JP3665095B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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【産業上の利用分野】
本発明は、半導体装置などの製造で用いられるコンタクトホールやスルーホールの開口技術に関するものであり、特に露光装置の解像限界以下の微細領域にまで適用可能な絶縁膜のパターン形成方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、例えば、次のような文献に記載されるものがあった。
文献1;特開平5−177069号公報
文献2;特開平5−29247号公報
近年、半導体装置の高速化、高集積化に伴い、配線の多層化が進んでいる。そのため、基板上の段差を絶縁膜によって平坦化し、リソグラフィマージンを広げる手法や絶縁膜に微細コンタクトを形成する手法の開発が必要になってきている。
SOG( Spin-On-Glass 、塗布ガラス ) は、段差被膜性及び平坦化能力に優れるため絶縁膜材料としてしばしば用いられるが、コンタクトホールの側壁にSOG膜が露出すると、SOG膜中の微量の水分や有機物が原因とみられるコンタクト不良などデバイスの信頼性を低下させる場合がある。
このようなプロセスの一つとして例えば、前記文献1に記載された技術がある。
【0003】
図2(a)〜(g)は、前記文献1に記載された従来のパターン形成方法を示す工程図である。
まず、図2(a)に示すように、基板1上に電極配線2を形成する。次に、図2(b)に示すように、CVD法によりSiO 2 膜(シリコン酸化膜)3を全面に形成する。その後、図2(c)に示すように、SOG膜4を塗布・形成する。次に、図2(d)に示すように、CVD法によりPSG(Phosphosicate Glass、リン酸ガラス)5を形成する。その後、図2(e)に示すように、フォトリソグラフィにより、PSG膜5のエッチングのマスクとなるレジストパターン6を形成する。
次に、図2(f)に示すように、レジストパターン6をマスクとして、PSG膜5、SOG膜4、及びSiO2 膜3を開口してホール7を形成した後、レジストパターン6を除去する。
次に、図2(g)に示すように、ホール側壁に露出したSOG膜4をPSG膜5で覆うために、PSG膜5の表面をアルゴンイオン(Ar+ )でスパッタエッチングする。これにより、スパッタされたPSG膜5がホール側壁に堆積されてSOG膜4を覆ってしまう。
【0004】
また、前記文献2に記載されている技術もある。
図3(a)〜(e)は、前記文献2に記載された従来のパターン形成方法を示す工程図である。
まず、図3(a)に示すように、P型基板11上にゲート絶縁膜12、及びゲート電極13を形成した後、低濃度拡散層、及びサイドウォールを形成する。次に、高濃度拡散層14を形成した後、SiO2 膜15、ポリシリコン膜16、Si3 N4 膜17、ポリシリンコン膜18、SiO2 膜19、及びSi3 N4 膜20を順次形成する。
次に、図3(b)に示すように、高濃度拡散層14にコンタクトを形成するために、PSG膜21を形成する。その後、図3(c)に示すように、PSG膜21上にフォトリソグラフィによりレジストパターン22を形成し、これをマスクとして、フッ酸を用いて、PSG膜21を等方的にウェットエッチングして空洞部23を作る。
次に、図3(d)に示すように、レジストパターン22の開口部を通してリン酸でウェットエッチングによりSiN4 膜20を開口し、さらにSiO2 膜19、SiN4 膜17、SiO2 膜15、及びゲート酸化膜12を順次エッチングして、コンタクトホール24を開口して、高濃度拡散層14を露出する。そして、レジストパターン22を剥離した後、図3(e)に示すように、Al配線25を形成する。
この方法では、PSG膜21の等方的エッチングとレジストパターン22の上面規制のエッチングにより、Al配線25のカバレッジが良くなるようにコンタクトホール24を形成できる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のパターン形成方法においては、次のような課題(a)〜(c)があった。
(a)前記文献1による方法では、Ar+ スパッタによってホール7の側壁にPSG膜5を堆積するとしているが、これは物理的方法であるから必ずしもホール7の側壁にのみ選択的に付くとは限らず、ホール7のアスペクト比によってはホール底部にも堆積することが十分考えられる。
このような場合には、メタルを埋め込む際のコンタクト不良という重大な支障となる。また、微細なホール7の場合には、側壁の上部から底部まで必要十分な膜厚のPSG膜5が付かないか、あるいは全くつかないことも予想される。また、工程数も6工程あり、煩雑なプロセスとなりデバイスのコスト上昇や歩留まり低下の要因となり易い。
