JPH03203240A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造方法に関し、 有機成分を含有するＳＯＧ　（スピンオングラス）膜の
劣化を生し難くすることができ、かつ層間絶縁膜の平坦
化を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とし、 第１の配線層（３）上に有機成分を含有するシリカ系膜
（４ｂ）をその膜（４）内に有する層間絶縁膜（４）を
形成する工程と、該層間絶縁膜（４）上に金属膜（５）
を形成する工程と、該金属膜（５）上に画工・ノチング
膜（６）を形成する工程と、該第１の配線層（３）上に
対応する領域において、該耐エツチング膜（６）をパタ
ーニング後該金属膜（５）をトライエ・ノチングするこ
とにより第１の開口部（８ａ）を形成するとともに、該
第１の開口部（８ａ）内に該層間絶縁膜（４）を露出さ
・Ｑる工程と、該耐エツチング膜（６）をアッシング除
去する工程と、該金属膜（５）をマスクとして該第１の
開口部（８ａ）を介して該層間絶縁膜（４）を１〜′う
イエ・ンチングすることにより第２の開口部（８ｂ）を
形成するとともに、該第２の開口部（８ｂ）内に該第１
の配線層（３）を露出させる工程と、該第１、第２の開
口部（８ａ、８ｂ）を介して該第１の配線層（３）とコ
ンタクトを取るように該第２の配線層（９）を形成する
工程とを含むように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の製造方法に係り、多層Ａｆｆ配
線構造を有する半導体装置の製造方法に適用することが
でき、Ａｌ配線間のコンタクトＱＪ（うｊであるコンタ
クＩホールを高信頼性で、かつ支足に形成することがで
きる半導体装置の製造方法に関する。

近年の半導体素子の微細化−高集積化は、配線構造にお
いても、多層配線化をもたらしている。

そのため、層間絶縁膜の平坦化技術が多層配線化にとっ
て不可欠の技術となっている。

この層間絶縁膜の平坦化技ｉホｉの１つに、層間絶縁膜
に、有機成分を含有したシリカ系゛塗昂＋４を用いスピ
ン塗布法及びキュア焼成により形成したを有機分を含有
するシリカ系膜（例えばＳＯＣ膜）を用いる方法が一般
に知られている。具体的には、有機成分をＳＯＧ膜に含
有さ・仕ることＱこより、ＳＯＧ膜の厚膜化をクラック
の発生をさ・仕ることなく実現することができる。そし
て、ＳＯＧ膜の厚膜化によって層間絶縁膜の平坦度をよ
り向上させることかできる。

〔従来の技術〕

以下、具体的に従来技術について説明する。

第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法の
一例を説明する図である。

この図において、３１は例えばＳｉからなる基板、３２
は例えばＰＳＧからなる絶縁膜、３３は例えばＡｌから
なる第１の配線層、３４はＰＳＧ等からなる絶縁膜３４
ａ、有機成分を含有するＳＯＧ膜３４ｂ及びＰＳＧ等か
らなる絶縁膜３４Ｃから構成される層間絶縁膜、３５は
レジスト膜、３６はレジスト膜３５に形成された開口部
、３７は層間絶縁膜３４に形成されたコンタクト・１＝
−ル、３８は例えはＡ６からなる第２の配線層である。

なお、絶縁膜３４ａ、３４ｃは有ａ戒分を含有するＳＯ
Ｇ膜３４ｂとは異なり有機成分を含有していない。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第２図（ａ）に示すよ・）に、例えばＣＶＤ法に
より基板３１上にＰＳＧを堆積して絶縁ｌ摸３２を形成
し、例えばスバ・ツタ法により絶縁膜３２上にＡ４を堆
積した後、−・般に知られている所定のフカｌ−リソグ
ラフィー工程によりレジストをマスクどして例えしま１
＜　Ｉ　ＥによりＡＩｌ！を選扛ｑ＋力にエソ−Ｊ”ツ
クして第１の配線層３３を形成する。次いて、例えばＣ
ＶＤ法により第１の配線層３３を覆・うＪ、・つにＰＳ
Ｇを堆積して絶縁膜３４Ωを形成し、絶縁膜３４ａ上に
有機成分を含有したシリカｌｊＡをスピン塗布法により
塗布し、キュア焼成させて有機成分を含有するｓ　ｏ　
ｃ　１１莫３４１ノを形成した後、絶縁１１父３４　；
ｉ　０）形成方法と同様、例えばＣＶＤ法により有機成
分を含有する５ＯＧｌｉ菜３４ｂＪ−にＰ　Ｓ　Ｇを堆
積して絶縁ｌ模３４（を形成する。この］１，１、絶縁
膜３４．〕、有有機分を含有するＳＯＧ膜３４ｂ及び絶
縁膜３４・、からなる層間絶縁膜３４が形成される。次
いて、−ｅ　４こ知られているフ第１リソグラフィーエ
１゛己を用いて層間絶縁膜３４上にレジストを塗布して
レシス！・膜３５を形成した後、露光・現像によりレン
スＩ・膜３５を第１の配線層３３上に対応する領域にお
いてバタニングして開口部３６を形成するとともに、開
口部３６内に絶縁膜３４Ｃを露出させる。

