JPS635530A - ドライエツチング法 - Google Patents
ドライエツチング法Info
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- JPS635530A JPS635530A JP14895886A JP14895886A JPS635530A JP S635530 A JPS635530 A JP S635530A JP 14895886 A JP14895886 A JP 14895886A JP 14895886 A JP14895886 A JP 14895886A JP S635530 A JPS635530 A JP S635530A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は露光・現像されたレジストパターンを用いて基
板上の被エツチング材料層をドライエツチングする方法
(=関し、更(=詳しくは現像後のレジスト表面を耐ド
ライエツチング性(=改質してから被エツチング材料層
をドライエツチングする方法(=関する。
板上の被エツチング材料層をドライエツチングする方法
(=関し、更(=詳しくは現像後のレジスト表面を耐ド
ライエツチング性(=改質してから被エツチング材料層
をドライエツチングする方法(=関する。
では、所定の基板上の被エツチング材料層上(二フォト
レジスト、又は電子線レジストなどのレジストを塗布し
てレジスト塗膜を形成し、次いで原版を通して露光後、
現像してレジストパターンを形成し、次(二基板上の被
エツチング層をウェットエツチング又はドライエツチン
グし、パターンを形成する方法が用いられている。
レジスト、又は電子線レジストなどのレジストを塗布し
てレジスト塗膜を形成し、次いで原版を通して露光後、
現像してレジストパターンを形成し、次(二基板上の被
エツチング層をウェットエツチング又はドライエツチン
グし、パターンを形成する方法が用いられている。
近年、半導体デバイス及びその製造(=用いられるフォ
トマスクの素子の微細化、高密度化(二応じて、従来の
、ウェットエツチングではサイドエツチング現象により
所定の仕様が得られないため、ドライエツチングが多用
されつつある。
トマスクの素子の微細化、高密度化(二応じて、従来の
、ウェットエツチングではサイドエツチング現象により
所定の仕様が得られないため、ドライエツチングが多用
されつつある。
ドライエツチングは周知の如く、プラズマエツチング、
スパッタエツチング、イオンビームエツチングなど様々
な方法があり、いずれも乾式で化学的、物理的、あるい
は物理化学的(:基板上の被エツチング材料層を加工す
る方法である。
スパッタエツチング、イオンビームエツチングなど様々
な方法があり、いずれも乾式で化学的、物理的、あるい
は物理化学的(:基板上の被エツチング材料層を加工す
る方法である。
このドライエツチング加工法には被エツチング材料層の
バターニング(=用いられるフォトレジスト、電子線レ
ジストなどが一般(二有機高分子のため、ドライエツチ
ング時(二被エツチング層と共(=著しい速度でエツチ
ングされ、レジスト被膜が減少してしまい、被エツチン
グ層:ニピンホールなどの欠陥を生じたり、所定のパタ
ーン寸法が得られないという問題がある。
バターニング(=用いられるフォトレジスト、電子線レ
ジストなどが一般(二有機高分子のため、ドライエツチ
ング時(二被エツチング層と共(=著しい速度でエツチ
ングされ、レジスト被膜が減少してしまい、被エツチン
グ層:ニピンホールなどの欠陥を生じたり、所定のパタ
ーン寸法が得られないという問題がある。
このため、この問題を解決する一つの方法として被エツ
チング材料層上に耐ドライエツチング性の金属薄膜層を
設け、その上(ニレジスト層を形成し、レジストパター
ンを一度金属薄膜パターン(二転写し、次にパターン化
された金属薄膜をマスクとしてドライエツチングする方
法がある。
チング材料層上に耐ドライエツチング性の金属薄膜層を
設け、その上(ニレジスト層を形成し、レジストパター
ンを一度金属薄膜パターン(二転写し、次にパターン化
された金属薄膜をマスクとしてドライエツチングする方
法がある。
また別な方法として、耐ドライエツチング性の高い有機
高分子構造を有するレジストを用いる方法がある。例え
ば、ベンゼン核を有スるノボラック系フォトレジスト(
ヘキスト社!!!AZ−/ J ! 0.東京応化工業
