CN101042991A - 等离子体处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种等离子体处理装置，能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。本发明的等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室，对所述处理空间施加高频电力的高频电极，对所述处理空间施加直流电压的直流电极，以及在所述基板处理室内至少露出一部分的接地电极。所述接地电极配置于所述基板处理室中多个内面交叉形成的角部。
Description
技术领域
本发明是涉及等离子体处理装置，特别涉及具有与直流电源连接电极的等离子体处理装置。
背景技术
已知的有具有以下部件的平行平板型等离子体处理装置：具有搬入作为基板的晶片的处理空间的基板处理室，配置于该基板处理室内且与高频电源连接的下部电极，和与该下部电极相对配置的上部电极。在该等离子体处理装置中，向处理空间导入处理气体，向上部电极与下部电极之间的处理空间施加高频电力。而且，在晶片搬入处理空间、载置在下部电极上时，高频电力使被导入的处理气体等离子体化而发生离子等，利用该离子对晶片实施等离子体处理，例如实施蚀刻处理。
近年来，以提高等离子体处理性能为目的，开发了将上部电极与直流电源连接、对处理空间施加直流电压的等离子体处理装置。为了对处理空间施加直流电压，必须设置表面在处理空间露出的接地电位的电极(以下称为“接地电极”)。然而，在使用反应性处理气体进行等离子体处理的情况下，可能会在接地电极的表面附着反应生成物(堆积物deposit)，形成堆积膜。由于堆积膜是绝缘性，所以会阻碍从上部电极向下部电极的直流电流，不能对处理空间施加直流电压，其结果是，处理空间中的等离子体陷入不稳定状态，或等离子体的特性发生变化。所以，有必要从接地电极去除堆积膜。
目前，作为电极表面的堆积膜的去除方法，已知有：向处理空间导入氧气(O2)，由氧气发生氧离子及氧自由基，使堆积膜与氧离子或氧自由基反应而去除的方法(例如参照日本特开昭62-40728号公报)。
但是，上述堆积膜的去除方法，必须实行与晶片的等离子体处理不同的处理，存在有由晶片制造半导体器件的生产性的下降的问题。即，存在有从生产率的观点出发，去除电极表面的堆积膜不现实的问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供能够防止在接地电极的表面形成堆积膜的等离子体处理装置。
为了达到上述目的，在本发明的第一方面，提供一种等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室；对上述处理空间施加高频电力的高频电极；对上述处理空间施加直流电压的直流电极；和在上述基板处理室内至少露出一部分的接地电极，上述接地电极配置在上述基板处理室中多个内面交叉形成的角部。
根据这样的结构，虽然会由离子形成堆积膜，但是由于处理空间内生成的等离子体的电子难以进入基板处理室的角部，所以该角部的离子就少。因此，离子不会到达接地电极，这样，就能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。
优选，在上述基板处理室的截面中，上述接地电极在上述基板处理室内露出的部分的截面形状，包含在以上述多个内面交叉的位置为中心的半径为5mm的圆内。
根据这样的结构，在处理空间生成的等离子体的离子不能进入上述圆内。所以能够可靠的防止在接地电极的表面形成堆积膜。
为了达到上述目的，本发明的第二方面，提供一种等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室，对上述处理空间施加高频电力的高频电极，对上述处理空间施加直流电压的直流电极，和在上述基板处理室内至少露出一部分的接地电极。上述基板处理室具有相对于上述处理空间凹下的凹部，在上述凹部中收容上述接地电极。
根据这样的结构，虽然会由离子形成堆积膜，但是由于处理空间内生成的等离子体的电子难以进入基板处理室的角部(凹部)，所以该角部(凹部)的离子就少。因此，离子不会到达接地电极，这样，就能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。
