０重量％、 ｃ）アルキルエタノエート１〜２０重量％、及び ｄ）乳酸アルキルエステル１〜２０重量％を含有してな
る洗浄剤組成物。
ルエーテル４０〜８０重量％、 ｂ）モノオキシカルボン酸エステル（乳酸アルキルエス
テルを除く）１０〜３０重量％、 ｃ）アルキルエタノエート１〜２０重量％、及び ｄ）乳酸アルキルエステル１〜２０重量％を含有してな
る洗浄剤組成物。
【００４３】２．スピン−オン−ガラス及び／又は感光
性樹脂の除去に使用するものである上記１に記載の洗浄
剤組成物。ここで、スピン−オン−ガラス及び／又は感
光性樹脂とは、硬化前又は硬化後のものや、塗布液とし
て含有されるものなどを包含する概念である。
性樹脂の除去に使用するものである上記１に記載の洗浄
剤組成物。ここで、スピン−オン−ガラス及び／又は感
光性樹脂とは、硬化前又は硬化後のものや、塗布液とし
て含有されるものなどを包含する概念である。
【００４４】３．前記ａ）のプロピレングリコールモノ
アルキルエーテルがプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノプロピルエテール、及びプロピ
レングリコールモノブチルエーテルからなる群より選択
される上記１又は２に記載の洗浄剤組成物。
アルキルエーテルがプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノプロピルエテール、及びプロピ
レングリコールモノブチルエーテルからなる群より選択
される上記１又は２に記載の洗浄剤組成物。
【００４５】４．前記ｂ）のモノオキシカルボン酸エス
テルが３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシ
プロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシ酢
酸メチル、２−エトキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシプ
ロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチ
ル、２−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、２−メトキ
シプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロ
ピル、２−エトキシプロピオン酸エチル、β−メトキシ
イソ酪酸メチル、及びα−ヒドロキシイソ酪酸メチルか
らなる群より選択される上記１〜３いずれかに記載の洗
浄剤組成物。
テルが３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシ
プロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチ
ル、３−エトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシ酢
酸メチル、２−エトキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシプ
ロピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチ
ル、２−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、２−メトキ
シプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロ
ピル、２−エトキシプロピオン酸エチル、β−メトキシ
イソ酪酸メチル、及びα−ヒドロキシイソ酪酸メチルか
らなる群より選択される上記１〜３いずれかに記載の洗
浄剤組成物。
【００４６】５．前記ｃ）のアルキルエタノエートが酢
酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、及び酢酸ブチ
ルエステルからなる群より選択される上記１〜４いずれ
かに記載の洗浄剤組成物。
酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、及び酢酸ブチ
ルエステルからなる群より選択される上記１〜４いずれ
かに記載の洗浄剤組成物。
【００４７】６．前記ｄ）乳酸アルキルエステルが乳酸
メチルエステル、乳酸エチルエステル、及び乳酸ブチル
エステルからなる群より選択される上記１〜５いずれか
に記載の洗浄剤組成物。
メチルエステル、乳酸エチルエステル、及び乳酸ブチル
エステルからなる群より選択される上記１〜５いずれか
に記載の洗浄剤組成物。
【００４８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００４９】本発明は前記目的を達成するために、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテルとモノオキシカ
ルボン酸エステル、アルキルエタノエート及び乳酸アル
キルエステルを混合した混合洗浄剤組成物を提供する。
その際、プロピレングリコールモノアルキルエーテル４
０乃至８０重量％と、モノオキシカルボン酸エステル１
０乃至３０重量％と、アルキルエタノエート１乃至２０
重量％と、乳酸アルキルエステル１乃至２０重量％を混
合し、好ましくは、プロピレングリコールモノアルキル
エーテル５０乃至８０重量％と、モノオキシカルボン酸
エステル１０乃至２５重量％と、アルキルエタノエート
１乃至１０重量％と、乳酸アルキルエステル１乃至１０
重量％を混合する。
ピレングリコールモノアルキルエーテルとモノオキシカ
ルボン酸エステル、アルキルエタノエート及び乳酸アル
キルエステルを混合した混合洗浄剤組成物を提供する。
その際、プロピレングリコールモノアルキルエーテル４
０乃至８０重量％と、モノオキシカルボン酸エステル１
０乃至３０重量％と、アルキルエタノエート１乃至２０
重量％と、乳酸アルキルエステル１乃至２０重量％を混
合し、好ましくは、プロピレングリコールモノアルキル
エーテル５０乃至８０重量％と、モノオキシカルボン酸
エステル１０乃至２５重量％と、アルキルエタノエート
１乃至１０重量％と、乳酸アルキルエステル１乃至１０
重量％を混合する。
【００５０】本発明の組成物は、前記プロピレングリコ
ールモノアルキルエーテルとモノオキシカルボン酸エス
テルとアルキルエタノエート、乳酸アルキルエステルの
全ての半導体等級のきわめて純粋なものを選択して用い
ることができ、ＶＬＳＩ等級で０．１μm 水準でろ過し
たものが好適に用いられる。
ールモノアルキルエーテルとモノオキシカルボン酸エス
テルとアルキルエタノエート、乳酸アルキルエステルの
全ての半導体等級のきわめて純粋なものを選択して用い
ることができ、ＶＬＳＩ等級で０．１μm 水準でろ過し
たものが好適に用いられる。
【００５１】前記洗浄剤組成物のうちのプロピレングリ
コールモノアルキルエーテルとしては、例えばアルキル
基の炭素数が１〜５であるものを用いることができ、こ
のようなものとしては、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロ
ピレングリコールモノブチルエーテルなどがある。この
うち、プロピレングリコールモノメチルエーテルがＳＯ
Ｇの主成分であるシロキサン高分子に対する溶解度が最
もよい。
コールモノアルキルエーテルとしては、例えばアルキル
基の炭素数が１〜５であるものを用いることができ、こ
