JPS5815236A - 電子線感光レジストの塗布方法 - Google Patents
電子線感光レジストの塗布方法Info
- Publication number
- JPS5815236A JPS5815236A JP56113839A JP11383981A JPS5815236A JP S5815236 A JPS5815236 A JP S5815236A JP 56113839 A JP56113839 A JP 56113839A JP 11383981 A JP11383981 A JP 11383981A JP S5815236 A JPS5815236 A JP S5815236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- regist
- film
- resist
- electron beam
- chromium film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は鑞子線感光しジス［の塗布方法Ｃ二関し。
特ξ：電子線感党レジストな選択マスクとして用いた場
合、塗布されるレジストと被エツチング材料の下地面と
の密着性の改善な図ったものである。
合、塗布されるレジストと被エツチング材料の下地面と
の密着性の改善な図ったものである。
従来、電子線感光レジス）を用いて湿式エツテングを行
なった場合、水処理工程・大気中の水蒸気の付着・しシ
ストの分子構造等（−よりレジストと下地基板との密着
性（；影醤な受け、＝↓≠卑半ト≠しみ蝕刻液がレジス
）と下地基板との接着面に染み込んで線幅制御６：支障
をきたすという現象が見られた。
なった場合、水処理工程・大気中の水蒸気の付着・しシ
ストの分子構造等（−よりレジストと下地基板との密着
性（；影醤な受け、＝↓≠卑半ト≠しみ蝕刻液がレジス
）と下地基板との接着面に染み込んで線幅制御６：支障
をきたすという現象が見られた。
本発明はこのような問題点Ｃ：着目したものでレジスト
と下地基板との密着性Ｖ向上させ、蝕刻液の染み込みＶ
１止して線幅制御な容易ならしめる事ｔ−目的とする。
と下地基板との密着性Ｖ向上させ、蝕刻液の染み込みＶ
１止して線幅制御な容易ならしめる事ｔ−目的とする。
前ｅ目的【達成するため１本発明の電子線感光しＶスト
の塗布方法は彼工１デング材料の下地としてのグｇミク
ム膜面にレジストな塗布する場合該りロミクム膜面な酸
素プラズマで所定時間処還した後、レジストな塗布する
事を特徴とするものである。
の塗布方法は彼工１デング材料の下地としてのグｇミク
ム膜面にレジストな塗布する場合該りロミクム膜面な酸
素プラズマで所定時間処還した後、レジストな塗布する
事を特徴とするものである。
酸素プラズマ処理により、グロミワム膜表面は極藩の醪
化りａＡ＠がクンダムに形成されクロミクム膜表面はレ
ジストとの密着（二対して有利になると考えられる。以
下本発明実施につき詳述する。
化りａＡ＠がクンダムに形成されクロミクム膜表面はレ
ジストとの密着（二対して有利になると考えられる。以
下本発明実施につき詳述する。
ガラス基板上８００人のピュアクロミウム膜コートした
クロムブフックスな、本オクリンで洗浄後、酸素圧２０
Ｐａ、進行波ＳＯＷ、反射波５Ｗ、陽極電圧０．９１Ｃ
Ｖ＆陽極電流８０ｍＡ、で６分間処理した。該処理終了
後の基板（；域子線レジストのＦＢＭ−１１Ｃ１２００
０ｒＰ！Ｉｌｌの回転数でスピンナー塗布し、４５００
Ａのしンスト膜を形成した。それを窒素雰囲気中１４０
℃で５０分間プリベークし、加速磁圧１０ＫＶで６ Ｘ
１０−’０／ｊの露光量で描画し、メチルイソブチル
ケトン：イソ１０ビルアルコール−１： １５ ［１の
ＥＡ像液テ２５’Ｃで９０秒現Ｑし、イン１０ビルアル
コールで６０秒リンスした。９Ｃ１’Ｃで３０分間ポス
トベークし硝酸セリワム系の蝕刻液で６０秒エラテング
後。
クロムブフックスな、本オクリンで洗浄後、酸素圧２０
Ｐａ、進行波ＳＯＷ、反射波５Ｗ、陽極電圧０．９１Ｃ
Ｖ＆陽極電流８０ｍＡ、で６分間処理した。該処理終了
後の基板（；域子線レジストのＦＢＭ−１１Ｃ１２００
０ｒＰ！Ｉｌｌの回転数でスピンナー塗布し、４５００
Ａのしンスト膜を形成した。それを窒素雰囲気中１４０
℃で５０分間プリベークし、加速磁圧１０ＫＶで６ Ｘ
１０−’０／ｊの露光量で描画し、メチルイソブチル
ケトン：イソ１０ビルアルコール−１： １５ ［１の
ＥＡ像液テ２５’Ｃで９０秒現Ｑし、イン１０ビルアル
コールで６０秒リンスした。９Ｃ１’Ｃで３０分間ポス
トベークし硝酸セリワム系の蝕刻液で６０秒エラテング
後。
アセトンで超音波洗浄して１次６二Ｈ！Ｉ（０４・Ｈ２
Ｌ）２でレジスト剥離した後、純水で洗浄して仕上げた
。
Ｌ）２でレジスト剥離した後、純水で洗浄して仕上げた
。
その結果、５μｍフィンアンドスペースのパター７ Ｙ
フ７ ／（スＡ ２で測定すると、レジストイメージ
で４００２ｍクロムイメージでもゑ００μｍとパターン
変換差が０でクロムイメージでの線幅バフツキの標準偏
差値もＣｌＯ２と非常（；精度の良いパターンが得られ
た。
フ７ ／（スＡ ２で測定すると、レジストイメージ
