KR20160097688A - 샤워헤드 전극 어셈블리 - Google Patents

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KR20160097688A KR1020150019726A KR20150019726A KR20160097688A KR 20160097688 A KR20160097688 A KR 20160097688A KR 1020150019726 A KR1020150019726 A KR 1020150019726A KR 20150019726 A KR20150019726 A KR 20150019726A KR 20160097688 A KR20160097688 A KR 20160097688A
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Abstract

본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 샤워헤드 전극 어셈블리는, 백킹 플레이트로서, 상기 백킹 플레이트를 수직으로 관통하는 가스 공급 홀을 포함하는, 상기 백킹 플레이트와, 상기 백킹 플레이트를 둘러싸는 가드 링과, 상기 백킹 플레이트와 연결되는 내부 전극으로서, 상기 백킹 플레이트를 마주보는 상부면은 가장자리에 돌출부를 갖고, 상기 상부면의 반대면인 하부면에 단차를 포함하며, 상기 가스 공급 홀과 매칭하는 패턴으로 배열되어 상기 내부 전극을 수직으로 관통하는 가스 유출입 홀을 포함하는, 상기 내부 전극 및 상기 백킹 플레이트와 연결되는 외부 전극을 포함한다.

Description

샤워헤드 전극 어셈블리{Showerhead Electrode Assembly}
본 발명은 플라즈마 프로세싱 챔버의 샤워헤드 전극 어셈블리에 관한 것이다.
일반적으로, 가스 상태에서 플라즈마 상태로 에너자이징하기 위해 진공 챔버에 프로세싱 가스를 공급하고 RF(radio frequency) 전계를 이 가스에 인가함으로써 기판상에서 재료의 에칭 및 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 등의 공정을 위하여 플라즈마 프로세싱 챔버가 이용된다. 플라즈마 프로세싱 챔버를 이용한 다양한 공정에서, 공정의 신뢰성 및 공정의 유니포미티(Uniformity)를 향상시키기 위한 다양한 시도가 이루어지고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 샤워헤드 전극을 포함하는 플라즈마 프로세싱 챔버를 이용한 공정의 신뢰성을 향상시키는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 넓은 플라즈마 범위를 제공하여 공정의 유니포미티(Uniformity)를 개선한 플라즈마 프로세싱 챔버를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 의한 샤워헤드 전극 어셈블리는, 백킹 플레이트로서, 상기 백킹 플레이트를 수직으로 관통하는 가스 공급 홀을 포함하는, 상기 백킹 플레이트와, 상기 백킹 플레이트를 둘러싸는 가드 링과, 상기 백킹 플레이트를 마주보는 상부면은 가장자리에 돌출부를 갖고, 상기 상부면의 반대면인 하부면에 단차를 포함하며, 상기 가스 공급 홀과 매칭하는 패턴으로 배열되어 상기 내부 전극을 수직으로 관통하는 가스 유출입 홀을 포함하는, 상기 내부 전극 및 상기 백킹 플레이트와 연결되는 외부 전극을 포함한다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 내부 전극은 원형 플레이트이며, 그 상부면과 하부면을 수직으로 관통하는 복수 개의 제 1 홀들을 포함하며, 상기 제 1 홀들은 방위각적으로 동일하게 이격되어 형성되고, 제 1 체결부를 수용하도록 구성 되는 것을 포함한다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 내부 전극은 원형 플레이트이며, 상기 돌출부는 상기 내부 전극의 외주부를 따라 상기 백킹 플레이트와 결합되도록 구성되는 것을 포함한다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 돌출부는 내부 전극의 중심을 지나는 단면에 있어서, 직사각형의 단면을 갖는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상의 또 다른 실시예에 의한 샤워헤드 전극 어셈블리는, 백킹 플레이트로서, 상기 백킹 플레이트를 수직으로 관통하는 가스 공급 홀을 포함하는, 상기 백킹 플레이트와, 상기 백킹 플레이트를 둘러싸는 가드 링과, 상기 백킹 플레이트와 연결되는 내부 전극으로서, 상기 백킹 플레이트와 마주보는 상부면의 반대면인 하부면에 단차를 포함하며, 상기 가스 공급 홀과 매칭하는 패턴으로 배열되어 상기 내부 전극을 수직으로 