CN110752133A - 基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备。所述基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件。所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。

Description

基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备
相关申请的交叉引用
于2018年7月23日在韩国知识产权局(KIPO)提交的题为“基板支撑设备及具有基板支撑设备的等离子体处理设备”的韩国专利申请No.10-2018-0085195的内容以引用方式全文并入本文中。
技术领域
示例实施例涉及一种基板支撑设备和一种等离子体处理设备。更具体地，示例实施例涉及一种用于支撑在等离子体腔室内的晶片的基板支撑设备和一种包括所述基板支撑设备的等离子体处理设备。
背景技术
可以使用基于等离子体的蚀刻技术来制造许多类型的半导体装置。例如，诸如电感耦合等离子体蚀刻设备的等离子体蚀刻设备可以在腔室内产生等离子体以执行蚀刻处理。
发明内容
根据示例实施例，一种基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台，和沿着基板台的圆周的接地环组件，所述接地环组件包括：接地环体，所述接地环体具有沿着所述接地环体的圆周部分的多个凹陷；以及能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
根据示例实施例，一种基板支撑设备包括：用于支撑基板的基板台；沿着基板台的圆周安装的接地环组件，接地环组件包括接地环体和由导电材料形成以电接地的多个接地块，所述接地环体具有沿所述接地环体的圆周部分形成的多个凹陷，接地块安装成能移动以被容纳在相应的凹陷中；以及挡板构件，其沿着基板台的圆周布置在接地环体的上方并且电连接至接地环体。
根据示例实施例，一种等离子体处理设备包括：提供用于对基板进行处理的空间的腔室，用于在腔室内支撑基板并且包括下电极的基板台，布置在腔室的上部以面对下电极的上电极，用于向上电极施加等离子体功率的第一电源，用于向下电极施加偏置功率的第二电源，以及沿基板台的圆周安装的接地环组件。接地环组件包括环形的接地环体和多个接地块，接地环体具有沿接地环体的圆周部分形成的多个凹陷，接地块安装成能移动以被容纳在相应的凹陷中。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，本发明的特征对于本领域技术人员将变得更加明显，其中：
图1示出了根据示例实施例的等离子体处理设备的示意图。
图2示出了图1的部分A的放大截面视图。
图3示出了图1中的腔室内的基板台的平面视图。
图4示出了图2中的基板台周围的接地环组件的透视图。
图5示出了图4中的接地环组件的接地环体的透视图。
图6示出了图5中的接地环体的下表面的仰视图。
图7示出了沿图5中的线A-A'截取的截面视图。
图8A和8B示出了图4中的接地环组件的接地块的运动的截面视图。
图9示出了用于控制晶片上的不对称CD分布的接地块的布置的平面视图。
图10示出了根据示例实施例的等离子体处理方法的流程图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细解释示例实施例。
图1是示出根据示例实施例的等离子体处理设备的示意图。图2是示出图1中的基板台的一部分的截面视图。图3是示出图1中的腔室内的基板台的平面视图。图4是示出图2中的基板台周围的接地环组件的透视图。图5是示出图4中的接地环组件的接地环体的透视图。图6是示出图5中的接地环体的下表面的仰视图。图7是沿图5中的线A-A'截取的剖视图。图8A和图8B是示出图4中的接地环组件的接地块的运动的截面视图。图9是示出用于控制晶片上的不对称CD(Critical Dimension)分布的接地块的布置的平面视图。