のようなものとしては、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロ
ピレングリコールモノブチルエーテルなどがある。この
うち、プロピレングリコールモノメチルエーテルがＳＯ
Ｇの主成分であるシロキサン高分子に対する溶解度が最
もよい。
【００５２】前記組成物のうちの一つの成分であるモノ
オキシカルボン酸エステルとしては、例えばアルキル
基、アルコキシ基の炭素数が１〜５であるものを用いる
ことができ、このようなものとしては、３−メトキシプ
ロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、
３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピ
オン酸メチル、２−メトキシ酢酸メチル、２−エトキシ
酢酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−
ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシプロピ
オン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２
−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピ
オン酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒド
ロキシイソ酪酸メチルなどがある。このうち、３−エト
キシプロピオン酸エチルがバインダーフェノール樹脂に
対する溶解度の側面で適する。
オキシカルボン酸エステルとしては、例えばアルキル
基、アルコキシ基の炭素数が１〜５であるものを用いる
ことができ、このようなものとしては、３−メトキシプ
ロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、
３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピ
オン酸メチル、２−メトキシ酢酸メチル、２−エトキシ
酢酸エチル、２−ヒドロキシプロピオン酸メチル、２−
ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシプロピ
オン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２
−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピ
オン酸エチル、β−メトキシイソ酪酸メチル、α−ヒド
ロキシイソ酪酸メチルなどがある。このうち、３−エト
キシプロピオン酸エチルがバインダーフェノール樹脂に
対する溶解度の側面で適する。
【００５３】また、前記組成物の他の成分であるアルキ
ルエタノエートとしては、例えばアルキル基の炭素数が
１〜４であるものを用いることができ、このようなもの
としては、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、
酢酸ブチルエステルなどがある。このうち、酢酸ブチル
エステルがエキシマレーザ用感光性樹脂の組成物のバイ
ンダー樹脂であるポリビニルフェノール樹脂に対する溶
解性能の側面で最も適する。
ルエタノエートとしては、例えばアルキル基の炭素数が
１〜４であるものを用いることができ、このようなもの
としては、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、
酢酸ブチルエステルなどがある。このうち、酢酸ブチル
エステルがエキシマレーザ用感光性樹脂の組成物のバイ
ンダー樹脂であるポリビニルフェノール樹脂に対する溶
解性能の側面で最も適する。
【００５４】また、本発明の組成物の他の成分である乳
酸アルキルエステルとしては、例えばアルキル基の炭素
数が１〜４であるものを用いることができ、このような
ものとしては、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステ
ル、乳酸ブチルエステルなどがある。このうち、乳酸エ
チルエステルが感光性樹脂の組成物の光活性成分に対す
る溶解性能の側面で最も優れている。
酸アルキルエステルとしては、例えばアルキル基の炭素
数が１〜４であるものを用いることができ、このような
ものとしては、乳酸メチルエステル、乳酸エチルエステ
ル、乳酸ブチルエステルなどがある。このうち、乳酸エ
チルエステルが感光性樹脂の組成物の光活性成分に対す
る溶解性能の側面で最も優れている。
【００５５】一方、用いられる溶剤の特性を見ると、本
発明の組成の一成分であるモノオキシカルボン酸エステ
ルと混合された場合、従来の悪臭による不快感と人体に
対する毒性がなく、同時に、感光性樹脂に対する溶解性
能も上昇作用を引き起こすことが確認できる。
発明の組成の一成分であるモノオキシカルボン酸エステ
ルと混合された場合、従来の悪臭による不快感と人体に
対する毒性がなく、同時に、感光性樹脂に対する溶解性
能も上昇作用を引き起こすことが確認できる。
【００５６】プロピレングリコールモノメチルエーテル
は空気の中に露出する時、人体に対する安定性が高いと
報告されており、物質代謝の側面でも人体に急速にプロ
ピレングリコールとアルコールとに分解されて安全であ
る。毒性実験においてマウスに口腔投与による５０％の
致死量を表すＬＤ50（ＭＯＵＳＥ）＝４．４ｇ／ｋｇで
あり、加水分解によって迅速に分解される。物理的な性
質は沸点１３２．８℃、引火点（クローズドカップ方式
で測定）３２℃、粘度（２５℃で）１．８６ｃｐｓ、表
面張力２６．５ｄｙｎｅ／ｃｍ2 、溶解度パラメータ１
０．４である。
は空気の中に露出する時、人体に対する安定性が高いと
報告されており、物質代謝の側面でも人体に急速にプロ
ピレングリコールとアルコールとに分解されて安全であ
る。毒性実験においてマウスに口腔投与による５０％の
致死量を表すＬＤ50（ＭＯＵＳＥ）＝４．４ｇ／ｋｇで
あり、加水分解によって迅速に分解される。物理的な性
質は沸点１３２．８℃、引火点（クローズドカップ方式
で測定）３２℃、粘度（２５℃で）１．８６ｃｐｓ、表
面張力２６．５ｄｙｎｅ／ｃｍ2 、溶解度パラメータ１
０．４である。
【００５７】従来のエチレングリコールモノアルキルエ
ーテルアセテートを単独で用いた洗浄剤の場合、回転塗
布器で用いた後に悪臭があるだけでなく、蒸発する溶剤
のによって長時間用いる場合、疲労感を感じやすく、呼
吸器に悪影響を与えるといわれ、作業者らに不快感を与
えたが、モノオキシカルボン酸エステルと混合された場
合には悪臭がなく、モノオキシカルボン酸エステルの系
列のうちには香料として用いられる例もあるので、悪臭
による作業の不便を解消することができる。その他に、
モノオキシカルボン酸エステルは下記の表１に記載され
ているように、感光性樹脂のうちの高分子であるバイン
ダーフェノール樹脂に対して優れた溶解性を有する。こ
れらは従来用いられたエチレングリコールモノアルキル
エーテルアセテートより少ないもので２倍、多いもので
は１０倍程度まで溶解度が高い。
ーテルアセテートを単独で用いた洗浄剤の場合、回転塗
布器で用いた後に悪臭があるだけでなく、蒸発する溶剤
のによって長時間用いる場合、疲労感を感じやすく、呼
吸器に悪影響を与えるといわれ、作業者らに不快感を与