为了达到上述目的，本发明的第三方面，提供一种等离子体处理装置，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室，对上述处理空间施加高频电力的高频电极，对上述处理空间施加直流电压的直流电极，和在上述基板处理室内至少露出一部分的接地电极。上述接地电极配置在电子密度小的位置。
根据这样的结构，在电子密度小的位置，对于电子作用的离子的库仑电场受到屏蔽。即，电子与离子不会吸引(attract)，电子与离子不会混合存在，等离子体难以存在。所以，形成堆积膜的离子不会到达接地电极，这样，就能够防止在接地电极的表面形成堆积膜。
优选，在上述基板处理室的截面中，上述接地电极的上述基板处理室中露出部分的截面形状，包含在以上述电子密度107cm-3以下的位置为中心，半径为5mm的圆内。
根据这样的结构，由于在电子密度为107cm-3以下的位置，离子的库仑电场不会作用于离开了5mm以上的电子，所以在上述位置离子不会与电子混合存在，不存在等离子体。所以能够可靠的防止在接地电极的表面形成堆积膜。
本发明的上述及其它目的、特征及优点，能够通过以下结合附图的具体描述得到更好的理解。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式的等离子体处理装置的概略结构的截面图。
图2是表示现有的等离子体处理装置的概略结构的截面图。
图3A～3C是表示现有的等离子体处理装置的各构成部件中堆积速度的图，其中图3A表示侧壁部件的堆积速度，图3B表示排气板的堆积速度，图3C表示基座侧面覆盖部件和包围部件的堆积速度。
图4是表示灰化处理时的排气板中蚀刻速度的图。
图5是表示德拜长度(debye length)与电子密度的关系的图。
图6A～6D是表示接地环的配置位置的变形例的图。
图7A～7C是表示接地环的截面形状的变形例的图。
具体实施方式
下面，参照具体实施方式的附图，具体说明本发明。
图1是表示本实施方式的等离子体处理装置的概略结构的截面图。该等离子体处理装置是对作为基板的半导体晶片W实施RIE(ReactiveIon Etching反应离子蚀刻)处理的结构。
在图1中，等离子体处理装置10具有大体圆筒形状的基板处理室11，在该基板处理室11的内部上方具有处理空间PS。在处理空间PS内发生后述的等离子体。而且，在基板处理室11内，配置有圆柱状的基座12，用作载置直径为300mm的半导体晶片W(以下，简称为“晶片W”)的载置台。基板处理室11的内壁侧面被侧壁部件13覆盖，基板处理室11的内壁上面被上壁部件14覆盖。侧壁部件13和上壁部件14由铝构成，在面对其处理空间PS的面上，涂覆有氧化钇或具有一定厚度的铝氧化膜(alumite)。由于基板处理室11电接地，所以侧壁部件13及上壁部件14的电位也是接地电位。而且，基座12具有，由导电材料、例如铝构成的导电体部15，覆盖该导电体部15的侧面、由绝缘性材料构成的基座侧面覆盖部件16，和载置在该基座侧面覆盖部件16上、由石英(Qz)构成的包围部件17。
在等离子体处理装置10中，由基板处理室11的内侧壁与基座12的侧面，形成排气流路18，该排气流路用作将基座12上方的气体向基板处理室11的外面排出的流路。在该排气通路18上，配置有具有多个通气孔的为板状部件的排气板19。该排气板19分隔排气通路18和基板处理室11的下部空间、即排气空间ES。这里，排气通路18使排气空间ES和处理空间PS连通。而且，在排气空间ES中，开有粗抽排气管20和主排气管21。粗抽排气管20与DP(Dry Pump：干泵)(未图示)连接，主排气管21与TMP(Turbo Molecular Pump：涡轮高真空泵)(未图示)连接。
粗抽排气管20、主排气管21、DP和TMP构成排气装置，粗抽排气管20和主排气管21通过排气通路18和排气空间ES将处理空间PS内的气体排出到基板处理室11的外部。具体地，粗抽排气管20将基板处理室11内从大气压减压到低真空状态，主排气管21与粗抽排气管20协同动作，将基板处理室11内从大气压减压到比低真空状态更低压力的高真空状态(例如133Pa(1Torr)以下)。
