CN106773562A - 一种去除az光刻胶的去胶液 - Google Patents
一种去除az光刻胶的去胶液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106773562A CN106773562A CN201611206000.2A CN201611206000A CN106773562A CN 106773562 A CN106773562 A CN 106773562A CN 201611206000 A CN201611206000 A CN 201611206000A CN 106773562 A CN106773562 A CN 106773562A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- removal
- organic
- remove glue
- photoresists
- glue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明属于半导体加工技术领域,涉及一种去除AZ光刻胶的去胶液,其配方包括:10‑50wt%有机酯,10‑50wt%有机醇,补足余量的极性有机溶剂;其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种,有机醇为C2~3醇类,极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N‑甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3‑二甲基‑2‑咪唑啉酮中的一种。本发明去胶液去胶速度快,使用温度相对较低,不伤硅、氧化硅、金属、钝化等各种底材,水溶性,容易清洗。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,特别涉及一种使用效果更好的去除AZ光刻胶的去胶液。
背景技术
光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射,使溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料,主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工,近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器(FPD)的制作。AZ光刻胶是一种正性光刻胶,所以生成的图形具有良好的分辨率,但目前市场上大部分AZ光刻胶去胶液存在腐蚀金属、去胶速度慢、有胶残留或伤钝化层的问题,不能满足市场需求。
本发明就是为了提供一种新的去除AZ光刻胶的去胶液来解决以上问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种使用效果更好的去除AZ光刻胶的去胶液及其使用方法。
本发明通过如下技术方案实现上述目的:一种去除AZ光刻胶的去胶液,其配方包括:10-50wt%有机酯,10-50wt%有机醇,补足余量的极性有机溶剂;其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种,有机醇为C2~3醇类,极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一种。
具体的,所述一元酸酯为乙酸乙酯、乳酸乙酯或甲酸乙酯中的一种。
具体的,所述二元酸酯为二乙酸乙二酯、乙二酸二甲酯、乙二酸二乙酯中的一种。
具体的,所述内酯为乙二酸乙二酯或丁内酯。
具体的,去胶液还包括0-10wt%阻蚀剂。
进一步的,所述阻蚀剂为苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并咪唑中的一种。
具体的,去胶液还包括0-10wt%有机醇胺。
进一步的,所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺中的一种。
采用上述技术方案,本发明技术方案的有益效果是:
本发明去胶液去胶速度快,使用温度相对较低,不伤硅、氧化硅、金属、钝化等各种底材,水溶性,容易清洗。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
一种去除AZ光刻胶的去胶液,其配方包括:10-50wt%有机酯,10-50wt%有机醇,补足余量的极性有机溶剂;其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种,有机醇为C2~3醇类,极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一种。
实施例1~10:
按照表1的配方配制去胶液。
表1:
因为配方中不包含酸碱成分,所以不伤硅、氧化硅、金属、钝化等各种底材,极性溶剂对水的相溶性好,容易清洗。
用实施例1~10以及现有市面上买到的AZ光刻胶去胶液在表2温度条件下对同样涂在10mm×10mm表面上的AZ光刻胶进行去胶速度实验,得到如下结果。
表2:
从表2所示的测试结果可以看出,新的去胶液在去胶温度相对较低的情况下去胶速度明显高于对照例。因此相比于原技术,本方案去胶效果更佳。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于配方包括:10-50wt%有机酯,10-50wt%有机醇,补足余量的极性有机溶剂;其中有机酯为一元酸酯、二元酸酯或内酯中的一种,有机醇为C2~3醇类,极性有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的一种。
2.根据权利要求1所述的去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于:所述一元酸酯为乙酸乙酯、乳酸乙酯或甲酸乙酯中的一种。
3.根据权利要求1所述的去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于:所述二元酸酯为二乙酸乙二酯、乙二酸二甲酯、乙二酸二乙酯中的一种。
4.根据权利要求1所述的去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于:所述内酯为乙二酸乙二酯或丁内酯。
5.根据权利要求1所述的去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于:还包括0-10wt%阻蚀剂。
6.根据权利要求5所述的去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于:所述阻蚀剂为苯并三唑、5-甲基苯并三唑、苯并咪唑中的一种。
7.根据权利要求1所述的去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于:还包括0-10wt%有机醇胺。
8.根据权利要求7所述的去除AZ光刻胶的去胶液,其特征在于:所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺中的一种。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611206000.2A CN106773562A (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种去除az光刻胶的去胶液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201611206000.2A CN106773562A (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种去除az光刻胶的去胶液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106773562A true CN106773562A (zh) | 2017-05-31 |
Family
ID=58919191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201611206000.2A Pending CN106773562A (zh) | 2016-12-23 | 2016-12-23 | 一种去除az光刻胶的去胶液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN106773562A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107153329A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-09-12 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | Tft行业铜制程用高回收率环保型剥离液 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1271113A (zh) * | 1999-04-15 | 2000-10-25 | 东进瑟弥侃株式会社 | 用于清除不必要感光树脂的稀释剂组合物 |
