JPH09251984A - 多層Ａｌ配線のエッチング方法 - Google Patents
多層Ａｌ配線のエッチング方法Info
- Publication number
- JPH09251984A JPH09251984A JP6055396A JP6055396A JPH09251984A JP H09251984 A JPH09251984 A JP H09251984A JP 6055396 A JP6055396 A JP 6055396A JP 6055396 A JP6055396 A JP 6055396A JP H09251984 A JPH09251984 A JP H09251984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- wiring
- layer
- gas
- chcl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＢＮ化合物を含む側壁保護膜は化学的に強い結
合を有するため、エッチングに引き続くアッシング工程
・溶液処理により除去されにくいという課題がある。従
って，ＢＮ化合物に代わって強固でしかもエッチング後
に除去しやすい側壁保護膜を形成する手段が必要にな
る。 【解決手段】枚葉式のドライエッチング装置を用いて、
エッチング室内をＯ2クリーング処理し、エッチング室
の内壁温度を設定・制御した後、試料をエッチング室２
０３に搬送しＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨＣｌ3ガスを用いて
レジスト膜１０５パターンをマスクにしてＴｉＮキャッ
プ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮバリ
ア層１０２を順次プラズマエッチングする。
合を有するため、エッチングに引き続くアッシング工程
・溶液処理により除去されにくいという課題がある。従
って，ＢＮ化合物に代わって強固でしかもエッチング後
に除去しやすい側壁保護膜を形成する手段が必要にな
る。 【解決手段】枚葉式のドライエッチング装置を用いて、
エッチング室内をＯ2クリーング処理し、エッチング室
の内壁温度を設定・制御した後、試料をエッチング室２
０３に搬送しＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨＣｌ3ガスを用いて
レジスト膜１０５パターンをマスクにしてＴｉＮキャッ
プ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮバリ
ア層１０２を順次プラズマエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等で用いら
れる多層Ａｌ配線のエッチング方法に係り、特に多層Ａ
ｌ配線の側面における加工形状の制御に好適なＡｌ配線
のエッチング方法に関する。
れる多層Ａｌ配線のエッチング方法に係り、特に多層Ａ
ｌ配線の側面における加工形状の制御に好適なＡｌ配線
のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩのＡｌ配線の多くはＴｉＮキャッ
プ層／Ａｌ−Ｃｕ合金／ＴｉＮバリア層の３層構造が採
用されている。該配線のパターニングにはＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2ガスによるドライエッチングが広く用いられてい
る。ＢＣｌ3／Ｃｌ2系のエッチングでは、Ａｌ−Ｃｕ合
金のエッチング速度の方がＴｉＮのエッチング速度より
大きいため，図３の従来の多層Ａｌ配線の断面形状図に
示すようにＡｌ−Ｃｕ合金層３０３にサイドエッチング
３０５が発生したり、ＴｉＮキャップ層３０３直下のＡ
ｌ−Ｃｕ合金層３０３にノッチ３０６が発生するという
課題がある。良好な加工形状を実現するためには、側壁
保護膜の形成を制御しながらＡｌ配線のエッチングを行
う必要がある。その対策として、例えばＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ，Ａ１０巻，第４号，ｐｐ．１２３２−１
２３７に記載されているように，Ｎ2をＢＣｌ3／Ｃｌ2
系のガスに添加してノッチ３０６の低減及びＡｌ−Ｃｕ
合金層３０３の異方性加工を達成している。該手段によ
る側壁保護膜はＢＣｌ3からのＢとＴｉＮ層のＮの反応
によるＢＮ化合物を含んでおり、従来のＢＣｌ3／Ｃｌ2
系エッチングに比べて形状制御に有効な側壁保護膜とな
っている。
プ層／Ａｌ−Ｃｕ合金／ＴｉＮバリア層の３層構造が採
用されている。該配線のパターニングにはＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2ガスによるドライエッチングが広く用いられてい