관통하는 가스 유출입 홀을 포함하는, 상기 내부 전극 및 상기 백킹 플레이트와 연결되는 외부 전극으로서, 상기 외부 전극의 외측면은 상기 가드 링의 외측면으부터 멀어지는 방향으로 일정거리 이격된, 상기 외부 전극을 포함한다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 내부 전극은 원형 플레이트이며, 상기 외부 전극은 환형 플레이트인 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 외부 전극은 그 일면과 타면을 수직으로 관통하는 복수 개의 제 2 홀들을 포함하며, 상기 제 2 홀들은 방위각적으로 동일하게 이격되어 형성되고, 제 2 체결부를 수용하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 외부 전극의 일면은 상기 단차와 끼워 맞도록 구성된 내측 단차를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 외부 전극의 일면은 측면에 외측 단차를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에서 상기 내부 전극은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘인 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들에 따르는 플라즈마 프로세싱 챔버는, 하부면에 단차와 상부면에 돌출부를 갖는 내부 전극을 포함하며, 백킹 플레이트와 내부 전극을 기계적으로 연결하여 공정의 신뢰성을 개선할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들에 따르는 플라즈마 프로세싱 챔버는, 가드 링의 외측면으로부터 일정 거리 이격된 외측면을 가진 외부 전극을 포함하고, 넓은 플라즈마 범위를 제공하여 공정의 유니포미티(Uniformity)를 개선할 수 있다.
도 1 는 일 실시형태에 따른, 샤워헤드 전극 어셈블리의 단면도이다.
도 2a 는 내부 전극의 상부면을 개략적으로 나타내는 투시 평면도이다.
도 2b 는 내부 전극의 하부면을 개략적으로 나타내는 투시 평면도이다.
도 2c 는 내부 전극의 측면을 개략적으로 나타내는 투시 측면도이다.
도 2d 는 도 2a 의 A - A' 영역의 단면도이다.
도 3a 는 외부 전극의 일면을 나타내는 평면도이다.
도 3b 는 외부 전극의 측면도이다.
도 3c 는 도 3a 의 B - B' 영역의 단면도이다.
도 3d 는 외부 전극의 일면을 나타내는 평면도이다.
도 3e 는 외부 전극의 측면도이다.
도 3f 는 도 3d 의 C - C' 영역의 단면도이다.
본문에 개시되어 있는 본 발명의 실시예들에 대해서, 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본문에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 구성 요소들과 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다.
제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
우선 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 샤워헤드 전극 어셈블리(100)는 내부 전극(110), 외부 전극(120), 및 백킹 플레이트(130)를 포함한다. 내부 전극(110)은 백킹 플레이트(130) 아래에 위치하며 제 1 체결부를 이용하여 연결되며, 제 1 체결부는 기계적 체결 장치로서 체결 볼트일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 외부 전극(120)은 내부 전극(110)을 둘러싸며 위치하고, 백킹 플레이트(130) 아래에 위치하며 제 2 체결부를 이용하여 연결된다. 제 2 체결부는 기계적 체결 장치로서 체결 볼트일 수 있으나 이에 제한되지 않는다. 가드 링(140)은 백킹 플레이트(130)를 둘러싸며 위치하며, 가드 링(140)의 아래에 위치하는 외부 전극(120)에 의하여 지지된다.
내부 전극(110)은 주기적으로 대체되어야 하는 소모품으로서, 바람직하게는 원형 플레이트일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 내부 전극(110)은 전도성의 고순도 재료, 예컨대 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 실리콘 탄화물로 만들어질 수 있다.
내부 전극(110)에는 기판에 프로세싱 가스를 공급하기 위한 가스 유출입 홀(114)을 가지며, 가스 유출입 홀(114)은 백킹 플레이트(130)의 가스 공급 홀(131)과 매칭하는 패턴으로 배열되어 서로 연통한다.
