KR102085677B1 - 통합 공정 씬너 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 통합 공정 씬너 조성물은, 반도체 소자 및 박막트렌지스터 액정표시소자 제조공정에 사용되는 감광성 수지 제거, 컬러필터 공정에 사용되는 컬러 감광성 수지 제거 및 OLED 공정에 사용되는 감광성 수지 제거의 통합공정용 씬너 조성물에 관한 것으로, 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME) 80 내지 97 중량 %; 케톤류(Ketone) 1 내지 10 중량 %; 및 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP) 1 내지 10 중량 %를 포함하여 이루어지는 것이다. 또한, 본 발명에 따른 통합 공정 씬너 조성물은 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME) 80 내지 97 중량 %; 케톤류(Ketone) 1 내지 10 중량 %; 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP) 1 내지 10 중량 % 및, 노말부틸 아세테이트 (n-BA) 1 내지 5중량% 더 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 씬너 조성물은 종래의 씬너 조성물에 비해 다양한 공정의 감광제를 제거하는데 사용할 수 있으며, 효과적으로 세정 가능하며, 오염원이 되는 백화현상이 일어나지 않은 이점이 있다. 또한, 씬너 재생 시에 발생하는 미량의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 효과적으로 제거 할 수 있다.
본 발명에 따른 씬너 조성물은 종래의 씬너 조성물에 비해 다양한 공정의 감광제를 제거하는데 사용할 수 있으며, 효과적으로 세정 가능하며, 오염원이 되는 백화현상이 일어나지 않은 이점이 있다. 또한, 씬너 재생 시에 발생하는 미량의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 효과적으로 제거 할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 박막트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display: TFT-LCD) 공정, 컬러 필터 (Color Filter) 공정과 OLED (Organic Light Emitting Diode) 공정에서 사용되는 감광성 수지 제거의 통합공정용 씬너 조성물에 관한 것으로, 단일 공정에만 사용되는 종래의 씬너 조성물을 대체하여 백화현상이 없고 감광제 용해력이 우수하며, 재생 시 발생하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 효과적으로 제거할 수 있는 통합 공정에 사용할 수 있는 씬너 조성물에 관한 것이다.
박막트랜지스터 제조공정 중 포토리소그래피(photo lithography) 공정은 원하는 회로 설계를 유리판 위에 금속 패턴으로 만들어 놓은 마스크(mask)라는 원판에 빛을 쬐어 그림자를 웨이퍼 상에 전사시켜 복사하는 기술이며, 반도체의 제조 공정에서 가장 중요한 공정이다.
이러한 포토리소그래피 공정은, (1) 웨이퍼 표면에 포토레지스트를 균일하게 도포하는 공정, (2) 자외선 등의 광원을 이용하여 마스크 상의 회로 패턴을 반복적이고 순차적으로 축소 투영하면서 웨이퍼를 노광시켜 마스크 패턴을 웨이퍼 상으로 전사하는 노광공정, (3) 광원에의 노출에 의한 감광에 따라 용해도 차와 같은 물리적 성질이 다르게 된 부분들을 현상액을 사용하여 선택적으로 제거하는 현상공정, (4) 현상 된 웨이퍼의 패턴에 따라 소정 부위를 에칭하는 식각공정, 및 (5) 상기 공정 후 불필요하게 된 포토레지스트를 제거하는 박리공정으로 이루어진다.
상기 박리공정에서 포토레지스트를 제거하기 위하여 씬너(thinner)가 사용되는데, 종래의 씬너는 주로 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME: Propylene Glycol Monomethyl Ether), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA: Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)의 단일 성분을 사용하는 것이 일반적이었다.
한편, 컬러필터 공정은 (1) 유리기판을 세정한 후 BM(Black Matrix)을 증착하는 공정, (2) 색상을 구현하는 Red, Green, Blue 안료(Pigment)가 함유된 PR을 사용하여 패턴을 형성하는 공정, (3) 투명 전극 재료인 ITO (Indium Tin Oxide)를 스퍼터링의 방법으로 증착하여 형성하는 공정, (4) 이후 형성된 컬러기판을 검사하는 공정으로 이루어진다.
컬러레지스트(Color Resist; BM(Black Matrix), Red, Green, Blue)를 증착하는 공정에서 분사 노즐 내부와 끝에 경화현상이 발생하는 컬러레지스트를 세정하기 위해 종래의 씬너는 주로 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA; Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)를 주요성분으로 하는 2종의 복합씬너를 사용하는 것이 일반적이었다.
한편, OLED(Organic Light Emitting Diode) 소자의 제작을 위한 공정은 (1) 패턴 형성공정, (2) 박막증착공정, (3)봉지공정, (4)모듈조립 공정 등 크게 4가지 공정으로 나눠진다. 이때, 패턴 형성공정에서 포토레지스트를 롤 코터(Roll coater) 또는 스핀 코터(Spin Coater)를 사용하여 ITO(Indium Tin Oxide) 전면에 균일하게 도포하여 두께 균일도를 5% 이하로 유지하여야 한다. 이때, 씬너는 노즐(Nozzle)의 잔여 포토레지스트를 제거하고, 스핀 코팅(Spin coating)에서 dpt지Edge)에 비드(bead)가 발생하는 경우 이를 제거하는데 사용한다. 이때 사용하는 씬너는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA: Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)이다.
이처럼 각기 다른 OLED공정, 포토레지스트공정 및 컬러레지스트 공정에는 각기 다른 씬너를 사용하고 있다. 즉, 박막트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display: TFT-LCD) 공정, 컬러 필터(Color Filter) 공정과 OLED(Organic Light Emitting Diode) 공정에서 사용되는 씬너 조성물은 각기 달라 각각 공정별로 별도의 씬너 조성물을 구비하여 사용해야 하는 불편함이 있고, 다른 공정용 씬너 조성물을 사용할 경우 용해력이 감소하거나, 백화현상이 발생하는 등 제품에 심각한 결함을 야기할 수 있다. 단일 성분의 씬너를 컬러레지스트 ㄱ공정에 적용하는 경우 용해력이 현저히 감소하는 문제가 있다. 또한, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 베이스로 하는 2종 이상의 씬너 조성물은 함량이 달라지는 경우에 석출물과 백화현상이 발생하는 문제가 있다.
종래 씬너 용제로는 에테르류, 케톤류, 에스테르류 등에 속하는 용제 중에서 단일 성분을 사용하는 것이 일반적이었으나, 최근 들어서는 씬너의 사용목적에 적합하고 인체 및 화기 등에 대한 안전성과 휘발성 등이 강조되면서 혼합용제 씬너를 개발하고 이를 사용하는 경우가 늘어나고 있다.
대한민국 공개특허공보 출원번호 10-2005-0101671호는 고분자형 분산제, 알킬아마이드 또는 케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME: Propylene Glycol Monomethyl Ether)의 혼합용매로 이루어진 씬너 조성물이 게시되어 있다. 그러나 위 씬너 조성물은 컬러필터공정의 컬러 레지스트의 세정을 위한 복합 조성의 씬너 조성물로 포토레지스트의 세정력은 떨어진다.
대한민국 공개특허 공보 출원번호 10-2012-0155551호는 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME)와 노말부틸아세테이트(n-BA: N-Butyl Acetate) 및 메틸베타-메톡시프로피오네이트(MMP: Methyl Beta-Methoxy Propionate)로 이루어진 포토레지스트 제거용 복합 조성 씬너 조성물을 게시하고 있다. 해당 발명은 컬러 레지스트 제거에는 취약하여 한정된 공정에서만 사용이 가능하며, 재생 시 발생하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA; Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)가 메틸베타-메톡시프로피오네이트(MMP: Methyl Beta-Methoxy Propionate)와 공비점을 이루므로 효과적으로 제거하지 못하는 문제점이 있다. 이에 각기 다른 OLED공정, 포토레지스트공정 및 컬러레지스트 공정에 통합하여 사용할 수 있는 씬너 조성물을 필요로 한다.
본 발명은 상기 종래의 씬너 조성물이 OLED공정이나 포토레지스트공정, 컬러레지스트 공정별로 각각 달리 적용되는 단점을 보완하여, 이들 공정에 모두 사용 가능한 다용도의 통합 공정용 씬너 조성물을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 종래의 씬너 조성물의 단점인 백화현상(efflorescence phenomenon)의 발생이 없고 각 공정의 감광제(Photo Resist, Color Resist)를 효과적으로 제거하며, 인체에 안전하고, 재생 시 발생하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 효과적으로 제거하는 통합 공정 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME) 80 내지 97중량 %; 케톤류(Ketone) 1 내지 10중량 %; 및 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP) 1 내지 5중량 %;를 포함하여 이루어지는 통합 공정 씬너 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME) 80 내지 97중량 %; 케톤류(Ketone) 1 내지 10중량 %; 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP) 1 내지 5중량 %; 및 노말부틸아세테이트(n-BA) 1 내지 5중량 %를 포함하여 이루어지는 통합 공정 씬너 조성물을 제공한다.
본 발명은 TFT-LCD 공정, Color Filter 공정 및 OLED 공정의 Photo Resist와 Color Resist를 통합 적용하여 각 공정의 수지분사용 노즐 세정에 사용되는 것이고, EBR(Edge Bead Remover)공정 및 포토레지스트의 도포 공정에서 포토레지스트를 도포하기 이전에 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정에 사용되는 통합 공정 씬너 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 통합 공정 씬너 조성물은, 종래의 씬너 조성물에 비해 다양한 공정의 감광제 분사 노즐 내부 세정효과가 우수하며, 인체에 보다 안전하다. 또한, 재생 시 발생하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 효과적으로 제거한다.
본 발명에 따른 통합 공정 씬너 조성물은 오염원이 되는 백화현상이 일어나지 않는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 통합 공정 씬너 조성물의 백화현상에 대한 양호성능을 보여주는 사진이다.
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명의 씬너 조성물은 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME: Propylene Glycol Monomethyl Ether); 케톤류(Ketone); 에틸-3-에톡시 프로피오네이트 (EEP: Ethyl 3-Ethoxy Propionate)를 포함하여 이루어진다.
특히, PGMEA의 단일 성분 씬너 혹은 PGMEA를 Base로 하여 1종을 더 추가한 씬너 보다 세정력을 높이고 재생 시 발생하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 효과적으로 제거할 수 있는 성분비율을 갖는데, 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME) 80 내지 97 중량 %; 케톤 (Ketone) 1 내지 10중량 %; 및 에틸-3-에톡시프로피오네이트 (EEP) 1 내지 5중량 %;로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 씬너 조성물은 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME); 케톤류; 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP); 및 노말부틸아세테이트(n-BA)를 포함하여 이루어진다. 세정력이 양호하고 재생 시 발생하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)를 효과적으로 제거할 수 있는 성분비율을 갖는데, PGME 80 내지 97중량 %; Ketone 1 내지 10중량 %; EEP 1 내지 5중량 %; 및 n-BA 1 내지 5중량 %를 포함하여 이루어진다.
상술한 범위를 만족하면, 포토레지스트와 컬러레지스트에 대한 용해성이 우수하고, 세정능력이 우수하며, 백화현상이 없으며, 재생 시 발생하는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA(PMA); protyleneglycol monomethylether acetate)을 효과적으로 제거할 수 있다. 그러나 전술한 범위를 벗어나면 세정능력이 떨어져 용해가 되지 않거나 용해속도 감소 및/또는 백화현상이 발생한다.
본 발명에 따른 씬너 조성물은 포토레지스트(Photo Resist) 및 컬러레지스트 (Color Resist) 분사용 노즐 세정에 사용되는 것이고, 또한 상기 씬너 조성물은 EBR공정 및 포토레지스트(Photo Resist)와 컬러레지스트(Color Resist)의 도포 공정에서 포토레지스트와 컬러레지스트를 도포하기 이전에 웨이퍼 표면을 전처리하는 공정에 사용되는 것을 특징으로 하며, 감광성 수지 조성물이 도포된 기판의 에지부위 및 후면부위를 포함하여 분사하여 불필요한 감광막을 제거하는데 사용된다.
이하의 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
통합 공정용
씬너
조성물 원재료 변경에 따른 효능 실험
하기 표 1에 기재된 바와 같이, 원재료 및 성분비를 달리하여 혼합하여 제조하였다. 원재료 및 성분비를 달리하여 제조된 각각의 씬너 조성물과 기존의 단일성분 씬너조성물을 스핀코터(Spin Cotter)로 500RPM, 10초의 조건에서 코팅을 진행하고, 베이킹(Baking)으로 140에서 3분 건조하여 컬러레지스트의 블랙 매트릭스(Black Matrix) 용해력을 비교 평가하여 표 1에 나타내었다.
PGME | n-BA | EEP | Ketone | 세정력 | 세정시간 (sec) |
|||
Acetone | MIBK | MEK | ||||||
시료 (1) | 90 | - | - | - | 10 | - | 미흡 | 42 |
시료 (2) | 50 | 40 | - | - | 10 | - | 미흡 | 25 |
시료 (3) | 70 | 20 | - | - | 10 | - | 미흡 | 30 |
시료 (4) | 80 | 10 | - | - | 10 | - | 미흡 | 34 |
시료 (5) | 50 | - | 30 | 20 | - | - | 미흡 | 39 |
시료 (6) | 60 | - | 30 | - | - | 10 | 미흡 | 32 |
시료 (7) | 85 | - | 5 | - | - | 10 | 양호 | 31 |
시료 (8) | 92 | - | 5 | - | - | 3 | 양호 | 33 |
시료 (9) | 75 | 8 | 7 | - | - | 10 | 미흡 | 28 |
시료 (10) | 70 | 10 | 10 | - | - | 10 | 미흡 | 24 |
시료 (11) | 90 | 2 | 4 | 4 | - | - | 양호 | 32 |
시료 (12) | 90 | 4 | 2 | 4 | - | - | 양호 | 33 |
시료 (13) | 92 | - | 4 | - | - | 4 | 양호 | 31 |
시료 (14) | 90 | 2 | 4 | - | - | 4 | 양호 | 30 |
시료 (15) | 80 | 5 | 5 | - | - | 10 | 양호 | 37 |
시료 (16) | 98 | - | 1 | 1 | - | - | 미흡 | 43 |
시료 (17) | 84 | - | 5 | 11 | - | - | 미흡 | 31 |
시료 (18) | 84 | - | 6 | 10 | - | - | 미흡 | 33 |
시료 (28) | 97 | 1 | 1 | - | 1 | - | 미흡 | 35 |
시료 (29) | 80 | 6 | 4 | - | - | 10 | 미흡 | 36 |
시료 (30) | 80 | 5 | 6 | - | - | 9 | 미흡 | 34 |
시료 (31) | 80 | 4 | 4 | - | - | 12 | 미흡 | 33 |
상기 표 1에서와같이, PGME를 베이스로 하는 씬너 조성물에 케톤류(Ketone)를 첨가하면 용해속도가 증가하지만, 세정 후반에는 세정력이 떨어지는 것으로 나타났다. 한편, PGME를 베이스로 하는 씬너 조성물에 케톤류(Ketone)를 첨가하고, EEP 또는, EEP 및 n-BA를 첨가하여 성능평가를 진행하였으며, n-BA 10중량 % 이상 및 EEP 10중량 % 이상 첨가 시, 세정력이 떨어진 것으로 나타났다.
이에 PGME, EEP, Ketone 또는 3종 조성물에 n-BA를 더 첨가하는 혼합용제가 가장 용해력이 뛰어났으며, 용해속도도 안정적인 것으로 확인하였다.
통합 공정
씬너
조성물의 성분비 및 효능 실험
PGME : n-BA : EEP : 케톤류(MPK, MIK, BMK) 조성을 다음과 같은 중량비로 변화해 가며 실시예의 평가를 진행하였다. 각각의 씬너 조성물은 중량비로 제조하였다. 상기 케톤류는 메틸프로필케톤(MPK), 메틸이소부틸케톤(MIK), 부틸메틸케톤(BMK)으로 구성된 그룹에서 선택된 것이다.
시료(19)의 비율 PGME : EEP : MPK = 70 : 10 : 20
시료(20)의 비율 PGME : EEP : MIK = 80 : 5 : 15
시료(21)의 비율 PGME : EEP : MPK = 90 : 5 : 5
시료(22)의 비율 PGME : EEP : MIK = 90 : 2 : 8
시료(23)의 비율 PGME : EEP : BMK : n-BA = 75 : 5 : 10 : 10
시료(24)의 비율 PGME : EEP : MPK : n-BA = 80 : 3 : 12 : 5
시료(25)의 비율 PGME : EEP : BMK : n-BA = 90 : 4 : 4 : 2
시료(26)의 비율 PGME : EEP : BMK : n-BA = 80 : 2 : 15 : 3
시료(27)의 비율 PGME : EEP : MIK : n-BA = 85 : 10 : 2 : 3
상기 각각의 씬너 조성물은 스핀코터(Spin Cotter)로 500RPM, 10초의 조건에서 코팅을 진행하고, 베이킹(Baking)으로 140에서 3분 건조하여, 기존의 단일성분 씬너와 상기 조성의 복합조성 씬너의 포토레지스트와 컬러레지스트의 블랙 메트릭스 제거력을 비교 평가하여 표 2로 나타내었다.
용 제 | 포토레지스트 | 컬러 레지스트 ( Black Matrix ) | ||
세정상태 | 용해시간 | 세정상태 | 용해시간 | |
비교시료 (1) PGME | 양호 | 26 | 미흡 | 42 |
시료 (19) Complex Thinner | 미흡 | 41 | 미흡 | 39 |
시료 (20) Complex Thinner | 미흡 | 44 | 미흡 | 37 |
시료 (21) Complex Thinner | 양호 | 31 | 양호 | 32 |
시료 (22) Complex Thinner | 양호 | 33 | 양호 | 36 |
시료 (23) Complex Thinner | 양호 | 35 | 미흡 | 37 |
시료 (24) Complex Thinner | 양호 | 31 | 미흡 | 40 |
시료 (25) Complex Thinner | 양호 | 26 | 양호 | 30 |
시료 (26) Complex Thinner | 미흡 | 32 | 양호 | 33 |
시료 (27) Complex Thinner | 미흡 | 38 | 미흡 | 36 |
상기 표 2에서와같이, 비교시료 (1) 단일물질 씬너인 PGME과 비교할 때, PGME, EEP, 케톤류 복합 성분 씬너 조성물 또는 PGME, EEP, 케톤류, n-BA 복합 성분 씬너 조성물이 세정상태 및 용해속도에서 우수하다.
통합공정용
씬너
조성물의 성분비별 백화현상 실험
백화현상(efflorescence phenomenon) 발생에 대한 씬너 조성물의 성능을 실험하기 위하여, 원재료 및 성분비를 달리하여 제조된 각각의 씬너 조성물과 기존의 단일성분 씬너 조성물을 준비하고 상기 각각의 씬너 조성물을 스핀코터(Spin Cotter)로 500RPM, 10초의 조건에서 코팅하고, 베이킹(Baking)으로 140에서 3분 건조하여 기존의 단일성분 씬너와 상기 조성의 복합조성 씬너의 포토레지스트와 컬러레지스트의 블랙 매트릭스 제거력을 비교 평가하여 표 3으로 나타내었다.
용 제 | 포토레지스트 | 컬러레지스트 ( Black Matrix ) |
비교시료 (2) n-BA | 발생 | 발생 |
시료 (19) Complex Thinner | 발생 | 발생 |
시료 (20) Complex Thinner | 발생 | 발생 |
시료 (21) Complex Thinner | 미발생 | 미발생 |
시료 (22) Complex Thinner | 미발생 | 미발생 |
시료 (23) Complex Thinner | 발생 | 발생 |
시료 (24) Complex Thinner | 발생 | 발생 |
시료 (25) Complex Thinner | 미발생 | 미발생 |
시료 (26) Complex Thinner | 발생 | 미발생 |
시료 (27) Complex Thinner | 발생 | 발생 |
표 3과 같이, 상기 혼합 비율의 범위 내의 통합 공정용 씬너는 백화현상이 발생하지 않았다. 반면 혼합물의 범위를 벗어난 복합 씬너와 단일 씬너인 n-BA에서는 전범위에서 백화현상과 불량이 발생하였다. 이때 불량은 백화현상이 국부적으로 발생한 것을 말한다.
백화현상의 발생은 유기막을 제거하면서 기존의 단일물질 씬너인 n-BA와 종래 사용되고 있는 씬너보다 세정력이 향상되고 보유하고 있던 잔량 금속성분(Metal Element)인 Na이온과 유기막의 성분이 반응하여 Na2SO4 물질을 생성하여 발생하는 현상으로 아래와 같은 반응식을 확인할 수 있다.
Na+ + OH- + S2- + H+ →Na2SO4(s) + 2H2O
도 1의 (a)는 비교시료 (2)로 n-BA 단일성분의 씬너 조성물을 이용하여 백화현상을 실험한 것이고, 도 1의 (b)는 시료 (23)으로 PGME : EEP : BMK : n-BA = 75 : 5 : 10 : 10의 복합성분의 씬너 조성물이고, 도 1의 (c)는 시료(25)로 PGME : EEP : BMK : n-BA = 90 : 4 : 4 : 2 비율로 혼합한 씬너 조성물로, 백화현상을 실험하여 현미경으로 50배 촬영한 것이다. 도 1에서 확인되는 바와 같이, 본 발명에 따른 통합 공정 씬너 조성물은 원료성분을 성분함량범위 내에서 혼합하여 제조하는 경우 백화현상이 발생하지 않는다.
통합 공정용
씬너
조성물의
컬러레지스트
제거력
성능실험
하기 표 4에 기재된 바와 같이, 원재료 및 성분비를 달리하여 혼합하여 제조하였다. 원재료 및 성분비를 달리하여 제조된 각각의 씬너 조성물과 기존의 단일성분 씬너조성물을 스핀코터(Spin Cotter)로 500RPM, 10초의 조건에서 코팅하고, 베이킹(Baking)으로 140에서 3분 건조하여 기존의 단일성분 씬너와 상기 조성의 복합조성 씬너의 컬러레지스트의 Red, Blue, Green 용해력을 비교 평가하여 표 4에 나타내었다.
용 제 | Red | Green | Blue | |||
세정상태 | 용해시간 | 세정상태 | 용해시간 | 세정상태 | 용해시간 | |
비교시료 (1) PGME | 미흡 | 24 | 미흡 | 33 | 매우미흡 | 27 |
비교시료 (2) n-BA | 매우미흡 | 26 | 미흡 | 18 | 매우미흡 | 18 |
시료 (19) Complex Thinner |
매우미흡 | 33 | 매우미흡 | 29 | 매우미흡 | 25 |
시료 (20) Complex Thinner |
매우미흡 | 28 | 매우미흡 | 30 | 매우미흡 | 27 |
시료 (21) Complex Thinner |
양호 | 28 | 양호 | 31 | 양호 | 26 |
시료 (22) Complex Thinner |
양호 | 35 | 양호 | 33 | 양호 | 24 |
시료 (23) Complex Thinner |
미흡 | 24 | 양호 | 29 | 매우미흡 | 33 |
시료 (24) Complex Thinner |
미흡 | 25 | 미흡 | 30 | 매우미흡 | 35 |
시료 (25) Complex Thinner |
양호 | 29 | 양호 | 32 | 양호 | 28 |
시료 (26) Complex Thinner |
미흡 | 31 | 양호 | 29 | 미흡 | 36 |
시료 (27) Complex Thinner |
매우미흡 | 31 | 매우미흡 | 30 | 매우미흡 | 33 |
상기 표 4에서와같이, 단일성분의 씬너 조성물인 비교시료 (1) PGME와 비교시료 (2) n-BA는 용해속도는 가장 빠르지만 용해력은 매우 미흡하다. 그리고 이들 비교시료 (1) 및 비교시료 (2)와 복합 성분 시료 가운데 시료 (19), 시료 (27)은 백화현상이 확인되었다. PGME, EEP, 케톤류 복합 성분 씬너 조성물 또는 PGME, EEP, 케톤류, n-BA 복합 성분 씬너 조성물이 상기 혼합 비율의 범위 내에서 용해성능 및 안정적인 용해시간을 보인다는 것을 알 수 있었다.
이상과 같이 도면과 명세서에서 최적 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
Claims (4)
- 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 (PGME) 80 내지 97 중량 %;
아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸프로필케톤, 메틸이소부틸케톤, 부틸메틸케톤으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종의 케톤류 1 내지 10 중량 %; 및
에틸-3-에톡시 프로피오네이트(EEP) 1내지 5 중량 %; 를 포함하여 이루어지고, TFT-LCD, 컬러필터, OLED 공정의 포토레지스트 및 컬러레지스트 분사용 노즐 세정에 통합하여 사용되는 통합 공정 씬너 조성물.
- 제 1항에 있어서,
노말부틸 아세테이트 (n-BA) 1 내지 5 중량 %를 더 포함하여 이루어지는 통합 공정 씬너 조성물.
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- 삭제
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KR100308422B1 (ko) | 1999-04-15 | 2001-09-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 스핀-온-글라스 및 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100308422B1 (ko) | 1999-04-15 | 2001-09-26 | 주식회사 동진쎄미켐 | 스핀-온-글라스 및 감광성 수지 제거용 씬너 조성물 |
JP2005284257A (ja) * | 2004-03-03 | 2005-10-13 | Daicel Chem Ind Ltd | リソグラフィー用洗浄剤及びリンス液 |
JP4626978B2 (ja) | 2004-03-03 | 2011-02-09 | ダイセル化学工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄剤及びリンス液 |
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