次に、第２図（ｂ）に示すように、例えばＲ，ＩＥによ
りレンスＩ・膜３５をマスクとして開口部３６を介して
絶縁膜３４Ｃ１有機威分を含有するＳＯＧ膜３４ｂ及び
絶縁膜３４ａを選択的にエツチングしてコンタクＩ・ホ
ール３７を形成するとともに、コンタクトホール３７内
に第１の配線層３３を露出させる。

そして、例えば０２ガスを含むアッシング処理（アルカ
リ性レジスト剥離液やＨＮ　０３等のウェット処理でも
よい）によりレジスＩ−膜３５を除去した後、例えはス
パッタ法によりコンタク１へホール３７内の第１の配線
１１３３とコンタクトを取るよ・うに／ｌを堆積して第
２の配線層３８を形成することにより、第２図（（、）
に示すような村・１逍の配線コンタクＩ一部を得ること
ができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記した従来の半導体装置の製造方法にあっては、コン
タクトボール３７形成後のレジスｌ−膜３５の除去を０
２ガスを含むア・ノシング処理、あるいはアルカリ系レ
ジスト剥離液や■ｌＮＯ３等のウェット処理によって行
っているため、コンタクＩ・ホル３７内に露出された有
機成分を含有するＳ　ＯＧ　１１９３４ｂが０２ブラス
マ（第３図）・や水分に直接さらされていた。このため
、有機成分を含有するＳＯＧ膜３４ｂは、上記０２プラ
ズマにさらされることによって（高温での０２雰囲気に
さらされても同様）、膜内のを機威分か分解酸化を此こ
し易く、ＳＯＧ膜３４ｂの急激な膜収縮によって５ｏｃ
ｌｌ桑３４ｂにクラ・ツクが発生し有機成分を含有する
ＳＯＣ膜３４ｂが劣化するという問題があった。

また、有機成分を含有するＳＯＧ　１ｉ９３４　ｂは、
吸湿性が高いため、上記ウェット処理の際水分にさらさ
れることによって）膜内に水う３を吸？！ｎ：　Ｌ　ｌ
模が１１１＆くなり、有機成分を含有するＳＯＧ膜３４
ｂが劣化するという問題があった。ぞして、イ１ａ成分
を含有する５ＯＧＩＩ！３４ｂの吸湿性は０２プラスマ
や○。

雰囲気にさらされることによってより高くなる。

なお、絶縁膜３４ａ、３４ｃも同様に０．プラスマや水
分に直接さらされるが有機成分を含有するＳＯＧ膜３４
ｂとは異なり有機成分を含有しないため、上記のよ・う
な膜劣化という問題は生じない。

上記有機成分を含有するＳＯＧ膜３４ｂが劣化するとい
う問題を解決する従来技術としζは、コンタクｌ−ホー
ル３７内に有機成分を含有するＳＯＣ膜３４ｂを露出さ
せないでレジスト膜３５の除去を行う方法かある。以下
、具体的に図面を用いて説明する。

第４図（ａ）〜Ｃｆ＞は従来の半導体装置の製造方法の
他の一例を説明する図である。

この図において、第２図と同一符号は同一または相当部
分を示し、４１は絶縁膜３４ａ及び絶縁膜３４Ｃに形成
されたコンタクトホールである。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第４図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板３１上にＰＳＧを堆積して絶縁膜３２を形成し、
例えばスパッタ法により絶縁膜３２上にＡｌを堆積した
後、一般に知られている所定のフォトリソグラフィー工
程によりレジストをマスクとして例えばＲＩＥによりＡ
Ａを選択的にエツチングして第１の配線層３３を形成す
る。次いて、例えばＣＶＤ法により第１の配線層３３を
覆うようにＰＳＧを堆積して絶縁膜３４ａを形成する。

