JP3058979B2 - Al合金のドライエッチング後の腐蝕防止方法 - Google Patents

Al合金のドライエッチング後の腐蝕防止方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路素子の
製造にあたり、配線としてのアルミニウム合金のドライ
エッチング後の腐蝕防止方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体回路素子の製造プロセスに
おいて、配線としてアルミニウム合金(Al−Si,A
l−Si−Cu)が広く用いられ、ホトリソグラフィー
法によりレジストパターニング後、このレジストをマス
クとしてドライエッチングする方法が一般的である。
【0003】このドライエッチングには、反応性イオン
エッチング(RIE)に代表されるように、塩素(Cl
2 )、又はClを含むガスをプラズマ化し、上記マスク
パターンに忠実に加工する方法が行なわれている。そし
てCl2 、又はClを含むガスによりエッチングされた
基板表面には、AlやCuの塩化物を主としたCl系残
留物が多量付着しており、ドライエッチング後の大気中
放置下でAlの腐蝕が発生する。
【0004】かかる腐蝕は、配線間短絡、配線抵抗の増
加、及び配線の信頼性の低下などの重大な問題を引き起
こす。特に、Cuを含むAl合金においては、上記腐蝕
の問題が著しい。
【0005】上記腐蝕の防止に関しては多くの方法が提
案され、また、以下に代表されるような方法が実用化さ
れつつある。
【0006】 Cl2 またはClを含むガスによりA
l合金をエッチングした後、大気にさらすことなくフッ
素(F)を含むガスプラズマによりClイオンをFイオ
ンで置換させる方法、または、酸素(O2 )を主とした
ガスプラズマにより、マスク材であるレジストを灰化
(アッシング)除去し、レジストとともにClを除去
し、かつ、Al合金表面を酸化させ化学的に安定化させ
る方法、または、前記Fを含むガスとO2 の混合ガスプ
ラズマにより、上記二方法の効果を得る方法。
【0007】 Cl2 またはClを含むガスによりA
l合金をエッチングした後、減圧中または、一度大気に
もどした後、基板を加熱することによりClを蒸発させ
る方法、または、加熱中に窒素(N2 )ガスを吹きつけ
る方法。
【0008】 Cl2 またはClを含むガスによりA
l合金をエッチングした後、一度大気にもどした後、直
ちに水洗して残留Clイオンを除去する方法。
【0009】 Cl2 またはClを含むガスによりA
l合金をエッチングした後、または、上記またはの
ようなClを減少させる方法を付加した後に水洗する
か、または、硝酸に浸漬したり、または、特開昭62−
281332号に開示されるコリンもしくはその誘導体
中に浸漬するか、または、特開平2−5418号に開示
される、金属を含有する溶液に浸漬し残留Clの除去効
果をさらに高め、かつ、Al合金表面を化学的に安定化
させる方法。
【0010】これらの方法から推定されることは、上記
Al合金の腐蝕の防止には、Al合金エッチングから大
気中放置までに、いかにしてClイオンの残留を減少さ
せるか、及び前記真空中のClイオン減少手段後に残る
ClとF置換により残留するFをいかにして配線に異状
を生じさせないように除去するか、が重要な課題となっ
ている。
【0011】これらの配線異状とは、 ClやFの残
留でHClやHFが形成され、これがAl合金の一部に
腐蝕欠損を生じさせる、 Cuを含むAl合金が硝酸
の存在下で一部が溶解され、被エッチングAl合金表面
に穴が発生する、 コリンもしくは、その誘導体中へ
の浸漬によりAl合金が溶解し、配線幅が細くなる、こ
と等を言う。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかし、以上述べた方
法において、上述のAl合金に対する腐蝕を完全に防止
し、かつ、Cl2 、又はClを含むガスでのエッチング
時のAl合金パターン状態を変化させることなくエッチ
ング後のAl合金表面を安定化させることは事実上非常
に困難であった。
【0013】特にAl合金として、Al−Si−Cuや
Al−Cu、及びバリアメタルとしてTiWやTiNを
用いる場合に上述いずれの方法をもってしても腐蝕の防