えたが、モノオキシカルボン酸エステルと混合された場
合には悪臭がなく、モノオキシカルボン酸エステルの系
列のうちには香料として用いられる例もあるので、悪臭
による作業の不便を解消することができる。その他に、
モノオキシカルボン酸エステルは下記の表１に記載され
ているように、感光性樹脂のうちの高分子であるバイン
ダーフェノール樹脂に対して優れた溶解性を有する。こ
れらは従来用いられたエチレングリコールモノアルキル
エーテルアセテートより少ないもので２倍、多いもので
は１０倍程度まで溶解度が高い。
【００５８】前記モノオキシカルボン酸エステルは常温
で液状で存在し、ビタミンや他の化学物質の中間体とし
て用いられ、人体に対する特別な毒性が報告されてはい
ない。毒性実験において、マウスに口腔投与による５０
％の致死量を表すＬＤ50（ｍｏｕｓｅ）＝５．０ｇ／ｋ
ｇであり、酵素によって迅速に分解される。物理的な性
質は密度０．９５ｇ／ｃｍ3 、沸点１７０．１℃、引火
点（オープンカップ方式で測定）８２．２℃、粘度（２
５℃で）１．２０ｃｐｓ、表面張力２７ｄｙｎｅ／ｃｍ
2 である。
で液状で存在し、ビタミンや他の化学物質の中間体とし
て用いられ、人体に対する特別な毒性が報告されてはい
ない。毒性実験において、マウスに口腔投与による５０
％の致死量を表すＬＤ50（ｍｏｕｓｅ）＝５．０ｇ／ｋ
ｇであり、酵素によって迅速に分解される。物理的な性
質は密度０．９５ｇ／ｃｍ3 、沸点１７０．１℃、引火
点（オープンカップ方式で測定）８２．２℃、粘度（２
５℃で）１．２０ｃｐｓ、表面張力２７ｄｙｎｅ／ｃｍ
2 である。
【００５９】酢酸ブチルエステルの場合、各種の樹脂に
対する溶解度が優れており、特に表面張力が低く、揮発
性が優れていて洗浄剤組成物に所定の含量を添加する場
合、優れた界面特性を発揮することができる。また、短
波長用エキシマレーザの感光性樹脂の組成物のバインダ
ー樹脂であるポリビニルフェノールの誘導体樹脂とＳＯ
Ｇの主成分であるシロキサンオリゴマー溶液に対する溶
解度が優れていることが表１からわかる。
対する溶解度が優れており、特に表面張力が低く、揮発
性が優れていて洗浄剤組成物に所定の含量を添加する場
合、優れた界面特性を発揮することができる。また、短
波長用エキシマレーザの感光性樹脂の組成物のバインダ
ー樹脂であるポリビニルフェノールの誘導体樹脂とＳＯ
Ｇの主成分であるシロキサンオリゴマー溶液に対する溶
解度が優れていることが表１からわかる。
【００６０】酢酸ブチルエステルは毒性実験においてマ
ウスに口腔投与による５０％の致死量を表すＬＤ50（ｍ
ｏｕｓｅ）＝７．０ｇ／ｋｇであり、物理的な性質は沸
点１２６．１℃、引火点（クローズドカップ方式で測
定）２３℃、粘度（２５℃で）０．７４ｃｐｓ、表面張
力２５ｄｙｎｅ／ｃｍ2 、溶解度パラメータ８．５であ
る。
ウスに口腔投与による５０％の致死量を表すＬＤ50（ｍ
ｏｕｓｅ）＝７．０ｇ／ｋｇであり、物理的な性質は沸
点１２６．１℃、引火点（クローズドカップ方式で測
定）２３℃、粘度（２５℃で）０．７４ｃｐｓ、表面張
力２５ｄｙｎｅ／ｃｍ2 、溶解度パラメータ８．５であ
る。
【００６１】乳酸エチルエステルの場合、感光性樹脂の
光活性の成分に対する溶解度が他の溶剤に比べて優れて
いる。しかし、表面張力と粘度とが高くて洗浄剤組成物
として単独で用いがたいことと、混合して用いる場合に
は一定の比率の少量だけを洗浄剤組成物の全体に対して
１０％以下に添加しなければ優れた特性を発揮すること
ができない。
光活性の成分に対する溶解度が他の溶剤に比べて優れて
いる。しかし、表面張力と粘度とが高くて洗浄剤組成物
として単独で用いがたいことと、混合して用いる場合に
は一定の比率の少量だけを洗浄剤組成物の全体に対して
１０％以下に添加しなければ優れた特性を発揮すること
ができない。
【００６２】乳酸エチルエステルは米国食品医薬局（Ｆ
ＤＡ）で人体に対する安定性を認定したものであって、
現在も食品添加剤として用いられている。毒性実験でマ
ウスに口腔投与による５０％の致死量を表すＬＤ50（ｍ
ｏｕｓｅ）＝５．０ｇ／ｋｇであり、物質代謝の側面に
おいても人体で急速に乳酸とエタノールとに分解されて
安全である。物理的な性質は沸点１５６℃、引火点（ク
ローズドカップ方式で測定）５２℃、粘度（２５℃で）
２．３８ｃｐｓ、表面張力３４ｄｙｎｅ／ｃｍ 2 、溶解
度パラメータ１０である。
ＤＡ）で人体に対する安定性を認定したものであって、
現在も食品添加剤として用いられている。毒性実験でマ
ウスに口腔投与による５０％の致死量を表すＬＤ50（ｍ
ｏｕｓｅ）＝５．０ｇ／ｋｇであり、物質代謝の側面に
おいても人体で急速に乳酸とエタノールとに分解されて
安全である。物理的な性質は沸点１５６℃、引火点（ク
ローズドカップ方式で測定）５２℃、粘度（２５℃で）
２．３８ｃｐｓ、表面張力３４ｄｙｎｅ／ｃｍ 2 、溶解
度パラメータ１０である。
【００６３】本発明の適用方法は前記四つの組成を一定
の成分比で適切に組み合わせた後、前述した各種の感光
性樹脂とＳＯＧを回転塗布器によって塗布したものに対
し、基板のエッジと背面の部位に滴下或いはノズルを通
じたスプレー方式で供給して不必要な球形の物質を除去
する。洗浄剤組成物の供給量は用いる感光性樹脂とＳＯ
Ｇの種類、膜の厚さによって調節でき、適切な量は通常
５〜１００ｃｃ／ｍｉｎの範囲で選択して用いることが
できる。次に、スピンドライ工程などを通じて乾燥し、
後続するフォトリソグラフィー工程を経て半導体集積回
路用の微細回路の形成を完成することができる。
の成分比で適切に組み合わせた後、前述した各種の感光
性樹脂とＳＯＧを回転塗布器によって塗布したものに対
し、基板のエッジと背面の部位に滴下或いはノズルを通
じたスプレー方式で供給して不必要な球形の物質を除去
する。洗浄剤組成物の供給量は用いる感光性樹脂とＳＯ
Ｇの種類、膜の厚さによって調節でき、適切な量は通常
５〜１００ｃｃ／ｍｉｎの範囲で選択して用いることが
できる。次に、スピンドライ工程などを通じて乾燥し、
後続するフォトリソグラフィー工程を経て半導体集積回
路用の微細回路の形成を完成することができる。
【００６４】［溶解度の比較実験］高分子のバインダー
フェノール樹脂、ポリビニル樹脂、感光性光活性の成
分、シロキサン高分子溶液に対する溶解度を知るために
様々な溶媒に飽和溶液を作って最も溶解度の優れている
溶剤を１００％にした時の比較比率を表１に示した。実
験の結果をみると、特定の溶剤が特定の成分に対して溶
解性能が優れていることが確認できた。即ち、高分子バ
インダーのフェノール樹脂に対しては３−エトキシプロ
ピオン酸エチルの溶解性能が最も優れていることが分か
り、ポリビニルフェノール樹脂に対しては酢酸ブチルエ
ステルが、感光性光活性成分に対しては乳酸エチルエス
テルの溶解性能が、シロキサン高分子溶液に対してはプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルが最も優れた溶
解性能を有していることがわかる。
フェノール樹脂、ポリビニル樹脂、感光性光活性の成
分、シロキサン高分子溶液に対する溶解度を知るために
様々な溶媒に飽和溶液を作って最も溶解度の優れている
溶剤を１００％にした時の比較比率を表１に示した。実
験の結果をみると、特定の溶剤が特定の成分に対して溶
解性能が優れていることが確認できた。即ち、高分子バ
インダーのフェノール樹脂に対しては３−エトキシプロ
ピオン酸エチルの溶解性能が最も優れていることが分か