(b)前記文献2による方法では、レジストパターン22の開口部を通して、ウエットエッチング及びドライエッチングを行っているが、微細コンタクトホール24を形成しようとすると、レジストパターン22の開口部が小さくなるためにウェットエッチング液のPSG膜21への供給、純水置換などが不十分になり易いという問題点がある。
また、ドライエッチングも狭いレジストパターン22の開口部と空洞部23を通して行うので、ドライエッチングの際にレジストパターン22のエッチングによりコンタクト径が大きくなり、寸法変換差を生じ易いという問題点がある。
(c)さらに今後の微細化によってコンタクトホール24などのリソグラフィマージシンは極めて狭くなることが予想されるが、前述した二つの従来技術はこのような状況への対応が極めて困難と予想される。よって、これらの従来技術よりも簡便で、信頼性が高く、また微細化に容易に対応できる新規なパターン形成方法の開発が必要とされている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明のパターン形成方法では、素子領域と電極配線とが形成された基板の全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に、露光によりシリコン酸化膜に変化するポリ(ジ−t−ブトキシシロキシサン)を主成分とする感光性SOG膜を形成する工程と、前記感光性SOG膜をステッパを用いて露光した後に現像し、前記感光性SOG膜にホールを開口する工程と、前記感光性SOG膜の側壁を覆うように、全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記感光性SOG膜の前記ホール開口領域を前記素子領域又は前記電極配線が露出するまで異方性エッチングにより前記第1及び第2の絶縁膜をエッチバックしてホールパターンを形成する工程と、を有している。
【0007】
【作用】
本発明によれば、以上のようにパターン形成方法を構成したので、第1の絶縁膜上の感光性SOG膜をステッパを用いて露光した後に現像し、そのSOG膜にホールを開口する。SOG膜の露光された部分は、シリコン酸化膜になるので、デバイスに残っても不都合はない。その後、ホール開口領域のSOG膜の側壁を覆うように第2の絶縁膜を全面に形成する。これらの第1及び第2の絶縁膜を素子領域又は電極配線が露出するまで、異方性エッチングによりエッチバックする。このエッチングの異方性により、SOG膜の側壁の第2の絶縁膜がエッチングされることがないので、ホールパターンのSOG膜の側壁は第2の絶縁膜に覆われたままである。また、ホールパターンの径は、第2の絶縁膜の膜厚により制御される。従って、前記課題を解決できるのである。
【0008】
【実施例】
(第1の実施例)
図1(a)〜(g)は、本発明の第1の実施例のパターン形成方法を示す工程図である。
以下、図1(a)〜(g)を参照しつつ本発明の第1の実施例のパターン形成方法の説明をする。
(1) 図1(a)の工程
素子間分離法、イオン注入法などにより素子領域が形成されたシリコン基板51を用意する。このシリコン基板51上にCVD法、スパッタ法、及びフォトリソグラフィによりTiN/Al/TiN構造の配線幅0.6μmの第1層のAl配線52を形成する。
(2) 図1(b)の工程
CVD法により、TEOS(tetraethyl orthosilicate) 400sccm、O2 400sccm、圧力9Pa、パワー400Wの条件で膜厚0.2μmの第1の絶縁膜であるPE−TEOS膜(Plasma Enhanced TEOS)53を形成する。
【0009】
(3) 図1(c)の工程
ポリ(ジ−t−ブトキシシロキシサン(組成:(−Si−O−)n と二つのOC4 H9 との結合))と微量のトリフェニルスルホニウムトリフラート(組成:S+ CF3 SO3 と三つのベンゼン環との結合)からなる感光性樹脂組成物である感光性SOG膜54を回転塗布して、膜厚0.6μmに形成する。
この感光性樹脂組成物は、光または電子線を照射して加熱すると、トリフェニルスルホニウムトリフラートが触媒としてジ−t−プトキシシロサンに対して働いて、露光部分がSiO2 に変化する物質である。
SOG膜54をKrFエキシマステッパ(NA0.35、1/5縮小)を用いて、露光量10mJ/cm2 で光照射し、100℃/2minベーキングする。次に、アニソールで現像、キシレンでリンスし、200℃/10minポストベーキングする。このようにして、Al配線52上にPE−TEOS膜53を介して、口径0.8μmのホール55を開口する。