る。ＢＣｌ3／Ｃｌ2系のエッチングでは、Ａｌ−Ｃｕ合
金のエッチング速度の方がＴｉＮのエッチング速度より
大きいため，図３の従来の多層Ａｌ配線の断面形状図に
示すようにＡｌ−Ｃｕ合金層３０３にサイドエッチング
３０５が発生したり、ＴｉＮキャップ層３０３直下のＡ
ｌ−Ｃｕ合金層３０３にノッチ３０６が発生するという
課題がある。良好な加工形状を実現するためには、側壁
保護膜の形成を制御しながらＡｌ配線のエッチングを行
う必要がある。その対策として、例えばＪｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ，Ａ１０巻，第４号，ｐｐ．１２３２−１
２３７に記載されているように，Ｎ2をＢＣｌ3／Ｃｌ2
系のガスに添加してノッチ３０６の低減及びＡｌ−Ｃｕ
合金層３０３の異方性加工を達成している。該手段によ
る側壁保護膜はＢＣｌ3からのＢとＴｉＮ層のＮの反応
によるＢＮ化合物を含んでおり、従来のＢＣｌ3／Ｃｌ2
系エッチングに比べて形状制御に有効な側壁保護膜とな
っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したＢＣｌ3／Ｃ
ｌ2系エッチングガスにＮ2を添加する方法では、ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜が効率良く形成されることにより
ノッチ３０６を低減している。しかし、該ＢＮ化合物を
含む側壁保護膜は化学的に強い結合を有するため、エッ
チングに引き続くアッシング工程・溶液処理により除去
されにくいという課題がある。また、エッチング室内壁
においてもＢＮ化合物の生成・堆積反応が起こるため，
エッチング装置内で異物が発生しやすく，ＬＳＩ量産適
用の際には問題となる。従って，ＢＮ化合物に代わって
強固でしかもエッチング後に除去しやすい側壁保護膜を
形成する手段が必要になる。
ｌ2系エッチングガスにＮ2を添加する方法では、ＢＮ化
合物を含む側壁保護膜が効率良く形成されることにより
ノッチ３０６を低減している。しかし、該ＢＮ化合物を
含む側壁保護膜は化学的に強い結合を有するため、エッ
チングに引き続くアッシング工程・溶液処理により除去
されにくいという課題がある。また、エッチング室内壁
においてもＢＮ化合物の生成・堆積反応が起こるため，
エッチング装置内で異物が発生しやすく，ＬＳＩ量産適
用の際には問題となる。従って，ＢＮ化合物に代わって
強固でしかもエッチング後に除去しやすい側壁保護膜を
形成する手段が必要になる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために有機物の側壁保護膜を形成する。そのために，枚
葉式エッチング装置のエッチング室をＯ2プラズマクリ
−ニングして有機物を除去した後、チャンバの壁面温度
を８０〜２５０℃の所定温度に制御しＢＣｌ3，Ｃｌ2，
及びＣＨＣｌ3の混合ガスにより有機レジスト膜マスク
を用いて多層Ａｌ配線をプラズマエッチングする。その
ときのガス質量流量比はＣｌ2１００に対してＢＣｌ3及
びＣＨＣｌ3が各々２０〜５０，５〜２０の比である。
上記Ｏ2プラズマクリ−ニングは、複数枚の連続処理毎
に行えばよい。
ために有機物の側壁保護膜を形成する。そのために，枚
葉式エッチング装置のエッチング室をＯ2プラズマクリ
−ニングして有機物を除去した後、チャンバの壁面温度
を８０〜２５０℃の所定温度に制御しＢＣｌ3，Ｃｌ2，
及びＣＨＣｌ3の混合ガスにより有機レジスト膜マスク
を用いて多層Ａｌ配線をプラズマエッチングする。その
ときのガス質量流量比はＣｌ2１００に対してＢＣｌ3及
びＣＨＣｌ3が各々２０〜５０，５〜２０の比である。
上記Ｏ2プラズマクリ−ニングは、複数枚の連続処理毎
に行えばよい。
【０００５】本発明を用いれば、ＣＨＣｌ3から解離し
た有機成分が効率良く側壁保護膜を形成するため、サイ
ドエッチング及びノッチを抑制でき、良好な加工形状の
多層Ａｌ配線のエッチングが可能になる。上記方式によ
り形成された側壁保護膜は通常の後工程により容易に除
去できる。また、ＣＨＣｌ3の添加がエッチング装置の
メンテナンス性に影響を与えることはない。通常、ＣＨ
Ｃｌ3等のような有機系ガスを添加したエッチングを量
産に適用すると加工形状に経時変化が現れるが、本発明
では定期的なＯ2クリーニングによるチャンバ内有機物
の除去とチャンバ壁面温度の制御によりエッチング雰囲
気の安定性、再現性の向上を図かり量産への適用を可能
にしている。
た有機成分が効率良く側壁保護膜を形成するため、サイ
ドエッチング及びノッチを抑制でき、良好な加工形状の
多層Ａｌ配線のエッチングが可能になる。上記方式によ
り形成された側壁保護膜は通常の後工程により容易に除
去できる。また、ＣＨＣｌ3の添加がエッチング装置の
メンテナンス性に影響を与えることはない。通常、ＣＨ
Ｃｌ3等のような有機系ガスを添加したエッチングを量