외부 전극(120)은 내부 전극(110)을 둘러싸는 형태로 연결되며, 또한 환형 플레이트일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 외부 전극(120)을 형성하는데 이용될 수 있는 바람직한 재료는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 또는 실리콘 카바이드 일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
백킹 플레이트(130)는 플라즈마 프로세싱 챔버에서 반도체 기판을 프로세싱하는데 이용된 프로세싱 가스와 화학적으로 양립하여 사용가능하고, 전극 재료의 열 팽창 계수와 거의 일치하는 열 팽창 계수를 갖고, 전기적 열적 전도성인 재료로 형성되는 것이 바람직하다. 백킹 플레이트(130)를 형성하는데 이용될 수 있는 바람직한 재료는, 흑연, 실리콘 탄화물, 알루미늄, 또는 다른 적절한 재료들을 포함하지만 이에 한정하지 않는다.
백킹 플레이트(130)는 제 1 체결부 및 제 2 체결부를 수용하기 위한 블라인드 홀들을 포함할 수 있다. 백킹 플레이트(130)의 일면에는, 제 1 체결부를 삽입하는 내부 전극(110)의 홀들과 제 2 체결부를 삽입하는 외부 전극(120)의 홀들과 매칭하는 패턴으로 블라인드 홀들이 형성될 수 있다. 블라인드 홀들은 제 1 체결부 및 제 2 체결부를 수용하여, 내부 전극(110) 및 외부 전극(120)을 백킹 플레이트(130)에 연결할 수 있다.
또한 백킹 플레이트(130)의 일면은 복수의 정렬 핀을 수용하기 위한 복수의 정렬 핀 홀을 포함할 수 있다.
가드 링(140)은 백킹 플레이트(130)의 측면을 둘러싸며 연결되며, 가드 링(140)이 회전하는 것을 방지하기 위하여 개구부 및 개구부에 삽입되는 삽입물를 포함할 수 있다. 가드 링(140)을 형성하는데 이용될 수 있는 재료는 바람직한 재료는 석영(quartz)일 수 있으나 이에 한정하지 않는다.
프로세싱 가스, 예를 들어, CF4, CHF3, CClF3, HBr, Cl2, SF6 또는 그 혼합물들은 O2, N2, He, Ar 또는 그 혼합물들과 같은 가스와 함께 플라즈마 프로세싱 챔버 내로 도입된다. 챔버는 통상적으로 밀리토르 범위의 압력으로 유지된다. 제공된 프로세싱 가스는 백킹 플레이트(130)의 가스 공급 홀(131)을 통하여 내부 전극(110)으로 공급된다. 또한, 내부 전극(110)으로 공급된 프로세싱 가스는 가스 유출입 홀(114)을 통하여 기판으로 공급된다. 가스 공급 홀(131) 및 가스 유출입 홀(114)은 프로세싱 가스를 공급하기에 적합한 크기 및 분포로 구성된다. 공급된 프로세싱 가스는 반응 구역에서 플라즈마로 에너자이징 된다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전극(110)의 상세도이다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 내부 전극(110)은 그 상부면(110a)과 하부면(110b)을 수직으로 관통하면서 제 1 체결부를 수용할 수 있는 제 1 홀(116)들을 포함한다. 제 1 홀(116)들은 적어도 3개 이상이며, 바람직한 실시예로서, 원형 플레이트 형태의 내부 전극(110)에서 제 1 홀(116)들은 단차(112)와 외부 에지(113) 사이에서 동일한 방위각으로 이격되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 11개의 제 1 홀(116)들은 인접하는 2개의 제 1 홀(116)들 각각의 중심과 내부 전극(110)의 중심이 이루는 각도가 32.727도로 균일하게 방위각적으로 이격되어 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예로서, 내부 전극(110)은 단일의 소재로서 제 1 체결부를 제 1 홀(116) 및 백킹 플레이트(130)의 블라인드 홀에 삽입하여 내부 전극(110)을 백킹 플레이트(130)에 기계적으로 연결한다. 내부 전극(110)을 백킹 플레이트(130)에 체결 장치를 이용하여 기계적으로 연결하는 대신, 별도의 지지링을 사용하는 경우에는, 지지링으로 내부 전극(110)을 지지하면서 별도의 기계적 체결 부재를 이용하여 지지링과 백킹 플레이트(130)을 연결하는 방식으로 내부 전극(110)을 백킹 플레이트(130)에 부착하게 된다. 또한 통상적으로 지지링과 내부 전극(110) 간에는 부하를 줄이기 위해 수지류의 완충제가 요구된다. 이러한 경우, 내부 전극(110), 지지링, 및 완충제는 각각의 3종의 소재의 결합으로 인하여 플라즈마 밀도의 문제를 유발할 수 있으며, 또한 이는 웨이퍼 에지 부분의 수율에 문제를 가져온다. 또한 플라즈마의 침투로 인한 식각으로 지지링 및 완충제의 오염이 발생할 수 있다. 나아가 실제 공정에서, 각각의 소재의 강도, 경도 및 탄성율의 차이는 열 팽창율의 차이로 인한 파손을 발생시킬 수 있다.
