JPH09232284A - Ａｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
Ａｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置Info
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- JPH09232284A JPH09232284A JP3460096A JP3460096A JPH09232284A JP H09232284 A JPH09232284 A JP H09232284A JP 3460096 A JP3460096 A JP 3460096A JP 3460096 A JP3460096 A JP 3460096A JP H09232284 A JPH09232284 A JP H09232284A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】上述したＢＣｌ3／Ｃｌ2系エッチングガスにＮ
2を添加する方法では、該ＢＮ化合物を含む側壁保護膜
３０６は化学的に強い結合を有するため、エッチングに
引き続くアッシング工程により容易に除去できないとい
う課題がある。また、エッチング室内壁においてもＢＮ
化合物の生成・堆積反応が起こるため，エッチング装置
内で異物が発生しやすくＬＳＩ量産適用の際には問題と
なる。 【解決手段】ＢＣｌ3／Ｃｌ2ガスを用いてＴｉＮキャッ
プ層１０４の一部をエッチングした後，所定の温度及び
圧力に保持されたガスタンク２０８から圧電素子弁２０
９を介してＮ2を添加しながらＴｉＮキャップ層１０４
の残りの一部とＡｌ−Ｃｕ合金層１０３の一部をエッチ
ングする。その後、再び、ＢＣｌ3／Ｃｌ2ガスを用いて
残りのＡｌ−Ｃｕ合金層１０３をエッチングする。
2を添加する方法では、該ＢＮ化合物を含む側壁保護膜
３０６は化学的に強い結合を有するため、エッチングに
引き続くアッシング工程により容易に除去できないとい
う課題がある。また、エッチング室内壁においてもＢＮ
化合物の生成・堆積反応が起こるため，エッチング装置
内で異物が発生しやすくＬＳＩ量産適用の際には問題と
なる。 【解決手段】ＢＣｌ3／Ｃｌ2ガスを用いてＴｉＮキャッ
プ層１０４の一部をエッチングした後，所定の温度及び
圧力に保持されたガスタンク２０８から圧電素子弁２０
９を介してＮ2を添加しながらＴｉＮキャップ層１０４
の残りの一部とＡｌ−Ｃｕ合金層１０３の一部をエッチ
ングする。その後、再び、ＢＣｌ3／Ｃｌ2ガスを用いて
残りのＡｌ−Ｃｕ合金層１０３をエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等で用いら
れるＡｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置に係
り、特に多層構造のＡｌ配線の加工形状制御に好適なＡ
ｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置に関する。
れるＡｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置に係
り、特に多層構造のＡｌ配線の加工形状制御に好適なＡ
ｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩのＡｌ配線の多くはＴｉＮキャッ
プ層／Ａｌ−Ｃｕ合金／ＴｉＮバリア層の３層構造が採
用されている。該配線のパターニングにはＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2ガスによるドライエッチングが広く用いられてい
る。ＢＣｌ3／Ｃｌ2系のエッチングでは、Ａｌ−Ｃｕ合
金のエッチング速度の方がＴｉＮのエッチング速度より
大きいため，図３の従来のＡｌ配線加工形状図に示すよ
うにＡｌ−Ｃｕ合金層３０３にサイドエッチングが生じ
る。該サイドエッチングはエッチング条件を最適化し、
側壁保護膜３０６を適度に形成することにより低減でき
る。しかし、ＴｉＮキャップ層３０３直下におけるＡｌ
−Ｃｕ合金層３０３のノッチ３０７を低減することは困
難である。ノッチ３０７の低減方法としてＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2系のガスに加えてＣＨＦ3等の堆積性ガスを添加し、
側壁保護膜３０６を積極的に形成する方法があるが、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金層３０３の異方性加工が困難になり、プロ
セス・マージンが小さい。Ａｌ−Ｃｕ合金層３０３の異
方性加工性に支障を与えることなく側壁保護膜３０６を
積極的形成する手段として，例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＶａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ，Ａ１０巻，第４号，ｐｐ．１２３２−１２３７