社製OFPR−g00など)、ノボラック系電子線レジ
スト(日立化成工業社製RE−3000P)、ハロゲン
化ポリスチレン系電子線Vシスト(東洋曹達工業社製C
MS −EXなと)が開発され、更(二最近ではより耐
ドライエツチング性の高いナフタレン核を有する電子線
レジストあるいは有機シリコン複雑(二なるという欠点
があり、また被エツチング材料層の材質(二よりては適
用できない場合がある。
高分子構造を有するレジストを用いる方法がある。例え
ば、ベンゼン核を有スるノボラック系フォトレジスト(
ヘキスト社!!!AZ−/ J ! 0.東京応化工業
社製OFPR−g00など)、ノボラック系電子線レジ
スト(日立化成工業社製RE−3000P)、ハロゲン
化ポリスチレン系電子線Vシスト(東洋曹達工業社製C
MS −EXなと)が開発され、更(二最近ではより耐
ドライエツチング性の高いナフタレン核を有する電子線
レジストあるいは有機シリコン複雑(二なるという欠点
があり、また被エツチング材料層の材質(二よりては適
用できない場合がある。
次(二第コの方法(二ついては電子線レジストなどの特
(二微細パターンの加工適性が要求されるレジスト、例
えばベンゼン核、ナフタレン核、有機シリコンを骨格(
=有する高分子は、耐ドライエツチング性の向上(=逆
比例して電子線感度が低下する傾向を示し、それゆえ、
電子線など(二高感度でかつ耐ドライエツチング性が高
く高解像と全て(=優れた特性を示すレジストは未だな
いのが実情であるという問題がある。
(二微細パターンの加工適性が要求されるレジスト、例
えばベンゼン核、ナフタレン核、有機シリコンを骨格(
=有する高分子は、耐ドライエツチング性の向上(=逆
比例して電子線感度が低下する傾向を示し、それゆえ、
電子線など(二高感度でかつ耐ドライエツチング性が高
く高解像と全て(=優れた特性を示すレジストは未だな
いのが実情であるという問題がある。
本発明は上記の如き従来の欠点を改良し、高感度、高解
像でありても耐ドライエツチング性の低いレジストをも
その表面をシリコン系の化合物よりなる表面改質液(二
より改質し、極めて耐ドライエツチング性の高い性質を
具備せしめる方法(二関するもので、「被ドライエツチ
ング材料層上;ニレジスト層をパターン状に形成する工
程と、パターン状に形成したレジスト層の表面;ニンリ
ルイソンアネート化合物溶液を塗布してレジスト層の表
面を改質する工程と、表面改質したレジスト層をエツチ
ングマスクとして被ドライエツチング材料層をドライエ
ツチングする工程と、表面改質したレジスト層を剥離す
る工程とよりなることを特徴とするドライエツチング法
」を要旨とするものである。
像でありても耐ドライエツチング性の低いレジストをも
その表面をシリコン系の化合物よりなる表面改質液(二
より改質し、極めて耐ドライエツチング性の高い性質を
具備せしめる方法(二関するもので、「被ドライエツチ
ング材料層上;ニレジスト層をパターン状に形成する工
程と、パターン状に形成したレジスト層の表面;ニンリ
ルイソンアネート化合物溶液を塗布してレジスト層の表
面を改質する工程と、表面改質したレジスト層をエツチ
ングマスクとして被ドライエツチング材料層をドライエ
ツチングする工程と、表面改質したレジスト層を剥離す
る工程とよりなることを特徴とするドライエツチング法
」を要旨とするものである。
以下、本発明を図面を用いて詳細(−説明する。
第1図は本発明によるドライエツチング方法を示す断面
模式図℃ある。第1図aの如く、シリコンクエバあるい
は光学研摩されたガラスなどの基板l上(二股げられた
被ドライエツチング層ユの上(二、第1図すの如く、フ
ォトレジストまたは電子線レジストを塗布しプリベーキ
ングしてレジスト塗膜Jを形成する。次(二第1図C(
二示す如く、紫外整又は電子線ダにてパターン露光する
。第1図Cでは電子線の場合を示してシストパターン5
上(二塗布又は浸漬処理し、続いて直ちに溶剤で洗浄す
ること(二より、第1図eの如く、レジスト表面のみが
改質されたレジストパターン6を形成する。この際、洗
浄1;用いた溶剤を留去させるため溶剤の沸点付近の温
度で数10分間再度基板lを乾燥させるのが望ましい。
模式図℃ある。第1図aの如く、シリコンクエバあるい
は光学研摩されたガラスなどの基板l上(二股げられた
被ドライエツチング層ユの上(二、第1図すの如く、フ
ォトレジストまたは電子線レジストを塗布しプリベーキ