産に適用すると加工形状に経時変化が現れるが、本発明
では定期的なＯ2クリーニングによるチャンバ内有機物
の除去とチャンバ壁面温度の制御によりエッチング雰囲
気の安定性、再現性の向上を図かり量産への適用を可能
にしている。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１に示す試
料断面図及び図２に示すエッチング装置の概略図を用い
て説明する。図１（ａ）に示すように半導体基板１００
上に堆積した絶縁膜１０１，ＴｉＮバリア層１０２，Ａ
ｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮキャップ層１０４上
に所望のパターンのレジスト膜１０５を具備した試料を
有磁場マイクロ波エッチング装置の試料交換室に投入し
た。該エッチング装置では，図２に示すようにマグネト
ロン２００で発生したμ波が導波管２０１、導入窓２０
２を経てエッチング室２０３に伝わり、そこで磁場制御
コイル２０４により形成された磁場と電子サイクロトロ
ン共鳴を起こし高密度プラズマを生成している。また、
試料ホルダ２０５には高周波電源２０６が接続され、Ｒ
Ｆバイアスを独立して印加することができる。上記試料
をエッチング室２０３に投入する前に、Ｏ2クリーング
処理を施してエッチング室内の有機物を除去した。クリ
ーニング条件はＯ2流量１００sccm，全ガス圧２Pa，μ
波出力８００Wである。エッチング室の内壁温度を１０
０℃に設定・制御した後、上記試料をエッチング室２０
３に搬送し、前記レジスト膜１０５パターンをマスクに
してＴｉＮキャップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０
３，及びＴｉＮバリア層１０２を順次エッチングした。
このときの主なエッチング条件は、ガス流量ＢＣｌ3３
０sccm，Ｃｌ2７０sccm，ＣＨＣｌ3８sccm，全ガス圧３
Pa，μ波出力８００W，ＲＦパワー６０W，基板温度４０
℃である。ここでガス流量の制御は何れもマスフロー制
御による流量コントローラ２０７を用いている。尚、プ
ラズマ発光モニタを用いて判定したＴｉＮバリア層１０
２のエッチングが終了した後も、引続き１５秒間、エッ
チングを継続した。上述したエッチング処理後の試料の
断面形状は図１．（ｂ）に示すようにＴｉＮキャップ層
１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３，ＴｉＮバリア層１０
２の各側面は垂直に加工され、該側面はエッチング中の
副生成物による側壁保護膜１０６により被われている。
料断面図及び図２に示すエッチング装置の概略図を用い
て説明する。図１（ａ）に示すように半導体基板１００
上に堆積した絶縁膜１０１，ＴｉＮバリア層１０２，Ａ
ｌ−Ｃｕ合金層１０３，及びＴｉＮキャップ層１０４上
に所望のパターンのレジスト膜１０５を具備した試料を
有磁場マイクロ波エッチング装置の試料交換室に投入し
た。該エッチング装置では，図２に示すようにマグネト
ロン２００で発生したμ波が導波管２０１、導入窓２０
２を経てエッチング室２０３に伝わり、そこで磁場制御
コイル２０４により形成された磁場と電子サイクロトロ
ン共鳴を起こし高密度プラズマを生成している。また、
試料ホルダ２０５には高周波電源２０６が接続され、Ｒ
Ｆバイアスを独立して印加することができる。上記試料
をエッチング室２０３に投入する前に、Ｏ2クリーング
処理を施してエッチング室内の有機物を除去した。クリ
ーニング条件はＯ2流量１００sccm，全ガス圧２Pa，μ
波出力８００Wである。エッチング室の内壁温度を１０
０℃に設定・制御した後、上記試料をエッチング室２０
３に搬送し、前記レジスト膜１０５パターンをマスクに
してＴｉＮキャップ層１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０
３，及びＴｉＮバリア層１０２を順次エッチングした。
このときの主なエッチング条件は、ガス流量ＢＣｌ3３
０sccm，Ｃｌ2７０sccm，ＣＨＣｌ3８sccm，全ガス圧３
Pa，μ波出力８００W，ＲＦパワー６０W，基板温度４０
℃である。ここでガス流量の制御は何れもマスフロー制
御による流量コントローラ２０７を用いている。尚、プ
ラズマ発光モニタを用いて判定したＴｉＮバリア層１０
２のエッチングが終了した後も、引続き１５秒間、エッ
チングを継続した。上述したエッチング処理後の試料の
断面形状は図１．（ｂ）に示すようにＴｉＮキャップ層
１０４，Ａｌ−Ｃｕ合金層１０３，ＴｉＮバリア層１０
２の各側面は垂直に加工され、該側面はエッチング中の
副生成物による側壁保護膜１０６により被われている。
【０００７】本発明によると、Ｏ2クリーング処理に続
いて前記試料を２５枚連続してエッチング処理しても加
工形状の変化は殆ど起こらない。即ち、定期的にＯ2ク