通过匹配器(Matcher)23，高频电源22与基座12的导电体部15连接，该高频电源22向导电体部15供给比较高的频率、例如40MHz的高频电力。由此，基座12的导电体部15具有高频电极的功能。而且，匹配器23降低来自导电体部15的高频电力的反射，使高频电力向导电体部15的供给效率最大。再通过匹配器25，另一个高频电源24与导电体部15连接，该另一高频电源24向导电体部15供给比高频电源22供给的高频电力低的频率、例如2MHz的高频电力。匹配器25与匹配器23具有同样的功能。由此，基座12对处理空间PS施加40MHz的高频电力和2MHz的高频电力。
在基座12的上方，设置有内部具有电极板26的圆板状静电卡盘27。在基座12载置晶片W时，该晶片W配置在静电卡盘27上。直流电源28与电极板26电连接。对电极板26施加负的直流电压时，在晶片W的背面发生正电位，因此在电极板26和晶片W的背面之间产生电位差，利用该电位差引起的库仑力或Johnson-Rahbek力，晶片W吸附保持在静电卡盘27的上面。
在基座12的上方，以包围基座12的上面吸附保持的晶片W周围的方式设置有环状聚焦环29。该聚焦环29由硅(Si)或氧化硅(SiO2)构成，在处理空间PS露出，使该处理空间PS的等离子体向晶片W的表面收束，提高RIE处理效率。而且，在聚焦环29的周围，设置有保护该聚焦环29、由石英构成的环状的罩环30。
在基座12的内部，设置有例如在圆周方向延伸的环状制冷剂室31。在该制冷剂室31中，通过制冷剂用配管32，从冷却器单元(未图示)循环供给规定温度的制冷剂，例如冷却水及Garden(注册商标)液，由该制冷剂的温度控制吸附保持在基座12的上面的晶片W的处理温度。
进而，在基座12的上面吸附保持有晶片W的部分(以下称为“吸附面”)上，开有多个传热气体供给孔33。这些多个传热气体供给孔33，通过配置在基座12内部的传热气体供给管线34与传热气体供给部(未图示)连接，该传热气体供给部通过传热气体供给孔33，将作为传热气体的氦气(He)供给至吸附面和晶片W的背面之间的间隙。
此外，在基座12的吸附面上，设置有多个推杆35，作为可以从基座12的上面自由突出的升降销。这些推杆35通过电动机(未图示)与滚珠丝杠(未图示)连接，由滚珠丝杠将电动机的旋转运动变换为直线运动，引起从吸附面自由地突出。在为了对晶片W实施RIE处理而将晶片W吸附保持在吸附面时，推杆35收容于基座12，在将实施RIE处理后的晶片W从基板处理室11搬出时，推杆35从基座12的上面突出，使晶片W从基座12离开，向上方抬起。
在基板处理室11的顶部，设置有与基座12相对的气体导入喷淋头36。气体导入喷淋头36具备内部形成有缓冲室37、由绝缘材料构成的电极板支撑体38，和吊支于该电极板支撑体38的上部电极板39。上部电极板39的下面在处理空间PS露出。而且，上部电极板39是由导电性材料、例如硅构成的圆板状部件。上部电极板39的周围边缘部被绝缘性材料构成的环状密封环40覆盖。即，上部电极板39利用电极板支撑体38及环状密封环40与作为接地电位的基板处理室11的壁部电绝缘。
此外，上部电极板39与直流电源41电连接，对上部电极板39施加负的直流电压。因此，上部电极板39对处理空间PS施加直流电压。由于对上部电极板39施加直流电压，所以没有必要在上部电极板39与直流电源41之间配置匹配器，与现有的等离子体处理装置的高频电源通过匹配器与上部电极连接的情况相比，能够使等离子体处理装置10的结构简化。
来自处理气体供给部(未图示)的处理气体导入管42与电极板支撑体38的缓冲室37连接。此外，气体导入喷淋头36具有使缓冲室37与处理空间PS导通的多个气体孔43。气体导入喷淋头36使得从处理气体导入管42向缓冲室37供给的处理气体，经由气体孔43供给到处理空间PS。
此外，在基板处理室11的侧壁上设置有晶片W的搬入搬出口44，位于与由推杆35从基座12向上方抬起的晶片W的高度相对应的位置，在该搬入搬出口44上安装有开闭该搬入搬出口44的闸阀45。
等离子体处理装置10还具有露出排气通路18而配置的环状的接地环47(接地电极)。该接地环47电接地，由导电性材料、例如硅构成。而且，接地环47配置为包围基座12的侧面。在等离子体处理装置10中，由上部电极板39对处理空间PS施加直流电压而发生的电子导入接地环47。
在该等离子体处理装置10的基板处理室11内，如上所述，通过基座12的导电体部15对基座12及上部电极板39之间的空间、即处理空间PS施加高频电力，使得在该处理空间PS中从气体导入喷淋头36供给的处理气体成为高密度的等离子体，发生阳离子和自由基，并且，通过上部电极板39对处理空间PS施加直流电压，将等离子体保持为所希望的状态，由阳离子和自由基对晶片W实施RIE处理。