CN1702560A (zh) * | 2004-05-25 | 2005-11-30 | 东进世美肯株式会社 | 感光性树脂去除用的稀释剂组合物 |
CN1982425A (zh) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 东京应化工业株式会社 | 清洗剂 |
CN101004560A (zh) * | 2006-01-17 | 2007-07-25 | 东京应化工业株式会社 | 清洗剂组合物 |
CN102411269A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-04-11 | 西安东旺精细化学有限公司 | 光致抗蚀剂膜的剥离液组合物 |
CN102449554A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-05-09 | 伊士曼化工公司 | 用于清除有机物的组合物和方法 |
CN102472985A (zh) * | 2009-08-11 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 光阻剥离液组成物及使用其剥离光阻的方法 |
CN103336412A (zh) * | 2013-07-03 | 2013-10-02 | 北京科华微电子材料有限公司 | 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺 |
CN104049475A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-17 | 青岛华仁技术孵化器有限公司 | 具有防腐蚀功效的去除剂 |
CN105022237A (zh) * | 2014-04-23 | 2015-11-04 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液 |
CN106154772A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-11-23 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种半导体凸块制程用正胶去胶液 |
-
2016
- 2016-12-23 CN CN201611206000.2A patent/CN106773562A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1271113A (zh) * | 1999-04-15 | 2000-10-25 | 东进瑟弥侃株式会社 | 用于清除不必要感光树脂的稀释剂组合物 |
CN1702560A (zh) * | 2004-05-25 | 2005-11-30 | 东进世美肯株式会社 | 感光性树脂去除用的稀释剂组合物 |
CN1982425A (zh) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | 东京应化工业株式会社 | 清洗剂 |
CN101004560A (zh) * | 2006-01-17 | 2007-07-25 | 东京应化工业株式会社 | 清洗剂组合物 |
CN102449554A (zh) * | 2009-03-27 | 2012-05-09 | 伊士曼化工公司 | 用于清除有机物的组合物和方法 |
CN102472985A (zh) * | 2009-08-11 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 光阻剥离液组成物及使用其剥离光阻的方法 |
CN102411269A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-04-11 | 西安东旺精细化学有限公司 | 光致抗蚀剂膜的剥离液组合物 |
CN103336412A (zh) * | 2013-07-03 | 2013-10-02 | 北京科华微电子材料有限公司 | 一种新型的光刻胶剥离液及其应用工艺 |
CN105022237A (zh) * | 2014-04-23 | 2015-11-04 | 安集微电子科技(上海)有限公司 | 一种金属低刻蚀光刻胶剥离液 |
CN104049475A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-17 | 青岛华仁技术孵化器有限公司 | 具有防腐蚀功效的去除剂 |
CN106154772A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-11-23 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | 一种半导体凸块制程用正胶去胶液 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107153329A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-09-12 | 江阴润玛电子材料股份有限公司 | Tft行业铜制程用高回收率环保型剥离液 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI465564B (zh) | 用於液晶顯示器製造過程中之含初級醇胺的光阻剝除組成 | |
CN101971103B (zh) | 一种光刻胶清洗剂 | |
CN102472985A (zh) | 光阻剥离液组成物及使用其剥离光阻的方法 | |
CN104317172B (zh) | 一种用于光刻胶剥离的剥离液 | |
CN102667628A (zh) | 非水系光阻剥离剂组成物 | |
TW201432395A (zh) | 光阻剝離液組成物以及使用該組成物的光阻剝離方法 | |
CN106773562A (zh) | 一种去除az光刻胶的去胶液 | |
KR20140024625A (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 | |
CN106624464A (zh) | 一种水基助焊剂 | |
KR20130131796A (ko) | Tft 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 tft의 제조방법 | |
CN107942625B (zh) | 一种面板行业铜制程用新型剥离液 | |
CN103425000B (zh) | 除去负性光刻胶的方法 | |
CN105188272A (zh) | 一种在pcb上做喷锡表面处理的方法 | |
CN105385518A (zh) | 一种新型二极管半导体专用清洗液 | |
CN106624457A (zh) | 低腐蚀性水基助焊剂组合物 | |
CN106292209A (zh) | 一种高效光刻胶剥离液及其应用 | |
CN107037698B (zh) | 一种光刻胶剥离液 | |
JP5195063B2 (ja) | レジスト剥離液 | |
CN103365121A (zh) | 抗蚀剂剥离组合物及利用该抗蚀剂剥离组合物剥离抗蚀剂的方法 | |
CN107153329A (zh) | Tft行业铜制程用高回收率环保型剥离液 | |
CN109164686B (zh) | 一种正性光刻胶去胶清洗组合物及其应用 | |
KR20140044482A (ko) | 전자소자용 세정액 조성물 | |
CN107608182A (zh) | 一种用于tft‑lcd光刻胶高效清洗剂 | |
KR102057158B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 | |
JP5894779B2 (ja) | 液晶配向膜の剥離液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 215000 1647 Huangpu Road, Qian Deng Town, Kunshan City, Suzhou, Jiangsu Applicant after: Jiangsu Essen semiconductor materials Limited by Share Ltd Address before: 215300 No. 1647 Huangpujiang Road, Qiandeng Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Applicant before: ASEM (Suzhou) Electronic Material Co., Ltd. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170531 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |