TW202204590A - 基板洗淨液、使用其之經洗淨之基板的製造方法及裝置之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題為獲得一種可洗淨基板,並去除粒子的基板洗淨液。
本發明之解決手段為一種基板洗淨液的提供,該基板洗淨液包含不溶或難溶的溶質(A)、可溶的溶質(B)、及溶媒(C)而成,其中溶媒(C)包含水(C-1)而成;以水(C-1)為基準,而可溶的溶質(B)之含量為0.1~500質量%。
Description
本發明係關於一種洗淨基板的基板洗淨液、使用其之基板之洗淨方法。
來自以往基板的製造步驟,係有例如因微影步驟等而產生異物。因此,基板之製造步驟,有包含自基板上去除粒子的洗淨步驟。洗淨步驟,係存在將去離子水(DIW:Deionized water)等洗淨液供給至基板,物理性去除粒子的方法、藉由藥液化學性去除粒子的方法等方法。但是,若圖案微細化且複雜化,則圖案變得容易受到物理或化學的損傷。
而且,作為基板的洗淨步驟,而探討在基板上形成膜,使粒子保持於膜中,然後藉由去除液而去除膜的方法。若以去除液使形成的膜全部溶解,則會發生膜中所保持的粒子進行再附著。因此,探討使形成的膜部分地溶解,而未溶解的部分以固體狀態進行去除的方法(例如,專利文獻1及2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1 日本特開2019-212889號公報
專利文獻2 日本特開2019-212890號公報
[發明所欲解決的課題]
本案發明人等認為:在將膜形成於基板上而去除粒子的技術中,仍存在期望改良之1或多個課題。此等可舉出例如下述者:粒子之去除沒有效率;所形成的膜無法完全被去除液去除而殘留於基板上;即使進行以去除液去除後的洗淨,膜亦殘留;溶質無法完全溶解於溶媒、或析出。
本發明為基於如上述的技術背景而進行者,且提供一種基板洗淨液。
[用以解決課題之手段]
根據本發明的基板洗淨液,係包含不溶或難溶的溶質(A)、可溶的溶質(B)、及溶媒(C)而成者,其中溶媒(C)係包含水(C-1)而成;以水(C-1)為基準,而可溶的溶質(B)之含量為0.1~500質量%,較佳為基板洗淨液滴加於基板上且進行乾燥以去除溶媒(C)之至少一部分,且形成膜,然後藉由去除液而自基板上去除該膜;較佳為不溶或難溶的溶質(A)對去除液為不溶性或難溶性;及/或較佳為可溶的溶質(B)對去除液為可溶性。
又,根據本發明之經洗淨的基板之製造方法,係包含以下的步驟而成。
(1)在基板上滴加上述的基板洗淨液;
(2)去除前述基板洗淨液中的溶媒(C)之至少一部分,且形成膜;
(3)使前述膜保持基板上的粒子;
(4)將去除液供給至前述基板上,去除保持有粒子的前述膜。
根據本發明的裝置之製造方法,係包含上述之經洗淨的基板之製造方法而成。
[發明之效果]
藉由使用根據本發明的基板洗淨液,可期待以下1個或多個效果。
可有效率地去除粒子;可將所形成的膜自基板充分地剝離,且去除;在膜中有成為剝離之開端的部分,因此可充分地去除膜;由於沒有為了去除而溶解膜之大部分的必要性,故可防止所保持的粒子之脫離;可藉由去除去除液後之洗淨,而有效率地除去膜;溶質良好地溶解於溶媒。
若詳細地說明關於本發明的實施形態,則如下述。
定義
在本說明書中,只要沒有特別限定且提及,則依據本段落所記載的定義或例子。
單數形包含複數形,「一個」或「其」意指「至少一個」。某概念的要素可藉由多種而展現,記載其量(例如,質量%或莫耳%)之情形,其量意指此等多種之和。
「及/或」包含要素之全部的組合,而且也包含在單體之使用。
使用「~」或「-」表示數值範圍之情形,該等包含雙方的端點,且單位為共通。例如,5~25莫耳%意指5莫耳%以上25莫耳%以下。
「Cx-y
」、「Cx~Cy」及「Cx」等記載意指分子或取代基中之碳數。例如,C1-6
烷基意指具有1以上6以下之碳的烷基鏈(甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等)。
聚合物具有多種類的重複單元之情形,該等重複單元會共聚合。該等共聚合可為交互共聚合、隨機共聚合、嵌段共聚合、接枝共聚合、或該等摻雜之任一者。將聚合物或樹脂以結構式表示之際,一倂記載於括弧中的n或m等表示重複數。
溫度的單位係使用攝氏(Celsius)。例如,20度意指攝氏20度。
添加劑係指具有該功能的化合物本身(例如,若為鹼產生劑,則為使鹼產生的化合物本身)。該化合物亦可為溶解或分散於溶媒,而添加於組成物的形態。作為本發明之一形態,此種溶媒較佳為作為溶媒(C)或其它的成分在本發明的組成物中含有。
<基板洗淨液>
根據本發明的基板洗淨液,係包含不溶或難溶的溶質(A)(以下有時稱為(A)成分。關於(B)以下也相同)、可溶的溶質(B)、及溶媒(C)而成,(C)係包含水(C-1)而成;以水(C-1)為基準,而可溶的溶質(B)之含量為0.1~50質量%。較佳為不溶或難溶的溶質(A)對去除液為不溶性或難溶性。又,較佳為可溶的溶質(B)對去除液為可溶性。
在本發明中,「溶質」並不被限定於溶解於溶媒(C)的狀態,也容許懸浮狀態。作為本發明之較佳的一形態,基板洗淨液所含的溶質、成分及添加物係溶解於溶媒(C)。認為採該形態的基板洗淨液,係埋入性能或膜的均勻性佳。
根據本發明的基板洗淨液,係較佳為基板洗淨液滴加於基板上且進行乾燥以去除溶媒(C)之至少一部分,且形成膜,然後藉由去除液而自基板上去除該膜。
「形成膜」為形成1個膜,且成為共存於1個膜中的狀態。膜之形成的一形態,為溶質之「固化」。再者,由基板洗淨液所得到的膜,若具有可保持粒子的程度之硬度即可,溶媒(C)並不被完全地去除(例如藉由汽化)。基板洗淨液,係伴隨溶媒(C)之揮發而一邊緩慢地收縮一邊成為膜。不溶或難溶的溶質(A)及可溶的溶質(B),係容許極少量被去除(例如蒸發、揮發)。例如,容許與原本的量相比為0~10質量%(較佳為0~5質量%,更佳為0~3質量%,進一步較佳為0~1質量%,更進一步較佳為0~0.5質量%)被去除。
並沒有限定權利範圍之意圖,且不受理論拘束,但認為前述的膜係保持基板上的粒子,且藉由後述的去除液而被剝離,以去除粒子。又,認為膜中之可溶的溶質(B)使成為膜剝離之開端的部分產生。認為藉由在膜中包含水(C-1),而使可溶的溶質(B)自基板之剝離變容易,且可達成效率佳的剝離。
<不溶或難溶的溶質(A)>
根據本發明的基板洗淨液,係包含不溶或難溶的溶質(A)而成。
不溶或難溶的溶質(A),係包含酚醛衍生物、酚衍生物、聚苯乙烯衍生物、聚丙烯酸衍生物、聚馬來酸衍生物、聚碳酸酯衍生物、聚乙烯醇衍生物、聚甲基丙烯酸衍生物、及該等之組合的共聚物之至少1個而成。
酚醛衍生物係較佳為包含以下的重複單元者。
式中,
X各自獨立地為C1-27
之取代或非取代的烴基。X係較佳為甲基或正丁基;更佳為甲基。
a1為1~2;較佳為1。
a2為0~3;較佳為0或1;更佳為1。
作為酚醛衍生物的重複單元,更具體而言,可舉出以下的結構。
作為酚衍生物,並沒有特別限定,但較佳為分子量為150以上之在常溫(20℃)為固體者。作為酚衍生物之更具體的態樣,可舉出以下式所示的化合物及其聚合物。
式中,R1
~R5
各自獨立地為氫、C1-6
烷基(較佳為甲基、乙基、異丙基或正丙基)、羥基、苯基、二苯乙二酮、醛、胺基、硝基、或磺酸基。
酚衍生物進一步具體而言,可舉出以下的結構。
聚苯乙烯衍生物可為聚羥基苯乙烯衍生物;更佳為聚羥基苯乙烯衍生物。聚苯乙烯衍生物,係可舉出例如具有以下的結構者。
式中,R為氫、C1-6
烷基(較佳為甲基、乙基、異丙基或正丙基)、苯基、二苯乙二酮、醛、胺基、或硝基。
不溶或難溶的溶質(A),係較佳為包含酚醛衍生物、酚衍生物、聚羥基苯乙烯衍生物、聚丙烯酸衍生物、聚碳酸酯衍生物、聚甲基丙烯酸衍生物、及該等之組合的共聚物之至少1個而成;更佳為包含酚醛衍生物、酚衍生物、聚羥基苯乙烯衍生物、及該等之組合的共聚物之至少1個而成;進一步較佳為包含酚醛衍生物、酚衍生物、及聚羥基苯乙烯衍生物之至少1個而成;更進一步較佳為包含酚醛衍生物而成。
根據本發明的基板洗淨液,亦可組合且包含1或2以上之上述的較佳例來作為不溶或難溶的溶質(A)。例如,不溶或難溶的溶質(A)可包含酚醛衍生物與聚羥基苯乙烯衍生物之雙方。
較佳為不溶或難溶的溶質(A)不含有氟及/或矽,更佳為不含有雙方。此處,前述「不溶或難溶的溶質(A)不含有氟及/或矽」,在(A)為非聚合物之情形,意指氟及矽的含量係以(A)為基準,而較佳為5質量%以下(更佳為1質量%以下,進一步較佳為0.1質量%以下,更進一步較佳為0.00質量%);在(A)為聚合物之情形,意指包含氟或矽的重複單元數係相較於(A)之全重複單元數,而較佳為5%以下(更佳為1%以下,進一步較佳為0.1%以下,更進一步較佳為0.00%)。
前述共聚物係較佳為隨機共聚物、或嵌段共聚物。
不溶或難溶的溶質(A)的分子量(為聚合物之情形為質量平均分子量Mw),係較佳為150~500,000,更佳為300~300,000,進一步較佳為500~100,000,更進一步較佳為1,000~50,000。此處,質量平均分子量為聚苯乙烯換算質量平均分子量,可以聚苯乙烯為基準而藉由凝膠滲透層析來測定。關於以下也相同。
不溶或難溶的溶質(A),可藉由進行合成而取得。又,也可購買。購買之情形,作為例子,可舉出以下供給源。亦能夠以發揮本發明的效果之方式,而供給源合成不溶或難溶的溶質(A)。
酚醛:昭和化成、旭有機材、群榮化學工業、Sumitomo Bakelite
聚羥基苯乙烯:日本曹達、丸善石油化學、東邦化學工業
聚丙烯酸衍生物:日本觸媒
聚碳酸酯:Sigma-Aldrich
聚甲基丙烯酸衍生物:Sigma-Aldrich
不溶或難溶的溶質(A)的含量,係以基板洗淨液為基準,而為0.1~50質量%,較佳為0.5~30質量%,更佳為1~20質量%,進一步較佳為1~10質量%,更進一步較佳為2~7質量%。
溶解性可以周知的方法來評價。例如,可藉由在20~35℃(更佳為25±2℃)的條件下,在燒瓶中對5.0質量%氨水添加100ppm之(A)成分或(B)成分且蓋上,以振動器振動3小時,以(A)成分或(B)成分是否溶解而求得。振動也可為攪拌。溶解也可以目視進行判斷。若不溶解則為溶解性小於100ppm,若溶解則為溶解性100ppm以上。在本說明書中,溶解性小於100ppm則為不溶或難溶,溶解性100ppm以上則為可溶。在本說明中,廣義而言,可溶包含微溶。在本說明書中,溶解性以不溶、難溶、可溶之順序變高。在本說明中,狹義而言,微溶係溶解性比可溶還低,且溶解性比難溶還高。
較佳為:(A)成分對5.0質量%氨水的溶解性小於100ppm,而(B)成分對5.0質量%氨水的溶解性為100ppm以上。
亦可將前述的5.0質量%氨水變更為之後的程序所使用的去除液(後述)。溶解性的評價所使用的液與去除液,不需要為相同者,且認為溶解性不同的成分同時存在為用以發揮本發明的效果之一個重點。作為本發明之較佳形態,可舉出由於存在於由基板洗淨液所形成的膜之(B)成分因去除液而溶解,而賦予膜剝離之開端的形態。所以,認為若因去除液而(B)成分之一部分可溶解,則可期待本發明的效果。因此,例如即使去除液較溶解性之評價所使用的液之鹼性更弱,也可發揮本發明的效果。
<可溶的溶質(B)>
根據本發明的基板洗淨液,係包含可溶的溶質(B)而成。可溶的溶質(B),係較佳為包含羧基、磺酸基、或二氧磷基而成的物質;更佳為包含羧基或二氧磷基而成的物質;進一步較佳為包含羧基而成的物質。
可溶的溶質(B)之酸解離常數pKA(H2
O),係較佳為-5~11;更佳為-1~8;進一步較佳為1~7;更進一步較佳為2~6。
可溶的溶質(B)係較佳為(B’)裂縫促進成分,(B’)裂縫促進成分係較佳為包含含有羧基的烴而成。
並沒有限定權利範圍之意圖,且不受理論拘束,但認為基板洗淨液被乾燥而在基板上形成膜,且在去除液剝離前述膜之際,可溶的溶質(B)會產生成為膜剝離之開端的部分。因此,可溶的溶質(B)係較佳為對去除液的溶解性比不溶或難溶的溶質(A)還高者。
可溶的溶質(B)係較佳為包含式(B-1)所示之構成單元而成。
其中,L1
為選自單鍵、C1-4
伸烷基、伸苯基、醚、羰基、醯胺及醯亞胺之至少1個的連接子(linker);較佳為選自單鍵、亞甲基、伸乙基、伸苯基及醯胺之至少1個的連接子;更佳為選自單鍵及伸苯基之至少1個的連接子;進一步較佳為單鍵。L1
為選自醯胺及醯亞胺的連接子之情形,存在於R1
與主鏈的連結部以外的H,可被甲基取代,也可不被取代;更佳為不被取代。
R1
為羧基、磺酸基、或二氧磷基;較佳為羧基或磺酸基;更佳為羧基。
R2
為氫、甲基、或羧基;較佳為氫或羧基;更佳為氫。
R3
為氫或甲基;較佳為氫。
可溶的溶質(B)係較佳為包含式(B-1)所示之構成單元而成的聚合物。作為包含式(B-1)所示之構成單元而成的聚合物之較佳例,可舉出聚丙烯酸、聚馬來酸、聚苯乙烯磺酸、或該等之組合的聚合物。進一步較佳的例為聚丙烯酸、及馬來酸丙烯酸共聚物。
共聚合之情形,較佳為隨機共聚合或嵌段共聚合,更佳為隨機共聚合。
作為一例,可舉出以下的馬來酸丙烯酸共聚物進行說明。同共聚物具有包含於(B-1),2種的(B-1)構成單元。
可溶的溶質(B)之分子量(為聚合物之情形,質量平均分子量Mw),係較佳為500~500,000;較佳為1,000~100,000;更佳為2,000~50,000,進一步較佳為5,000~50,000;更進一步較佳為5,000~40,000。
可溶的溶質(B)能夠進行合成或購買而取得。作為供給源,而可舉出Sigma-Aldrich、東京化成工業、日本觸媒。
可溶的溶質(B)之含量,係以不溶或難溶的溶質(A)為基準,而較佳為1~100質量%;更佳為1~50質量%;進一步較佳為1~30質量%;更進一步較佳為1~10質量%。
<溶媒(C)>
根據本發明的基板洗淨液,係包含溶媒(C)而成。溶媒(C)係包含水(C-1)而成。以水(C-1)為基準,而可溶的溶質(B)之含量為0.1~500質量%;較佳為0.1~100質量%;更佳為0.5~50質量%;進一步較佳為0.5~10質量%。水(C-1)係較佳為去離子水(DIW)。
基板洗淨液中所含的水(C-1),在膜形成之際,可去除一部分,但膜形成後,至少一部分存在於膜中。不受理論拘束,但認為由於在膜中存在水(C-1),而促進去除液對膜中之浸透,且能夠更有效率地去除膜。認為(B)成分具有酸性基(例如,羧基)之情形,膜中之(B)成分以與水(C-1)經相互作用的狀態形成膜狀態,且能夠成為去除液對膜之侵入變容易之起點。藉此,而認為能夠使膜殘留減少。
水(C-1)的含量,係以溶媒(C)為基準,而較佳為0.01~50質量%;更佳為0.01~20質量%;進一步較佳為0.05~20質量%。
溶媒(C)係較佳為更包含有機溶媒(C-2)而成。
有機溶媒(C-2)係較佳為具有揮發性。在本發明中,具有揮發性意指相較於水而揮發性高。例如溶媒(C-2)係較佳為1大氣壓下的沸點為50~250℃,更佳為50~200℃,進一步較佳為60~170℃,更進一步較佳為70~150℃。
作為有機溶媒(C-2),可舉出異丙醇(IPA)等醇類、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚等乙二醇單烷醚類、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯等乙二醇單烷醚乙酸酯類、丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單乙醚(PGEE)等丙二醇單烷醚類、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇單乙醚乙酸酯等丙二醇單烷醚乙酸酯類、乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)等乳酸酯類、甲苯、二甲苯等芳香族烴類、甲基乙基酮、2-庚酮、環己酮等酮類、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺類、γ-丁內酯等內酯類等。該等有機溶媒可單獨或是混合2種以上而使用。
作為較佳的一形態,有機溶媒(C-2)係選自IPA、PGME、PGEE、EL、PGMEA、該等之任何的組合。有機溶媒為2種的組合之情形,其體積比係較佳為20:80~80:20;更佳為30:70~70:30。
有機溶媒(C-2)係較佳為對水之溶解度為10g/100gH2
O以上者;更佳為20g/100gH2
O以上者;進一步較佳為25~1,000g/100gH2
O者;更進一步較佳為50~200g/100gH2
O。對水之溶解度的測定,係較佳在常溫常壓進行;常溫為20~30℃,較佳為22~28℃;常壓係較佳為標準大氣壓或是以標準大氣壓為中心±15%的範圍。
作為本發明之較佳的一態樣,認為因一種有機溶媒(C-2)係使用對水之溶解度為高者,而即使其它種之有機溶媒(C-2)為對水的溶解度為低者,其結果能夠使任一有機溶媒(C-2)都溶解於水(C-1)。
作為本發明之一形態,以基板洗淨液為基準,而溶媒(C)為0.1~99.9質量%;較佳為50~99.9質量%;更佳為75~99.5質量%;進一步較佳為80~99質量%;更進一步較佳為90~99質量%。
<其它的添加物(D)>
本發明的基板洗淨液,亦可進一步包含(A)~(C)成分以外之其它的添加物(D)。此處,其它的添加物(D)係包含界面活性劑、酸、鹼、抗菌劑、殺菌劑、防腐劑、或抗真菌劑而成,且亦可包含該等之任一者的組合。其它的添加物(D)係較佳為包含界面活性劑而成。
作為本發明之一形態,其它的添加物(D)之含量(多個之情形為其和),係以不溶或難溶的溶質(A)為基準,而為0~100質量,較佳為0~10質量%,更佳為0~5質量%,進一步較佳為0~3質量%,更進一步較佳為0~1質量%。基板洗淨液不包含其它的添加劑(D)(0質量%)也為本發明的形態之一。
<去除液>
如前述,本發明的基板洗淨液,係滴加於基板上且進行乾燥,以去除溶媒(C)之至少一部分,且形成膜。然後膜藉由去除液而自基板上被去除。膜能夠保持存在於基板上的粒子,且以保持的狀態而藉由去除液被去除為本發明之較佳的一形態。
去除液,可為鹼性、中性或酸性之任一者,但較佳為中性。作為本發明之一形態,去除液的pH為6~8;較佳為6.5~7.5;更佳為6.8~7.2;進一步較佳為6.9~7.1。中性的去除液之具體的一態樣為DIW。
作為本發明之另一形態,亦能夠是去除液為鹼性。鹼性的去除液之pH為7~13;較佳為8~13;進一步較佳為11~12.5。
pH之測定係為了避免空氣中之碳酸氣體的溶解所致之影響,而較佳為進行除氣來測定。
並沒有限定本發明之意圖,且不受理論拘束,但為了理解本發明而使用示意圖,說明使用了根據本發明的基板洗淨液之經洗淨之基板的製造方法之一形態。
圖1之形態所使用的基板洗淨液,係包含不溶或難溶的溶質(A)、可溶的溶質(B)及溶媒(C)而成。(a)表示粒子2附著於基板1的狀態。在該基板滴加根據本發明的基板洗淨液,使溶媒(C)之一部分乾燥,且成分(A)及成分(B)形成膜的狀態為(b)。在(b)中,膜成為粒子保持層3。粒子保持層3內存在成分(B)。然後,對膜供給去除液5,且成分(B)溶解於去除液5的狀態為(c)。因溶解而於粒子保持層3產生成分(B)溶出的痕跡6。以痕跡6為起點而裂縫7擴展的狀態為(d)。因裂縫7擴展而被分裂的膜以保持粒子的狀態自基板被去除的狀態為(e)。經洗淨而得到的基板之狀態為(f)。
<基板之洗淨>
可將本發明的基板洗淨液使用於基板之洗淨。於基板之洗淨,可使用周知(例如,記載於日本特開2018-110220)的方法或裝置。本發明係作為一形態而提供製造經洗淨之基板的方法。
於以下,使用更具體的形態說明基板之洗淨方法。於以下,()內的數字表示步驟的順序。例如,記載(0-1)、(0-2)、(1)的步驟時,步驟的順序係如前所述。
根據本發明的經洗淨的基板之製造方法,係包含以下的步驟而成。
(1)在基板上滴加根據本發明的基板洗淨液;
(2)去除基板洗淨液中的溶媒(C)之至少一部分,且形成膜;
(3)使前述膜保持基板上的粒子;
(4)將去除液供給至基板上,去除保持有粒子的前述膜。
前述(1),係在適於基板洗淨的裝置中,利用噴嘴等,在水平姿勢的基板之幾乎中央滴加基板洗淨液,藉此而進行。滴加可為液柱狀亦可落下。在前述滴加之際,由於基板係以例如10~數十rpm來旋轉,而可抑制滴加痕之產生。
滴加的量係較佳為0.5~10cc。該等條件,係可以基板洗淨液被均勻地塗布而擴展之方式進行調整。
前述(2)的(C)溶媒之去除係藉由乾燥來進行,較佳為藉由旋轉乾燥來進行。旋轉乾燥係較佳為以500~3,000rpm(更佳為500~1,500rpm,進一步較佳為500~1,000rpm),較佳為以0.5~90秒鐘(更佳為5~80秒鐘,進一步較佳為15~70秒鐘,更進一步較佳30~60秒鐘)來進行。藉此,而可將基板洗淨液擴展至基板之整面,且同時使(C)溶媒進行乾燥。較佳為基板為直徑200~600mm(更佳為200~400mm)之圓盤狀的基板。
前述(3)的保持粒子,係藉由前述(2)的去除(C)溶媒,而(A)不溶或難溶的溶質進行膜化且保持粒子以進行。亦即,前述(2)與(3)的步驟,也可說是藉由一個操作而連續地產生。此處,前述(2)的(C)溶媒之去除係容許(C)溶媒稍微殘留於膜中的狀態。作為本發明之一形態,在前述(2)及(3)的步驟結束時,(C)溶媒之95%以上(較佳為98%以上,更佳為99%以上)揮發,不殘留於膜。
前述(2)及/或(3)的步驟,也可使裝置內的溫度上升。藉由溫度上升,而可期待促進(C)溶媒之揮發、(A)不溶或難溶的溶質等固體成分之膜化。使溫度上升之情形,較佳為40~150℃。
前述(4)係將去除液供給至基板上,去除保持有粒子的前述膜(粒子保持層)。前述供給係能夠藉由滴加、噴灑、液浸而進行。前述滴加係可在基板上以形成液滴(paddle)之方式進行,亦可連續地滴加。作為本發明之一形態,而在基板以500~800rpm旋轉之狀態,將去除液滴加於基板之中央。
認為在去除液去除(例如,剝離)粒子保持層之際,膜所殘留之(B)可溶的溶質會產生成為膜剝離之開端的部分。因此,(B)可溶的溶質係較佳為對去除液的溶解性比(A)不溶或難溶的溶質還高者。
粒子保持層並不因去除液而完全地溶解,且以保持粒子的狀態自基板上被去除,為本發明之較佳的形態。認為粒子保持層係例如藉由前述「成為剝離之開端的部分」而成為被細小地切斷的狀態,而被去除。
根據本發明的基板之洗淨方法,亦較佳為進一步包含上述以外之至少1個的步驟之形態。該種步驟,係包含基板之洗淨中的周知者。可舉出例如以下的步驟。
(0-1)藉由蝕刻而在基板加工圖案,並去除蝕刻遮罩的步驟。
進行洗淨的基板可為被加工基板,加工也可藉由微影技術進行。
(0-2)洗淨基板的步驟。
為了減少基板上之粒子的數量,也可藉由周知的洗淨液(潤洗液等)來洗淨基板。除去即使經步驟亦殘留之一點點的粒子,為本發明的目的之一。
(0-3)將基板預濕的步驟。
為了改善本發明的基板洗淨液之塗布性,且均勻地擴展於基板上,而將基板預濕也為較佳的形態。較佳為:作為使用於預濕的液體(預濕液),可舉出IPA、PGME、PGMEA、PGEE、正丁醇(nBA)、純水、及該等任一者的組合。
(0-4)洗淨基板的步驟。
為了替換前述(0-3)的預濕液,而洗淨基板的步驟也為較佳的一形態。因為加入前述(0-2)步驟而不要(0-4)步驟也為本發明之一形態。
(3-1)將液體供給至粒子保持層上的步驟。
亦能夠為了提高粒子保持層之親水性或疏水性(較佳為親水性),而在(3)步驟之後包含供給與去除液不同的液體之步驟。前述液體係較佳為溶解構成粒子保持層的固體成分之力比去除液還弱者。(3-1)步驟也可省略。
(5)對經去除保持有粒子的膜之基板滴加水或有機溶媒,且去除該純水或有機溶媒,以進一步洗淨基板的步驟。
為了去除局部的膜殘渣或粒子殘渣,而以水或有機溶媒(較佳為有機溶媒)進一步洗淨基板也為較佳的一形態。作為前述有機溶媒,而可舉出IPA、PGME、PGMEA、PGEE、nBA、及該等至少2個之組合。作為具體的一態樣,可舉出在(5)中使用IPA的洗淨。
並沒有限定本發明之意圖,且不受理論拘束,但認為在將局部的膜殘差以(5)去除之際,(B)成分具有酸性基(例如羧基)之情形,膜中之(B)成分以與水(C-1)經相互作用的狀態形成膜殘差,因此而與有機溶媒之親和性升高,且膜殘差之去除變得更有效率。
(6)將基板進行乾燥的步驟。
作為將基板進行乾燥的手段,可舉出旋轉乾燥、乾燥氣體之供給(吹送等)、減壓、加熱、及該等任一者之組合。
<基板>
作為在本發明中進行洗淨的基板,可舉出半導體晶圓、液晶顯示裝置用玻璃基板、有機EL顯示裝置用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟片用基板、光罩用玻璃基板、太陽電池用基板等。基板可為非加工基板(例如,無圖案晶圓),也可為被加工基板(例如,圖案基板)。基板可藉由積層多個層而構成。較佳為基板的表面為半導體。半導體可由氧化物、氮化物、金屬、該等之任一者的組合之任一者構成。又,較佳為基板的表面選自包含Si、Ge、SiGe、Si3
N4
、TaN、SiO2
、TiO2
、Al2
O3
、SiON、HfO2
、T2
O5
、HfSiO4
、Y2
O3
、GaN、TiN、SiCN、NbN、Cu、Ta、W、Hf、Ru、Co、非晶質碳及Al的群組。
<裝置>
可將藉由根據本發明的洗淨方法所製造的基板,進一步進行加工,以製造裝置。作為裝置,可舉出半導體、液晶顯示元件、有機EL顯示元件、電漿顯示器元件、太陽電池元件。該等之加工,可使用周知的方法。裝置形成後,可視需要而將基板切成晶片,與導線架連接,且以樹脂進行封裝。該經封裝者之一例為半導體。
若藉由諸例說明本發明,則如下所述。再者,本發明的形態並不僅限定於該等之例。
<比較洗淨液1之比較調製例1>
使用異丙醇(IPA)作為溶媒(C-2)。
使用酚醛(Mw約5,000)作為不溶或難溶的溶質(A),使用聚丙烯酸(Mw約15,000)作為可溶的溶質(B)。將(A)及(B)添加至溶媒(C-2),使佔洗淨液的固體成分((A)與(B)之和)為5.0質量%。(A)與(B)的質量比係如表1所記載。亦即,在比較洗淨液1,係以相對於酚醛100質量%而使聚丙烯酸成為5質量%的比,進行上述之添加。將其以攪拌子攪拌1小時,得到固體成分濃度為5質量%的液。將該液以Optimizer UPE(Nihon Entegris股份有限公司、UPE、孔徑10nm)過濾。藉此,而得到比較洗淨液1。
[表1]
在上述表中,溶質的下段意指(A)與(B)的質量比。
不溶或難溶 的溶質(A) | (A)溶解性 | 可溶的溶質(B) | (B)溶解性 | 溶媒(C-1) | 溶媒(C-2) | 去除評價 | 殘膜量 | |
比較洗淨液1 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | B |
100% | 5% | 0 | 100 | |||||
比較洗淨液2 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | B |
100% | 1% | 0 | 100 | |||||
比較洗淨液3 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | B |
100% | 10% | 0 | 100 | |||||
比較洗淨液4 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | PGME | AA | B |
100% | 5% | 0 | 100 | |||||
比較洗淨液5 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | PGEE | AA | B |
100% | 5% | 0 | 100 | |||||
比較洗淨液6 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | EL | AA | B |
100% | 5% | 0 | 100 | |||||
比較洗淨液7 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚馬來酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | B |
100% | 5% | 0 | 100 | |||||
比較洗淨液8 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚(丙烯酸-co-馬來酸)、 Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | B |
100% | 5% | 0 | 100 |
<比較洗淨液2~8之比較調製例2~8>
將溶質、溶媒、及比各自如表1所記載地變更,除此以外係與比較調製例1同樣地進行,調製比較洗淨液2~8。
<溶解性之評價>
將使用的各成分(例如,酚醛(Mw約5,000))4mg加入至50mL樣本瓶,且加入5.0質量%氨水,使總量成為40g。將其蓋上,振動攪拌3小時。藉此,而得到成分濃度100ppm的液。
將各成分的添加量變更為40mg,除此以外係與上述同樣地進行,得到1,000ppm的液。
以目視確認該等之溶解性。以下為評價基準。
X:在100ppm及1,000ppm確認到溶解殘留物。判斷為不溶或難溶。
Y:在100ppm沒有確認到溶解殘留物,而在1,000ppm確認到溶解殘留物。判斷為微溶。
Z:在100ppm及1,000ppm沒有確認到溶解殘留物。判斷為可溶。
將評價結果記載於表1。
<去除評價的評價基板之準備>
使粒子附著於12吋之無圖案Si基板。作為實驗用的粒子,而使用超高純度膠體二氧化矽(PL-10H、扶桑化學工業、平均一級粒徑90nm)。滴加二氧化矽微粒組成物50mL,且以500rpm旋轉5秒鐘,以進行塗布。然後藉由以1,000rpm旋轉30秒鐘,而將二氧化矽微粒組成物的溶媒進行旋轉乾燥。藉此,而得到評價基板。
<去除評價>
使用上述所準備的評價基板。
使用Coater/DeveloperRF3
