JP2003107676A

JP2003107676A - マスクブランク及びその製造方法、並びにマスクの製造方法

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Publication number: JP2003107676A
Application number: JP2001304281A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kobayashi; 英雄小林
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2001-09-28
Filing date: 2001-09-28
Publication date: 2003-04-09
Anticipated expiration: 2021-09-28
Also published as: JP4822239B2

Abstract

(57)【要約】【課題】化学増幅型レジストを塗布したマスクブラン
クスにおいて、レジストパターン形成後パターン底部に
発生する裾引き状突起部の発生を抑えるマスクブランク
スの製造方法等を提供する。【解決手段】遮光性膜を形成した後に、遮光性膜と化
学増幅型レジスト膜との間に酸を介在させるように、少
なくとも遮光性膜の表面を酸処理する。これにより、化
学増幅型レジスト４のレジストパターン形成後パターン
底部に発生する裾引き状突起部７の発生が抑えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト種とし
て、露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸
が、引き続き行われる熱処理工程においてポリマーの溶
解性を制御する官能基あるいは官能物質と反応すること
によりレジスト機能を発現する化学増幅型レジストを用
いたマスクブランク及びその製造方法並びにマスクの製
造方法等に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置等（ＬＳＩ等）の製造方法で
ある微細加工技術に用いられるフォトマスク（レチク
ル）の製造では、例えば、透明基板上に遮光層であるク
ロム膜を、このクロム膜上に反射防止層である酸化クロ
ム膜を形成し、この酸化クロム膜上にレジスト膜を形成
して作製したフォトマスクブランクを予め用意する。そ
してこのフォトマスクブランクにおいて、レジストの選
択的露光を行い、露光後のベーク処理、現像処理を経
て、レジストパターンを形成し、このレジストパターン
をマスクとして、酸化クロム膜およびクロム膜を選択的
にエッチング除去して、所定のマスクパターンを形成す
ることでフォトマスクは製造される。また、近年の超微
細加工技術に用いられるハーフトーン型位相シフトマス
クの製造では、透明基板上に遮光機能と位相シフト機能
の双方を備えた例えば酸化クロム膜又は弗化クロム膜あ
るいは酸化及び／又は窒化モリブデンシリサイド膜のハ
ーフトーン膜を形成し、このハーフトーン膜上にレジス
ト膜を形成して作製した位相シフトマスクブランクを予
め用意する。そしてこの位相シフトマスクブランクにお
いて、レジストの選択的露光を行い、露光後のベーク処
理、現像処理を経て、レジストパターンを形成し、この
レジストパターンをマスクとして、前記遮光機能と位相
シフト機能の双方を備えたハーフトーン膜を選択的にエ
ッチング除去して、所定のマスクパターンを形成するこ
とで位相シフトマスクは製造される。

【０００３】上述したマスク製造分野においては、電子
線によるレジスト描画（露光）における電子線の加速電
圧が現在の１０〜２０ｋｅＶから５０ｋｅＶ以上に移行
しようとしている。これは、電子線レジスト中を通過す
る電子線の前方散乱を少なくするとともに、電子ビーム
の集束性を上げることによって、より微細なレジストパ
ターンが解像されるようにする必要があるからである。
電子線の加速電圧が低いとレジスト表面やレジスト中で
前方散乱が生じ、前方散乱があるとレジストの解像性が
悪化する。しかし、電子線の加速電圧を５０ｋｅＶ以上
とした場合、加速電圧に反比例して前方散乱が減少し前
方散乱によってレジストに付与されるエネルギーが減少
するため、１０〜２０ｋｅＶの時に使用していた電子線
レジストではレジストの感度が不足し、スループットが
落ちてしまう。そこで、マスク製造分野においても、高
加速電圧に対して感度が高くしかも高い解像性を持った
化学増幅型レジストを使用する必要がでてきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】フォトマスク用ブラン
クス及びフォトマスクの製造方法を例にとり図１を参照
しながら詳しく説明する。まず、合成石英等の透明基板
１の表面に、遮光膜であるクロム膜２を、続いて反射防
止膜である酸化クロム膜３をスパッタリング法等で断続
あるは連続して形成する。次いで、酸化クロム膜３上に
「露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸
が、引き続き行われる熱処理工程においてポリマーの溶
解性を制御する官能基あるいは官能物質と反応すること
によりレジスト機能を発現する（官能基等を外すことに
よってアルカリに溶解するようになる）「化学増幅型レ
ジスト」を回転塗布法などで塗布し、その後熱処理（焼
成）して乾燥させ、化学増幅型レジスト膜４を形成し、
マスクブランクス５を得る（図１（ａ））。次に、所定
箇所に光あるいは電子線等を選択的に照射し、その後、
ブランクス５（即ち化学増幅型レジスト膜４）をベーク
処理し、次いで、化学増幅型レジスト膜４を現像して露
光された部分を除去して、レジストパターン４ａを形成
する（図１（ｂ））。次にエッチング液（例えば、硝酸
第２セリウムアンモニウム系クロムエッチング液）によ
るウエットエッチング処理あるいはエッチングガス（例
えば、塩素ガス）によるドライエッチング処理によっ
て、露出した酸化クロム膜３及びクロム膜２を除去し、
その後レジストパターン４ａを除去して、フォトマスク
６を得る（図１（ｃ））。上記現像処理において、図２
（ａ）に示すように、化学増幅型レジスト膜４の底部
（酸化クロム膜近傍のレジスト膜）に裾引き（フッティ
ング）状の突起部７が発生する問題がある。このような
裾引き状突起部７は、本来現像処理により完全に除去さ
れるべき露光部分８の不要な残さであり、酸化クロム膜
３及びクロム膜２に形成されるパターンのエッジ部にギ
ザつきを発生させ著しくパターン寸法均一性を損ない、
あるいは場合によっては、図２（ｂ）に示すように、隣
り合ったレジストパターン同士をレジスト底部９の一部
あるいは全てで連結して、酸化クロム膜３及びクロム膜
２が全くエッチングされない解像不良又は解像性劣化を
引き起こす。