り、ポリビニルフェノール樹脂に対しては酢酸ブチルエ
ステルが、感光性光活性成分に対しては乳酸エチルエス
テルの溶解性能が、シロキサン高分子溶液に対してはプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルが最も優れた溶
解性能を有していることがわかる。
【００６５】
【表１】
前記表１において、ＥＧＭＥＡはエチレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート（Ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙ
ｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔ
ｅ）であり、ＰＧＭＥはプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏ
ｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）であり、ＥＰＥは３−エトキ
シプロピオン酸エチル（３−Ｅｔｈｏｘｙｐｒｏｐａｎ
ｏｉｃａｃｉｄｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）であり、ＭＢＭ
はβ−メトキシイソ酪酸メチル（β−Ｍｅｔｈｏｘｙｉ
ｓｏｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）
であり、ＰＧＭＥＰはプロピレングリコールモノメチル
エーテルプロピオネート（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃ
ｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒｐｒｏｐｉｏｎａ
ｔｅ）であり、ＢＥは酢酸ブチルエステル（Ｂｕｔｙｌ
ｅｔｈａｎｏａｔｅ）であり、ＥＰはピルビン酸エチル
（Ｅｔｈｙｌｐｙｒｕｖａｔｅ）であり、ＥＬは乳酸エ
チルエステル（Ｅｔｈｙｌｌａｃｔａｔｅ）であり、Ｍ
ＥＫはメチルエチルケトン（Ｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌｋ
ｅｔｏｎｅ）である。
ノメチルエーテルアセテート（Ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙ
ｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔ
ｅ）であり、ＰＧＭＥはプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏ
ｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）であり、ＥＰＥは３−エトキ
シプロピオン酸エチル（３−Ｅｔｈｏｘｙｐｒｏｐａｎ
ｏｉｃａｃｉｄｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）であり、ＭＢＭ
はβ−メトキシイソ酪酸メチル（β−Ｍｅｔｈｏｘｙｉ
ｓｏｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）
であり、ＰＧＭＥＰはプロピレングリコールモノメチル
エーテルプロピオネート（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃ
ｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒｐｒｏｐｉｏｎａ
ｔｅ）であり、ＢＥは酢酸ブチルエステル（Ｂｕｔｙｌ
ｅｔｈａｎｏａｔｅ）であり、ＥＰはピルビン酸エチル
（Ｅｔｈｙｌｐｙｒｕｖａｔｅ）であり、ＥＬは乳酸エ
チルエステル（Ｅｔｈｙｌｌａｃｔａｔｅ）であり、Ｍ
ＥＫはメチルエチルケトン（Ｍｅｔｈｙｌｅｔｈｙｌｋ
ｅｔｏｎｅ）である。
【００６６】本発明において、前記四つの組成を一定の
成分比で適切に組み合わせて用いる場合、前述の如き洗
浄剤組成物として優れた性能を発揮することができる。
成分比で適切に組み合わせて用いる場合、前述の如き洗
浄剤組成物として優れた性能を発揮することができる。
【００６７】
【実施例】以下、実施例と比較例によって本発明を具体
的に説明するが、これらの実施例は本発明を例示するた
めのものであって、本発明がこれらに限られるわけでは
ない。本実施例において用いられた基板は下記の通りで
ある。
的に説明するが、これらの実施例は本発明を例示するた
めのものであって、本発明がこれらに限られるわけでは
ない。本実施例において用いられた基板は下記の通りで
ある。
【００６８】直径が８インチである酸化シリコン基板を
用いる。これら基板を先ず、それぞれ過酸化水素／硫酸
混合物を含有する二つの浴で洗浄（それぞれの浴で５分
くらい浸ける）した後、イオン交換水で洗う。この過程
は注文制作した洗浄設備で進める。以後、これら基板を
スピンドライヤ（ＶＥＲＴＥＱ社製品、モデルＳＲＤ１
８００−６）で回転乾燥する。次に、基板の上部面にそ
れぞれの感光膜を一定の厚さで被覆する。感光膜を塗布
するために回転被覆機（大日本スクリーン社製品、モデ
ル８０Ａ）を用いる。
用いる。これら基板を先ず、それぞれ過酸化水素／硫酸
混合物を含有する二つの浴で洗浄（それぞれの浴で５分
くらい浸ける）した後、イオン交換水で洗う。この過程
は注文制作した洗浄設備で進める。以後、これら基板を
スピンドライヤ（ＶＥＲＴＥＱ社製品、モデルＳＲＤ１
８００−６）で回転乾燥する。次に、基板の上部面にそ
れぞれの感光膜を一定の厚さで被覆する。感光膜を塗布
するために回転被覆機（大日本スクリーン社製品、モデ
ル８０Ａ）を用いる。
【００６９】前記回転被覆操作において感光膜組成物７
ｃｃを停止された基板の中央に滴下する。以後、回転被
覆機を用いて５００ｒｐｍで３秒間感光膜を分布させ
る。次に、基板を約２０００〜４０００ｒｐｍ程度の回
転速度で加速させ、各感光膜を所定の厚さに調整する。
この速度で回転時間は約２０〜３０秒である。
ｃｃを停止された基板の中央に滴下する。以後、回転被
覆機を用いて５００ｒｐｍで３秒間感光膜を分布させ
る。次に、基板を約２０００〜４０００ｒｐｍ程度の回
転速度で加速させ、各感光膜を所定の厚さに調整する。
この速度で回転時間は約２０〜３０秒である。
【００７０】実施例１〜４、比較例１〜３
（感光性樹脂の組成物に対する洗浄剤組成物の溶解速度
の測定試験）一般に用いることができる各種の感光性樹
脂の組成物のうちに表２に示す組成物［ｇ−ｌｉｎｅポ
ジティブ型感光性樹脂の組成物（ドンジン化成工業
（株）製品、商品名ＤＳＡＭ−３００）、ｉ−ｌｉｎｅ
ポジティブ型感光性樹脂の組成物（ドンジン化成工業
（株）製品、商品名ＤＰＲ−ｉ５５００）及びＤｅｅｐ
ＵＶポジティブ型感光性樹脂の組成物（ドンジン化成工
業（株）製品、商品名ＤＨＲＫ−２００Ｌ）に対して表
３に示す洗浄剤組成物と従来の洗浄剤組成物とを用いて
溶解速度を測定した。測定装備としては、レジスト現像
分析器（ＬｉｔｈｏＴｅｃｈ．社製品、モデルＲＤＡ−
７９０）を用い、実験の結果は表４示した。
の測定試験）一般に用いることができる各種の感光性樹
脂の組成物のうちに表２に示す組成物［ｇ−ｌｉｎｅポ
ジティブ型感光性樹脂の組成物（ドンジン化成工業
（株）製品、商品名ＤＳＡＭ−３００）、ｉ−ｌｉｎｅ
ポジティブ型感光性樹脂の組成物（ドンジン化成工業
（株）製品、商品名ＤＰＲ−ｉ５５００）及びＤｅｅｐ
ＵＶポジティブ型感光性樹脂の組成物（ドンジン化成工
業（株）製品、商品名ＤＨＲＫ−２００Ｌ）に対して表
３に示す洗浄剤組成物と従来の洗浄剤組成物とを用いて
溶解速度を測定した。測定装備としては、レジスト現像
分析器（ＬｉｔｈｏＴｅｃｈ．社製品、モデルＲＤＡ−
７９０）を用い、実験の結果は表４示した。
【００７１】
【表２】
【表３】
前記表３において、ＰＧＭＥはプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍ
ｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）であり、ＥＰＥは３−
エトキシプロピオン酸エチルエステル（３−Ｅｔｈｏｘ
ｙｐｒｏｐａｎｏｉｃａｃｉｄｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）
であり、ＭＢＭはβ−メトキシイソ酪酸メチルエステル
（β−Ｍｅｔｈｏｘｙｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍ
ｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）であり、ＰＧＭＥＰはプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルプロピオン酸塩（Ｐｒ
ｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔ
ｈｅｒｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）であり、ＰＧＭＥＡはプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ｐ
ｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅ
ｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）であり、ＢＥは酢酸ブチルエ
ステルエステル（Ｂｕｔｈｙｌｅｈｔａｎｏａｔｅ）で
あり、ＥＬは乳酸エチルエステル（Ｅｔｈｙｌｌａｃｔ
ａｔｅ）であり、ＢＬは乳酸ブチルエステル（Ｂｕｔｙ
ｌｌａｃｔａｔｅ）である。
ノメチルエーテル（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍ
ｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）であり、ＥＰＥは３−
エトキシプロピオン酸エチルエステル（３−Ｅｔｈｏｘ
ｙｐｒｏｐａｎｏｉｃａｃｉｄｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）
であり、ＭＢＭはβ−メトキシイソ酪酸メチルエステル
（β−Ｍｅｔｈｏｘｙｉｓｏｂｕｔｙｒｉｃａｃｉｄｍ
ｅｔｈｙｌｅｓｔｅｒ）であり、ＰＧＭＥＰはプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルプロピオン酸塩（Ｐｒ
ｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔ
ｈｅｒｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）であり、ＰＧＭＥＡはプ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ｐ
ｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅ
ｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）であり、ＢＥは酢酸ブチルエ
ステルエステル（Ｂｕｔｈｙｌｅｈｔａｎｏａｔｅ）で
あり、ＥＬは乳酸エチルエステル（Ｅｔｈｙｌｌａｃｔ
ａｔｅ）であり、ＢＬは乳酸ブチルエステル（Ｂｕｔｙ
ｌｌａｃｔａｔｅ）である。
【００７２】
【表４】
前記表４のように、本発明による洗浄剤組成物が従来の
洗浄剤組成物より感光性樹脂の種類に関わらずに溶解速
度の面において速いことが確認できた。
洗浄剤組成物より感光性樹脂の種類に関わらずに溶解速
度の面において速いことが確認できた。
【００７３】前記洗浄剤組成物はフォトリソグラフィー
工程において不良品として回収される基板や、或いは工
程管理のために任意に引出したテスト用基板からその表
面に付着している感光膜を除去して基板を再使用するた
めの目的に用いることができるが、この場合、前記結果
における本発明による洗浄剤組成物が溶解速度が優れて
いて基板の再使用のための工程の時間を短縮する長所が
ある。
工程において不良品として回収される基板や、或いは工
程管理のために任意に引出したテスト用基板からその表
面に付着している感光膜を除去して基板を再使用するた
めの目的に用いることができるが、この場合、前記結果
における本発明による洗浄剤組成物が溶解速度が優れて
いて基板の再使用のための工程の時間を短縮する長所が
ある。
【００７４】（感光性樹脂の組成物に対する洗浄剤組成
物の不必要な感光膜の除去実験）８インチの酸化シリコ
ン基板にそれぞれの感光膜の組成物を塗布した後、本発
明による洗浄剤組成物と従来用いられた洗浄剤組成物と
でエッジ部位の不必要な感光膜を除去する実験（Ｅｄｇ
ｅＢｅａｄＲｅｍｏｖｉｎｇ実験；以下ＥＢＲ実験とい
う）を進めた。ＥＢＲ実験もやはり基板に感光膜を塗布
する時に用いた同一回転被覆器を用いた。
物の不必要な感光膜の除去実験）８インチの酸化シリコ
ン基板にそれぞれの感光膜の組成物を塗布した後、本発
明による洗浄剤組成物と従来用いられた洗浄剤組成物と
でエッジ部位の不必要な感光膜を除去する実験（Ｅｄｇ
ｅＢｅａｄＲｅｍｏｖｉｎｇ実験；以下ＥＢＲ実験とい
う）を進めた。ＥＢＲ実験もやはり基板に感光膜を塗布
する時に用いた同一回転被覆器を用いた。
【００７５】表５に示す感光性樹脂の組成物の感光膜が
被覆された基板にＥＢＲノズルを通して表３の洗浄剤組
成物を供給し、表６の条件でエッジ部分の感光膜の除去
操作を行った。各洗浄剤は圧力計が装置された加圧容器
から供給され、この時の加圧圧力は９．８Ｎであり、Ｅ
ＢＲノズルから出る洗浄剤の流量は１２ｃｃ／ｍｉｎで
あった。
被覆された基板にＥＢＲノズルを通して表３の洗浄剤組
成物を供給し、表６の条件でエッジ部分の感光膜の除去
操作を行った。各洗浄剤は圧力計が装置された加圧容器
から供給され、この時の加圧圧力は９．８Ｎであり、Ｅ
ＢＲノズルから出る洗浄剤の流量は１２ｃｃ／ｍｉｎで
あった。
【００７６】各感光性樹脂の組成物に対するＥＢＲ実験
の評価は表７に、ＥＢＲ実験の後のエッジを表８の各図
にＳＥＭ写真で示した。
の評価は表７に、ＥＢＲ実験の後のエッジを表８の各図
にＳＥＭ写真で示した。
【００７７】
【表５】
【表６】
【表７】
前記表７において、評価記号○はＥＢＲ実験の後のエッ
ジ部分の形態が鮮明なことを表し、評価記号△はＥＢＲ
実験の後にエッジ部分の形態が攻撃を受けて歪んだこと
を表し、×はＥＢＲ実験の後にエッジ膜のテーリング
（ｔａｉｌｉｎｇ）現象が発生したことを表す。
ジ部分の形態が鮮明なことを表し、評価記号△はＥＢＲ
実験の後にエッジ部分の形態が攻撃を受けて歪んだこと
を表し、×はＥＢＲ実験の後にエッジ膜のテーリング
