CN114078680A

CN114078680A - 等离子体处理装置

Info

Publication number: CN114078680A
Application number: CN202010844507.0A
Authority: CN
Inventors: 傅时梁; 黄允文
Original assignee: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Current assignee: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority date: 2020-08-20
Filing date: 2020-08-20
Publication date: 2022-02-22
Anticipated expiration: 2040-08-20
Also published as: TWI799895B; TW202209405A; CN114078680B

Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置，其包含：真空反应腔，其内底部设有基座；静电夹盘，位于所述基座上，其包括承载面，用于承载待处理基片；接地环，设置于所述静电夹盘下方，以支撑所述静电夹盘；驱动单元，与所述接地环连接以驱动所述接地环上下移动，进而带动所述静电夹盘上下移动；所述驱动单元包含：若干个驱动装置，用于提供驱动力，各个所述驱动装置与一连接桥连接；若干个绝缘支撑杆，其一端与所述接地环连接，另一端与所述连接桥连接。其优点是：将驱动装置和绝缘支撑杆相结合，采用驱动装置和绝缘支撑杆驱动接地环升降，进而带动静电夹盘上下移动，避免了射频电流沿接地环、绝缘支撑杆线路导出，以免引起射频损失和刻蚀不均匀的问题。

Description

等离子体处理装置

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理装置利用真空反应腔的工作原理进行半导体基片(晶圆)和等离子平板基片的加工。真空反应腔的工作原理为在真空反应腔内通入适当的反应气体，然后向所述真空反应腔内进行射频能量输入，以激活反应气体，来点燃和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。

在半导体基片进行等离子刻蚀的过程中，通常希望将等离子体及射频能量限制在有限的刻蚀反应区域内。但等离子体处理装置内部构件复杂多样，其内金属构件也较多，射频能量很容易沿着导电通路导出，从而引起刻蚀反应区域内的射频损失，导致真空反应腔内部的射频环境不均衡，影响基片刻蚀的均匀性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置，其采用驱动装置和绝缘支撑杆驱动接地环升降，进而带动静电夹盘上下移动，所述绝缘支撑杆避免了射频电流沿接地环、绝缘支撑杆线路导出，以免引起射频损失和刻蚀不均匀的问题。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种等离子体处理装置，包含：

真空反应腔，其内底部设有基座；

静电夹盘，位于所述基座上，其包括承载面，用于承载待处理基片；

接地环，设置于所述静电夹盘下方，以支撑所述静电夹盘；

驱动单元，与所述接地环连接以驱动所述接地环上下移动，进而带动所述静电夹盘上下移动；

所述驱动单元包含：

若干个驱动装置，用于提供驱动力，各个所述驱动装置与一连接桥连接；

若干个绝缘支撑杆，其一端与所述接地环连接，另一端与所述连接桥连接。

可选的，所述接地环和/或所述连接桥开设有若干个通孔，所述绝缘支撑杆包含杆中部和两个杆端部，所述杆中部直径大于所述通孔的直径，所述杆端部为多级台阶结构，所述杆端部包含：

一级台阶杆，其与所述杆中部连接，所述一级台阶杆的直径小于所述通孔的直径，以便穿过所述通孔；

二级台阶杆，其与所述一级台阶杆连接，所述二级台阶杆的直径大于所述一级台阶杆的直径且小于所述通孔的直径。

可选的，所述绝缘支撑杆通过机械紧固装置与所述接地环和/或所述连接桥连接，所述机械紧固装置包含：

拼合螺母，其由若干个螺母分段拼接而成，所述拼合螺母抱合在所述一级台阶杆上，所述拼合螺母的长度和内径与所述一级台阶杆伸出通孔部分的长度和直径相匹配，所述拼合螺母的外径大于所述通孔的直径，所述拼合螺母设有外螺纹，其设置有若干个凸脚，所述通孔内壁开设有若干个与所述凸脚形状相对应的凹槽，以使所述凸脚卡进所述凹槽内；