【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、化学増幅型レジストを塗布
したマスクブランクスにおいて、レジストパターン形成
後パターン底部に発生する裾引き状突起部の発生等を抑
えることのできるマスクブランクス及びその製造方法並
びにマスクの製造方法等の提供を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下の構成を有する。

【０００７】（構成１）透明基板上に遮光性膜を形成
し、該遮光性膜上に化学増幅型レジスト膜を形成し、該
化学増幅型レジスト膜をパターニングしてレジストパタ
ーンを形成し、該レジストパターンをマスクとして前記
遮光性膜を選択的にエッチングし除去することからなる
マスクの製造に用いるマスクブランクにおいて、前記遮
光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成される側の少なく
とも表面近傍に、化学増幅型レジストの裾引きが起こら
ない量の酸又は官能基を外す作用を奏する物質が存在し
ていることを特徴とするマスクブランク。

【０００８】（構成２）前記遮光性膜の化学増幅型レ
ジスト膜が形成される側の少なくとも表面近傍に、硫酸
を含む酸が存在していることを特徴とする構成１記載の
マスクブランク。

【０００９】（構成３）化学増幅型レジストが塗布さ
れる膜の表面に、化学増幅型レジストの裾引きが起こら
ない量の酸又は官能基を外す作用を奏する物質を介在さ
せる処理を施す工程、を有することを特徴とするマスク
ブランクの製造方法。

【００１０】（構成４）透明基板上に遮光性膜を形成
し、該遮光性膜上に化学増幅型レジスト膜を形成し、該
レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成
し、該レジストパターンをマスクとして前記遮光性膜を
選択的にエッチング除去することからなるマスクの製造
に用いるマスクブランクの製造方法において、前記遮光
性膜を形成した後に、遮光性膜の化学増幅型レジスト膜
が形成される側の少なくとも表面近傍に、酸を存在させ
るように、少なくとも遮光性膜の表面を酸処理すること
を特徴とするマスクブランクの製造方法。

【００１１】（構成５）前記酸処理は、酸を含む溶液
中に浸漬、酸を含む溶液を接触、酸を含む雰囲気に曝
す、のうちいずれか１つを行うことを特徴とする構成４
記載のマスクブランクの製造方法。

【００１２】（構成６）前記酸処理の後、リンス処理
を行い、前記遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成さ
れる側の少なくとも表面近傍に存在する酸の量を調整す
ることを特徴とする構成４又は５記載のマスクブランク
の製造方法。

【００１３】（構成７）前記酸は、硫酸を含む酸であ
ることを特徴とする構成４乃至６のいずれかに記載のマ
スクブランクの製造方法。

【００１４】（構成８）構成４乃至７のいずれかに記
載の方法によって得られたマスクブランクにおける遮光
性膜をパターニングして遮光性膜パターンを形成するこ
とを特徴とするマスクの製造方法。