に記載されているように，Ｎ2をＢＣｌ3／Ｃｌ2系のガ
スに添加してノッチ３０７の低減及びＡｌ−Ｃｕ合金層
３０３の異方性加工を同時に達成している。該手段によ
る側壁保護膜３０６はＢＣｌ3からのＢとＮの反応によ
るＢＮ化合物を含んでいることが知られている。
プ層／Ａｌ−Ｃｕ合金／ＴｉＮバリア層の３層構造が採
用されている。該配線のパターニングにはＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2ガスによるドライエッチングが広く用いられてい
る。ＢＣｌ3／Ｃｌ2系のエッチングでは、Ａｌ−Ｃｕ合
金のエッチング速度の方がＴｉＮのエッチング速度より
大きいため，図３の従来のＡｌ配線加工形状図に示すよ
うにＡｌ−Ｃｕ合金層３０３にサイドエッチングが生じ
る。該サイドエッチングはエッチング条件を最適化し、
側壁保護膜３０６を適度に形成することにより低減でき
る。しかし、ＴｉＮキャップ層３０３直下におけるＡｌ
−Ｃｕ合金層３０３のノッチ３０７を低減することは困
難である。ノッチ３０７の低減方法としてＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2系のガスに加えてＣＨＦ3等の堆積性ガスを添加し、
側壁保護膜３０６を積極的に形成する方法があるが、Ａ
ｌ−Ｃｕ合金層３０３の異方性加工が困難になり、プロ
セス・マージンが小さい。Ａｌ−Ｃｕ合金層３０３の異
方性加工性に支障を与えることなく側壁保護膜３０６を
積極的形成する手段として，例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏ
ｆＶａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ，Ａ１０巻，第４号，ｐｐ．１２３２−１２３７
に記載されているように，Ｎ2をＢＣｌ3／Ｃｌ2系のガ
スに添加してノッチ３０７の低減及びＡｌ−Ｃｕ合金層
３０３の異方性加工を同時に達成している。該手段によ
る側壁保護膜３０６はＢＣｌ3からのＢとＮの反応によ
るＢＮ化合物を含んでいることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2系エッチングガスにＮ2を添加する方法では、ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜３０６が効率良く形成されること
によりノッチ３０７を低減している。しかし、該ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜３０６は化学的に強い結合を有す
るため、エッチングに引き続くアッシング工程により容
易に除去できないという課題がある。また、エッチング
室内壁においてもＢＮ化合物の生成・堆積反応が起こる
ため，エッチング装置内で異物が発生しやすくＬＳＩ量
産適用の際には問題となる。
ｌ2系エッチングガスにＮ2を添加する方法では、ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜３０６が効率良く形成されること
によりノッチ３０７を低減している。しかし、該ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜３０６は化学的に強い結合を有す
るため、エッチングに引き続くアッシング工程により容
易に除去できないという課題がある。また、エッチング
室内壁においてもＢＮ化合物の生成・堆積反応が起こる
ため，エッチング装置内で異物が発生しやすくＬＳＩ量
産適用の際には問題となる。
【０００４】本発明の目的は、レジスト膜１０５の剥離
性を損なうことなく、ＴｉＮキャップ層１０４直下での
Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３のノッチ発生を抑制するＡｌ配
線のエッチング方法及び装置を提供することにある。
性を損なうことなく、ＴｉＮキャップ層１０４直下での
Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３のノッチ発生を抑制するＡｌ配
線のエッチング方法及び装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】半導体基板上のＴｉＮキ
ャップ層／Ａｌ−Ｃｕ合金層／ＴｉＮバリア層をＢＣｌ
3／Ｃｌ2系ガスを用いてエッチングする際，ＴｉＮキャ
ップ層のエッチングの後半からＡｌ−Ｃｕ合金層のエッ
チングの前半にかけての特定期間のみ，所定の温度及び
圧力に制御されたＮ2或いはＮ化合物ガスをコンピュー
タ制御されたバルブの瞬間的な開閉動作或いはその繰り
返し動作によりエッチング室に導入する工程を含ませる
ことにより，上述した課題を解決できる。
ャップ層／Ａｌ−Ｃｕ合金層／ＴｉＮバリア層をＢＣｌ
3／Ｃｌ2系ガスを用いてエッチングする際，ＴｉＮキャ
ップ層のエッチングの後半からＡｌ−Ｃｕ合金層のエッ
チングの前半にかけての特定期間のみ，所定の温度及び