(SOKUDO股份有限公司),在評價基板滴加洗淨液10cc,且以1,500rpm旋轉60秒鐘,以進行塗布及乾燥。一邊使基板以100rpm進行旋轉,一邊滴加5.0質量%氨水10秒鐘,以5.0質量%氨水覆蓋基板整體,並將該狀態維持20秒鐘。將該基板以1,500rpm進行旋轉,以將膜剝離、去除,且使基板乾燥。
使用暗視野缺陷檢查裝置(LS-9110、Hitachi High-Technologies公司),比較該等基板之粒子殘留量。
確認塗布狀況、膜之去除狀況,計算粒子殘數,並採用以下的基準進行評價。將評價結果記載於表1。
AA:≦10個
A:>10個、≦100個
B:>100個、≦1,000個
C:>1000個
D:膜沒有被均勻地塗布、或膜沒有被去除
<殘膜量的評價>
對12吋的無圖案Si基板,使用Coater/DeveloperRF3
(SOKUDO股份有限公司),滴加洗淨液10cc,且以1,500rpm旋轉60秒鐘,以進行塗布及乾燥。一邊使基板以100rpm進行旋轉,一邊滴加異丙醇10秒鐘,使基板上被覆蓋。停止基板之旋轉,並維持該狀態60秒鐘。然後將基板以1,500rpm進行旋轉,甩乾洗淨液,使基板乾燥。藉由塗布洗淨液及進行乾燥而產生的膜,有時無法以異丙醇除去,將殘留的膜之量作為殘膜量進行評價。
將該等基板上之殘膜量以橢圓偏光計M-2000(J.A. Woollam Japan)進行測定。評價狀況如以下。
AA:沒有檢測到殘膜。
A:檢測到0.05~0.1nm的殘膜。
B:檢測到比0.1nm厚的殘膜。
C:確認到膜之塗布不良或未完成去除的狀況。
<實施例洗淨液1之調製例1>
將作為溶媒(C-1)之DIW、作為溶媒(C-2)之異丙醇(IPA),以體積比10:90進行混合。使用其作為溶媒(C)。
使用酚醛(Mw約5,000)作為不溶或難溶的溶質(A),使用聚丙烯酸(Mw約15,000)作為可溶的溶質(B)。將(A)及(B)添加至溶媒(C),使佔洗淨液的固體成分((A)與(B)之和)成為5.0質量%。(A)與(B)的質量比係如表2-1所記載。將其以攪拌子攪拌1小時,得到固體成分濃度為5質量%的液。將該液以Optimizer UPE(Nihon Entegris股份有限公司、UPE、孔徑10nm)過濾。藉此,而得到實施例洗淨液1。
<實施例洗淨液2~39之調製例2~39>
將溶質、溶媒、及比各自如表2-1及2-2所記載地變更,除此以外係與調製例1同樣地進行,調製實施例洗淨液2~39。
[表2-1]
[表2-2]
在上述表中,溶質的下段意指(A)與(B)的質量比。在上述表中,溶媒的下段意指(C-1)與(C-2)的體積比。
不溶或難溶 的溶質(A) | (A)溶解性 | 可溶的溶質(B) | (B)溶解性 | 溶媒(C-1) | 溶媒(C-2) | 去除評價 | 殘膜量 | |
實施例洗淨液1 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 10 | 90 | |||||
實施例洗淨液2 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液3 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液4 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | A |
100% | 5% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液5 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 1% | 10 | 90 | |||||
實施例洗淨液6 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 1% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液7 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 1% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液8 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 1% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液9 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 10% | 10 | 90 | |||||
實施例洗淨液10 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 10% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液11 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 10% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液12 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | A |
100% | 10% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液13 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGME | AA | AA |
100% | 5% | 10 | 90 | |||||
實施例洗淨液14 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGME | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液15 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGME | AA | AA |