リーング処理を適用することにより、多層Ａｌ配線の量
産加工に適したエッチング方法を提供できる。ここで
は、通常の１ロット２５枚の連続処理について効果を確
認しているが，諸条件の最適化により２５枚以上の連続
処理も可能である。また、２５枚以下の連続処理、例え
ば５枚，１０枚については言うまでもなく有効である。
本実施例では、エッチング室の内壁温度を１００℃に設
定・制御しているが、８０〜２５０℃の範囲内で制御し
ても、ＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨＣｌ3流量比を適宜調整し
て同様の効果を得ることは可能である。好適な質量流量
比の目安は、Ｃｌ2１００に対してＢＣｌ3及びＣＨＣｌ
3が各々２０〜５０，５〜２０の比である。本実施例で
はＣＨＣｌ3ガスをＢＣｌ3／Ｃｌ2に添加した場合につ
いて述べている。他のＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０
〜８），ＣｘＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）ガスの
うちの少なくとも１つ以上の混合ガスを用いても同様の
効果が期待されるが、実験の結果ＣＨＣｌ3ガス添加が
有効であることが分かった。また、本実施例ではＢＣｌ
3／Ｃｌ2をエッチングガスとして用いているが、ＳｉＣ
ｌ4，ＣＣｌ4等の他の塩素系ガスを用いることも有効で
ある。
いて前記試料を２５枚連続してエッチング処理しても加
工形状の変化は殆ど起こらない。即ち、定期的にＯ2ク
リーング処理を適用することにより、多層Ａｌ配線の量
産加工に適したエッチング方法を提供できる。ここで
は、通常の１ロット２５枚の連続処理について効果を確
認しているが，諸条件の最適化により２５枚以上の連続
処理も可能である。また、２５枚以下の連続処理、例え
ば５枚，１０枚については言うまでもなく有効である。
本実施例では、エッチング室の内壁温度を１００℃に設
定・制御しているが、８０〜２５０℃の範囲内で制御し
ても、ＢＣｌ3／Ｃｌ2／ＣＨＣｌ3流量比を適宜調整し
て同様の効果を得ることは可能である。好適な質量流量
比の目安は、Ｃｌ2１００に対してＢＣｌ3及びＣＨＣｌ
3が各々２０〜５０，５〜２０の比である。本実施例で
はＣＨＣｌ3ガスをＢＣｌ3／Ｃｌ2に添加した場合につ
いて述べている。他のＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０
〜８），ＣｘＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）ガスの
うちの少なくとも１つ以上の混合ガスを用いても同様の
効果が期待されるが、実験の結果ＣＨＣｌ3ガス添加が
有効であることが分かった。また、本実施例ではＢＣｌ
3／Ｃｌ2をエッチングガスとして用いているが、ＳｉＣ
ｌ4，ＣＣｌ4等の他の塩素系ガスを用いることも有効で
ある。
【０００８】また、本実施例ではＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ合
金層／ＴｉＮ積層膜をエッチングしているが、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金層の上下の膜がＴｉ／ＴｉＮ膜或いはＴｉＷ膜で
あっても構わない。また、本実施例ではＥＣＲ型エッチ
ング装置を用いているが、他のプラズマエッチング装
置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッチ
ング装置を用いても同様の効果がある。
金層／ＴｉＮ積層膜をエッチングしているが、Ａｌ−Ｃ
ｕ合金層の上下の膜がＴｉ／ＴｉＮ膜或いはＴｉＷ膜で
あっても構わない。また、本実施例ではＥＣＲ型エッチ
ング装置を用いているが、他のプラズマエッチング装
置、例えばＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)エッチ
ング装置を用いても同様の効果がある。
【０００９】
【発明の効果】本発明を用いるとＴｉＮキャップ層１０
４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１０３にノッチが発生するこ
となく良好な形状の多層Ａｌ配線のエッチングが行え
る。また、エッチング後工程におけるレジスト膜１０５
及び側壁保護膜１０６の除去が容易である。量産に適用
した場合も多層Ａｌ配線の加工形状の経時変化がなく、
装置のメンテナンス性に支障を与えることも無い。
４直下のＡｌ−Ｃｕ合金層１０３にノッチが発生するこ
となく良好な形状の多層Ａｌ配線のエッチングが行え
る。また、エッチング後工程におけるレジスト膜１０５
及び側壁保護膜１０６の除去が容易である。量産に適用
した場合も多層Ａｌ配線の加工形状の経時変化がなく、