【００１５】なお、本発明で言うマスクブランクには、
フォトマスクブランク、位相シフトマスクブランクが含
まれる。本発明で言うマスクブランクには、レジスト膜
付きブランク、レジスト膜形成前のブランクが含まれ
る。本発明で言う位相シフトマスクブランクには、ハー
フトン膜上にクロム系材料などの遮光膜が形成される場
合を含む。また、本発明で言うマスクには、フォトマス
ク、位相シフトマスクが含まれる。本発明で言うマスク
には、レチクルが含まれる。

【００１６】以下、本発明について詳細に説明する。上
記問題点の原因としては、以下の機構が考えられる。化
学増幅型レジスト（ポジ型）の機能は、上述の通り、露
光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸が、引
き続き行われる熱処理工程において、ポリマーの溶解性
を制御する官能基あるいは官能物質と反応することによ
り、レジスト機能を発現する（官能基等を外すことによ
り、露光部はアルカリ現像液に溶解するようになる）こ
とにある。従って、露光によりレジスト膜中に生成され
る触媒物質の酸の濃度が何らかの原因により著しく低下
し（一般に失活と呼ばれる）、アルカリ現像液に溶解さ
れなくなる。この現象が、化学増幅型レジストが塗布さ
れる膜（以下、単に下地膜と称す）、例えばクロム系の
遮光性膜の近傍（すなわちレジスト膜の底部）で起こる
ものが裾引き（残さ）であると考えられる。上記の失活
現象は、露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質
の酸が、下地膜（例えばクロム系の遮光性膜）中に拡散
によって移動する、又は、下地膜の表面あるいは表面近
傍の上層にアルカリ性物質が存在する、又は、下地膜が
アルカリ性を呈している等が原因であると考えられる。
そして、上記構成１に記載の発明のように、マスクブラ
ンクにおける遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成さ
れる側の少なくとも表面近傍に、化学増幅型レジストの
裾引きが起こらない量の酸、又は官能基を外す作用を奏
する物質が存在していることにより、裾引きの発生を防
止又は抑制ことができるマスクブランクが得られる。こ
れは、遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成される側
の表面近傍を、酸リッチな状態にしておくことにより、
露光によりレジスト膜中に生成される触媒物質の酸が、
化学増幅型レジストが塗布される膜（下地膜）中に拡散
によって移動しにくくなる、又は、下地膜の表面あるい
は表面近傍の上層に存在したアルカリ性物質を除去す
る、又は、アルカリ性を呈していた下地膜に酸性を呈す
る処理をすることにより、失活現象を回避できるものと
考えられる。なお、構成１における酸は、化学増幅型レ
ジストの裾引きの発生を防止又は抑制できるものであれ
ばよい。官能基等を外す作用を奏する物質は、化学増幅
型レジストの溶解性を制御する官能基あるいは官能物質
と反応して、官能基等を外す作用を奏する物質を含むも
のであれば良い。また、本発明において、「遮光性膜」
には、露光光を遮断する遮光膜、遮光機能と位相シフト
機能を有するハーフトーン膜が含まれる。この遮光性膜
の膜材料、膜組成、膜構造、膜厚等は特に限定されな
い。遮光性膜の膜材料としては、例えば、クロム単体、
又はクロムに酸素、窒素、炭素からなる元素を少なくと
も１種を含むもの、又は、ＬＥＡＲ（Low Energy Activ
ation Resist）用としてアセタール系レジストやＨＥＡ
Ｒ（High Energy Activation Resist）用としてＳＣＡ
Ｐ系レジスト等の化学増幅型レジストを用いた場合に、
レジストパターンの底部に裾引き状突起部が形成される
膜材料などが挙げられる。ここで、酸としては、裾引き
が起こらないあるいは裾引きが著しく低減される効果を
持つ酸であればよく、硫酸などの無機酸や有機酸などが
挙げられる。これらの酸には、過酸化水素水、オゾン溶
解水などの酸化剤を加えることができる。また、上記構
成２に記載の発明のように、酸の中でも硫酸を含む酸
が、下地膜中あるいはその表面に残留しやすい点から好
ましい。

【００１７】また、上記構成３に記載の発明のように、
化学増幅型レジストが塗布される膜の表面に、化学増幅
型レジストの裾引きが起こらない量の酸、又は官能基を
外す作用を奏する物質を介在させる処理を施すことによ
り、裾引きの発生を防止又は抑制できることがわかっ
た。つまり、化学増幅型レジストが塗布される膜の表面
における、酸の残留量や酸の堆積（捕捉）状態によっ
て、裾引きの形状が変化し、酸の残留量や酸の堆積（捕
捉）状態を制御することによって、裾引きの発生を防止
又は抑制できることがわかった。これは、化学増幅型レ
ジスト膜が形成される膜の表面を、酸リッチな状態にし
ておくことにより、露光によりレジスト膜中に生成され
る触媒物質の酸が、化学増幅型レジストが塗布される膜
（下地膜）中に拡散によって移動しにくくなる、又は、
下地膜の表面あるいは表面近傍の上層に存在したアルカ
リ性物質を除去する、又は、アルカリ性を呈していた下
地膜に酸性を呈する処理をすることにより、失活現象を
回避できるものと考えられる。

【００１８】また、上記構成４に記載の発明のように、
遮光性膜を形成した後に、遮光性膜の化学増幅型レジス
ト膜が形成される側の少なくとも表面近傍に、酸を存在
させるように、少なくとも遮光性膜の表面を酸処理する
ことにより、後述する実施例のごとく非常に効果的に化
学増幅型レジスト膜の失活を抑制でき、裾引き状の突起
部の発生を抑えることができることがわかった。

【００１９】また、上記構成５に記載の発明のように、
酸処理は、酸を含む溶液中に浸漬する方法、酸を含む溶
液を接触させる方法、酸を含む雰囲気中に曝す方法、の
うちいずれか１つを行う。中でも酸を含む溶液中に浸漬
する酸浴浸漬処理が、濃度、温度、浸漬時間、酸浴浸漬
処理後のリンス時間、超音波の有無などの条件を制御す
ることで、遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成され
る側の少なくとも表面近傍に存在させる酸の量を厳密に
制御できるので好ましい。

【００２０】また、上記構成６に記載の発明のように、
遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成される側の少な
くとも表面近傍に存在させる酸の量の制御しやすさ点か
ら酸処理後、リンス処理を行い、遮光性膜の化学増幅型
レジスト膜が形成される側の表面近傍に存在する酸の量
を調整することが良い。

【００２１】また、上記構成７に記載の発明のように、
酸の中でも硫酸を含む酸が、下地膜中あるいはその表面
に残留し易い点から好ましい。なお、マスク洗浄で広く
一般的に使用されている硫酸を含む酸（例えば、濃硫酸
に過酸化水素を添加した）溶液を使用すれば、下地膜で
ある遮光性膜の洗浄処理と、裾引きを起こさない又は制
御する酸処理とを同時に達成でき、工程の簡略化からも
好ましい。

【００２２】また、構成８に記載の発明のように、酸処
理したマスクブランクを使用してマスク（レチクル）を
作製すると、化学増幅型レジストの現像後にレジストパ
ターン底部に発生する裾引き状突起部を効果的に抑制す
ることができる。従って、これまで問題となっていた突
起部分の発生によるパターンエッジのギザつき、超微細
なパターンであっても、突起の短絡や連結による解像不
良はほとんど生じなくなり、微細加工の加工能力及び信
頼性が向上する。

【００２３】実施例１サイズ６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英基板
上に、スパッタリング法により厚さ約６００オンク゛ストローム
のクロムを主成分とする遮光性膜を形成し、続いて、厚
さ約３００オンク゛ストロームの酸化クロムを主成分とする反射
防止膜を形成した。得られた基板を９８％濃硫酸を約１
２０℃に加熱した酸浴に約５分間浸漬し、その後、温純
水でリンス（使用する化学増幅型レジストで裾引きが起
こらないあるいは最も低減されるようリンス時間を設
定）して、スピンドライ法で乾燥させた。この、酸浴浸
漬処理した基板の膜表面を、二次イオン質量分析（ＳＩ
ＭＳ：Secondary Ion Mass Spectroscopy）により分析
したところ、Ｓ（イオウ）が存在していることが確認さ
れた。この結果から、遮光性膜の表面近傍に、酸浴浸漬
処理により硫酸が含浸又は捕捉されたものと考えられ
る。次に、酸浴浸漬処理した基板に市販の電子線露光用
化学増幅型ポジレジスト（ＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９：東
京応化工業製）を回転塗布法で４００ｎｍの厚さに塗布
し、その後、ホットプレートで１３０℃で１０分熱処理
して、レジスト膜を乾燥させ、レジスト膜付きフォトマ
スクブランクスを得た。次に、このマスクブランクスを
電子線露光装置で露光し、その後、露光後のベーク処理
を行い、その後、現像処理してレジストパターンを形成
した。次に、硝酸セリウム第２アンモニウム及び過塩素
酸の溶液であるクロムエッチング液で露出している遮光
性膜（酸化クロム膜及びクロム膜）をエッチング処理し
て除去した。最後に、レジストパターンを濃硫酸に過酸
化水素水を加えたレジスト剥離液に浸し、レジストパタ
ーンを除去して、フォトマスク（レチクル）を得た。得
られたフォトマスクにおける遮光性膜（酸化クロム膜及
びクロム膜）パターンの突起部分（パターンエッジのギ
ザつき）をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で調べたとこ
ろ、約１０ｎｍ程度のギザつきであった。また、１００
ｎｍのライン＆スペースパターンが解像していることが
確認された。