参照图1和图2，等离子体处理设备10可包括腔室20，具有下电极110的基板支撑设备100，上电极40，第一电源41，和第二电源31。基板支撑设备100可以包括具有下电极110的基板台(基板设置在基板台上)以及安装在基板台周围以电接地的接地环组件200。
在示例实施例中，等离子体处理设备10可以是配置为对布置在腔室20(例如，感应耦合等离子体(ICP)腔室)中的基板(例如，晶片W)上的层进行蚀刻的设备。然而，等离子体处理设备产生的等离子体可以不限于电感耦合等离子体，例如，电容耦合等离子体，微波等离子体等可以由等离子体处理设备产生。此外，等离子处理设备可以不限于蚀刻设备，例如，等离子处理设备可以用作沉积设备、清洗设备等。在此，基板例如可以包括半导体基板、玻璃基板等。
腔室20可提供密封空间，在密封空间中对基板(即，对晶片W)执行等离子体蚀刻处理。例如，腔室20可为圆柱形真空腔室。腔室20可以包括覆盖腔室20的开放的上端部分的盖子22。盖子22可气密性地密封腔室20的上端部分。
在腔室20的侧壁中可提供用于打开和关闭晶片W的装卸口的闸门。晶片W可经由闸门加载至基板台/从基板台卸载。
在腔室20的底部可以设置有排气口24，并且排气单元26可以通过排气线连接到排气口24。排气单元26可以包括真空泵，例如涡轮分子泵等，以控制腔室20的压力，从而使腔室20内的处理空间减压到期望的真空水平。此外，处理副产品和残余处理气体可以通过排气口24排放。
上电极40可以设置在腔室20的外部，使得上电极40面对下电极110。上电极40可以设置在盖子22上。上电极40可以包括射频天线。射频天线可以具有平面线圈形状。例如，盖子22可包括圆板形电介质窗口。电介质窗口可以包括电介质材料，例如氧化铝(Al2O3)。来自上电极40的天线的电力可以通过盖子22的电介质窗口传递到腔室20中。
例如，上电极40可以包括具有螺旋形状或同心形状的线圈。线圈可以在腔室20的空间中产生电感耦合等离子体P。这里，可以示例性地描述线圈，然而，可以理解，线圈的数量，布置等可以不限于此。
在示例实施例中，等离子体处理设备10还可以包括用于将气体供应到腔室20中的气体供应单元。例如，气体供应单元可包括气体供应管线50a、50b，流量控制器52，以及气体供应源54，作为气体供应元件。气体供应管线50a、50b可以连接到腔室20的上部和/或侧部，以通过其将气体供应到腔室20中。例如，气体供应管线可以包括穿过盖子22的垂直气体供应管线50a和穿过腔室20的侧壁的水平气体供应管线50b。可以通过垂直气体供应管线50a和水平气体供应管线50b将各种气体供应到腔室20的等离子体空间中。
气体供应单元可以供应具有期望混合比的不同气体。气体供应源54可以存储多种气体，并且所述气体可以分别通过连接到气体供应管线50a、50b的多条气体管线供应。流量控制器52可以控制通过气体供应管线50a、50b供应到腔室20中的气体的量。流量控制器52可以分别独立地或共同地控制供应到垂直气体供应管线50a和水平气体供应管线50b的气体的供应量。例如，气体供应源54可以包括多个气罐，并且流量控制器52可以包括与多个气罐相对应的多个质量流量控制器(MFC)。质量流量控制器可以分别独立地控制气体的供应量。
第一电源41可以将等离子体源功率施加到上电极40。例如，第一电源41可以包括源RF功率源44和源RF匹配器42作为等离子体源元件。源RF功率源44可以产生射频(RF)信号。源RF匹配器42可以使用线圈来匹配由源RF功率源44产生的RF信号的阻抗，以控制等离子体的产生。
第二电源31可以将偏置源功率施加到下电极110。例如，第二电源31可以包括偏置RF电源34和偏置RF匹配器32，作为偏置元件。下电极110可以吸引腔室20内产生的等离子体原子或离子。偏置RF电源34可以产生射频(RF)信号。偏置RF匹配器32可以通过控制施加到下电极110的偏置电压和偏置电流来匹配偏置RF信号的阻抗。偏置RF电源34和源RF功率源44可以通过控制器的同步器相互同步或解同步。