装置のメンテナンス性に支障を与えることも無い。
【図１】本発明の実施例１に係る試料の断面を示す図。
【図２】本発明の実施例１に係るエッチング装置の概略
図。
図。
【図３】従来のＡｌ配線の断面形状を示す図。
１００…半導体基板、１０１…絶縁膜、１０２…ＴｉＮ
バリア層、１０３…Ａｌ−Ｃｕ合金層、１０４…ＴｉＮ
キャップ層、１０５…レジスト膜、１０６…側壁保護
膜、 ２００…マグネトロン、２０１…導波管、２０２
…導入窓、２０３…エッチング室、２０４…磁場制御コ
イル、２０５…試料ホルダ、２０６…高周波電源、 ２
０７…マスフローコントローラ。
バリア層、１０３…Ａｌ−Ｃｕ合金層、１０４…ＴｉＮ
キャップ層、１０５…レジスト膜、１０６…側壁保護
膜、 ２００…マグネトロン、２０１…導波管、２０２
…導入窓、２０３…エッチング室、２０４…磁場制御コ
イル、２０５…試料ホルダ、２０６…高周波電源、 ２
０７…マスフローコントローラ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 児島 雅之 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】半導体基板上に形成された多層Ａｌ配線を
エッチングする工程において、プラズマエッチング装置
を用いてＢＣｌ3，Ｃｌ2，及びＣＨＣｌ3或いは他のＣ
ｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８），ＣｘＨｙＢｒｚ
（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）ガスの内少なくとも１つ以上，
との混合ガスによりエッチングすることを特徴とする多
層Ａｌ配線のエッチング方法。 - 【請求項２】上記エッチング装置のエッチング室の壁面
温度を８０〜２５０℃範囲内の所定温度に制御してＢＣ
ｌ3，Ｃｌ2，及びＣＨＣｌ3或いは他のＣｘＨｙＣｌｚ
（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８），ＣｘＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，ｚ
＝０〜８）ガスのうちの少なくとも１つ以上との混合ガ
スにより多層Ａｌ配線をプラズマエッチングすることを
特徴とする請求項１に記載した多層Ａｌ配線のエッチン
グ方法。 - 【請求項３】上述したＢＣｌ3，Ｃｌ2，及びＣＨＣｌ3
或いは他のＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜８）ガス
の混合ガスの質量流量比がＣｌ2１００に対してＢＣｌ3
及びＣＨＣｌ3或いは他のＣｘＨｙＣｌｚ（ｘ，ｙ，ｚ
＝０〜８）或いはＣｘＨｙＢｒｚ（ｘ，ｙ，ｚ＝０〜
８）ガスが各々２０〜５０，５〜２０の比であり、有機
レジスト膜をマスクにして多層Ａｌ配線をエッチングす
ることを特徴とする請求項１に記載した多層Ａｌ配線の
エッチング方法。 - 【請求項４】上記エッチング装置のエッチング室内部を
Ｏ2を含むガスの放電によりクリーニングした後、複数
枚の半導体基板上の多層Ａｌ配線を連続してエッチング
することを特徴とする請求項１または２に記載した多層
Ａｌ配線のエッチング方法。 - 【請求項５】上述した多層Ａｌ配線が半導体基板側より
第１のＴｉＮ膜／Ａｌ−Ｃｕ合金層／第２のＴｉＮ膜或
いは第１のＴｉＷ膜／Ａｌ−Ｃｕ合金層／第２のＴｉＷ
膜からなりなることを特徴とする請求項１に記載したＡ
ｌ配線のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055396A JPH09251984A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 多層Ａｌ配線のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6055396A JPH09251984A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 多層Ａｌ配線のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09251984A true JPH09251984A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13145602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6055396A Pending JPH09251984A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 多層Ａｌ配線のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09251984A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214725B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-04-10 | Nec Corporation | Etching method |
