JP2002299260A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
- Publication number
- JP2002299260A JP2002299260A JP2001100848A JP2001100848A JP2002299260A JP 2002299260 A JP2002299260 A JP 2002299260A JP 2001100848 A JP2001100848 A JP 2001100848A JP 2001100848 A JP2001100848 A JP 2001100848A JP 2002299260 A JP2002299260 A JP 2002299260A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- vapor phase
- wafer
- lift pin
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title abstract description 6
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 44
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000836394 Homo sapiens Sestrin-1 Proteins 0.000 description 1
- 101000783705 Myxoma virus (strain Uriarra) Envelope protein A28 homolog Proteins 0.000 description 1
- 102100027288 Sestrin-1 Human genes 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 気相成長中に生じるパーティクルの付着や結
晶欠陥の形成を低減できる気相成長装置を提供する。 【解決手段】 反応容器１１内にシリコンウェーハ２０
を載置するサセプタ１２を備え、このサセプタ１２に座
ぐり部１２ａを形成すると共に、この座ぐり部１２ａに
設けられた貫通孔１２ｂに挿通してリフトピン１３が摺
動自在に配設され、リフトピン１３を昇降させてシリコ
ンウェーハ２０の裏面２１と接離させることにより、サ
セプタ１２上におけるシリコンウェーハ２０の着脱を行
うように気相成長装置１０を構成し、リフトピン１３の
サセプタ１２との摺動面に研磨を施す。
晶欠陥の形成を低減できる気相成長装置を提供する。 【解決手段】 反応容器１１内にシリコンウェーハ２０
を載置するサセプタ１２を備え、このサセプタ１２に座
ぐり部１２ａを形成すると共に、この座ぐり部１２ａに
設けられた貫通孔１２ｂに挿通してリフトピン１３が摺
動自在に配設され、リフトピン１３を昇降させてシリコ
ンウェーハ２０の裏面２１と接離させることにより、サ
セプタ１２上におけるシリコンウェーハ２０の着脱を行
うように気相成長装置１０を構成し、リフトピン１３の
サセプタ１２との摺動面に研磨を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リフトピンを昇降
させてサセプタ上における基板の着脱を行う気相成長装
置に関する。
させてサセプタ上における基板の着脱を行う気相成長装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン等の半導体基板上に単結晶薄膜
等を気相成長させる気相成長装置として、枚葉式の気相
成長装置が知られている。
等を気相成長させる気相成長装置として、枚葉式の気相
成長装置が知られている。
【０００３】この枚葉式の気相成長装置は、原料ガスが
供給される反応容器内にサセプタを備え、このサセプタ
には、基板を収容するための座ぐり部が形成されてい
る。そして、この座ぐり部に設けられた貫通孔に挿通し
てリフトピンが摺動自在に配設されている。このリフト
ピンは、その頭部が座ぐり部に臨むように配設されてい