次いで、絶縁膜３２上に有機成分を含有したンリカ（Ａ
をスピン塗布法により塗布し、キュア焼成さ・仕て有機
成分を含有する５ＯＧＩ模３４ｂを形成する。

次に、第４図（ｂ）に示すように、例えしよＲＩＥによ
り有機成分を含有するＳＯＧ膜３４ｂを第１の配線層３
３上に対応する領域に残らないよ−）に工・ノチハソク
する。この時、第１の配線層３３上に対応する絶縁膜３
４ａが露出され、第１の配線層３３側壁部に形成された
絶縁膜３４ａ側壁部に未エツチングの有機成分を含有す
る５ＯＧＩＩ桑３４ｂが残される。

次に、第４図（ｃ）に示すように、絶縁膜３４２ｊの形
成力法と同様、例えばＣＶＤ法により絶縁膜３４ａ及び
有機成分を含有するＳＯＣ膜３４１〕を覆・）ようにＰ
ＳＧを堆積して絶縁膜３４ｃを形成する。

この時、絶縁膜３４ａ、有機成分を含有するＳＯＣ膜３
４ｂ及び絶縁膜３４ｃからなる層間絶縁膜３４が形　０ 威される。

次に、第４図（ｄ）に示すよっに、絶縁膜３４Ｃ上にレ
ジストを塗布してレジスト膜３５を形成した後、露光・
現像により第１の配線層３３上に対応する領域において
レジスト膜３５をパターニングして開口部３６を形成す
るとともに、開口部３６内に絶縁膜３４Ｃ，を露出さセ
る。

次に、第４図（ｅ）に示すように、例えばＲＩ已により
レジスト＋１１３５をマスクとして開口部３６を介して
絶縁Ｂ！３４Ｃ，絶縁ＷＪ、３４　ａを選択的にエツチ
ングしてコンククホール４１を形成するとともに、コン
タクホール４１内に第１の配線層３３を露出させる。

そして、例えば０２ガスを含むアッシング処理（アルカ
リ系しジスＩ・剥離液やｌ−Ｉ　ＮＯ３等のウェット処
理でもよい）によりレジス；−膜３５を除去した後、例
えばスパッタ法によりコンタクホール４１内の第１の配
線層３３とコンタクトを取るようにＡｌを堆積して第２
の配線層３８を形成することにより、第４図（ｆ）に示
すような構造の配線コンタク１一部を得ることができる
。

上記した従来の半導体装置の製造方法にあっては、第４
図（ｂ）に示すように、有機成分を含有するＳＯＧ膜３
４ｂをエッヂハックすることにより第１の配線層３３上
に対応する領域において（ｉ′機成分を含有するＳＯＧ
膜３４ｂを全て除去し、第１の配線層３３側壁部に形成
された絶縁１１！３４ａ側壁部にのみ形成するようにし
たので、第４図（ｅ）に示すように、コンタクホール４
１内には有機成分を含有するＳＯＧ膜３４ｂが露出され
ない。また、コンタクトホール４１内に露出された絶縁
膜３４ａ、３４ｃには有機成分は含有されていない。こ
のため、レジスト膜３５の除去を０２ガスを含むアッシ
ング処理、あるいはアルカリ系レジスト？ｊ１、り離液
やＨＮ　Ｏ、］等のウェット処理で行っても、有機成分
を含有するＳ　ＯＧ　ｌｌ１３４　ｂが０２プラズマ（
第３図）や水分に直接さらされなくなるため、これに伴
・う有機成分を含有するＳＯＧ膜３４ｂが劣化するとい
う間匙を解消することができる。

しかしながら、木来有機威分を含有する３００口 ２ 膜３４ｂは膜厚を厚くすることによって平坦化を実現す
るものであるが、上記有機成分を含有するＳ○ＧＢ！３
４ｂの劣化防止のためにエッチハックを行っているため
、第４図（ｂ）に示す如く第１の配線１ｉ３３の段差部
で絶縁膜３４ａが露出し、急峻な傾斜ができてしまい（
角度がθ、〜θ２のように大きくなる）、層間絶縁膜３
４の平坦化が行えないという問題があった。