【0010】
(4) 図1(d)の工程
CVD法により、TEOS 400sccm、O2 400sccm、圧力9Pa、パワー400Wの条件で膜厚0.4μmの第2の絶縁膜であるPE−TEOS膜56を形成する。この時、SOG膜54のホール55の開口部57の口径は0.4μmとなる。つまり、SOG膜54の側壁に0.2μmのPE−TEOS膜56が堆積する。
(5) 図1(e)の工程
全面をエッチングガスCHF3 、圧力1.0Paの低圧で、PE−TEOS膜56及びPE−TEOS膜53を異方性エッチングによりエッチバックして、ホールパターンとしてのビヤホール58を開口して、Al配線52を露出する。この時、SOG膜54の側壁のPE−TEOS膜56は、異方性エッチングによるためにエッチングされず、SOG膜54の側壁は、PE−TEOS56に被膜されたままである。
(6) 図1(f)の工程
CVD法により、アルミニウムのスパイク防止のためにバリアメタル層として、膜厚0.1μmのTiN59を形成する。
【0011】
(7) 図1(g)の工程
バイアススパッタ法により、膜厚0.6μmのAl電極60を形成する。
以上のように、本実施例では、以下の利点(a)〜(d)がある。
(a)シリコン基板51上にPE−TEOS膜53を形成する工程からビヤホール58の開口まで4工程と少なく済むことである。これは、感光性SOG膜54を用いたことと、この感光性SOG膜54のパターンにCVD−SiO2 のPE−TEOS膜56を被せてエッチバックと同時にビヤホール58の開口を完了させる手法を併用することによって可能になった。これによって、製造コストの低減と歩留まりの向上が期待できる。
(b)感光性SOG膜54をPE−TEOS膜56でコンフォーマルに覆うことから、エッチバックによりビヤホール58の開口工程中は勿論のこと、開口を完了した構造においてもSOG膜54が露出することはない。そのため、SOG膜54の露出によるデバイスの信頼性の低下を防止することができる。
(c)ビヤ開口のためのフォトリソグラフィに対する寸法的な厳しさが緩和される。すなわち、リソグラフィによって開口したホール55を次工程であるPE−TEOS CVDとドライエッチングにより自己整合的に縮小できるので、フォトリソグラフィでは比較的大きなホール55のパターンを形成すればよいことになる。特に、焦点深度の点で有利になる。
(d)最終的なビヤ径はPE−TEOS膜56の膜厚により正確に制御・縮小できる。このため用いたステッパの解像限界以下のビヤホール58の開口も可能となる。
【0012】
(第2の実施例)
図4(a)〜(d)は、本発明の第2の実施例のパターン形成方法を示す工程図である。
以下、図4(a)〜(d)を参照しつつ、本発明の第2の実施例のパターン形成方法の説明をする。
(1) 図4(a)の工程
P型シリコン基板101に、素子領域を分離するために素子分離法によりフィールド酸化膜102、及び熱酸化法によりゲート酸化膜103を形成する。その後、CVD法及びフォトリソグラフィによりゲート電極104を形成し、このゲート電極104をマスクとして自己整合的に低濃度拡散層を形成する。
次に、CVD法及び異方性エッチングによりゲート電極104の側壁にサイドウォール105を形成して、このサイドウォール105をマスクとして自己整合的に高濃度拡散層106を形成して、ゲート電極104下のシリコン基板101、低濃度拡散層及び高濃度拡散層106を素子領域とする。
その後、第1の絶縁膜であるSiO2 膜107、ポリシリコン膜108、Si3 N4 膜109、ポリシリコン膜110、SiO2 膜111、及びSi3 N4 膜112を順次形成する。
【0013】
(2) 図4(b)の工程
感光性のないSOG膜としてのOCD−T7(東京応化製)に光酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフラートを添加した感光性SOG膜113を回転塗布して、膜厚0.6μmに形成する。
SOG膜113をKrFエキシマステッパ(NA0.35、1/5縮小)を用いて、露光量5mJ/cm2 で光照射し、100℃/2minベーキングする。次に、アニソールで現像、イソプロピルアルコールでリンスし、200℃/10minポストベーキングする。このようにして、口径0.8μmのホール114を開口する。
(3) 図4(c)の工程
CVD法により、TEOS 400sccm、POCl3 100sccm、O2 400sccm、圧力9Pa、パワー400Wの条件で膜厚0.4μmの第2の絶縁膜であるPSG膜115を形成する。この時、SOG膜113のホール114の開口部116の口径は0.35μmとなる。
(4) 図4(d)の工程