止が非常に難しいのが実情である。
【0014】そして更に、上記コリン、もしくはその誘
導体中に浸漬する方法(特開昭62−281332号)
においては、それらの溶液には90wt%以上の水(H
2 O)が含まれ、該水分の影響により、強塩基性の性質
を示す。通常アルミニウムは、酸,塩基に対して容易に
溶解する性質を有し、したがってパターン形成後のアル
ミニウム合金配線の一部が溶解し、アルミニウム合金配
線穴及び欠損等の発生という問題があった。
【0015】この発明は、以上述べたAl合金を、Cl
2 又はClを含むガスによりエッチングした後の腐蝕を
防止し、かつ、該エッチング時のAl合金パターン状態
を良好に保持する方法を提供することを目的とする。
【0016】
【課題を解決するための手段】この発明は、基板上のA
l合金膜のエッチング処理にあたり、Cl2 またはCl
を含むガスによりエッチングした後、速やかに極性基と
非極性基とを有する一種の界面活性剤を含み、かつ水分
を含まない溶液、より具体的には、モノエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコキシエタノールア
ミンを含有し、かつ、アルキルピロリドン、ジメチルス
ルホキシド等の極性溶媒を含有し、かつ、水を含有しな
い溶液に浸漬する手段を導入したことを特徴とする。
【0017】この発明において用いられる、上述の極性
基(親水基)と非極性基(疎水基)とを有する一種の界
面活性剤溶液としては、アルキルピロリドンとトリエタ
ノールアミンの混合溶液、ジメチルスルホキシドとモノ
エタノールアミンの混合溶液等がある。
【0018】上記溶液としては水分が存在しないことが
重要であり、又溶液中において、前記アルコキシエタノ
ールアミンの含有量は30〜70wt%の範囲にあるこ
とが望ましい。
【0019】そして、上記溶液処理のための浸漬時間は
概ね0.5〜7分にて充分と考えられる。この発明にお
ける上記処理溶液は、一般にレジスト剥離剤として用い
られているものと同様である。
【0020】ただ、上述の一般的なドライエッチングに
より、レジストパターンをマスクとしてAl合金層をパ
ターニングし、その後大気中に取り出し、剥離剤により
除去しようとするならばAl合金表面にコロージョンが
発生し問題が生じるのである。即ちドライエッチングか
らアッシングまでの工程(Al合金を用いる場合)を真
空中で行うことには一般的ではあるが意味があり、その
アッシング後に、上記レジスト剥離剤として用いられて
いた溶剤を使って、塩素系残留物を適切に除去し得るも
のである。
【0021】
【作用】この発明においては、上記極性基と非極性基と
を有する一種の界面活性剤による処理溶液が、水分を含
有しないことから、上述した酸あるいは塩基側に変化す
ることがなく塩素イオントラップ処理に際して、素子上
のAl合金配線に対する穿孔、又は腐蝕現象を全く示さ
ない作用を呈するものである。
【0022】
【実施例】図1はこの発明を実施する装置の一例を示す
ものである。排気手段Pにより減圧されたロードロック
室1から、基板2を、図示していない搬送手段によって
例えば平行平板RIE処理室3に搬送する。該処理室
も、真空排気手段Pにより減圧され、反応ガスとして
は、Cl2 またはClを含むガスを主に用い、高周波電
力により反応ガスをプラズマ化してAl合金をマスクに
忠実に加工することができるようになっている。
【0023】上記処理室は、平行平板RIEに限られる
ものではなく、さらに加工精度の高いマグネトロン/R
IE処理室や、電子サイクロトロン共鳴)/(ECR)
による処理室であってもよい。Al合金のエッチングを
終えた基板は次に、ロードロック室4に搬送され、大気
圧にもどされる。ここでは、枚葉処理装置を基本として
図示しているが、量産性の高いバッチ型処理装置でも同
様である。
【0024】大気圧にもどされた基板表面には残留Cl
やF置換されたFが付着している。ここでF置換の説明
は省略したが、処理室3においてCl2 またはClを含
むガスによりエッチングを行なった後、例えばCF4
CHF3 または、O2 /CF4 ,O2 /CHF3 でF置
換を行なってもよい。ただ通常はF置換のための別処理
室を設置することが望ましい。
【0025】次に搬送ユニット5を経て溶液処理室6に