る。そして、リフトピンを昇降させてその頭部を基板の
裏面と接離させることにより、座ぐり部に基板を収容し
たり、座ぐり部から基板を取り出したりできるように構
成されている。即ち、リフトピンの頭部に基板を載置し
た状態で、リフトピンを摺動させてその頭部を座ぐり部
に没入させることで、基板が座ぐり部に収容される。こ
うして座ぐり部に基板を収容して、反応容器内に原料ガ
スを供給し、基板上に単結晶薄膜を気相成長させる。気
相成長後の基板は、座ぐり部からリフトピンの頭部を突
出させることで上方に突き出される。こうして突き出さ
れた基板は、ハンドラ等の搬送手段により反応容器外へ
搬送される。
供給される反応容器内にサセプタを備え、このサセプタ
には、基板を収容するための座ぐり部が形成されてい
る。そして、この座ぐり部に設けられた貫通孔に挿通し
てリフトピンが摺動自在に配設されている。このリフト
ピンは、その頭部が座ぐり部に臨むように配設されてい
る。そして、リフトピンを昇降させてその頭部を基板の
裏面と接離させることにより、座ぐり部に基板を収容し
たり、座ぐり部から基板を取り出したりできるように構
成されている。即ち、リフトピンの頭部に基板を載置し
た状態で、リフトピンを摺動させてその頭部を座ぐり部
に没入させることで、基板が座ぐり部に収容される。こ
うして座ぐり部に基板を収容して、反応容器内に原料ガ
スを供給し、基板上に単結晶薄膜を気相成長させる。気
相成長後の基板は、座ぐり部からリフトピンの頭部を突
出させることで上方に突き出される。こうして突き出さ
れた基板は、ハンドラ等の搬送手段により反応容器外へ
搬送される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の気相
成長装置により製造される半導体基板は、近年さらに微
細化・高集積化の傾向にある半導体デバイスの特性に影
響を与えないように、その表面近傍に生じる僅かな結晶
欠陥や半導体基板の表面に付着したパーティクルを低減
する必要がある。このために、今後の気相成長装置に
は、結晶欠陥の発生やパーティクルの付着がない半導体
基板を、安定して製造するための技術開発が極めて重要
な課題となる。
成長装置により製造される半導体基板は、近年さらに微
細化・高集積化の傾向にある半導体デバイスの特性に影
響を与えないように、その表面近傍に生じる僅かな結晶
欠陥や半導体基板の表面に付着したパーティクルを低減
する必要がある。このために、今後の気相成長装置に
は、結晶欠陥の発生やパーティクルの付着がない半導体
基板を、安定して製造するための技術開発が極めて重要
な課題となる。
【０００５】本発明の課題は、気相成長中に生じるパー
ティクルの付着や結晶欠陥の形成を低減できる気相成長
装置を提供することである。
ティクルの付着や結晶欠陥の形成を低減できる気相成長
装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、気相成長中に
生じる結晶欠陥やパーティクルの原因の一つとして、リ
フトピンが摺動して生じる摩耗粉に注目した。従来のリ
フトピンとしては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n；化学的気相成長）法により基材の表面にＳｉＣ（Sil
icon Carbide）膜を形成させたものが使用されている。
このＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成した従来のリフトピ
ンは、１００μm程度の表面粗さをもつ。そして、本発
明者らはリフトピンの表面粗さを５μm以下とすること
で、気相成長中に生じる結晶欠陥やパーティクルの発生
を抑制できることが判り、本発明を想到するに至った。
め、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、気相成長中に
生じる結晶欠陥やパーティクルの原因の一つとして、リ
フトピンが摺動して生じる摩耗粉に注目した。従来のリ
フトピンとしては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n；化学的気相成長）法により基材の表面にＳｉＣ（Sil