紧固螺母，其设有内螺纹，所述内螺纹与所述拼合螺母的外螺纹连接。

可选的，所述杆端部的一级台阶杆为多级台阶结构，所述拼合螺母的内表面为对应的台阶结构。

可选的，所述一级台阶杆包含相互连接的第一杆体和第二杆体，所述第一杆体与所述杆中部连接，所述第二杆体与所述二级台阶杆连接，所述第一杆体的直径大于所述第二杆体的直径，所述拼合螺母包含拼合螺母本体和若干个凸脚，所述拼合螺母本体的长度和内径与所述第二杆体的长度和直径相匹配，所述凸脚处的内径与所述第一杆体的直径相匹配。

可选的，所述拼合螺母和所述紧固螺母材质不同。

可选的，各个所述螺母分段的外表面开设有若干个容纳结构，若干个连接紧固件分别设置于所述容纳结构内以抱合各个螺母分段使其拼接牢固。

可选的，所述容纳结构为凹槽结构，所述连接紧固件为O型圈。

可选的，所述拼合螺母由两个螺母分段拼接而成。

可选的，所述通孔为沉头孔。

可选的，所述绝缘支撑杆由掺有玻璃纤维的聚醚醚酮材料所制备。

可选的，各个所述绝缘支撑杆沿着所述连接桥和所述接地环周向均匀分布。

可选的，所述驱动装置为驱动电机或者气缸驱动装置。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

本发明提供的等离子体处理装置中，采用驱动装置和绝缘支撑杆驱动接地环升降，进而带动静电夹盘上下移动。由于所述绝缘支撑杆具有良好的电绝缘特性，因此，所述绝缘支撑杆能够有效地避免射频电流随着接地环、绝缘支撑杆、连接桥的线路导出，有利于避免射频的损失，相应的，使进入真空反应腔内的射频较多。并且，还能够使真空反应腔内的等离子体分布较均匀，有利于改善刻蚀不均匀的问题。

进一步地，采用拼合螺母与紧固螺母相配合以实现所述绝缘支撑杆的固定，其结构简单，便于安装和拆卸，简化了工作人员的工作负担；同时，所述紧固螺母和拼合螺母相配合的方式节省了真空反应腔内较多的空间，无需使用额外的定位销结构抱住固定；另外，各个螺母的配合使用使所述绝缘支撑杆的端部无需加工螺纹结构，增加了绝缘支撑杆机械结构的稳定性，使其不会因为扭力和拉力的叠加而导致绝缘支撑杆容易发生断裂；

进一步地，绝缘支撑杆的端部为多级台阶结构，进一步地使拼合螺母与绝缘支撑杆结合更为紧密，以保证装置的稳定性。

附图说明

图1为本发明的一种等离子体处理装置的结构示意图；

图2为本发明的一种接地环、驱动单元、连接桥的简略示意图；

图3为图2中接地环的俯视图；

图4为本发明的拼合螺母立体结构示意图；

图5为本发明的又一种接地环、驱动单元、连接桥的简略示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明一实施例的目的。

如图1所示，为本发明的一种等离子体处理装置的结构示意图，该等离子体处理装置包含：一真空反应腔100，其由反应腔腔体101和腔体端盖102包围而成，所述反应腔腔体101上设置一基片传输口(图中未示出)，该基片传输口用于实现基片W在真空反应腔100内外之间传输。所述真空反应腔100内包含一下电极组件110，其设置于所述真空反应腔100底部，所述下电极组件110包括静电夹盘111，所述静电夹盘111包括承载面112，传入所述真空反应腔100内的待处理基片W放置在所述承载面112上。所述真空反应腔100内还包含与所述下电极组件110相对设置的上电极组件120，至少一射频电源通过匹配网络施加到所述上电极组件120或下电极组件110，以将反应气体解离为等离子体，使所述上电极组件120和所述下电极组件110之间为等离子体环境，该等离子体环境中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理基片W的表面发生多种物理和化学反应，使得待处理基片W表面的形貌发生改变，从而完成对待处理基片W的刻蚀过程。