ングしてレジスト塗膜Jを形成する。次(二第1図C(
二示す如く、紫外整又は電子線ダにてパターン露光する
。第1図Cでは電子線の場合を示してシストパターン5
上(二塗布又は浸漬処理し、続いて直ちに溶剤で洗浄す
ること(二より、第1図eの如く、レジスト表面のみが
改質されたレジストパターン6を形成する。この際、洗
浄1;用いた溶剤を留去させるため溶剤の沸点付近の温
度で数10分間再度基板lを乾燥させるのが望ましい。
次(二表面改質されたレジストパターン6をエツチング
マスクとして、被ドライエッチす如く、被ドライエツチ
ング層をレジストパターン6通り(=忠実にエツチング
したパターン7ヲ得る。次)ニレジストパターン6を所
定の剥離液で剥膜し、第1図g;二示す如く、所定のエ
ツチングパターン7を有する基板lを得る。
マスクとして、被ドライエッチす如く、被ドライエツチ
ング層をレジストパターン6通り(=忠実にエツチング
したパターン7ヲ得る。次)ニレジストパターン6を所
定の剥離液で剥膜し、第1図g;二示す如く、所定のエ
ツチングパターン7を有する基板lを得る。
本発明;二おいて、加工される被ドライエツチング層コ
は基板lがフォトマスクブランクの場合(畷ま、クロム
単層膜、クロムと酸化クロムの二層膜、醸化クロム、ク
ロム、酸化クロムの3層膜、酸化鉄膜、タンタル膜、モ
リブデンシリ\サイド膜など、厚さzoo−3,ooo
人の薄膜j]i示することかできる。
は基板lがフォトマスクブランクの場合(畷ま、クロム
単層膜、クロムと酸化クロムの二層膜、醸化クロム、ク
ロム、酸化クロムの3層膜、酸化鉄膜、タンタル膜、モ
リブデンシリ\サイド膜など、厚さzoo−3,ooo
人の薄膜j]i示することかできる。
本発明で用いられる表面改質液としては、有機物との反
応性が高い5t−NCO結合を有する常温で液体状態で
あるシリルイソシアネート化合物を原液、もしくは適切
な溶媒(二希釈した溶液が使用される。即ち、S i
(NCO)、で示されるテトライソシアネートシクン、
−般式R181(NCO)4−!I11、(馬は炭化水
素基、m=/〜j)で示されるアルキルシリルイノシア
ネート系化合物で、メチルシリルトリインシアネート、
ジメチルシリルジイソシアネート、オクタデシルシリル
トリイソシアネート、フエニルジリルトリイソシアネー
ト、−般式R1O8l (NCO)4−n 。
応性が高い5t−NCO結合を有する常温で液体状態で
あるシリルイソシアネート化合物を原液、もしくは適切
な溶媒(二希釈した溶液が使用される。即ち、S i
(NCO)、で示されるテトライソシアネートシクン、
−般式R181(NCO)4−!I11、(馬は炭化水
素基、m=/〜j)で示されるアルキルシリルイノシア
ネート系化合物で、メチルシリルトリインシアネート、
ジメチルシリルジイソシアネート、オクタデシルシリル
トリイソシアネート、フエニルジリルトリイソシアネー
ト、−般式R1O8l (NCO)4−n 。
(atは炭化水素基、n = /〜3)で示されるアル
コキシシランインシアネート系化合物で、メトキシシラ
ントリイソシアネート、ブトキシシラントリイソシアネ
ート、オクチルオキシシラ入 ニジリルトリイソシアネート、ビニルメチルシリルジイ
ソシアネートなどを例示できる。
コキシシランインシアネート系化合物で、メトキシシラ
ントリイソシアネート、ブトキシシラントリイソシアネ
ート、オクチルオキシシラ入 ニジリルトリイソシアネート、ビニルメチルシリルジイ
ソシアネートなどを例示できる。
また前記のシリルイソシアネート化合物は原液自体が0
.O/〜0./PSと低粘度、低表面張力の液体である
ので、原液で基板上にスピンナー塗布、スプレー塗布、
浸漬引上げ塗布などの通常の方法(二よりて塗布するこ
とができる。更(=必要(二応じて、酢酸エテル、酢酸
ブチルなどのエステル、n−ヘキサンなどの脂肪放飽和
炭化水素(二溶解し濃度0.07%から数10%に希釈
して使用することも可能である。
.O/〜0./PSと低粘度、低表面張力の液体である
ので、原液で基板上にスピンナー塗布、スプレー塗布、
浸漬引上げ塗布などの通常の方法(二よりて塗布するこ
とができる。更(=必要(二応じて、酢酸エテル、酢酸
ブチルなどのエステル、n−ヘキサンなどの脂肪放飽和
炭化水素(二溶解し濃度0.07%から数10%に希釈
して使用することも可能である。
次(二本発明(=おいてレジストとして表面改質液の8