icon Carbide）膜を形成させたものが使用されている。
このＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成した従来のリフトピ
ンは、１００μm程度の表面粗さをもつ。そして、本発
明者らはリフトピンの表面粗さを５μm以下とすること
で、気相成長中に生じる結晶欠陥やパーティクルの発生
を抑制できることが判り、本発明を想到するに至った。
【０００７】即ち、本発明の気相成長装置は、反応容器
内に基板を載置するサセプタを備え、該サセプタに座ぐ
り部を形成すると共に、該座ぐり部に設けられた貫通孔
に挿通してリフトピンが摺動自在に配設され、前記リフ
トピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることに
より、前記サセプタ上における基板の着脱を行う気相成
長装置において、前記リフトピンの前記サセプタとの摺
動面に研磨が施されていることを特徴とする。
内に基板を載置するサセプタを備え、該サセプタに座ぐ
り部を形成すると共に、該座ぐり部に設けられた貫通孔
に挿通してリフトピンが摺動自在に配設され、前記リフ
トピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることに
より、前記サセプタ上における基板の着脱を行う気相成
長装置において、前記リフトピンの前記サセプタとの摺
動面に研磨が施されていることを特徴とする。
【０００８】また、本発明において、前記リフトピンの
前記サセプタとの摺動面は、表面粗さ５μm以下に形成
することが好ましい。
前記サセプタとの摺動面は、表面粗さ５μm以下に形成
することが好ましい。
【０００９】また、本発明において、前記サセプタは、
前記リフトピンとの摺動面を表面粗さ５μm以下に形成
することが好ましい。
前記リフトピンとの摺動面を表面粗さ５μm以下に形成
することが好ましい。
【００１０】また、本発明において、前記リフトピンお
よび前記サセプタの表面は、ＳｉＣにより形成すること
が好ましい。
よび前記サセプタの表面は、ＳｉＣにより形成すること
が好ましい。
【００１１】本発明によれば、リフトピンのサセプタと
の摺動面に研磨が施されているために、リフトピンを昇
降させて基板をサセプタ上に着脱する過程で、リフトピ
ンがより滑らかに摺動するようになる。即ち、リフトピ
ンの表面から生じる摩耗粉を大幅に低減できる。これに
より、反応容器内で摩耗粉が飛散することが低減され、
摩耗粉等の異物が基板に付着することを大幅に低減でき
る。従って、基板上に気相成長させる薄膜に結晶欠陥や
パーティクルが生じることを大幅に低減できる。
の摺動面に研磨が施されているために、リフトピンを昇
降させて基板をサセプタ上に着脱する過程で、リフトピ
ンがより滑らかに摺動するようになる。即ち、リフトピ
ンの表面から生じる摩耗粉を大幅に低減できる。これに
より、反応容器内で摩耗粉が飛散することが低減され、
摩耗粉等の異物が基板に付着することを大幅に低減でき
る。従って、基板上に気相成長させる薄膜に結晶欠陥や
パーティクルが生じることを大幅に低減できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図１〜６を参照して、本発
明の実施の形態の気相成長装置１０を詳細に説明する。
図１に示すように、この気相成長装置１０は枚葉式のリ
アクターとしての機能を備えており、反応容器１１内に
サセプタ１２を備える。このサセプタ１２はその上面に
座ぐり部１２ａを備え、この座ぐり部１２ａの底面１２
ｃにシリコンウェーハ（基板）２０（以下ウェーハ２
０）を載置させる。また、サセプタ１２は背面からサポ
ート手段Ｐにより支えられている。このサポート手段Ｐ
は回転軸１４を備え、この回転軸１４は矢印ａで示す上
下方向に移動可能に配設されていると共に、矢印ｂで示
す方向に回転可能に配設されている。この回転軸１４の
先端部から複数のスポーク１５が放射状に分岐してい
る。これらスポーク１５の先端には垂直ピン１５ｂが設
けられ、この垂直ピン１５ｂの先端がサセプタ１２の裏