（ｔａｉｌｉｎｇ）現象が発生したことを表す。
【００７８】
【表８】
前記表７、８のように、本発明による洗浄剤組成物は全
ての感光膜に対して優れたＥＢＲ性能（きれいなエッジ
形態）を表すが、従来の２成分系洗浄剤組成物は感光膜
によって顕著な差異を見せ、殆ど不良なエッジの形態と
なる。特に、ＤｅｅｐＵＶポジティブ感光膜における従
来の２成分系洗浄剤組成物はｔａｉｌｉｎｇ現象が激し
く発生することを防止することができない。これはその
後の工程の進行において装備の汚染などで半導体素子を
製造する時、収率をダウンさせる。
ての感光膜に対して優れたＥＢＲ性能（きれいなエッジ
形態）を表すが、従来の２成分系洗浄剤組成物は感光膜
によって顕著な差異を見せ、殆ど不良なエッジの形態と
なる。特に、ＤｅｅｐＵＶポジティブ感光膜における従
来の２成分系洗浄剤組成物はｔａｉｌｉｎｇ現象が激し
く発生することを防止することができない。これはその
後の工程の進行において装備の汚染などで半導体素子を
製造する時、収率をダウンさせる。
【００７９】実施例５
８インチの酸化シリコン基板に、前記感光性樹脂の組成
物を塗布した後、本発明の実施例１と実施例２の洗浄剤
組成物と従来の比較例１と比較例３との洗浄剤組成物を
ＥＢＲ回転速度を低速ｒｐｍと高速ｒｐｍとに変化させ
ながら、表９の条件でエッジ感光膜の除去実験を行っ
た。
物を塗布した後、本発明の実施例１と実施例２の洗浄剤
組成物と従来の比較例１と比較例３との洗浄剤組成物を
ＥＢＲ回転速度を低速ｒｐｍと高速ｒｐｍとに変化させ
ながら、表９の条件でエッジ感光膜の除去実験を行っ
た。
【００８０】肉眼判定は低速ＥＢＲの回転速度（１２０
０ｒｐｍ）では表１０に記載し、高速ＥＢＲの回転速度
（２８００ｒｐｍ）では表１１に記載した。
０ｒｐｍ）では表１０に記載し、高速ＥＢＲの回転速度
（２８００ｒｐｍ）では表１１に記載した。
【００８１】また、肉眼判定は低速ＥＢＲの回転速度
（１２００ｒｐｍ）でのＳＥＭ写真の比較は表１２に記
載し、高速ＥＢＲの回転速度（２８００ｒｐｍ）でのＳ
ＥＭ写真の比較は表１３に記載した。
（１２００ｒｐｍ）でのＳＥＭ写真の比較は表１２に記
載し、高速ＥＢＲの回転速度（２８００ｒｐｍ）でのＳ
ＥＭ写真の比較は表１３に記載した。
【００８２】
【表９】
【表１０】
【表１１】
前記表１０及び１１において、評価記号○はＥＢＲ実験
の後のエッジ部分の形態が鮮明なことを表し、評価記号
△はＥＢＲ実験の後にエッジ部分の形態が攻撃を受けて
歪んだことを表し、×はＥＢＲ実験の後のエッジ膜のテ
ーリング（ｔａｉｌｉｎｇ）現象が発生したことを表
す。
の後のエッジ部分の形態が鮮明なことを表し、評価記号
△はＥＢＲ実験の後にエッジ部分の形態が攻撃を受けて
歪んだことを表し、×はＥＢＲ実験の後のエッジ膜のテ
ーリング（ｔａｉｌｉｎｇ）現象が発生したことを表
す。
【００８３】
【表１２】
【表１３】
前記表１０、１１，１２、１３のように、本発明による
洗浄剤組成物はＥＢＲｒｐｍの条件を変化する場合にも
同等に優れた断面の形態を維持する。これは本発明によ
る洗浄剤組成物が特定の条件でだけ効果を現すのでな
く、様々な条件で同一の性能を現し、工程条件の変化に
対して従来の洗浄剤組成物より安定していることを意味
する。
洗浄剤組成物はＥＢＲｒｐｍの条件を変化する場合にも
同等に優れた断面の形態を維持する。これは本発明によ
る洗浄剤組成物が特定の条件でだけ効果を現すのでな
く、様々な条件で同一の性能を現し、工程条件の変化に
対して従来の洗浄剤組成物より安定していることを意味
する。
【００８４】実施例６
ＳＯＧ溶液のＥＢＲ実験に関し、実験の条件は次の通り
である。８インチの酸化シリコン基板の中央にＳＯＧ溶
液（ＴＯＫ社製品、商品名ＴＣＰＳ１９０）１．５mlを
滴下し、回転被覆機を用いて５０ｒｐｍで２秒間ＳＯＧ
組成物を分布する。以後、基板を２８００ｒｐｍに加速
し、ＳＯＧ溶液を一定の厚さで調節する。この時のＳＯ
Ｇ組成物の厚さは０．３μm である。
である。８インチの酸化シリコン基板の中央にＳＯＧ溶
液（ＴＯＫ社製品、商品名ＴＣＰＳ１９０）１．５mlを
滴下し、回転被覆機を用いて５０ｒｐｍで２秒間ＳＯＧ
組成物を分布する。以後、基板を２８００ｒｐｍに加速
し、ＳＯＧ溶液を一定の厚さで調節する。この時のＳＯ
Ｇ組成物の厚さは０．３μm である。
【００８５】前記のように基板の上にＳＯＧ溶液を塗布
した後、本発明による実施例１〜４の洗浄剤組成物と従
来の比較例１〜３の洗浄剤組成物でＥＢＲ実験を進め
た。
した後、本発明による実施例１〜４の洗浄剤組成物と従
来の比較例１〜３の洗浄剤組成物でＥＢＲ実験を進め
た。
【００８６】ＥＢＲ実験の条件は表１４の通りであり、
ＳＯＧに対する洗浄剤組成物のＥＢＲ実験の後の評価及
びエッジの形態は表１５に記載した。
ＳＯＧに対する洗浄剤組成物のＥＢＲ実験の後の評価及
びエッジの形態は表１５に記載した。
【００８７】
【表１４】
【表１５】
前記表１５において、評価記号○はＥＢＲ実験の後のエ
ッジ部分の形態が鮮明なことを表し、評価記号△はＥＢ
Ｒ実験の後のエッジ部分の形態が攻撃を受けて歪んだこ
とを表し、×はＥＢＲ実験の後のエッジ膜のテーリング
現象が発生したことを表す。
ッジ部分の形態が鮮明なことを表し、評価記号△はＥＢ
Ｒ実験の後のエッジ部分の形態が攻撃を受けて歪んだこ
とを表し、×はＥＢＲ実験の後のエッジ膜のテーリング
現象が発生したことを表す。
【００８８】前記表１５のように、本発明による洗浄剤
組成物は感光膜だけでなく、ＳＯＧにおいても優れた効
果を現すことがわかる。これは半導体素子類の製造工程
において洗浄剤組成物が用いられる様々な段階の工程に
単一の洗浄剤組成物を用いることによって、洗浄剤供給
装置を統合する効果を得る。これにより、洗浄剤供給装
置と工程の管理とが簡便になり、費用の節減の効果を得
ることができる。
組成物は感光膜だけでなく、ＳＯＧにおいても優れた効
果を現すことがわかる。これは半導体素子類の製造工程
において洗浄剤組成物が用いられる様々な段階の工程に
単一の洗浄剤組成物を用いることによって、洗浄剤供給
装置を統合する効果を得る。これにより、洗浄剤供給装
置と工程の管理とが簡便になり、費用の節減の効果を得
ることができる。
【００８９】
【発明の効果】本発明によると、ノズルで噴射して基板
の上のエッジ部位の洗浄や基板の背面の感光膜を洗浄除
去することにおいて、既存の洗浄剤組成物とは差別化し
た４成分系洗浄剤組成物を用いて様々な種類の感光膜だ
けでなく、ＳＯＧ組成物まで多様な塗布組成物を十分に
迅速で経済的に除去することができるようにし、半導体
素子類の製造工程の簡便化及び生産の収率を向上するこ
とができる効果がある。
の上のエッジ部位の洗浄や基板の背面の感光膜を洗浄除
去することにおいて、既存の洗浄剤組成物とは差別化し
た４成分系洗浄剤組成物を用いて様々な種類の感光膜だ
けでなく、ＳＯＧ組成物まで多様な塗布組成物を十分に
迅速で経済的に除去することができるようにし、半導体
素子類の製造工程の簡便化及び生産の収率を向上するこ
とができる効果がある。
【００９０】また、本発明によると、フォトリソグラフ
ィー工程において不良品として回収される基板や工程の
管理のために任意に引出したテスト用基板からその表面
に付着している感光膜を除去して基板が再使用できるよ
うにし、基板の再活用及び経済的な使用を可能にする効
果がある。
ィー工程において不良品として回収される基板や工程の