控制器可以连接到第一电源41和第二电源31，并且控制其操作。具有微计算机和各种接口电路的控制器可以基于存储在外部或内部存储器中的程序和配方信息来控制等离子体处理设备的操作。
特别地，控制器可以生成等离子体功率控制信号和偏置功率控制信号。第一电源41可以响应于等离子体功率控制信号将等离子体源功率施加到上电极40。第二电源31可以响应于偏置源功率控制信号将偏置源功率施加到下电极110。
第一电源41可以响应于等离子体功率控制信号将射频信号施加到上电极40。例如，可以产生射频功率以具有大约27MHz至大约2.45GHz的频率范围，以及大约100W至大约1000W的RF功率范围。例如，可以生成射频功率以具有大约40MHz至大约1.5GHz的频率。
当具有预定频率(例如，13.56MHz)的射频功率被施加到上电极40时，由上电极40感应的电磁场可以被施加到在腔室20内供应的源气体以产生等离子体P。当具有比等离子体功率的频率更小的预定频率的偏置功率被施加到下电极时，腔室20内产生的等离子体原子或离子可被吸引向下电极。
在示例实施例中，基板支撑设备100可以设置在腔室20内以支撑晶片W。基板支撑设备100可以包括基板台以支撑晶片W，和布置成环绕基板台的接地环组件200。另外，基板支撑设备100还可以包括布置在基板台周围以电连接到接地环组件200的挡板构件160。
具体地，参照图2，基板台可以包括下电极110，绝缘板120，下接地板130，侧绝缘环140和边缘环150。基板，即晶片W，可位于下电极110上，使得下电极110可以位于基板和绝缘板120之间。
详细地，如图3所示，下电极110可以是具有圆形板的电极板。下电极110可以包括使用静电力以保持晶片W的静电卡盘。当通过DC功率源向静电卡盘施加直流电时，晶片W可以吸附地保持在静电卡盘上。
如图1所示，下电极110的直径可以大于晶片W的直径。另外，下电极110可以在其中具有冷却通道。为了增加晶片温度的控制精度，可以将传热气体，例如，He(氦)气体，供应到静电卡盘和晶片W之间的间隙。下电极110可以安装成通过驱动支撑部分170例如沿着与晶片W的顶表面垂直的方向向上和向下可移动。
如图2所示，绝缘板120可以布置在下电极110和下接地板130之间，以在它们之间电绝缘。绝缘板120可以位于下电极110下方。
下接地板130可以位于基板台的下部。下接地板130可以具有如下的空间，该空间具有开放的上端。下接地板130的开放上端可以被绝缘板120覆盖。
侧绝缘环140可以布置成覆盖下电极110的外侧表面。侧绝缘环140可以用作用于保护下电极110的外侧表面的盖环。边缘环150可以在侧绝缘环140上，并且可以用作聚焦环，以精确地固定晶片W并将等离子体聚焦到晶片W上。例如，如图3所示，边缘环150可以沿着下电极110的侧表面围绕下电极110的整个周边，例如，边缘环的最顶表面可以高于下电极110的最顶表面(图2)。
挡板构件160可以布置在下电极110的外侧表面的外侧。例如，如图3所示，挡板构件160可以相对于下电极110位于外部，并且可以与下电极110在径向上间隔开以围绕例如下电极110的整个周边。挡板构件160可以包括导电环，该导电环具有内径和外径。如图2至图3所示，挡板构件160可包括设置成平行于下电极110的上表面延伸的环形板。
挡板构件160的上表面可以设置为低于晶片W的上表面，如图2所示。挡板构件160可以布置在与下电极110的下表面相同的或更低的水平处。挡板构件160可以布置成围绕绝缘板120的圆周表面。挡板构件160的内表面可以被支撑为与绝缘板120的圆周表面间隔开或接触。挡板构件160的外表面可以被支撑为与腔室20的侧壁间隔开或接触。