これは、エッチバックにおけるエツチングのコントロー
ル上の問題として、まず、有機成分を含有する５ＯＣＩ
Ｉ！３４ｂと絶縁膜３４ａのエツチング選択比を一致さ
せると同時に、ウェハ面内分布のバラツキを小さくし、
エツチングレートを大きくし量産性を上げるという各々
の条件をすべて満たすことが非常に困難な点が挙げられ
る。そして、第５図に示すように（第５図において、５
１はポリＳｉ配線、５２はフィールド酸化膜である）、
第１の配線層３３の下地も凹凸をもっている実際のＩＣ
デバイスパターンでは、表面の凹凸によって有機成分を
含有するＳＯＧ膜３４ｂの膜厚が異なるため、第１の配
線層３３上に対応する領域の有機成分を含有するＳＯＧ
膜３４ｂの膜厚が下地パターンの形状凹凸によって第５
図に示すように、５ＯｐｒＪ３４ｂの膜厚がＸ、、Ｘ２
のように異なる。上記有機成分を含有するｓｏｃｌ１ｇ
３４ｂの劣化防止のためには第１の配線層３３上に対応
する領域の有機成分を含有するＳＯＧ膜３４ｂを確実に
除去する必要があり、そのためには、エッチハックにお
けるエツチング量はオーバーに取らざるを得ない点が挙
げられる。

即ち、このようなエッチハックにおける１ソチングのコ
ントロール上の問題より、エンデパック後も有機成分を
含有するＳＯＣ膜３４ｂを塗布・キュア坑底したときの
なめらかな表面の平坦性を維持することが困難であるた
めである。

そこで本発明は、有機成分を含有するＳＯＧ膜の劣化を
生じ難くすることができ、かつ層間絶縁膜の平坦化を行
うことができる半導体装置の製造方法を提供することを
目的とする。

３ ４ （課題を解決するための手段） 本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、第１の配線層」二に有機成分を含有するシリカ系膜
を王の膜内に有する層間絶縁膜を形成する工程と、該層
間絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、該第１の配線層
上に対応する領域において、該金属膜をトライエツチン
グすることにより第１の開口部を形成するとともに、該
第１の開口部内に核層間絶縁膜を露出させる工程と、該
金属膜をマスクとして該第１の開口部を介して該層間絶
縁膜を１”ライエツチングすることにより第２の開口部
を形成するとともに、第２の開口部内に該第１の配ｖＡ
層を露曳させる工程と、該第１、第２の開口部を介して
該第１の配線層と：１ンタクトを取るよ・）に該第２の
配線層を形成する工程とを含むものである。

本発明に係る有機成分を含有するシリカ系膜としては、
例えば有ａ威分を含有する５ＯＧＩＩＱが挙げられ、こ
の有機成分を含有するＳＯＣ膜は有機成分を含をしたシ
リカ材をスピン塗布ン去により塗布形成しキュア焼成さ
せることによって形成することができる。

本発明に係る金属膜としては、Ａｎ、Ｃｕ□９０）金属
、及びＷ　、　Ｔ　ｉ　、Ｍ　ｏ　！’ｊｆｉのρｉＮ
ａ点金屈等及びそれらの化合物を用いることができる。

〔作用〕

本発明は、第１図（ａ）〜（ｆ）に示ずよつに、第１の
配線層３上０こシリカ系膜４ｂをくの膜４内に有する層
間絶縁膜４が形成され、層間絶縁膜４上に金属膜５が形
成され、第１の配線層３上に対応する領域において、金
属１１父５がトうｆエツチングされることにより第１の
開口部８ａが形成されるとともに、第１の開口部８ａ内
に層間絶縁１１Ｗ　４が露出された後、金属膜５がマス
クとして用いられ、第１の開口部８ａを介して層間絶縁
＋１Ａ　４が］・ライエツチングされることにより第２
の開１−１部８ｂが形成されるとともに、第２の開口部
８ｂ内に第１の配線層３が露出され、第１、第２の開Ｌ
１部３ａ、３ｂを介して第１の配線層３と、ｌンタクト
５ Ｇ を採るように第２の配線層９が形成される。

したがって、有機成分を含有するＳＯＧ膜４ｂの劣化を
生じ難くすることができるようになり、かつ層間絶縁膜
４の平坦化を行うことができるようになる。詳細につい
ては実施例で説明する。