管理のために任意に引出したテスト用基板からその表面
に付着している感光膜を除去して基板が再使用できるよ
うにし、基板の再活用及び経済的な使用を可能にする効
果がある。
【図１】塗布液が回転被覆された基板を概略的に示した
平面図である。
平面図である。
【図２】図１の基板の端部エッジ部位（点線の中）を拡
大したＳＥＭ写真であって、塗布された基板がきれいに
洗浄された後の状態を示したＳＥＭ写真である。
大したＳＥＭ写真であって、塗布された基板がきれいに
洗浄された後の状態を示したＳＥＭ写真である。
【図３】図１の基板の端部エッジ部位（点線のなか）を
拡大したＳＥＭ写真であって、塗布された基板の洗浄除
去の過程で引き起こされることがある感光膜攻撃の現象
を示すＳＥＭ写真である。
拡大したＳＥＭ写真であって、塗布された基板の洗浄除
去の過程で引き起こされることがある感光膜攻撃の現象
を示すＳＥＭ写真である。
【図４】図１の基板の端部エッジ部位（点線の中）を拡
大したＳＥＭ写真であって、塗布された基板の洗浄除去
過程で引き起こされることがある感光膜のテーリング現
象を示すＳＥＭ写真である。
大したＳＥＭ写真であって、塗布された基板の洗浄除去
過程で引き起こされることがある感光膜のテーリング現
象を示すＳＥＭ写真である。
【図５】感光膜が塗布された基板における多重反射の効
果を示す側断面図である。
果を示す側断面図である。
【図６】感光膜の膜の厚さの変動によるパターンの大き
さの変化を示す図面である。
さの変化を示す図面である。
【図７】表８に示した実施例１の洗浄剤組成物を感光性
樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳＥ
Ｍ写真である。
樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳＥ
Ｍ写真である。
【図８】表８に示した実施例２の洗浄剤組成物を感光性
樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳＥ
Ｍ写真である。
樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳＥ
Ｍ写真である。
【図９】表８に示した比較例１の洗浄剤組成物を感光性
樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳＥ
Ｍ写真である。
樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳＥ
Ｍ写真である。
【図１０】表８に示した比較例２の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１１】表８に示した実施例１の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１２】表８に示した実施例２の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１３】表８に示した比較例１の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１４】表８に示した比較例２の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１５】表８に示した実施例１の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１６】表８に示した実施例２の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１７】表８に示した比較例１の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１８】表８に示した比較例２の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図１９】表８に示した実施例１の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図２０】表８に示した実施例２の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図２１】表８に示した比較例１の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図２２】表８に示した比較例２の洗浄剤組成物を感光
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図２３】表１２に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図２４】表１２に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図２５】表１２に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図２６】表１２に示した比較例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図２７】表１２に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図２８】表１２に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図２９】表１２に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３０】表１２に示した比較例２の洗浄剤組成物の感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３１】表１２に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３２】表１２に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３３】表１２に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３４】表１２に示した比較例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３５】表１２に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３６】表１２に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３７】表１２に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３８】表１２に示した比較例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図３９】表１３に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４０】表１３に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４１】表１３に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４２】表１３に示した比較例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ａに