面に形成された凹部１２ｄに嵌入されている。
明の実施の形態の気相成長装置１０を詳細に説明する。
図１に示すように、この気相成長装置１０は枚葉式のリ
アクターとしての機能を備えており、反応容器１１内に
サセプタ１２を備える。このサセプタ１２はその上面に
座ぐり部１２ａを備え、この座ぐり部１２ａの底面１２
ｃにシリコンウェーハ（基板）２０（以下ウェーハ２
０）を載置させる。また、サセプタ１２は背面からサポ
ート手段Ｐにより支えられている。このサポート手段Ｐ
は回転軸１４を備え、この回転軸１４は矢印ａで示す上
下方向に移動可能に配設されていると共に、矢印ｂで示
す方向に回転可能に配設されている。この回転軸１４の
先端部から複数のスポーク１５が放射状に分岐してい
る。これらスポーク１５の先端には垂直ピン１５ｂが設
けられ、この垂直ピン１５ｂの先端がサセプタ１２の裏
面に形成された凹部１２ｄに嵌入されている。
【００１３】また、サセプタ１２はリフトピン１３を備
え、このリフトピン１３はその頭部１３ａが拡径されて
いる。このリフトピン１３は、座ぐり部１２ａの底面１
２ｃに設けられた貫通孔１２ｂに挿通され、その頭部１
３ａが座ぐり部１２ａの底面１２ｃに臨むように配設さ
れている。さらに、リフトピン１３の軸部１３ｂはスポ
ーク１５に設けられた貫通孔１５ａを貫通している。
え、このリフトピン１３はその頭部１３ａが拡径されて
いる。このリフトピン１３は、座ぐり部１２ａの底面１
２ｃに設けられた貫通孔１２ｂに挿通され、その頭部１
３ａが座ぐり部１２ａの底面１２ｃに臨むように配設さ
れている。さらに、リフトピン１３の軸部１３ｂはスポ
ーク１５に設けられた貫通孔１５ａを貫通している。
【００１４】ところで、上記リフトピン１３は、ＳｉＣ
からなる基材の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成し
た後、その表面の粗さが５μm以下となるまで研磨され
ている。また、サセプタ１２は、カーボンからなる基材
の表面にＳｉＣ膜を形成して構成されている。また、本
実施の形態のサセプタ１２では、リフトピン１３と摺動
する部分についてはその表面粗さが５μm以下に研磨さ
れている。より具体的には、サセプタ１２の貫通孔１２
ｂはその内面が表面粗さ５μm以下に研磨されている。
からなる基材の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を形成し
た後、その表面の粗さが５μm以下となるまで研磨され
ている。また、サセプタ１２は、カーボンからなる基材
の表面にＳｉＣ膜を形成して構成されている。また、本
実施の形態のサセプタ１２では、リフトピン１３と摺動
する部分についてはその表面粗さが５μm以下に研磨さ
れている。より具体的には、サセプタ１２の貫通孔１２
ｂはその内面が表面粗さ５μm以下に研磨されている。
【００１５】このような気相成長装置１０により、以下
の通りにしてウェーハ２０上にシリコン等の単結晶薄膜
をエピタキシャル成長させることができる。先ず、図１
に示すように、リフトピン１３の後端を反応容器１１の
底面に当接させた状態で、サポート手段Ｐを下降させる
と、リフトピン１３の頭部１３ａは座ぐり部１２ａの底
面１２ｃから突き出される。この頭部１３ａにウェーハ
２０をその裏面２１が接触するように載置する。この状
態でサポート手段Ｐを上昇させると、リフトピン１３の
軸部１３ｂが貫通孔１２ｂの内面と摺動しながら、サセ
プタ１２が上昇する。そしてリフトピン１３の頭部１３
ａが座ぐり部１２ａの底面１２ｃに没入するまでサセプ
タ１２を上昇させると、ウェーハ２０が座ぐり部１２ａ
の底面１２ｃに載置される。さらにサポート手段Ｐを上
昇させて、図２に示すように、所定高さにウェーハ２０
を位置させる。
の通りにしてウェーハ２０上にシリコン等の単結晶薄膜
をエピタキシャル成長させることができる。先ず、図１
に示すように、リフトピン１３の後端を反応容器１１の
底面に当接させた状態で、サポート手段Ｐを下降させる
と、リフトピン１３の頭部１３ａは座ぐり部１２ａの底
面１２ｃから突き出される。この頭部１３ａにウェーハ