【００２４】比較例１上記実施例１において、酸浴浸漬処理を実施しなかった
以外は、実施例１と同様にしてフォトマスクブランク及
びフォトマスクを作製した。得られたフォトマスクの遮
光性膜（酸化クロム膜及びクロム膜）パターンの突起部
分（パターンエッジのギザつき）をＳＥＭ（電子顕微
鏡）で調べると、酸浴浸漬処理を適用しないで作製した
マスクブランクでは、約３０ｎｍ程度のギザつきであ
り、２００ｎｍのライン＆スペースパターンが解像して
いるにどどまっていた。つまり、レジストパターンの底
部の一部が連結せずに解像不良を起こさないためのレジ
ストパターン間のスペースが最小で２００ｎｍであっ
た。これは、反射防止膜の表面近傍に微小なポウラスが
存在しており、露光によりレジスト膜中に生成される触
媒物質の酸が、反射防止膜の表面近傍に移動し、微小な
ポウラスに含浸又は捕捉されることによって、形成すべ
きレジストパターンの裾部分が失活して裾引き状の突起
部が発生し、上述の結果になったと考えられる。

【００２５】実施例２サイズ６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英基板
上に、スパッタリング法により厚さ約８００オンク゛ストローム
の酸化クロムのハーフトーン膜を形成した。得られた基
板を９８％濃硫酸を約１２０℃に加熱した酸浴に約５分
間浸漬し、その後、温純水でリンス（使用する化学増幅
型レジストで裾引きが起こらないあるいは最も低減され
るようリンス時間を設定）して、スピンドライ法で乾燥
させた。この、酸浴浸漬処理した基板の膜表面を、二次
イオン質量分析（ＳＩＭＳ）により分析したところ、イ
オウ（Ｓ）が存在していることが確認された。この結果
から、膜の表面近傍に、酸浴浸漬処理により硫酸が含浸
又は捕捉したものと考えられる。次に、酸浴浸漬処理し
た基板に市販の電子線露光用化学増幅型ポジレジスト
（ＯＥＢＲ−ＣＡＰ２０９：東京応化工業製）を回転塗
布法で４００ｎｍの厚さに塗布し、その後、ホットプレ
ートで１３０℃で１０分熱処理して、レジスト膜を乾燥
させ、レジスト膜付き位相シフトマスクブランクスを得
た。次に、この位相シフトマスクブランクスを電子線露
光装置で露光し、その後、露光後のベーク処理を行い、
その後、現像処理してレジストパターンを形成した。次
に、硝酸セリウム第２アンモニウム及び過塩素酸の溶液
であるクロムエッチング液で露出している酸化クロム膜
をエッチング処理して除去した。最後に、レジストパタ
ーンを濃硫酸に過酸化水素水を加えたレジスト剥離液に
浸し、レジストパターンを除去して、位相シフトマスク
（レチクル）を得た。得られた位相シフトマスクにおけ
るハーフトーン膜（酸化クロム膜）パターンの突起部分
（パターンエッジのギザつき）をＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）で調べたところ、約１０ｎｍ程度のギザつきであ
った。また、１００ｎｍのライン＆スペースパターンが
解像していることが確認された。