再次参照图1和图2，等离子体P可以在由晶片W、边缘环150、侧绝缘环140和挡板构件160限定的空间(例如，容积)内产生。如稍后所述，挡板构件160可以电连接到接地环体210，使得挡板构件160可以在等离子体处理过程期间电接地。因此，挡板构件160可以从等离子体移除电子以在处理期间增加离子能量，从而改善蚀刻均匀性。
如图2至图3所示，挡板构件160可以包括允许气体从其中流过的多个穿孔162。腔室20内产生的处理副产物和残余处理气体可以经由挡板构件160的穿孔162通过排气口24排出。例如，挡板构件160中的穿孔162的开口率可以在约20％至约50％范围内。
在示例实施例中，如图1、图2和图4所示，接地环组件200可以包括：接地环体210，其沿基板台的圆周延伸以具有环形形状并且接地环体210沿其下圆周部分具有多个凹陷212；以及向上和向下可移动以分别容纳在多个凹陷212中的多个接地块220。接地环体210和接地块220可以包括导电材料。例如，接地环体210和接地块220可以包括金属，例如，铝。另外，接地环组件200还可以包括驱动机构230，以独立地驱动各接地块220。
详细地，如图4所示，接地环体210可以具有完全环形的形状。接地环体210可以布置成围绕绝缘板120的圆周表面，如图1至图2所示。接地环体210可以用作内衬。
此外，如图2所示，接地环体210可以位于挡板构件160下方。接地环体210的上表面211a可以电接触挡板构件160的下表面。
接地环体210可以布置在下接地板130的上表面的外围区域上。接地环体210的下表面211b可以电接触下接地板130的上表面的外围区域。因此，来自等离子体的电子可以通过挡板构件160和接地环体210的导电接地路径被移除。
O形环凹陷214可以形成在接地环体210的下表面211b中(图6)，以接收O形环215，如图2所示。接地环体210和下接地板130可以通过O形环215与腔室20气密密封。
接地环体210中的凹陷212可以形成在接地环体210的暴露于腔室20的空间的表面中以容纳接地块220，例如，凹陷212可以是进入接地环体210的背离绝缘板120的表面中的缺口(图4至图5)，并且可以具有沿径向的预定深度(图7)。此外，如图4所示，凹陷212可以形成在接地环体210的下部的外表面中，以沿着接地环体210的圆周方向彼此间隔开。各凹陷212之间沿接地环体210的圆周的距离可以彼此相同或不同。接地环体210的形成有凹陷212的部分可以具有相对窄的接地路径，并且接地环体210的未形成有凹陷212的部分可以具有相对宽的接地路径。
如图4所示，多个接地块220可以安装在接地环体210下方以向上和向下移动，例如，多个接地块220中的每一个可以(例如，在形状、尺寸和位置上)对应于相应的凹陷212，以根据向上运动而装配在相应的凹陷212中。例如，如图4所示，多个接地块220可以沿着驱动机构230的圆周位于与在接地环体210中的凹陷212相对应的位置处。
此外，如图4所示，驱动机构230可以位于接地环体210的下方，并且多个垂直的杆232可以沿着驱动机构230的圆周方向设置。多个杆232可以彼此间隔开，并且可以从驱动机构230朝向接地环体210中的相应的凹陷212延伸。例如，多个垂直的杆232可以分别连接到多个接地块220。
驱动机构230可以在垂直方向上，即，在向上和向下的方向上，独立地移动连接到接地块220的杆232。例如，驱动机构230可以使各个杆232彼此独立地移动，以将接地块220装配到接地环体210中的相应凹陷212中。驱动机构230可以连接到控制器以被控制，使得从多个接地块220中选择的各接地块220可以向上移动。因此，所选择的接地块220可以向上移动以被容纳在接地环体210的相应凹陷212中。
如图8A和图8B所示，选定的接地块220可以被驱动机构230经由相应的杆232向上移动，以被容纳在接地环体210的凹陷212中。这里，接地块220可以与凹陷212接触(图8B)。因此，接地块220被容纳在凹陷212中的部分可以在垂直方向上具有相对宽的接地路径G。