实施例一

在本实施例中，所述等离子体处理装置为电容耦合型等离子体处理装置(Capacitively Coupled Plasma Processing Unit，CCP)。

如图1和图2结合所示，为本实施例中的一种电容耦合型等离子体处理装置，所述下电极组件110还包含一基座(图中未示出)，所述基座位于所述真空反应腔100内底部，所述静电夹盘111位于所述基座上。该等离子体处理装置由射频电源向下电极组件110施加射频电源，通过电容耦合的方式在上电极组件120和下电极组件110之间形成等离子体环境以用于刻蚀。

如图1所示，该等离子体处理装置还包含等离子体约束装置130，所述等离子体约束装置130环绕设置于所述下电极组件110的外侧，其具体设置在静电夹盘111和反应腔腔体101之间。所述等离子体约束装置130将等离子体约束在上电极组件120和下电极组件110之间的反应区域，以避免等离子体泄露到非反应区域，造成非反应区域的部件损伤。

另外，该等离子体处理装置还包含接地环140，其环绕设置于所述静电夹盘111的下方，以支撑所述静电夹盘111。

在工艺过程中，根据某些工艺需求，需要使上电极组件120与下电极组件110之间的间距可调。在本实施例中，该等离子体处理装置还包含驱动单元，所述驱动单元与所述接地环140连接以驱动所述接地环140上下移动，进而带动所述静电夹盘111上下移动，从而使上电极组件120与下电极组件110之间的间距可调。

具体地，所述驱动单元包含：若干个驱动装置150和若干个绝缘支撑杆160。所述驱动装置150用于提供驱动力，各个所述驱动装置150与一连接桥170连接；所述绝缘支撑杆160一端与所述接地环140连接，另一端与所述连接桥170连接。可选的，所述驱动装置150为驱动电机或者气缸驱动装置150，当然，所述驱动装置150不仅限于此，也可以是其他可以提供驱动力的部件或装置。

在本实施例中，所述驱动单元包含多个驱动装置150和多个绝缘支撑杆160，所述连接桥170为圆环形。所述驱动装置150和所述绝缘支撑杆160之间通过一连接桥170传递动力，可选的，各个所述驱动装置150沿所述连接桥170周向均匀排列，有助于连接桥170接收的驱动力的平衡，使每根绝缘支撑杆160升降的高度相同，有利于维持静电夹盘111的平衡性以及工艺的稳定性。当然，所述连接桥170也可为其他结构，所述驱动装置150对称分布在所述连接桥170的下方。另外，本发明采用的支撑杆为绝缘支撑杆160，其与所述接地环140连接，在工艺过程中，由于所述绝缘支撑杆160具有良好的电绝缘特性，使得射频电流不会沿着接地环140、绝缘支撑杆160、连接桥170的路线导出真空反应腔100外，因此，避免了射频损失，相应的，使进入真空反应腔100内的射频较多。并且，还能够使真空反应腔内的等离子体分布较均匀，有利于改善刻蚀不均匀的问题。

在本实施例中，以该等离子体处理装置包含四个绝缘支撑杆160(请见图3)进行示意性说明，各个所述绝缘支撑杆160沿着所述连接桥170和所述接地环140周向均匀分布，以保证所述静电夹盘111升降的平衡性。在其他实施例中，所述绝缘支撑杆160的个数还可以为其它值，当所述绝缘支撑杆160的个数为多个时，其沿所述连接桥170和所述接地环140周向均匀分布，当所述连接桥170为四方结构或其他结构时，所述绝缘支撑杆160沿所述连接桥170对称分布。

如图2所示，所述接地环140和所述连接桥170均开设有若干个通孔，在本实施例中，所述通孔为沉头孔，以便对所述绝缘支撑杆160的固定。所述绝缘支撑杆160包含杆中部161和两个杆端部162，所述杆中部161直径大于所述沉头孔的直径，以免所述杆中部161穿过所述沉头孔。所述杆端部162为多级台阶结构，两个所述杆端部162位于所述杆中部161的两端。可选的，所述杆中部161和两个杆端部162一体成型，以承受更强的扭矩力。