1と反応する活性水素を有する、通常用いられる様々な
レジストを適用することができる。
1と反応する活性水素を有する、通常用いられる様々な
レジストを適用することができる。
例えば、ネガ型フォトレジストとしてポリ核皮酸系レジ
スト(例えば、東京応化工業社製ユ、%SR)、環化ゴ
ム系レジスト(例えば、東京ば、ンップレー社製Mic
ro Po5it /3!rOJ、 ヘキスト社製AZ
II/10)、ネガ型電子線レジストとしてグリシジル
メタクリレート系レジスト(例えば、東京応化工業社製
0EBR−100)ポジ型電子線レジストとしてスルホ
ン系レジスト(例えば、ミードケミカル社製PBS)、
メタクリレート系レジスト(例えば、東しfiEBR−
9、東京応化工業社製OE B R−1000)などを
用いることができる。
スト(例えば、東京応化工業社製ユ、%SR)、環化ゴ
ム系レジスト(例えば、東京ば、ンップレー社製Mic
ro Po5it /3!rOJ、 ヘキスト社製AZ
II/10)、ネガ型電子線レジストとしてグリシジル
メタクリレート系レジスト(例えば、東京応化工業社製
0EBR−100)ポジ型電子線レジストとしてスルホ
ン系レジスト(例えば、ミードケミカル社製PBS)、
メタクリレート系レジスト(例えば、東しfiEBR−
9、東京応化工業社製OE B R−1000)などを
用いることができる。
未反応の過剰の表面改質液を基板l及びレジストパター
ン!上から取除く溶剤としては、活性水素を有しないn
−ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼンなどの芳香
族炭化水素、及び酢酸エチルなどのエステルが用いられ
ろ。
ン!上から取除く溶剤としては、活性水素を有しないn
−ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼンなどの芳香
族炭化水素、及び酢酸エチルなどのエステルが用いられ
ろ。
本発明(=おいては、レジスト表面が表面改質液と作用
してドライエツチング耐性の高いSlで被覆されるので
、プラズマエツチング、スパッタエツチング、リアクテ
ィブイオンエツチング、イオンビームエツチングなど様
々なドライエツチング後式が適用し得る。エツチングガ
スとしては、フォトマスクブランクのドライエラチン〆
時に通常用いられる四塩化炭素などが用いら! れる。
してドライエツチング耐性の高いSlで被覆されるので
、プラズマエツチング、スパッタエツチング、リアクテ
ィブイオンエツチング、イオンビームエツチングなど様
々なドライエツチング後式が適用し得る。エツチングガ
スとしては、フォトマスクブランクのドライエラチン〆
時に通常用いられる四塩化炭素などが用いら! れる。
、 ドライエツチング後にレジストパターンを剥膜する
剥離液としては、硫酸と過酸化水素の混液、硫酸と硝酸
カリの混液などが用いられ得る。
剥離液としては、硫酸と過酸化水素の混液、硫酸と硝酸
カリの混液などが用いられ得る。
レジスト層の表面(ニシリyインシアネート化金物を塗
布すること:二より表面改質され、耐ドライエツチング
性表面が形成される。
布すること:二より表面改質され、耐ドライエツチング
性表面が形成される。
本発明でレジストが表面改質されて耐ドライエツチング
性となる機構の詳細は不明であるが、本発明に至る多く
の研究から発明者は次の如く考え℃いる。即ち、有機化
合物であるレジスト中(=含まれる活性水素と表面改質
液::含まれる化合物のS 1−NC0結合が反応して
、81−N結合の開裂を伴いSlがレジスト表面(二結
合し表面(二結合したSlの効果(二よりレジストが耐
ドライエツチング性;;改質される現象1;基づいてい
るも一、′ゴ さのスパッタリングCr単層膜を有するフォトマスクブ
ランク上(;、電子線レジストEBR−!(東し製)を
塗布し乾燥して、厚さ0.2μmのレジスト膜を得た。
性となる機構の詳細は不明であるが、本発明に至る多く
の研究から発明者は次の如く考え℃いる。即ち、有機化
合物であるレジスト中(=含まれる活性水素と表面改質
液::含まれる化合物のS 1−NC0結合が反応して
、81−N結合の開裂を伴いSlがレジスト表面(二結
合し表面(二結合したSlの効果(二よりレジストが耐
ドライエツチング性;;改質される現象1;基づいてい
るも一、′ゴ さのスパッタリングCr単層膜を有するフォトマスクブ
ランク上(;、電子線レジストEBR−!(東し製)を