全面をエッチングガスCF4 /CHF3 により、PSG膜115、Si3 N4 膜112、SiO2 膜111、Si3 N4 膜109、及びSiO2 膜107を異方性エッチングによりエッチバックして、ホールパターンであるコンタクトホール117を開口する。
【0014】
以上説明したように、本第2の実施例では、以下の利点(a)〜(c)がある。
(a)シリコン基板101上にSi 3 N 4 膜112を形成する工程から開口部116の形成まで3工程と少なく済むことである。これは、感光性SOG膜113を用いたことと、この感光性SOG膜113のパターンにCVD−SiO2 のPSG膜115を被せてエッチバックと同時にコンタクトホール117の開口を完了させる手法を併用することによって可能になった。これによって、製造コストの低減と歩留まりの向上が期待できる。
(b)感光性SOG膜113をPSG膜115で覆うことから、エッチバックによりコンタクトホール117の開口工程中は勿論のこと、開口を完了した構造においてもSOG膜113が露出することはない。そのため、SOG膜113の露出によるデバイスの信頼性の低下を防止することができる。
(c)最終的なコンタクト径はPSG膜115の膜厚で自己整合的に制御・縮小できるので、その分コンタクトホール117の開口のためのフォトリソグラフィに対する寸法的な厳しさが緩和されることである。実際、本実施例で使用したステッパと感光性SOG膜113の組み合わせによるホールパターンの解像限界は0.5μmであるので、これに比べて0.15μmも小さいホールパターン117を形成することができる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されず種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。
本実施例では、SOG膜に感光性SOG膜113を用いた例を説明したが、感光性のないSOG膜を塗布形成しておき、これをフォトリソグラフィによりパターニングする。そして、その後、CVD SiO 2 のエッチバックをすることによりビヤホールを形成しても、第1の実施例の(b)〜(d)と同様の利点がある。
【0015】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、第1の絶縁膜上に形成された、露光によりシリコン酸化膜に変化するポリ(ジ−t−ブトキシシロキシサン)を主成分とする感光性SOG膜を、ステッパを用いて露光した後に現像してホールを形成する際に、そのSOG膜の露光された部分がシリコン酸化膜になるので、デバイスに残っても不都合はない。そして、ホールの第2の絶縁膜による被膜、及び第1、第2の絶縁膜の異方性エッチングによるエッチバックをするので、SOG膜が第2の絶縁膜に被膜された状態でホールパターンを形成できる。そのため、SOG膜の露出による配線などの不具合が発生しないので、信頼性が向上する。その上、第1及び第2の絶縁膜のエッチバックによりホールパターンを形成するので、リソグラフィの解像限界よりも小さいホールパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のパターン形成方法を示す工程図である。
【図2】従来のパターン形成方法を示す工程図である。
【図3】従来のパターン形成方法を示す工程図である。
【図4】本発明の第2の実施例のパターン形成方法を示す工程図である。
【符号の説明】
51,101 シリコン基板
52 Al電極
53 PE−TEOS膜
54,113 感光性SOG膜
55,114 ホール
56 PE−TEOS膜
58 ビヤホール
106 高濃度拡散層
115 PSG膜
117 コンタクトホール
Claims (1)
- 素子領域と電極配線とが形成された基板の全面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、露光によりシリコン酸化膜に変化するポリ(ジ−t−ブトキシシロキシサン)を主成分とする感光性SOG膜を形成する工程と、
前記感光性SOG膜をステッパを用いて露光した後に現像し、前記感光性SOG膜にホールを開口する工程と、
前記感光性SOG膜の側壁を覆うように、全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記感光性SOG膜の前記ホール開口領域を前記素子領域又は前記電極配線が露出するまで異方性エッチングにより前記第1及び第2の絶縁膜をエッチバックしてホールパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
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