또한, 내부 전극(110)의 상부면(110a)은 백킹 플레이트(130)의 정렬 핀 홀과 마주보도록 배열되어 정렬 핀을 수용하도록 형성된 정렬 핀 리세스(115)를 포함할 수 있다. 바람직한 실시예로서, 원형 플레이트 형태의 내부 전극(110)에서 정렬 핀 리세스(115)는 적어도 2개 이상 형성되며, 내부 전극(110)의 중심에서 동일한 거리에 위치하면서 동일한 방위각으로 이격되어 형성될 수 있다.
도 2d 는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전극(110)의 돌출부(111)를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2d를 참조하면, 내부 전극(110)의 상부면(110a)은 가장자리에 돌출부(111)를 갖으며, 돌출부(111)은 내부 전극(110)의 외주부를 따라 백킹 플레이트(130)와 결합되도록 형성될 수 있다. 또한 돌출부(111)는 직사각형의 단면을 가질 수 있다. 내부 전극(110)은 돌출부(111)의 형상에 대응하여 백킹 플레이트(130)의 하부면에 형성된 부위에 접촉하여 끼워 맞도록 구성될 수 있으므로, 내부 전극(110)을 백킹 플레이트(130)에 보다 정밀하게 정렬케 할 수 있다.
바람직한 실시예로서 원형 플레이트 형태의 내부 전극(110)에서 돌출부(111)는 환형의 링 형태일 수 있다. 다만 이에 제한되지 않으며, 돌출부(111)는 내부 전극(110)의 가장자리에 불연속적으로 형성될 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 외부 전극(120)의 상세도이다.
도 1, 및 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 외부 전극(120)은 백킹 플레이트(130)와 마주보는 일면(120a)과 일면(120a)에 대향하는 타면(120b)을 포함하며, 외부 전극(120)은 상기 일면(120a)와 상기 타면(120b)을 수직으로 관통하는 제 2 홀(126)을 포함한다. 제 2 홀(126)들은 적어도 3개 이상이며, 바람직한 실시예로서, 환형 플레이트 형태의 외부 전극(120)에서 제 2 홀(126)들은 동일한 방위각으로 이격되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 8개의 제 2 홀(126)들은 인접하는 2개의 제 2 홀(126)들 각각의 중심과 외부 전극(120)의 중심이 이루는 각도가 45도로 균일하게 방위각적으로 이격되어 형성될 수 있다. 제 2 체결부는 제 2 홀(126) 및 백킹 플레이트(130)의 블라인드 홀에 삽입되어 외부 전극(120)을 백킹 플레이트(130)에 기계적으로 연결한다. 또한, 외부 전극(120)의 일면(120a)은 내측 단차(121)를 포함하며, 내부 전극(110)의 단차(112)와 끼워 맞도록 구성될 수 있다.
외부 전극(120)의 외측면(120c)은 백킹 플레이트(130)를 둘러싸고 있는 가드 링(140)의 외측면에서 멀어지는 방향으로 일정거리 d 만큼 이격되어 제공될 수 있다. 바람직하게는, 외부 전극(120)의 외측면(120c)이 가드 링(140)의 외측면으로부터 이격된 거리 d는 10 mm 내지 50 mm 사이로 형성될 수 있다. 기판을 프로세싱하는데 있어서 외부 전극(120)은 내부 전극(110)의 직경을 연장시키도록 구성되며, 가드 링(140)으로부터 멀어지는 방향으로 연장되는 외부 전극(120)은 전극의 범위를 증가시켜 넓은 범위의 플라즈마를 제공한다. 넓은 범위의 플라즈마 조건에서, 프로세싱 기판에 대한 공정은 개선된 유니포미티(uniformity)를 제공할 수 있다.
도 3d 내지 도 3f 는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 외부 전극(120)의 상세도이다.