| US6440865B1 (en) * | 2000-03-15 | 2002-08-27 | Winbond Electronics Corp. | Method of profile control in metal etching |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP6055396A patent/JPH09251984A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6214725B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-04-10 | Nec Corporation | Etching method |
| US6440865B1 (en) * | 2000-03-15 | 2002-08-27 | Winbond Electronics Corp. | Method of profile control in metal etching |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2674488B2 (ja) | ドライエッチング室のクリーニング方法 | |
| EP0416774B1 (en) | A method of treating a sample of aluminium-containing material | |
| JP3594759B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH0982687A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2000024046A1 (fr) | Procede d'attaque au plasma | |
| JP2008078678A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| US6156663A (en) | Method and apparatus for plasma processing | |
| JP3318801B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3258240B2 (ja) | エッチング方法 | |
| US6756314B2 (en) | Method for etching a hard mask layer and a metal layer | |
| JP2650178B2 (ja) | ドライエッチング方法及び装置 | |
| JP3667493B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10189537A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH09251984A (ja) | 多層Ａｌ配線のエッチング方法 | |
| JPH0774147A (ja) | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 | |
| US6071828A (en) | Semiconductor device manufacturing method including plasma etching step | |
| JP3449741B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH09293725A (ja) | 配線材のエッチング方法 | |
| JP3104840B2 (ja) | 試料の後処理方法 | |
| JPH06108272A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP3339219B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPH05326515A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3428169B2 (ja) | ニオブ系薄膜のドライエッチング方法 | |
| JPH09260351A (ja) | 多層Ａｌ配線のエッチング方法 | |
| JPH09232284A (ja) | Ａｌ配線のエッチング方法及びエッチング装置 |