搬送されるが、搬送ユニット5中では、上記基板に付着
したClが大気中の水分と反応し、コロージョンが発生
する可能性が最も高い。従って搬送ユニット5内では、
できるだけ速く、次の溶液処理室6に搬送するか、また
は、N2 雰囲気として大気と被処理基板の接触を極力さ
ける手段を設けることが望ましい。
【0026】さらに、別に被処理基板を加熱する手段を
設け、積極的にClやFを蒸発させる方法を付加するこ
とも好ましい。特に、Al合金として、Al−Si−C
uやAl−CuにバリアメタルとしてTiWを用いた場
合は、大気放置後急速にコロージョンが進行しやすいた
め、該搬送ユニット5の役割は重要となる。
【0027】溶液ユニット6に搬送された基板は、溶液
として、アルコキシエタノールアミンを好ましくは30
〜70wt%含有し、かつ、アルキルピロリドン、ジメ
チルスルホキシド等の極性溶媒のいずれかを含有し、か
つ、水を含まない組成のものを用いなければならない。
【0028】被処理基板は、該溶液にパドル式またはデ
ィップ(dip)式に浸漬され、必要時間経過した後に
直ちに純水によりリンスされる。リンス終了後直ちに振
り切り乾燥され、または、乾燥ユニット7において、加
熱したり、また必要に応じてさらに、O2 やO3 (オゾ
ン)により表面処理を行う。
【0029】次に本発明の実施例を具体的な例をもって
説明する。図2aの基板8の表面にCVD−SiO2
による絶縁膜9を被着し、この上にAl合金として厚さ
7000ÅのAl−1.0%Si−0.5%Cu層10
をスパッタ法で被着し、この上に通常のリソグラフィを
用いてレジストパターンを形成した。
【0030】次に、図2(b)に示すように、ドライエ
ッチングを用いてレジストパターンをマスクとしてAl
合金層10をパターニングした。ドライエッチングとし
て電子サイクロトロン共鳴方式の装置を用い、エッチン
グガスとしてはBCl3 60〔SCCM〕,Cl2 90
〔SCCM〕を用い、圧力10〔mTorr〕,マイク
ロ波出力800〔W〕でエッチングを行い、基板を真空
輸送してマイクロ波ダウンフローアッシャでアッシング
した。アッシングはO2 200〔SCCM〕,CF4
0〔SCCM〕,圧力1〔Torr〕マイクロ波出力5
00〔W〕の条件下で行った。この場合、アッシングに
用いるガスの種類と大気放置した時にコロージョンが発
生するまでの時間との関係を次表1に示す。
【表1】 この結果から、O2 とCF4 の混合ガスがコロージョン
の防止には有効であることが分かる。
【0031】つぎにAl合金の基板を大気中に取り出
し、コリンの水溶液に30秒浸漬したもの、モノエタノ
ールアミンとジメチルスルホキシドの混合液に3分浸漬
したもの及びHNO3 に15分浸漬したものについて、
つぎの実験を行った。
【0032】まず、各溶液で処理した基板に形成した、
0.6μmAl配線のオープン歩留りを測定した。又、
Al合金配線細り、欠損の有無は走査電子顕微鏡(SE
M)を用いてAl合金配線の形状を観察して行った。結
果を次表2に示す。
【0033】
【表2】
【0034】上表2の結果より、Al合金のパターン形
成においてモノエタノールアミン+ジメチルスルホキシ
ドの混合液が有効であることがわかった。
【0035】次に基板表面の残留塩素について、上記モ
ノエタノールアミンとジメチルスルホキシドの混合溶液
及びHNO3 に浸漬したものについてXPS分析を行っ
た結果を図3に示した。この図によれば、モノエタノー
ルアミン+ジメチルスルホキシドの混合液で処理した基
板のアルミニウム合金表面における塩素濃度が著しく低
いことがわかった。以上の結果を総合的に判断すると、
残留塩素の除去効果とアルミニウム合金のパターン形成
において、モノエタノールアミンとジメチルスルホキシ
ドの混合溶液は非常に有効なものであることが確認され
た。
【0036】次に、図4は、同様に処理して形成したA
l−Si−Cu配線の製品歩留りを調べた結果である。
水洗や硝酸処理にくらべ著しく歩留りが向上できること
がわかるのと同時に、XPSによる残留Cl量と相関が
あることがわかる。
【0037】図5は、同様のアルキルピロリドンとトリ
エタノールアミンの混合溶液に被処理基板を浸漬する時
間を変化させた時のAl−Si−Cu配線の歩留りであ
る。0.5〜7分間で依存性がなく良好な歩留りが得ら