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４３】表１３に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４４】表１３に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４５】表１３に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４６】表１３に示した比較例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｂに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４７】表１３に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４８】表１３に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図４９】表１３に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図５０】表１３に示した比較例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｃに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図５１】表１３に示した実施例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図５２】表１３に示した実施例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図５３】表１３に示した比較例１の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図５４】表１３に示した比較例２の洗浄剤組成物を感
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
光性樹脂Ｄに対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察した
ＳＥＭ写真である。
【図５５】表１５に示した実施例１の洗浄剤組成物をＳ
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図５６】表１５に示した実施例２の洗浄剤組成物をＳ
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図５７】表１５に示した実施例３の洗浄剤組成物をＳ
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図５８】表１５に示した実施例４の洗浄剤組成物をＳ
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図５９】表１５に示した比較例１の洗浄剤組成物をＳ
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図６０】表１５に示した比較例２の洗浄剤組成物をＳ
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
【図６１】表１５に示した比較例３の洗浄剤組成物をＳ
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
ＯＧ溶液に対するＥＢＲ試験の後、エッジを観察したＳ
ＥＭ写真である。
１ 照射光
２ 基板
３ 基板の段差
４ 感光膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 オゥ，チャンギィー
大韓民国 京畿道城南市盆唐區亭子洞
122番地 サンロックマウル宇星アパー
ト323棟1305号
(72)発明者 リー，サンダイ
大韓民国 京畿道華城郡楊甘面蓼塘里
625―３
(72)発明者 キム，ワンラェ
大韓民国 ソウル市盧原區下渓洞251番
地 青丘１次アパート110棟402号
(72)発明者 ウー，チョンスーン
大韓民国 ソウル市陽川區木１洞405―
293 ３／１
(56)参考文献 特開 平７−128867（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−278637（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−146562（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−165496（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C11D 1/00 - 19/00
Claims (6)
- 【請求項１】 ａ）プロピレングリコールモノアルキル
エーテル４０〜８０重量％、 ｂ）モノオキシカルボン酸エステル（乳酸アルキルエス
テルを除く）１０〜３０重量％、 ｃ）アルキルエタノエート１〜２０重量％、及び ｄ）乳酸アルキルエステル１〜２０重量％を含有してな
る洗浄剤組成物。 - 【請求項２】 スピン−オン−ガラス及び／又は感光性
樹脂の除去に使用するものである請求項１に記載の洗浄
剤組成物。 - 【請求項３】 前記ａ）のプロピレングリコールモノア
ルキルエーテルがプロピレングリコールモノメチルエー
テル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノプロピルエテール、及びプロピレ
ングリコールモノブチルエーテルからなる群より選択さ
れる請求項１又は２に記載の洗浄剤組成物。 - 【請求項４】 前記ｂ）のモノオキシカルボン酸エステ
ルが３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプ
ロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、
３−エトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシ酢酸メ
チル、２−エトキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシプロピ
オン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２
−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロ
ピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、
２−エトキシプロピオン酸エチル、β−メトキシイソ酪
酸メチル、及びα−ヒドロキシイソ酪酸メチルからなる
群より選択される請求項１〜３いずれかに記載の洗浄剤
組成物。 - 【請求項５】 前記ｃ）のアルキルエタノエートが酢酸
メチルエステル、酢酸エチルエステル、及び酢酸ブチル
エステルからなる群より選択される請求項１〜４いずれ
かに記載の洗浄剤組成物。 - 【請求項６】 前記ｄ）乳酸アルキルエステルが乳酸メ
チルエステル、乳酸エチルエステル、及び乳酸ブチルエ
ステルからなる群より選択される請求項１〜５いずれか
に記載の洗浄剤組成物。
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