２０をその裏面２１が接触するように載置する。この状
態でサポート手段Ｐを上昇させると、リフトピン１３の
軸部１３ｂが貫通孔１２ｂの内面と摺動しながら、サセ
プタ１２が上昇する。そしてリフトピン１３の頭部１３
ａが座ぐり部１２ａの底面１２ｃに没入するまでサセプ
タ１２を上昇させると、ウェーハ２０が座ぐり部１２ａ
の底面１２ｃに載置される。さらにサポート手段Ｐを上
昇させて、図２に示すように、所定高さにウェーハ２０
を位置させる。
【００１６】こうして反応容器１１内にウェーハ２０を
載置し、回転軸１４を回転させることでウェーハ２０を
回転させると共に、赤外線ランプ１６によりウェーハ２
０を上下から加熱しながら、ウェーハ２０上に単結晶薄
膜をエピタキシャル成長させる。この際、上方に設けら
れる供給管１１ａからは、キャリアガスとなるＨ2ガス
と共に原料ガスを供給する。また、下方に設けられる供
給管１１ｂからは、パージガスとなるＨ2ガスを上記原
料ガスよりも高圧で供給する。これにより、原料ガスが
サセプタ１２の下方に進入せずに、ウェーハ２０の表面
にほぼ層流を形成しながら供給される。
載置し、回転軸１４を回転させることでウェーハ２０を
回転させると共に、赤外線ランプ１６によりウェーハ２
０を上下から加熱しながら、ウェーハ２０上に単結晶薄
膜をエピタキシャル成長させる。この際、上方に設けら
れる供給管１１ａからは、キャリアガスとなるＨ2ガス
と共に原料ガスを供給する。また、下方に設けられる供
給管１１ｂからは、パージガスとなるＨ2ガスを上記原
料ガスよりも高圧で供給する。これにより、原料ガスが
サセプタ１２の下方に進入せずに、ウェーハ２０の表面
にほぼ層流を形成しながら供給される。
【００１７】こうしてエピタキシャル成長が終了したウ
ェーハ２０を、サセプタ１２から取り出すには、サポー
ト手段Ｐを下降させる。サポート手段Ｐを下降させてい
くと、リフトピン１３の後端が反応容器１１の底面に当
接し、さらにサポート手段Ｐを下降させることで、ウェ
ーハ２０の裏面２１に当接したリフトピン１３の頭部１
３ａが、ウェーハ２０を座ぐり部１２ａから上方に突き
出す（図１にウェーハ２０を突き出した状態を図示）。
こうしてウェーハ２０を突き出した状態で、サセプタ１
２とウェーハ２０との間に図示しないハンドラを挿入
し、ウェーハ２０の受け渡しおよび搬送を行う。なお、
図１および図２では、リフトピン１３のうち二本だけを
断面により図示しているが、リフトピン１３は互いに等
間隔に離間する三箇所に配設されており、ウェーハ２０
を三点から突き出すように構成されている。
ェーハ２０を、サセプタ１２から取り出すには、サポー
ト手段Ｐを下降させる。サポート手段Ｐを下降させてい
くと、リフトピン１３の後端が反応容器１１の底面に当
接し、さらにサポート手段Ｐを下降させることで、ウェ
ーハ２０の裏面２１に当接したリフトピン１３の頭部１
３ａが、ウェーハ２０を座ぐり部１２ａから上方に突き
出す（図１にウェーハ２０を突き出した状態を図示）。
こうしてウェーハ２０を突き出した状態で、サセプタ１
２とウェーハ２０との間に図示しないハンドラを挿入
し、ウェーハ２０の受け渡しおよび搬送を行う。なお、
図１および図２では、リフトピン１３のうち二本だけを
断面により図示しているが、リフトピン１３は互いに等
間隔に離間する三箇所に配設されており、ウェーハ２０
を三点から突き出すように構成されている。
【００１８】［実施例］ＣＶＤ法によりリフトピン１３
の表面にＳｉＣ膜を所定膜厚に形成し、グラインダによ
りその表面粗さが最も大きな値を示す部分で５μmとな
るまで研磨した。この研磨はリフトピン１３の表面全体
に渡って行った。なお、リフトピン１３の研磨面を切断
してその表面近傍をＳＥＭ（Scanning Electron Micros
cope：走査型電子顕微鏡）により観察し、研磨面の凹凸
を実測することにより表面粗さが５μm以下まで研磨さ
れていることを確認した。また、グラインダによる研磨
には、リフトピン１３の表面にＳｉＣ膜を形成している
ことを考慮して同一の材質からなるＳｉＣの砥石を使用
した（以下「共擦り」と称す）。このように共擦りする
ことで、ＳｉＣ膜の研磨面へ異物が混入することを防止