れた。さらに、形成されたAl−Si−Cu(0.5
%)配線をSEMにより観察すると、水洗や硝酸、ま
た、コリンまたはその誘導体に浸漬したものは、Al配
線の一部がなくなったり、溶解して細くなるのにくら
べ、本発明のアルキルピロリドンとトリエタノールアミ
ンの混合溶液では、略例外なしに異状が発生しないこと
が確認された。ここで、前述の溶液ユニット6での溶液
処理を以下に詳述する。この溶液処理は、図6に示すよ
うな装置を用い、溶液を塗布する工程、液もり放置する
工程、振り切り除去する工程、純水洗浄する工程、乾燥
する工程、を順次行う。溶液を塗布する工程では、溶液
13が基板8上に均一に広げられることが重要であり、
実験では、給液量150cc/min、給液時間5秒、
回転数1000rpmにて行った。続いて、同一給液量
にて約10秒間、基板8上に溶液13を液もりする工程
を行った。この工程は、基板8上の溶液13を動かす効
果がある液だめ後の放置時間は、残留物の剥離に必要な
時間でよく、これが溶液中への浸漬とは大きく異なり、
残留物を完全に溶かす必要はない。放置時間は、残留物
の量や質により変化させなければならないが、実験結果
からは、15秒以上であれば十分である。続いて、剥離
した付着物を振り切る工程を行った。この工程を行わな
い場合の実験では、残留物が完全に除去できないため、
コロージョンが発生した。続いて、純水洗浄する工程
を、30秒間行ない、最後に30秒間、振り切り乾燥す
る工程を行なった。以上の各工程においての、溶液の供
給、純水の供給、回転台12の回転数の関係を図7にま
とめて示す。図7は図6の装置による場合であって、こ
れは1処理室で構成されるが、同一構造の装置を連結す
ることにより純水洗浄する工程と振り切り乾燥する工程
とを別処理室にて行なうことによって、処理時間は大幅
に短縮される。
【0038】以上の方法及び装置をもってすれば、Al
合金のエッチング後、腐蝕を完全に防止し、かつ、腐蝕
を防止するための処理による配線の変化を防止すること
ができる。なお、このような効果を得ることができる装
置は上に説明した例に限られるものではなく、広くAl
合金のエッチング装置に適用できる。
【0039】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、半導体素子上のAl合金がエッチング後それらの
腐蝕が完全に防止され、当然腐蝕防止に際しての処理に
よる配線の変化も防止され、製品特性の向上及び歩留り
の顕著な上昇が得られるのであり、工業的効果は非常に
大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法実施装置の一例図。
【図2】基板断面図。
【図3】残留塩素量比較図。
【図4】製品歩留り特性図。
【図5】浸漬時間特性図。
【図6】溶液処理を行う装置図。
【図7】溶液処理の説明図。
【符号の説明】
8 基板 9 絶縁層 10 Al合金膜 11 レジスト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 審査官 田中 永一 (56)参考文献 特開 平3−148122(JP,A) 特開 平3−180040(JP,A) 特開 平4−350660(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/3065 H01L 21/304 341 H01L 21/304 351

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上にアルミニウム合金膜を被着し、
    その上にレジストパターンを形成し該レジストパターン
    をマスクとして前記アルミニウム合金膜をエッチングし
    た後、上記レジストパターンを除去する処理、及び腐蝕
    防止のための処理を施す半導体素子の製造にあたり、上
    記腐蝕防止処理が、極性基及び非極性基を有する一種の
    界面活性剤を含み、かつ水分を含まない溶液に浸漬する
    手段と、該処理溶液を除去するための水洗リンス、及び
    乾燥手段とからなることを特徴とするAl合金のドライ
    エッチング後の腐蝕防止方法。
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