［実施例〕 以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の一実施例を説明する図である。

この図において、１は例えばＳｉからなる基板、２は例
えばＰＳＧ　（ＢＰＳＧ、、Ｓ　ｉｏｚ等でもよい）か
らなる絶縁膜、３は例えばＡｎからなる第１の配線層、
４はＰＳＣ等からなる絶縁膜４ａ、有機成分を含有する
ＳＯＣ膜４ｂ及びＰＳＧ等からなる絶縁ｙ４ｃからなる
層間絶縁膜、５はＷ（Ｔｉでもよい）等の例えば高融点
金属からなる金属膜（高融点金属の化合物からなる薄膜
であってもよい。）で、Ａ１、Ｃｕ等の配線材からなる
場合であってもよい。６はレジスト膜、７はレジスト膜
６に形成された開口部、８は金属１１！５に形成された
第１の開口部８ａと層間絶縁膜４に形成された第２の開
口部８ｂとからなるコンタクトホール、９は例えばＡｆ
ｆからなる第２の配線層である。

なお、絶縁膜４ａ、４ｂは有機成分を含有するＳＯＧ膜
４ｂとは異なり有機成分を含有していない。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板１上にＰＳＧを堆積して膜厚が例えば５０００〜
１００００人の絶縁膜２を形成し、例えばスパッタ法に
より絶縁膜２上にＡ、　ｆｆを肥厚が例えば５０００〜
１００００人で堆積した後、例えばＲＩＥによりＡｆｆ
を選択的にエツチングして第１の配線層３を形成する。

次いで、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、バイアスＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ法等のプラズマＣＶＤ法により第１の配線層
３を覆・うようにＰＳＧや５ｉｎ２を堆積して膜厚が例
えば１０００〜５０００　Ａの絶縁膜４ａを形成する。

なお、絶縁膜４ａの形］　７ 】　８ 威力法としては、常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、あるい
はバイアススパッタ法等のＰＶＤ法であってもよい。ま
た、ソースガスとしてはＳｉＨ，やＮ、Ｏ，ＰＨ３の他
、ＴＥ０１等の有機金属ソースを用いることができる。

次いで、絶縁膜４ａ上に有機成分を含有したシリカ材を
スピン塗布法により塗布し、キュア坑底させて膜厚が例
えば２０００〜８０００人の有機成分を含有するＳＯＧ
膜４ｂを形成する。ここでのシリカ材としては例えば東
京応化工業（株）製０ＣＤＴ’ｙｐｅ７等の、焼成した
後も有機成分を含有するシリカ系膜の得られるものを用
し、）る。

次に、第１図（ｂ）に示すように、絶縁膜４ａの形成方
法と同様、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、バイアスＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ法等のプラズマＣＶＤ法により有機成分を
含有するＳＯＧ膜４ｂ上にＰＳＧやＳｉＯ□を堆積して
膜厚が例えば１０００〜５０００人の絶縁膜４ｃを形成
する。この時、絶縁膜４ａ、有機成分を含有するＳＯＧ
膜４ｂ及び絶縁膜４ｃからなる層間絶縁膜４が形成され
る。なお、絶縁膜４ｃの形成方法としては、絶縁１ｊＪ
４ａの形成方法と同様、常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、
あるいはバイアススパッタ法等のＰ　Ｖ　Ｄ法であって
もよい。また、絶縁膜４ｃ（絶縁膜４ａも同様）としζ
は有機成分を合釘する５ＯＧＩＩΔ４１）どつ、全１′
１１性の得られるものが好ましい。次いて、例えはスパ
ッタ法（ＣＶ　Ｉ）法でもよい）より絶縁膜４ｃ上にＷ
を堆積して膜厚が例えば５００〜５０００久の金属膜５
を形成する。

次に、第１図（Ｃ）に示１ように、金属膜５上にレジス
トを塗布してレジスト膜６を形成した後、露光・現像に
よりレジスト膜６を第１の配線層３上に対応する領域に
おいてパターニングして開口部７を形成するとともに、
開口部７内に金属膜５を露出させる。

次に、第１図（ｄ）に示すように、エツチングガスが例
えばＣ１（ＦＸＢｒ等でもよい）を含むガス等のＲＩＥ
によりレジスト膜６をマスクどして金属膜５を選択的に
トライエツチングし゛ζ第１の開口部８ａを形成すると
ともに、第１の開口部９ ０ ８ａ内に絶縁膜４ｃを露出させる。ここでの金属膜５の
ドライエツチングにおいては、金属膜５と絶縁膜４ｃの
エツチング選択比が十分大きくとれるエツチング条件で
行うのが好ましい。