塗布し乾燥して、厚さ0.2μmのレジスト膜を得た。
次C二電子ビーム(二よりパターン描画し、所定の現像
液で現像して最小線幅0.3μmを有するレジストパタ
ーンを形成した。
液で現像して最小線幅0.3μmを有するレジストパタ
ーンを形成した。
次(ニテトライソシアネートシクン溶液をスピンナー塗
布し、続いてn−ヘキサン(=フォトマスクブランクな
10秒間浸漬したのち、圧縮空気でCr及びレジスト上
に残存する溶剤を飛ばし去り、デO℃、40分乾燥した
。
布し、続いてn−ヘキサン(=フォトマスクブランクな
10秒間浸漬したのち、圧縮空気でCr及びレジスト上
に残存する溶剤を飛ばし去り、デO℃、40分乾燥した
。
次(二表面改質したレジストパターンをマスクとして、
CCI、をエツチングガスとし平行平板製の装置(二よ
りダo’ow、to分間″’cCrをドライエツチング
した。ドライエツチング中、表面改質したレジストは十
分(二耐ドライエツチング:・/るフォトマスクを得た
。
CCI、をエツチングガスとし平行平板製の装置(二よ
りダo’ow、to分間″’cCrをドライエツチング
した。ドライエツチング中、表面改質したレジストは十
分(二耐ドライエツチング:・/るフォトマスクを得た
。
本発明(=よれば、従来高感度、高感度でありても耐ド
ライエツチング性(二劣りていたレジストの表間を、簡
単で種やかな処理条件(二より迅速(=改質することが
できるので、レジストの耐ドライエツチング性を飛躍的
(二高めることができる。
ライエツチング性(二劣りていたレジストの表間を、簡
単で種やかな処理条件(二より迅速(=改質することが
できるので、レジストの耐ドライエツチング性を飛躍的
(二高めることができる。
第1図a〜gは本発明(=よるドライエツチング方法を
示す断面模式図である。 l・・・・・・・・・基板 コ・・・・・・・・−被ドライニップ/グ材料層3・・
・・・・・・−レジスト塗膜 弘・・・・・・・・・紫外線又は電子線!・−曝・参番
台・−レジストバター/6 ・・・・・・・・−表面改
質されたレジストパターン7 ・・・・・・・・・ ド
ライエツチングされたパターン特許出願人 大日本印刷
株式会社 代理人 弁理士 小 西 淳 美 第 1 図 3・・・しシスト壇」阪
示す断面模式図である。 l・・・・・・・・・基板 コ・・・・・・・・−被ドライニップ/グ材料層3・・
・・・・・・−レジスト塗膜 弘・・・・・・・・・紫外線又は電子線!・−曝・参番
台・−レジストバター/6 ・・・・・・・・−表面改
質されたレジストパターン7 ・・・・・・・・・ ド
ライエツチングされたパターン特許出願人 大日本印刷
株式会社 代理人 弁理士 小 西 淳 美 第 1 図 3・・・しシスト壇」阪
Claims (1)
- 被ドライエッチング材料層上にレジスト層をパターン状
に形成する工程と、パターン状に形成したレジスト層の
表面にシリルイソシアネート化合物溶液を塗布してレジ
スト層の表面を改質する工程と、表面改質したレジスト
層をエッチングマスクとして被ドライエッチング材料層
をドライエッチングする工程と、表面改質したレジスト
層を剥離する工程とよりなることを特徴とするドライエ
ッチング法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14895886A JPS635530A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | ドライエツチング法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14895886A JPS635530A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | ドライエツチング法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS635530A true JPS635530A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15464463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14895886A Pending JPS635530A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | ドライエツチング法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS635530A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5243740A (en) * | 1991-07-25 | 1993-09-14 | Yoshida Kogyo K.K. | Buckle for preventing slippage and wrinkling of a belt |