圧力に制御されたＮ2或いはＮ化合物ガスをコンピュー
タ制御されたバルブの瞬間的な開閉動作或いはその繰り
返し動作によりエッチング室に導入する工程を含ませる
ことにより，上述した課題を解決できる。
【０００６】本発明を用いれば、ノッチの発生するＴｉ
Ｎキャップ層の直下領域近傍にのみＢＮ化合物を含む側
壁保護膜を形成するため、不必要なＢＮ化合物を生成・
堆積することはない。また、ＢＮ化合物の原料となるＮ
2或いはＮ化合物ガスの供給がコンピュータ制御された
バルブの瞬間的な開閉動作或いはその繰り返し動作によ
り行われるため、該ガス供給の精度及び再現性が優れて
いる。
Ｎキャップ層の直下領域近傍にのみＢＮ化合物を含む側
壁保護膜を形成するため、不必要なＢＮ化合物を生成・
堆積することはない。また、ＢＮ化合物の原料となるＮ
2或いはＮ化合物ガスの供給がコンピュータ制御された
バルブの瞬間的な開閉動作或いはその繰り返し動作によ
り行われるため、該ガス供給の精度及び再現性が優れて
いる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１に示す工
程図及び図２に示すエッチング装置の概略図を用いて説
明する。図１（ａ）に示すように半導体基板１００上に
堆積した絶縁膜１０１，ＴｉＮバリア層１０２，Ａｌ−
Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮキャップ層１０４上に所
望のパターンのレジスト膜１０５を具備した試料を有磁
場マイクロ波エッチング装置に投入した。該エッチング
装置では，図２に示すようにマグネトロン２００で発生
したμ波が導波管２０１、導入窓２０２を経てエッチン
グ室２０３に伝わり、そこで磁場制御コイル２０４によ
り形成された磁場と電子サイクロトロン共鳴を起こし高
密度プラズマを生成している。また、試料ホルダ２０５
には高周波電源２０６が接続され、ＲＦバイアスを独立
して印加することができる。該エッチング装置により、
前記レジスト膜１０５パターンをマスクにしてＴｉＮキ
ャップ層１０４の一部をエッチングした（図１
（ｂ））。このときの主なエッチング条件は、ガス流量
ＢＣｌ3３０sccm，Ｃｌ2７０sccm，全ガス圧２Pa，μ波
出力８００W，ＲＦパワー６０W，基板温度４０℃であ
る。前記塩素系ガスの流量制御は何れもマスフロー制御
による流量コントローラ２０７を用いている。引続き，
所定の温度及び圧力に保持されたガスタンク２０８から
圧電素子弁２０９を介してＮ2を添加しながらＴｉＮキ
ャップ層１０４の残りの一部とＡｌ−Ｃｕ合金層１０３
の一部をエッチングした（図１（ｃ））。このとき形成
される側壁保護膜１０６はＢＮ化合物を含んだ安定な膜
である。前記圧電素子弁２０９はコンピュータ２１０か
らのパルス信号により瞬時に開閉するため、精度、再現
性良くガス供給時間を制御できる。また圧電素子弁２０
９を数msecから数１００msec程度の間隔で所定時間開閉
を繰り返すことにより、平均的なガス流量及び添加時間
を制御することができる。次いで、Ｎ2添加を止めて、
引続きＢＣｌ3ガスとＣｌ2ガスを用いてＡｌ−Ｃｕ合金
層１０３の残りとＴｉＮバリア層１０２をエッチングし
た（図１（ｄ））。
程図及び図２に示すエッチング装置の概略図を用いて説
明する。図１（ａ）に示すように半導体基板１００上に
堆積した絶縁膜１０１，ＴｉＮバリア層１０２，Ａｌ−
Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮキャップ層１０４上に所
望のパターンのレジスト膜１０５を具備した試料を有磁
場マイクロ波エッチング装置に投入した。該エッチング
装置では，図２に示すようにマグネトロン２００で発生
したμ波が導波管２０１、導入窓２０２を経てエッチン
グ室２０３に伝わり、そこで磁場制御コイル２０４によ
り形成された磁場と電子サイクロトロン共鳴を起こし高
密度プラズマを生成している。また、試料ホルダ２０５
には高周波電源２０６が接続され、ＲＦバイアスを独立
して印加することができる。該エッチング装置により、
前記レジスト膜１０５パターンをマスクにしてＴｉＮキ
ャップ層１０４の一部をエッチングした（図１
（ｂ））。このときの主なエッチング条件は、ガス流量
ＢＣｌ3３０sccm，Ｃｌ2７０sccm，全ガス圧２Pa，μ波
出力８００W，ＲＦパワー６０W，基板温度４０℃であ
る。前記塩素系ガスの流量制御は何れもマスフロー制御
による流量コントローラ２０７を用いている。引続き，
所定の温度及び圧力に保持されたガスタンク２０８から
圧電素子弁２０９を介してＮ2を添加しながらＴｉＮキ
ャップ層１０４の残りの一部とＡｌ−Ｃｕ合金層１０３
の一部をエッチングした（図１（ｃ））。このとき形成
される側壁保護膜１０６はＢＮ化合物を含んだ安定な膜
である。前記圧電素子弁２０９はコンピュータ２１０か
らのパルス信号により瞬時に開閉するため、精度、再現
性良くガス供給時間を制御できる。また圧電素子弁２０
９を数msecから数１００msec程度の間隔で所定時間開閉
を繰り返すことにより、平均的なガス流量及び添加時間