で４００２ｍクロムイメージでもゑ００μｍとパターン
変換差が０でクロムイメージでの線幅バフツキの標準偏
差値もＣｌＯ２と非常（；精度の良いパターンが得られ
た。
次（二対比例を記す。
ガフス基擾反−ｈ８０ＵＡのピュアグロミヮム膜なコー
トしたクロムブランクスなネオグリンで洗浄後レジスト
ＦＢＭ−１１０を２０００ｒ１１ｍｌ でスピンナー塗
布し４５００＾のレジスト威を形成した。それを窒素雰
囲気中１４０℃で６０分間プリベークし加速′礁圧１０
ＫＶで６Ｘ１００／−の露光量で描画し、メデノνイソ
プテルケトン：イソグロビルアルコー／＆／−１＝１５
０の現像液で２５℃で９０秒場像し、イン１０ビルアル
コールで６０秒リンスした。９０℃で６０分間ポストベ
ークし、硝酸セリウム系の蝕刻液で６０秒エフテング後
、アセトンで超音波洗浄して１次にＨ２ＳＯ４゜Ｈ２Ｏ
２でレジスト剥離して純水で洗浄して仕上げた。この処
理の結果、６μｍフィンアンドスベーＸ Ｙ ランバス
Ａ２で測定すると、レジストイメージではｉ０Ｕμｍで
あったがクロムイメージでは五２０μｍとなり、パター
ン変換差が１００μｍあった。又、クロムイメージでの
線幅バフツキの標準偏差値は０．０８であった。
トしたクロムブランクスなネオグリンで洗浄後レジスト
ＦＢＭ−１１０を２０００ｒ１１ｍｌ でスピンナー塗
布し４５００＾のレジスト威を形成した。それを窒素雰
囲気中１４０℃で６０分間プリベークし加速′礁圧１０
ＫＶで６Ｘ１００／−の露光量で描画し、メデノνイソ
プテルケトン：イソグロビルアルコー／＆／−１＝１５
０の現像液で２５℃で９０秒場像し、イン１０ビルアル
コールで６０秒リンスした。９０℃で６０分間ポストベ
ークし、硝酸セリウム系の蝕刻液で６０秒エフテング後
、アセトンで超音波洗浄して１次にＨ２ＳＯ４゜Ｈ２Ｏ
２でレジスト剥離して純水で洗浄して仕上げた。この処
理の結果、６μｍフィンアンドスベーＸ Ｙ ランバス
Ａ２で測定すると、レジストイメージではｉ０Ｕμｍで
あったがクロムイメージでは五２０μｍとなり、パター
ン変換差が１００μｍあった。又、クロムイメージでの
線幅バフツキの標準偏差値は０．０８であった。
上述の説明から明らかな如く１本発明翅布方法はクロミ
クム膜表面を１フズマ処尾しているので。
クム膜表面を１フズマ処尾しているので。
クロミクム膜と、該膜上シニ塗布される磁子線レジス）
Ｍとの重曹性を向上せしめる事が出来、バクツキの少い
Ｉ＆４ｉ′Ｍ度パターンを得る事が出来る。
Ｍとの重曹性を向上せしめる事が出来、バクツキの少い
Ｉ＆４ｉ′Ｍ度パターンを得る事が出来る。
Claims (1)
- １）りｃｙｔクム膜表面（二′磁子線感光レジストな塗
布するに際して、上記グロミワム膜表面な酸素プラズマ
で処理した後、′４子線感光レジストを塗付Ｔる事な特
徴とした電子線感光レジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113839A JPS5815236A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 電子線感光レジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113839A JPS5815236A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 電子線感光レジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815236A true JPS5815236A (ja) | 1983-01-28 |
Family
ID=14622337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113839A Pending JPS5815236A (ja) | 1981-07-20 | 1981-07-20 | 電子線感光レジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05138076A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Nkk Corp | 廃棄物分離機における閉塞防止装置 |
| JP2003107676A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びにマスクの製造方法 |
-
1981
- 1981-07-20 JP JP56113839A patent/JPS5815236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05138076A (ja) * | 1991-11-13 | 1993-06-01 | Nkk Corp | 廃棄物分離機における閉塞防止装置 |
| JP2003107676A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びその製造方法、並びにマスクの製造方法 |
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