도 3d 내지 도 3f를 참조하면, 외부 전극(120)의 일면(120a)은 가장자리에 외측 단차(122)를 포함하면서, 그 외측면(120c)은 가드 링(140)의 외측면으로부터 멀어지는 방향으로 형성될 수 있다. 이 경우, 외측 단차(122)는 가드 링(140)의 하부에 형성될 수 있는 하부 단차와 끼워 맞도록 구성될 수 있으며, 가드 링(140)과 외부 전극(120)의 연결을 용이하게 할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 샤워헤드 전극 어셈블리 110: 내부 전극
110a: 내부 전극의 상부면 110b: 내부 전극의 하부면
111 : 돌출부 112: 단차
113 : 외부 에지 114 : 가스 유출입 홀
115 : 정렬 핀 리세스 116 : 제 1 홀
120 : 외부 전극 121 : 내측 단차
122 : 외측 단차 126 : 제 2 홀
130 : 백킹 플레이트 131: 가스 공급 홀
140 : 가드 링

Claims (10)

  1. 백킹 플레이트로서, 상기 백킹 플레이트를 수직으로 관통하는 가스 공급 홀을 포함하는, 상기 백킹 플레이트;
    상기 백킹 플레이트를 둘러싸는 가드 링;
    상기 백킹 플레이트와 연결되는 내부 전극으로서, 상기 백킹 플레이트를 마주보는 상부면은 가장자리에 돌출부를 갖고, 상기 상부면의 반대면인 하부면에 단차를 포함하며, 상기 가스 공급 홀과 매칭하는 패턴으로 배열되어 상기 내부 전극을 수직으로 관통하는 가스 유출입 홀을 포함하는, 상기 내부 전극; 및
    상기 백킹 플레이트와 연결되는 외부 전극을 포함하는, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 전극은 원형 플레이트이며, 그 상부면과 하부면을 수직으로 관통하는 복수 개의 제 1 홀들을 포함하며, 상기 제 1 홀들은 방위각적으로 동일하게 이격되어 형성되고, 제 1 체결부를 수용하도록 구성된, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 전극은 원형 플레이트이며, 상기 돌출부는 상기 내부 전극의 외주부를 따라 상기 백킹 플레이트와 결합되도록 구성된, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 돌출부는 상기 내부 전극의 중심을 지나는 단면에 있어서, 직사각형의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  5. 백킹 플레이트로서, 상기 백킹 플레이트를 수직으로 관통하는 가스 공급 홀을 포함하는, 상기 백킹 플레이트;
    상기 백킹 플레이트를 둘러싸는 가드 링;
    상기 백킹 플레이트와 연결되는 내부 전극으로서, 상기 백킹 플레이트와 마주보는 상부면의 반대면인 하부면에 단차를 포함하며, 상기 가스 공급 홀과 매칭하는 패턴으로 배열되어 상기 내부 전극을 수직으로 관통하는 가스 유출입 홀을 포함하는, 상기 내부 전극; 및
    상기 백킹 플레이트와 연결되는 외부 전극으로서, 상기 외부 전극의 외측면은 상기 가드 링의 외측면으부터 멀어지는 방향으로 일정거리 이격된, 상기 외부 전극을 포함하는, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 내부 전극은 원형 플레이트이며, 상기 외부 전극은 환형 플레이트인 것을 포함하는, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 외부 전극은 그 일면과 타면을 수직으로 관통하는 복수 개의 제 2 홀들을 포함하며, 상기 제 2 홀들은 방위각적으로 동일하게 이격되어 형성되고, 제 2 체결부를 수용하도록 구성된, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 외부 전극의 일면은 상기 단차와 끼워 맞도록 구성된 내측 단차를 포함하는, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 외부 전극의 일면은 측면에 외측 단차를 포함하는, 샤워헤드 전극 어셈블리.
  10. 제 1항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 내부 전극은 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘인, 샤워헤드 전극 어셈블리.
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KR102311023B1 (ko) * 2020-05-26 2021-10-08 윤창희 가공 효율성을 향상시킨 이중소재 이체형 플라즈마 에칭 플레이트
WO2024054774A1 (en) * 2022-09-07 2024-03-14 Lam Research Corporation Shaped silicon outer upper electrode for plasma processing

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