100% | 5% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液16 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGME | AA | A |
100% | 5% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液17 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGEE | AA | AA |
100% | 5% | 10 | 90 | |||||
實施例洗淨液18 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGEE | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液19 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGEE | AA | AA |
100% | 5% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液20 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | PGEE | AA | A |
100% | 5% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液21 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | EL | AA | AA |
100% | 5% | 10 | 90 | |||||
實施例洗淨液22 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | EL | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液23 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | EL | AA | AA |
100% | 5% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液24 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | EL | AA | A |
100% | 5% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液25 | 酚醛、Mw = 5,000 | X | 聚馬來酸、Mw = 15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 10 | 90 |
不溶或難溶 的溶質(A) | (A)溶解性 | 可溶的溶質(B) | (B)溶解性 | 溶媒(C-1) | 溶媒(C-2) | 去除評價 | 殘膜量 | |
實施例洗淨液26 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚馬來酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液27 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚馬來酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液28 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚馬來酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | A |
100% | 5% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液29 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚(丙烯酸-co-馬來酸)、 Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 10 | 90 | |||||
實施例洗淨液30 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚(丙烯酸-co-馬來酸)、 Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液31 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚(丙烯酸-co-馬來酸)、 Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 1 | 99 | |||||
實施例洗淨液32 | 酚醛、Mw=5,000 | X | 聚(丙烯酸-co-馬來酸)、 Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | A |
100% | 5% | 0.1 | 99.9 | |||||