を制御することができる。次いで、Ｎ2添加を止めて、
引続きＢＣｌ3ガスとＣｌ2ガスを用いてＡｌ−Ｃｕ合金
層１０３の残りとＴｉＮバリア層１０２をエッチングし
た（図１（ｄ））。
【０００８】本発明では、ＴｉＮキャップ層１０４とＡ
ｌ−Ｃｕ合金層１０３の界面近傍をエッチングするとき
にＢＮ化合物を含む側壁保護膜を効率良く形成するた
め、ＴｉＮキャップ層１０４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１
０３にノッチが発生しない。また、Ｎ2の添加が必要最
小限であるため、ＢＮ化合物を多量に生成・堆積してレ
ジスト剥離の障害になったり、異物が発生することはな
い。
ｌ−Ｃｕ合金層１０３の界面近傍をエッチングするとき
にＢＮ化合物を含む側壁保護膜を効率良く形成するた
め、ＴｉＮキャップ層１０４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１
０３にノッチが発生しない。また、Ｎ2の添加が必要最
小限であるため、ＢＮ化合物を多量に生成・堆積してレ
ジスト剥離の障害になったり、異物が発生することはな
い。
【０００９】本実施例ではＮ2を添加しているが、ＮＨ3
等の他のＮを含む化合物ガスを用いても同様の効果があ
る。また、本実施例ではＢＣｌ3／Ｃｌ2をエッチングガ
スとして用いているが、ＳｉＣｌ4，ＣＣｌ4等の他の塩
素系ガスを用いることも可能である。また、本実施例で
はＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ合金層／ＴｉＮ積層膜をエッチン
グしているが、Ａｌ−Ｃｕ合金層の上下の膜がＴｉ／Ｔ
ｉＮ膜或いはＴｉＷ膜であっても構わない。また、Ａｌ
−Ｃｕ合金層以外の他のＡｌ合金層、例えばＳｉ，Ｓｃ
等、或いはＣｕ及び前記元素のうちの複数元素を含むＡ
ｌ合金層であっても同様の効果があることは言うまでも
ない。また、本実施例ではＥＣＲ型エッチング装置を用
いているが、他のプラズマエッチング装置、例えばＩＣ
Ｐ(Inductively Coupled Plasma)エッチング装置を用い
ても同様の効果がある。
等の他のＮを含む化合物ガスを用いても同様の効果があ
る。また、本実施例ではＢＣｌ3／Ｃｌ2をエッチングガ
スとして用いているが、ＳｉＣｌ4，ＣＣｌ4等の他の塩
素系ガスを用いることも可能である。また、本実施例で
はＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ合金層／ＴｉＮ積層膜をエッチン
グしているが、Ａｌ−Ｃｕ合金層の上下の膜がＴｉ／Ｔ
ｉＮ膜或いはＴｉＷ膜であっても構わない。また、Ａｌ
−Ｃｕ合金層以外の他のＡｌ合金層、例えばＳｉ，Ｓｃ
等、或いはＣｕ及び前記元素のうちの複数元素を含むＡ
ｌ合金層であっても同様の効果があることは言うまでも
ない。また、本実施例ではＥＣＲ型エッチング装置を用
いているが、他のプラズマエッチング装置、例えばＩＣ
Ｐ(Inductively Coupled Plasma)エッチング装置を用い
ても同様の効果がある。
【００１０】
【発明の効果】本発明を用いるとＴｉＮキャップ層１０
４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１０３にノッチが発生するこ
となく良好なＡｌ配線のエッチングが行える。また、Ｎ
2の添加を短時間で制御性良く行えるため、ＢＮ化合物
を多量に生成・堆積してレジスト剥離の障害になった
り、異物が発生することはない。
４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１０３にノッチが発生するこ
となく良好なＡｌ配線のエッチングが行える。また、Ｎ
2の添加を短時間で制御性良く行えるため、ＢＮ化合物
を多量に生成・堆積してレジスト剥離の障害になった
り、異物が発生することはない。
【図１】本発明に係る実施例１の工程を示す図。
【図２】本発明に係る実施例１のエッチング装置の概略
を示す図。
を示す図。
【図３】従来のＡｌ配線加工形状を示す図。
１００…半導体基板、１０１…絶縁膜、１０２…ＴｉＮ
バリア層、１０３…Ａｌ−Ｃｕ合金層、１０４…ＴｉＮ
キャップ層、１０５…レジスト膜、１０６…側壁保護
膜、２００…マグネトロン、２０１…導波管、２０２…
導入窓、２０３…エッチング室、２０４…磁場制御コイ
ル、２０５…試料ホルダ、２０６…高周波電源、２０７
…マスフローコントローラ、２０８…ガスタンク、２０
９…圧電素子弁、２１０…コンピュータ。
バリア層、１０３…Ａｌ−Ｃｕ合金層、１０４…ＴｉＮ
キャップ層、１０５…レジスト膜、１０６…側壁保護
膜、２００…マグネトロン、２０１…導波管、２０２…
導入窓、２０３…エッチング室、２０４…磁場制御コイ
ル、２０５…試料ホルダ、２０６…高周波電源、２０７
…マスフローコントローラ、２０８…ガスタンク、２０
９…圧電素子弁、２１０…コンピュータ。
Claims (6)
- 【請求項１】半導体基板上に形成されたＡｌ配線を塩素
系ガスを用いてエッチングする工程において、該エッチ