具体地，所述杆端部162包含：一级台阶杆163和二级台阶杆164。所述一级台阶杆163与所述杆中部161连接，所述一级台阶杆163的直径小于所述沉头孔的直径，以便穿过所述沉头孔。所述二级台阶杆164与所述一级台阶杆163连接，所述二级台阶杆164的直径大于所述一级台阶杆163的直径且小于所述沉头孔的直径。

安装固定时，所述绝缘支撑杆160的一个杆端部162穿过所述接地环140的沉头孔，该杆端部162通过机械紧固装置180与所述接地环140连接，所述机械紧固装置180包含：拼合螺母181和紧固螺母182。

所述拼合螺母181由若干个螺母分段拼接而成，所述拼合螺母181抱合在所述一级台阶杆163上，所述拼合螺母181的长度和内径与所述一级台阶杆163伸出通孔部分的长度和直径相匹配，因所述二级台阶杆164的直径大于所述一级台阶杆163的直径，当所述拼合螺母181抱合在所述一级台阶杆163上时，所述二级台阶杆164可阻止所述拼合螺母181上下移动，避免了因安装不紧固而导致装置损伤或其他安全问题。所述拼合螺母181的外径大于所述沉头孔的最小直径。所述拼合螺母181设置有若干个凸脚，所述沉头孔内壁开设有若干个与所述凸脚形状相对应的凹槽，以使所述凸脚卡进所述凹槽内，可保证拼合螺母181在锁紧时不发生周向的旋转。

另外，所述拼合螺母181的外表面还设有外螺纹，所述紧固螺母182设有内螺纹，所述内螺纹与所述拼合螺母181的外螺纹连接，以使所述紧固螺母182锁紧所述拼合螺母181。所述拼合螺母181与所述紧固螺母182相互配合，共同固定所述绝缘支撑杆160的杆端部162。真空反应腔100内空间有限，所述紧固螺母182和所述拼合螺母181相配合的固定方式节省了较多的内部空间，无需使用额外的定位销结构抱住固定。

在本实施例中，如图4所示，以所述拼合螺母181设置有两个弧形凸脚184为例进行示意性说明，对应的，所述沉头孔内壁开设有两个对应结构的弧形凹槽185(请见图3)。实际上，所述弧形凸脚184的个数不做限定，还可以设置为其它个数的弧形凸脚184，所述弧形凹槽185的个数与弧形凸脚184的个数相同，一个弧形凹槽185容纳一个弧形凸脚184。使用时，所述弧形凸脚184置于所述弧形凹槽185内，以使所述拼合螺母181不发生周向旋转，以使所述紧固螺母182更容易将所述拼合螺母181锁紧固定。

可选的，在所述拼合螺母181的各个所述螺母分段的外表面开设有若干个容纳结构183(可选在螺母分段外表面没有螺纹处开设)，若干个连接紧固件分别设置于所述容纳结构183内以抱合各个螺母分段使其拼接牢固，所述连接紧固件可为O型圈之类的弹性材料以抱合各个螺母分段。在本实施例中，所述容纳结构183为凹槽结构(请见图4)，所述连接紧固件为O型圈。所述拼合螺母181由两个螺母分段拼接而成，O型圈将两个螺母分段组成的拼合螺母181抱合锁紧，所述紧固螺母182锁紧固定所述拼合螺母181时更为简捷方便。

由上述可知，采用上述拼合螺母181和紧固螺母182相结合的方式固定绝缘支撑杆160，无需在绝缘支撑杆160的两端上车螺纹，增加了绝缘支撑杆160机械结构的稳定性，使其不会因为扭力和拉力的叠加而导致绝缘支撑杆160发生断裂。另外，本发明的拼合螺母181结构简单，便于安装和拆卸，可简化工作人员的工作负担。