次に、第１図（ｅ）に示すように、０２ガスを含むアッ
シングやＨＮＯ３等のウェット処理によりレジスト膜６
を除去し、例えばＣＦ、ガスやＣＨＦ　３ガス、０２ガ
ス等のＲＩＥにより金属膜５をマスクとして第１の開口
部８ａ内の絶縁膜４ｃ、有機成分を含有するＳＯＧ膜４
ｂ及び絶縁膜４ａからなる層間絶縁膜４を選択的にドラ
イエツチングして第２の開口部８ｂを形成するとともに
、第２の開口部８ｂ内に第１の配線Ｎ３を露出させる。

この時、第１の開口部８ａ、第２の開口部８ｂからなる
コンタクトホール８が形成される。ここでの層間絶縁膜
４のドライエツチングにおいては、金属膜５と層間絶縁
膜４のエツチング選択比が十分大きくとれるエツチング
条件で行うのが好ましい そして、例えばスパッタ法によりコンタクトホール８内
の第１の配線層３どコンタクトを取るようにＡ℃を堆積
して第２の配線層９を形成することにより第１図（ｆ）
に示すような構造の配線′：１ンタクト部を得ることが
できる。

すなわち、上記実施例では、第１の配線層３上の領域に
おいて、金属膜５に第１の開口部８ａを形成する際レジ
スＩ−膜６をマスクとして用い”ζ恥り、第１の開口部
８ａ形成後レジスト膜６を０２ガスを含むアッシングや
ｉ−Ｉ　Ｎ　Ｏ，等のウェット処理により除去している
。このレジスト膜６を除去する際、有機成分を含有する
５ＯＧ１９４ｂは有機成分を含有していない絶縁膜４ｃ
で保護されているため、従来のような０゜ガスを含むア
ッシングやＨＮＯ３等のウェット処理による有機成分を
含有する５ＯＧＩＱ４ｂの劣化を生し難くすることがで
きる。そして、レジスト膜６を除去した後は、層間絶縁
膜４のエツチングと第２の配線層９の形成をドライ処理
の連続で行うことができるため、上記同様有機成分を含
有するＳＯＣ；１ＩＡ４ｂの劣化を生し難くすることが
できる。

１ ２ また、上記のよ・）に有機成分を含有する５ＯＧｌ奨４
ｂの劣化をほとんど生しさせることなくコンタクトホー
ル８内に有機成分を含有するＳＯＧ膜４ｂを露出させる
ことができるため、有機成分を含有するＳＯＧ膜４ｂを
十分な膜厚で形成することができ、層間絶縁膜４の平坦
化を行うことができる。

更に、金属ｔｌ！５を配線パターンどして残すことがで
きるため、スＩ・レスマイグレーション・エレクトロマ
イグレーション耐性が良好になるという利点がある。

〔発明の効果］ 本発明によれば、有機成分を含有するＳＯＧ膜の劣化を
生し難くすることができ、かつ層間絶縁膜の平坦化を行
うことができるという効果がある。

第２図は従来例の一例の製造方法を説明する図、第３図
は従来例の課題を説明する図、 第４図は従来例の他の一例の製造方法を説明する図、 第５図は従来例の課題を説明する図である。

・・・・・・第１の配線層、 ・・・・・・層間絶縁膜、 ｂ・・・・・・有機成分を含有するＳＯＧ膜、・・・・
・・金属膜、 ａ・・・・・第１の開口部、 ｂ・・・・・・第２の開口部、 ・・・・・・第２の配線層。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例
の製造方法を説明する図、 ３ ４ ２２８−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 第１の配線層（３）上に有機成分を含有するシリカ系膜
   （４ｂ）をその膜（４）内に有する層間絶縁膜（４）を
   形成する工程と、 該層間絶縁膜（４）上に金属膜（５）を形成する工程と
   、 該金属膜（５）上に耐エッチング膜（６）を形成する工
   程と、 該第１の配線層（３）上に対応する領域において、該耐
   エッチング膜（６）をパターニング後該金属膜（５）を
   ドライエッチングすることにより第１の開口部（８ａ）
   を形成するとともに、該第１の開口部（８ａ）内に該層
   間絶縁膜（４）を露出させる工程と、 該耐エッチング膜（６）をアッシング除去する工程と、 該金属膜（５）をマスクとして該第１の開口部（８ａ）
   を介して該層間絶縁膜（４）をドライエッチングするこ
   とにより第２の開口部（８ｂ）を形成するとともに、該
   第２の開口部（８ｂ）内に該第１の配線層（３）を露出
   させる工程と、該第１、第２の開口部（８ａ、８ｂ）を
   介して該第１の配線層（３）とコンタクトを取るように
   該第２の配線層（９）を形成する工程とを含むことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。