【００２６】なお、本発明は上述した実施例等に限定さ
れるものではない。例えば、フォトマスクにおける遮光
膜や、位相シフトマスクにおけるハーフトーン膜の材料
は、酸浴浸漬処理を適用しない場合に、レジストパター
ン底部（裾部分）に裾引き状の突起部を発生する膜であ
れば、本発明の酸浴浸漬処理を適用できる。また、化学
増幅型レジストの種類は限定されず、他の化学増幅型レ
ジスト（例えば、ＦＥＰ１７１：フジフィルムアーチ社
製）を用いた場合にも上述した実施例と同様の効果が認
められた。化学増幅型レジストは、ネガ型であってもよ
い。他の酸を用いた場合にも同様の傾向が認められた。
上述した実施例における濃硫酸に過酸化水素を加えた場
合にも同様の傾向が認められた。また、リンス処理を行
わず、使用する化学増幅型レジストで裾引きが起こらな
いあるいは最も低減されるように、酸処理条件（濃度、
加熱温度、処理時間）を設定し、酸処理のみで行うこと
もできる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、化
学増幅型レジストが塗布される膜の表面に、化学増幅型
レジストの裾引きが起こらない量の酸又は官能基を外す
作用を奏する物質を介在させることにより、化学増幅型
レジストパターン底部における裾引き状の突起部の発生
等を抑えることができる。また、フォトマスクブランク
における遮光膜や、位相シフトマスクブランクにおける
ハーフトーン膜などの膜の表面を酸処理することによ
り、これらの膜上に形成される化学増幅型レジスト膜の
失活を抑制でき、レジストパターン底部における裾引き
状の突起部の発生等を抑えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】マスクブランク及びマスクの製造工程を説明す
るための模式的断面図である。

【図２】レジストパターン底部における裾引き状の突起
部等を説明するための模式図である。

【符号の説明】

１透明基板２クロム膜３酸化クロム膜４化学増幅型レジスト膜４ａレジストパターン５マスクブランク６フォトマスク７裾引き状の突起部８本来現像処理により除去されるべき露光部分９レジスト底部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｆ 7/11 ５０３Ｇ０３Ｆ 7/40 ５２１ 7/40 ５２１Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２ＰＦターム(参考） 2H025 AA03 AB08 AB16 AC06 AD01 AD03 BE00 BG00 FA03 FA12 FA17 FA40 2H095 BC01 BC08 2H096 AA24 BA06 BA11 BA20 CA05 EA06 HA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に遮光性膜を形成し、該遮光
性膜上に化学増幅型レジスト膜を形成し、該化学増幅型
レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形成
し、該レジストパターンをマスクとして前記遮光性膜を
選択的にエッチングし除去することからなるマスクの製
造に用いるマスクブランクにおいて、前記遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成される側の
少なくとも表面近傍に、化学増幅型レジストの裾引きが
起こらない量の酸又は官能基を外す作用を奏する物質が
存在していることを特徴とするマスクブランク。
【請求項２】前記遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が
形成される側の少なくとも表面近傍に、硫酸を含む酸が
存在していることを特徴とする請求項１記載のマスクブ
ランク。
【請求項３】化学増幅型レジストが塗布される膜の表
面に、化学増幅型レジストの裾引きが起こらない量の酸
又は官能基を外す作用を奏する物質を介在させる処理を
施す工程、を有することを特徴とするマスクブランクの
製造方法。
【請求項４】透明基板上に遮光性膜を形成し、該遮光
性膜上に化学増幅型レジスト膜を形成し、該レジスト膜
をパターニングしてレジストパターンを形成し、該レジ
ストパターンをマスクとして前記遮光性膜を選択的にエ
ッチング除去することからなるマスクの製造に用いるマ
スクブランクの製造方法において、前記遮光性膜を形成した後に、遮光性膜の化学増幅型レ
ジスト膜が形成される側の少なくとも表面近傍に、酸を
存在させるように、少なくとも遮光性膜の表面を酸処理
することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項５】前記酸処理は、酸を含む溶液中に浸漬、
酸を含む溶液を接触、酸を含む雰囲気に曝す、のうちい
ずれか１つを行うことを特徴とする請求項４記載のマス
クブランクの製造方法。
【請求項６】前記酸処理の後、リンス処理を行い、前
記遮光性膜の化学増幅型レジスト膜が形成される側の少
なくとも表面近傍に存在する酸の量を調整することを特
徴とする請求項４又は５記載のマスクブランクの製造方
法。
【請求項７】前記酸は、硫酸を含む酸であることを特
徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のマスクブラ
ンクの製造方法。
【請求項８】請求項４乃至７のいずれかに記載の方法
によって得られたマスクブランクにおける遮光性膜をパ
ターニングして遮光性膜パターンを形成することを特徴
とするマスクの製造方法。