US6658722B1 (en) * | 1998-12-28 | 2003-12-09 | Sony Chemicals Corporation | Process for producing magnetic head suspension |
WO2006137342A1 (ja) * | 2005-06-24 | 2006-12-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | パターン被覆材料およびパターン形成方法 |
WO2008015848A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé de formation de motif, matériau formant un film d'oxyde de métal et procédé d'utilisation du matériau formant un film d'oxyde de métal |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14895886A patent/JPS635530A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5243740A (en) * | 1991-07-25 | 1993-09-14 | Yoshida Kogyo K.K. | Buckle for preventing slippage and wrinkling of a belt |
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JP2007005598A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン被覆材料およびパターン形成方法 |
US7932013B2 (en) | 2005-06-24 | 2011-04-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Pattern coating material and pattern forming method |
WO2008015848A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Procédé de formation de motif, matériau formant un film d'oxyde de métal et procédé d'utilisation du matériau formant un film d'oxyde de métal |
JP2008033174A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法 |
KR101099405B1 (ko) | 2006-07-31 | 2011-12-27 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 금속 산화물막 형성용 재료 및 그 사용 방법 |
US8349543B2 (en) | 2006-07-31 | 2013-01-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd. | Pattern-forming method, metal oxide film-forming material and method for using the metal oxide film-forming material |
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