可选的，所述绝缘支撑杆160可采用掺有玻璃纤维的PEEK(聚醚醚酮)材料所制备，掺有玻璃纤维的PEEK材料比纯PEEK材料抗拉强度更高，可承受更多的扭矩。经试验证实，掺有玻璃纤维的PEEK材料可承受1.2吨真空力。因此，该材料既可以保证绝缘支撑杆160有足够的机械结构强度支撑接地环140和静电夹盘111，又能避免射频电流由此处导通泄露的问题，避免了真空反应腔100内的射频损失。

另外，在本实施例中，所述拼合螺母181和所述紧固螺母182材质不同，所述拼合螺母181采用铜材料制备，所述紧固螺母182采用不锈钢材料制备，使用不同材料的螺母可以防止在螺纹啮合时出现锁死现象，避免为拼合螺母181和紧固螺母182的日常运行维护带来不便。

在本实施例中，所述连接桥170通过同样的机械紧固装置180将所述绝缘支撑杆160的另一个杆端部162固定连接。该杆端部162穿过所述连接桥170上开设的沉头孔，采用机械紧固装置180的拼合螺母181和紧固螺母182将该杆端部162抱合锁紧，以使绝缘支撑杆160的两端分别与所述接地环140和所述连接桥170连接并稳定支撑在两者之间。

在安装时，先将所述绝缘支撑杆160的两个杆端部162分别伸入所述接地环140和所述连接桥170开设的沉头孔中，分别将拼合螺母181的各个螺母分段抱合在所述杆端部162的一级台阶杆163上，O型圈置于凹槽结构内以将各个螺母分段抱合，采用紧固螺母182将拼合螺母181锁紧固定，并施加一定的预紧扭矩。

在使用等离子体处理装置进行工作时，当工艺需求静电夹盘111升/降时，所述驱动装置150提供向上或者向下的驱动力，使连接桥170、绝缘支撑杆160、接地环140以及静电夹盘111上移或下降，以达到工艺的需求。

实施例二

请参照图5，基于实施例一中的等离子体处理装置的结构特性，本实施例对绝缘支撑杆260和机械紧固装置280的结构做出了进一步的改变，主要针对绝缘支撑杆260的杆端部262以及拼合螺母281的结构做出改变。

在本实施例中，所述连接桥270和所述接地环240均开设有沉头孔，所述绝缘支撑杆260包含杆中部261和两个杆端部262，所述杆中部261直径大于所述沉头孔的直径，所述杆端部262为多级台阶结构，两个所述杆端部262位于所述杆中部261的两端。具体地，所述杆端部262包含：一级台阶杆263和二级台阶杆264。所述一级台阶杆263与所述杆中部261连接，所述一级台阶杆263的直径小于所述沉头孔的直径，以便穿过所述沉头孔。所述二级台阶杆264的直径大于所述一级台阶杆263的直径且小于所述沉头孔的直径。

进一步的，所述一级台阶杆263包含相互连接的第一杆体265和第二杆体266，所述第一杆体265与所述杆中部261连接，所述第二杆体266与所述二级台阶杆264连接，所述第一杆体265的直径大于所述第二杆体266的直径。

所述绝缘支撑杆260通过机械紧固装置280与所述接地环240和所述连接桥270锁紧固定。本实施例中所述机械紧固装置280包含：拼合螺母281和紧固螺母282。所述拼合螺母281抱合在所述一级台阶杆263上，所述拼合螺母281的内表面为台阶结构，其内径分别与所述第一杆体265和第二杆体266的外径相匹配，所述拼合螺母281的外径大于所述沉头孔的直径。所述拼合螺母281设有外螺纹，所述紧固螺母282设有内螺纹，所述内螺纹与所述拼合螺母281的外螺纹连接以固定所述绝缘支撑杆260。