然而，本发明者在提出本发明之前，观察到了下面所示的现有的等离子体处理装置46中基板处理室11内堆积物附着的状况。
图2是表示现有的等离子体处理装置的概略结构的截面图。现有的等离子体处理装置的结构与作用与上述等离子体处理装置10基本上相同，与等离子体处理装置10的不同之处在仅于接地环的配置位置。所以，关于重复的结构与作用的说明予以省略。以下对不同的结构和作用加以说明。
在图2中，等离子体处理装置46，具有配置在排气通路18的包围部件17附近的接地环48。接地环48的结构、功能都与等离子体处理装置10的接地环47相同。
本发明者在等离子体处理装置46中，将处理空间PS的压力设定为6.67Pa(50mTorr)，从高频电源22以2100W供给40MHz的高频电力，从另一高频电源24以500W供给2MHz的高频电力，不从直流电源41对上部电极板39施加直流电压，将C4F8气体和Ar气体的流量分别设定为10sccm及1000sccm，供给到处理空间PS，在处理空间PS生成等离子体。接着，测量在持续进行5分钟RIE处理的情况下的侧壁部件13、基座侧面覆盖部件16、包围部件17和排气板19的各表面上的堆积物附着速度(depo rate)。
图3A～图3C是表示现有的等离子体处理装置的各部件中堆积速度的图，其中图3A表示侧壁部件的堆积速度，图3B表示排气板的堆积速度，图3C表示基座侧面覆盖部件和包围部件的堆积速度。图3A和3C中纵坐标是表示距离排气板19的位置，图3B中横坐标表示距离侧壁部件13及排气板19的交叉点的位置。而且，图3B的图中横坐标的60mm的点与排气板19及基座侧面覆盖部件16的交叉点相对应。其中，图3A～3C中箭头A及箭头B分别与图2中的A部及B部相对应。
如图3A～3C的图所示可知，箭头A及箭头B处堆积速度小，在图2的A部和B部(角部)，具体地，在基板处理室11的截面上，在以侧壁部件13和排气板19的表面交叉位置为中心的半径为5mm的圆内，以及，以基座侧面覆盖部件16的表面和排气板19的表面交叉的位置为中心的半径5mm的圆内，各表面上几乎不形成堆积膜。
因此，本发明者探讨了角部几乎不形成堆积膜的原因，首先研究了侧壁部件13等表面上附着堆积物的原因。通常，作为附着堆积物的原因，考虑了CF系的自由基冲撞各表面而附着的情况，以及CF系的低能离子到达各表面时按原样附着的情况。
首先，本发明者，调查了自由基与各表面的冲撞程度，从高频电源22以500W向等离子体处理装置46供给40MHz的高频电力，不从另一高频电源24供给2MHz的高频电力，将含有O2的处理气体供给到处理空间PS，在处理空间PS内发生氧自由基。接着，测量在使用该氧自由基进行灰化处理的情况下，排气板19表面的蚀刻速度。灰化处理中的蚀刻速度依存于冲撞自由基的入射量。
图4是表示灰化处理时的排气板中蚀刻速度的图。图4的纵坐标表示蚀刻速度(E/R)，而横坐标表示距离侧壁部件13和排气板19的交叉点的位置。并且，图4的图的横坐标中60mm的点与排气板19和基座侧面覆盖部件16的交叉点相对应。其中，图4中箭头A及箭头B分别与图2中的A部及B部相对应。
如图4的图所示，蚀刻速度在箭头A附近、箭头B附近、以及箭头A与箭头B之间几乎不变化。即，可知自由基的入射量在排气板19的表面的全部区域内几乎不变化。另一方面，如上所述，在对应于排气板19表面的A部和B部的部分，几乎不形成堆积膜。以上，确认了在排气板19的表面，自由基的入射量的分布与堆积物的附着量的分布不一致。所以可知，侧壁部件13等的表面上附着堆积物的原因在于CF系的低能离子到达各表面，按原样附着。
要明确地说明角部几乎不形成堆积膜的机理是困难的，但本发明者研究了上述堆积物附着的原因，推出了以下的假设。
即，在处理空间PS内生成等离子体时所发生的电子，由于自由运动而在基板处理室11内扩散，但基板处理室11的各构成部件(例如侧壁部件13，排气板19等)的表面交叉而形成的角部对于处理空间PS的开口窄，电子难以进入，所以该角部的电子密度小。由于在电子密度低的位置，对电子起作用的CF系的离子库仑电场受到屏蔽(德拜屏蔽)，所以不会发生电子及CF系的离子的吸引，没有电子及CF系的离子的混合存在。所以，该角部难以存在等离子体，CF系的离子减少。其结果是，到达侧壁部件13等的表面的CF系的低能离子几乎不存在，该角部几乎不形成堆积膜。