實施例洗淨液33 | 聚羥基苯乙烯、 Mw=10,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液34 | 聚苯乙烯、 Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | A | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液35 | 聚(丙烯酸丁酯)、 Mw=15,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | A | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液36 | 聚碳酸酯、 Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | A | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液37 | 聚乙烯醇、 Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | A | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液38 | 聚甲基丙烯酸甲酯、 Mw=5,000 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | A | AA |
100% | 5% | 5 | 95 | |||||
實施例洗淨液39 | 4,4’-二羥基四苯基甲烷 | X | 聚丙烯酸、Mw=15,000 | Z | DIW | IPA | AA | AA |
100% | 5% | 5 | 95 |
<實施例洗淨液1~39的評價>
以與上述同樣的步驟,進行溶解性、去除評價、及殘膜量之評價。將結果記載於表2-1及2-2。可確認實施例洗淨液係去除評價與殘膜量均為較佳的評價。
1:基板
2:粒子
3:粒子保持層
4:可溶的溶質(B)
5:去除液
6:可溶的溶質(B)溶出的痕跡
7:裂縫
圖1為示意說明此發明相關之基板的洗淨中的基板表面之情況的剖面圖。
1:基板
2:粒子
3:粒子保持層
4:可溶的溶質(B)
5:去除液
6:可溶的溶質(B)溶出的痕跡
7:裂縫
Claims (15)
- 一種基板洗淨液,其包含不溶或難溶的溶質(A)、可溶的溶質(B)、及溶媒(C)而成, 其中溶媒(C)包含水(C-1)而成; 以水(C-1)為基準,而可溶的溶質(B)之含量為0.1~500質量%, 較佳為基板洗淨液係滴加於基板上且進行乾燥以去除溶媒(C)之至少一部分,且形成膜,然後藉由去除液而自基板上去除該膜; 較佳為不溶或難溶的溶質(A)對去除液為不溶性或難溶性;及/或 較佳為可溶的溶質(B)對去除液為可溶性。
- 如請求項1之基板洗淨液,其中可溶的溶質(B)為包含羧基、磺酸基、或二氧磷基而成的物質; 較佳為可溶的溶質(B)之酸解離常數pKA(H2 O)為-5~11。
- 如請求項1或2之基板洗淨液,其係溶媒(C)進一步包含有機溶媒(C-2)而成; 較佳為有機溶媒(C-2)具有揮發性;及/或 較佳為有機溶媒(C-2)在1大氣壓下的沸點為50~250℃。
- 如請求項1至3中任一項之基板洗淨液,其係不溶或難溶的溶質(A)包含酚醛衍生物、酚衍生物、聚苯乙烯衍生物、聚丙烯酸衍生物、聚馬來酸衍生物、聚碳酸酯衍生物、聚乙烯醇衍生物、聚甲基丙烯酸衍生物、及該等之組合的共聚物之至少1個而成; 較佳為不溶或難溶的溶質(A)不含有氟及/或矽。
- 如請求項1至4中任一項之基板洗淨液,其係可溶的溶質(B)為裂縫促進成分(B’),且裂縫促進成分(B’)包含含羧基的烴而成。
- 如請求項1至6中任一項之基板洗淨液,其中不溶或難溶的溶質(A)對5.0質量%氨水的溶解性小於100ppm,可溶的溶質(B)對5.0質量%氨水的溶解性為100ppm以上; 較佳為溶解性係藉由在20~35℃(進一步較佳為25±2℃)的條件下,在燒瓶中對5.0質量%氨水添加100ppm之該(A)或(B)且蓋上,以振動器振動3小時,以(A)或(B)是否溶解而求得。
- 如請求項1至7中任一項之基板洗淨液,其中以基板洗淨液為基準,而不溶或難溶的溶質(A)之含量為0.1~50質量%; 較佳為以不溶或難溶的溶質(A)為基準,而可溶的溶質(B)之含量為1~100質量%,及/或 較佳為以基板洗淨液為基準,而溶媒(C)的含量為0.1~99.9質量%。
- 如請求項1至8中任一項之基板洗淨液,其中不溶或難溶的溶質(A)的分子量(Mw)為150~500,000; 較佳為可溶的溶質(B)之分子量(Mw)為500~500,000。
- 如請求項1至9中任一項之基板洗淨液,其進一步包含其它的添加物(D)而成; 其中其它的添加物(D)包含界面活性劑、酸、鹼、抗菌劑、殺菌劑、防腐劑、或抗真菌劑而成, 較佳為以不溶或難溶的溶質(A)為基準,而其它的添加物(D)之質量為0~100質量%(進一步較佳為0~10質量%)。
- 一種經洗淨的基板之製造方法,其包含下述步驟而成: (1)在基板上滴加如請求項1至10中任一項之基板洗淨液; (2)去除該基板洗淨液中的溶媒(C)之至少一部分,且形成膜; (3)使該膜保持基板上的粒子; (4)將去除液供給至該基板上,去除保持有粒子的該膜。
- 如請求項11之經洗淨的基板之製造方法,其中該(1)所記載的基板為非加工基板或被加工基板; 較佳為基板的表面為半導體,及/或 較佳為基板的表面選自包含Si、Ge、SiGe、Si3 N4 、TaN、SiO2 、TiO2 、Al2 O3 、SiON、HfO2 、T2 O5 、HfSiO4 、Y2 O3 、GaN、TiN、SiCN、NbN、Cu、Ta、W、Hf、Al、Ru、Co、及非晶質碳的群組。
- 如請求項11或12之經洗淨的基板之製造方法,其進一步包含下述步驟之至少1個而成: (0-1)藉由蝕刻而在基板加工圖案,並去除蝕刻遮罩; (0-2)洗淨基板; (0-3)將基板預濕; (0-4)洗淨基板; (5)對經去除保持有粒子的膜之基板滴加水或有機溶媒,且去除該水或有機溶媒,以進一步洗淨基板。
- 如請求項11至13中任一項之經洗淨的基板之製造方法,其中該(2)的步驟係藉由基板之旋轉乾燥而進行; 較佳為旋轉乾燥以500~3,000rpm、0.5~90秒鐘進行;及/或 較佳為基板為直徑200~600mm之圓盤狀的基板。
- 一種裝置之製造方法,其包含如請求項11至14中任一項之經洗淨的基板之製造方法而成。
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