具体地，在本实施例中，所述拼合螺母281由若干个螺母分段拼接而成，其形成拼合螺母281本体和若干个凸脚，所述拼合螺母281本体的长度和内径与所述第二杆体266的长度和直径相匹配，所述凸脚处的内径与所述第一杆体265伸出通孔部分的直径相匹配，所述沉头孔内壁开设有若干个与所述凸脚形状相对应的凹槽，以使所述凸脚卡进所述凹槽内，可保证拼合螺母281不发生周向旋转。在本实施例中，所述杆端部262的一级台阶杆263为多级台阶结构，所述拼合螺母281的内表面为对应的台阶结构，可使拼合螺母281与杆端部262结合更为紧密，且不易发生滑动，有助于固定所述绝缘支撑杆260。本实施例的其它结构部分及各组件作用方式都与实施例一中的相同，在此不再加以赘述。

综上所述，本发明的一种等离子体处理装置中，设置有静电夹盘111、接地环140和驱动单元等结构，所述驱动单元包含若干个驱动装置150和绝缘支撑杆160，所述驱动装置150用于提供驱动力，各个驱动装置150与一连接桥170连接，所述绝缘支撑杆160一端与接地环140连接，另一端与连接桥170连接。所述驱动装置150借助连接桥170将驱动力传递到各个绝缘支撑杆160，所述绝缘支撑杆160升降带动与之连接的接地环140上下移动，进而带动静电夹盘111上下移动。在本发明中，由于所述绝缘支撑杆160具有良好的电绝缘特性，因此，所述绝缘支撑杆160能够有效地避免射频电流随着接地环140、绝缘支撑杆160、连接桥170的线路导出，有利于避免射频的损失，相应的，使进入真空反应腔内的射频较多。并且，还能够使真空反应腔内的等离子体分布较均匀，有利于改善刻蚀不均匀的问题。另外，在本发明中，采用拼合螺母181与紧固螺母182相配合以实现所述绝缘支撑杆160的固定，其结构简单，便于安装和拆卸，简化了工作人员的工作负担；各个螺母的配合使用使所述绝缘支撑杆160的端部无需加工螺纹结构，增加了绝缘支撑杆160机械结构的稳定性，使其不会因为扭力和拉力的叠加而导致绝缘支撑杆160容易发生断裂。

需要注意的是，本发明中的驱动单元既适用于电容耦合型等离子体处理装置，也适用于电感耦合型等离子体处理装置，即本发明的等离子体处理装置既可为电容耦合型等离子体处理装置，也可为电感耦合型等离子体处理装置。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包含：

真空反应腔，其内底部设有基座；

接地环，设置于所述静电夹盘下方，以支撑所述静电夹盘；

所述驱动单元包含：

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述接地环和/或所述连接桥开设有若干个通孔，所述绝缘支撑杆包含杆中部和两个杆端部，所述杆中部直径大于所述通孔的直径，所述杆端部为多级台阶结构，所述杆端部包含：

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述绝缘支撑杆通过机械紧固装置与所述接地环和/或所述连接桥连接，所述机械紧固装置包含：

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述杆端部的一级台阶杆为多级台阶结构，所述拼合螺母的内表面为对应的台阶结构。

5.如权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述一级台阶杆包含相互连接的第一杆体和第二杆体，所述第一杆体与所述杆中部连接，所述第二杆体与所述二级台阶杆连接，所述第一杆体的直径大于所述第二杆体的直径，所述拼合螺母包含拼合螺母本体和若干个凸脚，所述拼合螺母本体的长度和内径与所述第二杆体的长度和直径相匹配，所述凸脚处的内径与所述第一杆体的直径相匹配。

6.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述拼合螺母和所述紧固螺母材质不同。

7.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

各个所述螺母分段的外表面开设有若干个容纳结构，若干个连接紧固件分别设置于所述容纳结构内以抱合各个螺母分段使其拼接牢固。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述容纳结构为凹槽结构，所述连接紧固件为O型圈。

9.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述拼合螺母由两个螺母分段拼接而成。

10.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述通孔为沉头孔。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述绝缘支撑杆由掺有玻璃纤维的聚醚醚酮材料所制备。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

各个所述绝缘支撑杆沿着所述连接桥和所述接地环周向均匀分布。

13.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述驱动装置为驱动电机或者气缸驱动装置。