离子的库仑电场被屏蔽的情况下，离子与不受该离子的库仑电场作用的电子之间的最短距离称为德拜长度，如图5所示，该德拜长度随电子密度的减小而增大。这里，在等离子体处理装置46中，在以侧壁部件13和排气板19的表面交叉位置为中心的半径为5mm的圆内，以及以基座侧面覆盖部件16和排气板19的表面交叉位置为中心的半径为5mm的圆内，可以认为CF系的离子库仑电场受到屏蔽。所以，A部和B部的德拜长度为5mm，进而，基于图5可知，A部和B部的电子密度，至少基座侧面覆盖部件16的表面及排气板19的表面交叉位置的电子密度为107cm-3以下。
此外，由于扩散到基板处理室11内的电子，难以进入基板处理室11的各构成部件的表面交叉形成的任何的角部，所以可推定任意角部都几乎不形成堆积膜。
在本实施形式中，基于上述见解，配置接地环47，使其位于基座侧面覆盖部件16的表面与排气板19的表面交叉形成的角部，具体地，在基板处理室11的截面，接地环47的在排气通路18露出的部分的截面形状包含在以基座侧面覆盖部件16的表面与排气板19的表面交叉位置为中心的半径为5mm的圆内。
根据等离子体处理装置10，配置接地环47，使其位于基座侧面覆盖部件16的表面与排气板19的表面交叉形成的角部，具体地，在基板处理室11的截面，该接地环47的在排气通路18露出的部分的截面形状包含在以基座侧面覆盖部件16的表面与排气板19的表面交叉位置为中心的半径为5mm的圆内。虽然由CF系的离子会形成堆积膜，但由于处理空间PS内生成的等离子体的电子难以进入上述角部，所以该角部的CF系的离子变少。因此，CF系的离子不会到达接地环47，由此，能够防止在接地环47的表面形成堆积膜。
此外，在等离子体处理装置10中，配置接地环47，使其位于电子密度为107cm-3以下的位置，具体地，在基板处理室11的截面，接地环47的在排气通路18露出的部分的截面形状包含在以电子密度为107cm-3以下的位置为中心的半径为5mm的圆内。在电子密度小的位置，对于电子作用的CF系离子的库仑电场受到屏蔽。即，不会发生电子及CF系的离子的吸引，没有电子及CF系的离子的混合存在，因此等离子体难以存在。所以，形成堆积膜的CF系的离子难以到达接地环47，由此，能够防止在接地环47的表面形成堆积膜。
在上述等离子体处理装置10中，接地环47配置于基座侧面覆盖部件16的表面与排气板19的表面交叉形成的角部，但接地环47配置的角部没有限制，也可以是基板处理室11的各构成部件的表面交叉形成的任意的角部(例如参照图6A～图6D)。由于扩散到基板处理室11内的电子难以进入任意的角部，所以在任意的角部都能够防止在接地环47的表面形成堆积膜。
此外，代替接地环47配置在上述角部的情况，接地环47也可以收容在相对处理空间PS的凹陷，基板处理室11的凹部。由于该凹部相对于处理空间PS的开口窄，所以电子也难以进入，所以也能够防止在被收容的接地环47的表面形成堆积膜。接地环47的截面形状也不限于图2所示的“コ”字型，也可以是“L”字型、横长的矩形或纵长的矩形等(参照图7A～图7C)。
在等离子体处理装置10中，使用环状的接地环47作为接地电极，但接地电极并非必须是环状，例如接地电极可以是由被分割的多个导电体构成，各导电体分散配置于基座12的侧面。
此外，能够适用本发明的等离子体处理装置，只要是在处理空间内能够发生等离子体即可。具体地，不仅是如上所述的等离子体处理装置10，向作为高频电极的基座12供给相互不同的2个频率的高频电力，也可以是对上部电极板和基座分别供给高频电力的装置，或对基座供给一个高频电力的装置。
此外，在上述等离子体处理装置10中，实施RIE处理等的基板也不限于半导体器件用半导体晶片，也可以是用于LCD(Liquid CrystalDisplay：液晶显示器)及FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等的各种基板、光掩模、CD基板、印刷基板等。
【实施例】
接着对本发明的实施例进行具体的说明。
实施例1