因此，接地环组件200的接地环体210可以在垂直方向上具有根据凹陷212的位置、体积等而具有不同的阻抗的多个接地路径。此外，根据接地块220是否被容纳在凹陷212中，接地环体210可以在垂直方向上具有多个具有不同阻抗的接地路径。
可替换地，多个接地块220可以相对于接地环体210横向安装，以朝向接地环体210的中心向前或向后移动。驱动机构230可以沿径向方向独立地移动连接到接地块220的杆232。
参照图9，控制器(其在图2中)可以执行晶片上的等离子体分布的分析。图9示出了晶片W上的分布图的结果，其中分布是不对称的，从而导致不均匀的蚀刻。为了解决不对称分布，可以例如根据上述不对称分布从多个接地块220中选择一些接地块220，以例如向上移动而接触多个凹陷中的相应凹陷212，以调节分布均匀性，例如，以补偿不均匀性。例如，参照图9，只有晶片W的左上区域中的接地块220可以向上移动以增加该区域上的等离子体分布。因此，由于一些接地块220和相应的凹陷212之间的接触，可以控制来自等离子体的电子通过其移动的多个接地路径的阻抗(或电容)，成为有意地不对称，从而改善晶片W上的方位角不均匀性(分布不对称性)。
如上所述，接地环组件200可以包括：沿着基板台的圆周延伸以具有环形形状并且沿着其下圆周部分具有多个凹陷212的接地环体210，以及向上和向下可移动以被容纳在相应的凹陷212中的多个接地块220。从多个接地块220中选择的接地块可以移动以与凹陷212的内表面接触。因此，可以机械地控制接地环体210的多个接地路径的阻抗，以改善晶片上的方位角不均匀性(CD分布不对称性)。
在下文中，将参考图10来解释使用图1中的等离子体处理设备对基板进行处理的方法。
图10是示出了根据示例实施例的等离子体处理方法的流程图。
参照图1、图2、图4和图10，可以将基板(即，晶片W)装载到腔室20中(S100)，可以将处理气体供应到基板上(S110)，并且可以在腔室20内执行等离子体蚀刻处理(S120)。最后，可以调整下电极110周围的接地环的阻抗(S130)。
详细地，首先，基板(例如，晶片W)可以被装载在腔室20内的基板台的静电卡盘上，例如，位于下电极110上。例如，晶片W可以是半导体晶片。然后，可以通过排气单元26将腔室20中的压力控制到期望的真空水平，然后通过气体供应管线50a、50b将处理气体(例如，蚀刻气体)引入腔室20中。
然后，可以将等离子体功率施加到上电极40以在腔室20内产生等离子体，并且可以将偏置功率施加到下电极110以产生等离子体P并执行等离子体蚀刻处理。第一电源41可以响应于来自控制器的等离子体功率控制信号将射频功率信号施加到上电极40。例如，当具有预定频率(例如，13.56MHz)的射频功率被施加到上电极40时，由上电极40感应的电磁场可以被施加到腔室20内的源气体以产生等离子体。响应于来自控制器的偏置功率控制信号，第二电源31可以将偏置功率信号施加到下电极110，以例如对晶片W上的物体层执行蚀刻处理。
然后，可以调整围绕下电极110的接地环的阻抗(S130)。可以在加载基板之后立即执行调整接地环的阻抗的步骤。
在示例实施例中，为了补偿例如由于不对称等离子体的施加而引起的晶片W上的蚀刻的不对称分布，可以移动从多个接地块220中选择的接地块220以被容纳在接地环体210的相应的凹陷212中，以调整该分布。即，当晶片W上的分布图的分析结果显示出不对称分布故障时，可以控制来自等离子体的电子通过其移动的接地环体210中的多个接地路径的阻抗(或电容)成为有意地不对称，从而改善晶片W上的分布不对称性。
驱动机构230可以响应于控制信号在垂直方向上独立地移动连接到所选择的接地块220的杆232。因此，所选择的接地块220可以向上移动以被容纳在接地环体210的相应的凹陷212中。这里，接地块220可以与凹陷212接触。因此，接地块220被容纳在凹陷212中的部分可以具有相对宽的接地路径。因此，可以将接地环体210中的多个接地路径的阻抗(或电容)控制成为沿着接地环体210的圆周方向有意地不对称。