ング中の特定時間のみ堆積性ガスを添加する工程を含む
ことを特徴とするＡｌ配線のエッチング方法。 - 【請求項２】上記塩素系ガスがＢＣｌ3ガスを含み、堆
積性ガスがＮ2或いはＮ化合物ガスを含むことを特徴と
する請求項１記載のＡｌ配線のエッチング方法。 - 【請求項３】前記Ａｌ配線が半導体基板側より第１のＴ
ｉＮ膜／Ａｌ−Ｃｕ合金層／第２のＴｉＮ膜からなり、
上述したエッチング中の特定時間が第２のＴｉＮ膜のエ
ッチングの後半からＡｌ−Ｃｕ合金層のエッチングの前
半を含んでいることを特徴とする請求項１記載のＡｌ配
線のエッチング方法。 - 【請求項４】上述したエッチング中の特定時間において
堆積性ガスを添加する工程が、所定の温度及び圧力に制
御された堆積性ガスをバルブの瞬間的な開閉動作或いは
その繰り返し動作によりエッチング室に導入する工程を
含むことを特徴とする請求項１記載のＡｌ配線のエッチ
ング方法。 - 【請求項５】上述したＡｌ配線のエッチング中の特定時
間に堆積性ガスを添加するエッチング装置として、堆積
性ガスの温度及び圧力の制御が可能なガス容器ユニット
及び該ガス容器に接続された瞬間的な弁開閉動作及び該
繰り返し動作可能なバルブユニットを具備した請求項１
記載のＡｌ配線のエッチング方法のためのエッチング装
置。 - 【請求項６】上述した瞬間的な弁開閉動作及び該繰り返
し動作可能なバルブユニットがパルス駆動により開閉す
る圧電素子弁より構成されており、該圧電素子弁の開閉
のタイミングをコンピュータ制御により任意に設定する
ことが可能であることを特徴とする請求項５記載のＡｌ
配線のエッチング方法のためのエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3460096A JPH09232284A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | Ａｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3460096A JPH09232284A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | Ａｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232284A true JPH09232284A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12418849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3460096A Pending JPH09232284A (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | Ａｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232284A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516153A (ja) * | 1997-09-05 | 2001-09-25 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｃｖｄバリア層を有するボーダーレスバイア |
| US6440865B1 (en) * | 2000-03-15 | 2002-08-27 | Winbond Electronics Corp. | Method of profile control in metal etching |
| CN110783260A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
-
1996
- 1996-02-22 JP JP3460096A patent/JPH09232284A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001516153A (ja) * | 1997-09-05 | 2001-09-25 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Ｃｖｄバリア層を有するボーダーレスバイア |
| US6440865B1 (en) * | 2000-03-15 | 2002-08-27 | Winbond Electronics Corp. | Method of profile control in metal etching |
| CN110783260A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
| CN110783260B (zh) * | 2018-07-26 | 2023-07-14 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
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