在上述等离子体处理装置10中，将处理空间PS的压力设定为6.67Pa(50mTorr)，从高频电源22以1000W供给40MHz的高频电力，不从另一高频电源24供给2MHz的高频电力，从直流电源41对上部电极板39施加-600V的直流电压，将C4F8气体、Ar气体及N2的流量分别设定为6sccm、1000sccm及120sccm，供给到处理空间PS，在处理空间PS生成等离子体。接着，观察在持续进行5分钟RIE处理的情况下，接地环47的表面上的堆积膜的形成。
比较例1
在上述等离子体处理装置46中，将RIE处理的条件设定得与实施例1相同，观察在持续进行5分钟RIE处理的情况下接地环48的表面上的堆积膜的形成。
在实施例1中接地环47的表面上几乎不形成堆积膜，但在比较例1中，在接地环48的整个表面形成堆积膜。由以上可知，如果将接地环47配置于基板处理室11的各构成部件的表面交叉形成的角部，就能够防止在接地环47的表面形成堆积膜。
接着，对供给到基座12的高频电力的值，施加于上部电极板39的直流电压的值及接地环47的表面上形成的堆积膜的关系进行了考察。
实施例2
首先，在等离子体处理装置10中，除了从另一高频电源24以1000W供给2MHz的高频电力以外，将RIE处理的条件设定得与实施例1同样，观察在持续进行5分钟该RIE处理的情况下接地环47的表面上的堆积膜的形成。
实施例3
首先，在等离子体处理装置10中，除了从高频电源22以2000W供给40MHz的高频电力以外，将RIE处理的条件设定得与实施例1同样，观察在持续进行5分钟该RIE处理的情况下接地环47的表面上的堆积膜的形成。
实施例4
首先，在等离子体处理装置10中，除了从直流电源41对上部电极板39施加-1200V的直流电压以外，将RIE处理的条件设定得与实施例1同样，观察在持续进行5分钟该RIE处理的情况下接地环47的表面上的堆积膜的形成。
在上述实施例1～实施例4中任何一个接地环47的表面几乎都不形成堆积膜。以上可知，如果将接地环47配置于基板处理室11的各构成部件的表面交叉形成的角部，能够防止接地环47的表面上堆积膜的形成，而与直流电压的值及高频电力的值无关。
并且，确认了在上述实施例1～实施例4中任一个的接地环47中都流过规定值的直流电流。所以可知，为了防止堆积膜的形成，即使是将接地环47配置于电子密度为107cm-3以下的位置，该接地环47也具有作为上部电极板39的相对电极的功能，能够对处理空间PS施加直流电压。
上述具体实施方式仅表示本发明的具体例子，并不用于限定本发明的范围。
本发明的范围通过后述的权利要求所限定，并不仅限于本说明书中举出的具体实施方式。并且，任何等同于权利要求的范围内的变更和修改均落入本发明的范围。
Claims (5)
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室；对所述处理空间施加高频电力的高频电极；对所述处理空间施加直流电压的直流电极；和在所述基板处理室内至少露出一部分的接地电极，
所述接地电极配置在所述基板处理室中多个内面交叉形成的角部。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：在所述基板处理室的截面中，所述接地电极在所述基板处理室内露出的部分的截面形状，包含在以所述多个内面交叉的位置为中心的半径为5mm的圆内。
3.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室；对所述处理空间施加高频电力的高频电极；对所述处理空间施加直流电压的直流电极；和在所述基板处理室内至少露出一部分的接地电极，
所述基板处理室具有相对于所述处理空间凹下的凹部，
在所述凹部中收容所述接地电极。
4.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：具有对基板实施等离子体处理的处理空间的基板处理室；对所述处理空间施加高频电力的高频电极；对所述处理空间施加直流电压的直流电极；和在所述基板处理室内至少露出一部分的接地电极，
所述接地电极配置在电子密度小的位置。
5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：在所述基板处理室的截面中，所述接地电极在所述基板处理室内露出的部分的截面形状，包含在以所述电子密度为107cm-3以下的位置为中心的半径为5mm的圆内。
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