在等离子体蚀刻处理期间，来自等离子体的电子可以通过接地的挡板构件160和接地环体210移除。电子可以通过接地环体210的多个接地路径移除。可以控制接地路径的阻抗(电容)，使得可以将电子的传输路径调整为方位角不对称。因此，可以改善晶片上的方位角不均匀性(CD分布不对称性)。
上述等离子体处理设备和等离子体处理方法可用于制造包括逻辑装置和存储器装置的半导体装置。例如，半导体装置可以应用于逻辑装置(例如，中央处理单元(CPU)、主处理单元(MPU)或应用处理器(AP)等)，易失性存储器装置(例如，动态随机存取存储器(DRAM)装置、静态随机存取存储器(SRAM)装置)和/或非易失性存储器装置(例如，闪存装置、相变随机存取存储器(PRAM)装置、磁阻随机存取存储器(MRAM)装置、电阻随机存取存储器(ReRAM)装置等)。
通过总结和回顾，由于半导体装置已经高度集成，在径向方向(从中心到边缘区域)以及在表面上的圆周方向(方位角方向)的晶片表面上的不均匀性可能在等离子体蚀刻期间发生。因此，可能需要用于改善晶片上的不对称分布的技术。
因此，示例实施例提供了一种具有能够改善晶片上的不对称分布的边缘环的基板支撑设备。示例实施例还提供了一种包括基板支撑设备的基板处理设备。
即，根据示例实施例，基板支撑设备可以包括沿着基板台的圆周布置的接地环组件，以从等离子体移除电子。接地环组件可包括：具有沿其下圆周部分的多个凹陷的环形接地环体，以及可独立移动以被容纳在相应的凹陷中的多个接地块。因此，可以机械地控制接地环体中的多个接地路径的阻抗，以改善晶片上的方位角不均匀性(CD分布不对称性)。
本文描述的方法，处理和/或操作可以由将由计算机、处理器、控制器或其他信号处理装置执行的代码或指令来执行。计算机、处理器、控制器或其他信号处理装置可以是本文描述的那些或除了本文描述的元件之外的元件。因为详细描述了形成方法(或计算机、处理器、控制器或其他信号处理装置的操作)的基础的算法，所以用于实现方法实施例的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其他信号处理装置变换为用于执行本文的方法的专用处理器。
本文描述的实施例的控制器、功率管理特征、接口和其他信号提供、信号生成和信号处理特征可以在非暂时性逻辑中实现，例如，该非暂时性逻辑可以包括硬件，软件或两者。当至少部分地以硬件实现时，控制器、电源管理特征、接口和其他信号提供、信号生成和信号处理特征可以是，例如，各种集成电路中的任何一种，所述各种集成电路包括但不限于专用集成电路、现场可编程门阵列、逻辑门组合、片上系统、微处理器或其他类型的处理或控制电路。
当至少部分地以软件实现时，控制器、电源管理特征、接口和其他信号提供、信号生成和信号处理特征可以包括例如用于存储例如要由计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理装置执行的代码或指令的存储器或其他存储装置。计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理装置可以是本文描述的那些或除了本文描述的元件之外的元件。因为详细描述了形成方法(或计算机、处理器、微处理器、控制器或其他信号处理装置的操作)的基础的算法，所以用于实现方法实施例的操作的代码或指令可以将计算机、处理器、控制器或其他信号处理装置变换为用于执行本文所述的方法的专用处理器。
本文已经公开了示例实施例，并且虽然采用了特定术语，但是这些术语仅以一般性和描述性意义来使用和解释，而不是出于限制的目的。在某些情况下，如本领域普通技术人员在提交本申请时显而易见的，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另外特别指出。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种基板支撑设备，包括：
用于支撑基板的基板台；以及
沿着所述基板台的圆周的接地环组件，所述接地环组件包括：
接地环体，所述接地环体具有沿着所述接地环体的圆周部分的多个凹陷，以及
能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料。
2.根据权利要求1所述的基板支撑设备，还包括独立地驱动每个接地块的驱动机构。
3.根据权利要求2所述的基板支撑设备，其中，所述驱动机构用于分别独立地向上和向下移动连接到所述多个接地块中的每一个的杆。
4.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中，所述多个凹陷位于所述接地环体的下表面中，并且所述多个接地块位于所述接地环体下方，以能够向上和向下移动。
5.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中，当所述多个接地块中的接地块被容纳在所述多个凹陷中的相应凹陷中时，该接地块接触该相应的凹陷的内表面。
6.根据权利要求1所述的基板支撑设备，还包括沿着所述基板台的圆周在所述接地环体上方的挡板构件，所述挡板构件电连接至所述接地环体。
7.根据权利要求6所述的基板支撑设备，其中，所述挡板构件的上表面设置为低于所述基板的上表面。
8.根据权利要求6所述的基板支撑设备，其中，所述挡板构件包括平行于所述基板台的上表面延伸的环形板。
9.根据权利要求6所述的基板支撑设备，其中，所述挡板构件包括允许气体从其中流过的多个穿孔。
10.根据权利要求1所述的基板支撑设备，其中：
所述基板台包括依次布置在彼此上的下接地板、绝缘板和下电极，以及
所述接地环体围绕所述绝缘板的外表面。
11.一种基板支撑设备，包括：
用于支撑基板的基板台；
沿着所述基板台的圆周的接地环组件，所述接地环组件包括：
接地环体，所述接地环体具有沿着其圆周部分的多个凹陷，以及
能移动以被容纳在所述多个凹陷的相应的凹陷中的多个接地块，所述多个接地块包括用于电接地的导电材料；以及
沿着所述基板台的圆周在所述接地环体的上方的挡板构件，所述挡板构件电连接至所述接地环体。
12.根据权利要求11所述的基板支撑设备，还包括驱动机构和从所述驱动机构延伸的多个杆，所述多个杆分别连接到所述多个接地块。
13.根据权利要求12所述的基板支撑设备，其中，所述多个杆能彼此独立地移动，以连接所述多个块和所述多个凹陷中的相应的凹陷。
14.根据权利要求11所述的基板支撑设备，其中，所述挡板构件的上表面设置为低于所述基板台的上表面。
15.根据权利要求11所述的基板支撑设备，其中：
所述基板台包括依次布置在彼此上的下接地板、绝缘板和下电极，以及
所述接地环体围绕所述绝缘板的外表面，所述多个凹陷位于所述接地环体的背离所述绝缘板的表面中。
16.一种等离子体处理设备，包括：
提供用于处理基板的空间的腔室；
用于在所述腔室内支撑所述基板的基板台，所述基板台包括下电极；
在所述腔室的上部以面对所述下电极的上电极；
向所述上电极施加等离子体功率的第一电源；
向所述下电极施加偏置功率的第二电源；以及
沿所述基板台的圆周的接地环组件，所述接地环组件包括：
环形的接地环体，所述接地环体具有沿所述接地环体的圆周部分的多个凹陷，以及
多个接地块，所述多个接地块能移动以被容纳在所述多个凹陷中的相应的凹陷中。
17.根据权利要求16所述的等离子体处理设备，还包括独立地驱动所述多个接地块中的每一个的驱动机构。
18.根据权利要求17所述的等离子体处理设备，其中，所述驱动机构用于分别独立地向上和向下移动连接到所述多个接地块的杆。
19.根据权利要求16所述的等离子体处理设备，还包括沿着所述基板台的圆周在所述接地环体上方的挡板构件，所述挡板构件电连接至所述接地环体。
20.根据权利要求19所述的等离子体处理设备，其中，所述挡板构件的上表面设置为低于所述基板的上表面。
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