できる。こうして研磨した表面を洗浄することにより研
磨粉を充分に除去して、リフトピン１３を得た。また、
サセプタ１２の貫通孔１２ｂの内面についても同様に表
面粗さ５μm以下に研磨した。
の表面にＳｉＣ膜を所定膜厚に形成し、グラインダによ
りその表面粗さが最も大きな値を示す部分で５μmとな
るまで研磨した。この研磨はリフトピン１３の表面全体
に渡って行った。なお、リフトピン１３の研磨面を切断
してその表面近傍をＳＥＭ（Scanning Electron Micros
cope：走査型電子顕微鏡）により観察し、研磨面の凹凸
を実測することにより表面粗さが５μm以下まで研磨さ
れていることを確認した。また、グラインダによる研磨
には、リフトピン１３の表面にＳｉＣ膜を形成している
ことを考慮して同一の材質からなるＳｉＣの砥石を使用
した（以下「共擦り」と称す）。このように共擦りする
ことで、ＳｉＣ膜の研磨面へ異物が混入することを防止
できる。こうして研磨した表面を洗浄することにより研
磨粉を充分に除去して、リフトピン１３を得た。また、
サセプタ１２の貫通孔１２ｂの内面についても同様に表
面粗さ５μm以下に研磨した。
【００１９】こうして得られたリフトピン１３を枚葉式
の気相成長装置１０に使用し、エピタキシャル成長が終
了して気相成長装置１０から取り出した各ウェーハ２０
上のパーティクル数を計測した結果を図３、図４に示
す。パーティクルの計測は光散乱式のウェーハパーティ
クル検査装置により行った。なお、表面近傍に生じる結
晶欠陥も、光散乱式のウェーハパーティクル検査装置に
より、パーティクルとして計測される。また、図３は
０．１３μmより大きいパーティクルを計測した結果で
あり、図４は２０μmより大きいパーティクルを計測し
た結果である。また、図３、図４において、横軸は計測
されたパーティクルの数を示しており、縦軸はウェーハ
２０の枚数を示している。また、計測したウェーハ２０
のＮ数は５５７４枚であった。図３と図４の何れにおい
ても、パーティクルが全く計測されないウェーハが最も
多く、パーティクルの増加に伴ってウェーハ枚数が次第
に減少していく傾向であった。そして、図３に示すよう
に、０．１３μmより大きいパーティクルを計測した場
合、パーティクルが全く計測されなかったウェーハが全
体のほぼ５０％を占め、ウェーハ１枚当たりに計測され
たパーティクルの平均値は１．１６ヶ／ウェーハであ
り、標準偏差は２．１０であった。また、図４に示すよ
うに、２０μmより大きいパーティクルを計測した場
合、パーティクルが全く計測されなかったウェーハが全
体のほぼ９５％を占め、パーティクルの平均値は０．０
６ヶ／ウェーハであり、標準偏差は０．２９であった。
の気相成長装置１０に使用し、エピタキシャル成長が終
了して気相成長装置１０から取り出した各ウェーハ２０
上のパーティクル数を計測した結果を図３、図４に示
す。パーティクルの計測は光散乱式のウェーハパーティ
クル検査装置により行った。なお、表面近傍に生じる結
晶欠陥も、光散乱式のウェーハパーティクル検査装置に
より、パーティクルとして計測される。また、図３は
０．１３μmより大きいパーティクルを計測した結果で
あり、図４は２０μmより大きいパーティクルを計測し
た結果である。また、図３、図４において、横軸は計測
されたパーティクルの数を示しており、縦軸はウェーハ
２０の枚数を示している。また、計測したウェーハ２０
のＮ数は５５７４枚であった。図３と図４の何れにおい
ても、パーティクルが全く計測されないウェーハが最も
多く、パーティクルの増加に伴ってウェーハ枚数が次第
に減少していく傾向であった。そして、図３に示すよう
に、０．１３μmより大きいパーティクルを計測した場
合、パーティクルが全く計測されなかったウェーハが全
体のほぼ５０％を占め、ウェーハ１枚当たりに計測され
たパーティクルの平均値は１．１６ヶ／ウェーハであ
り、標準偏差は２．１０であった。また、図４に示すよ
うに、２０μmより大きいパーティクルを計測した場
合、パーティクルが全く計測されなかったウェーハが全
体のほぼ９５％を占め、パーティクルの平均値は０．０
６ヶ／ウェーハであり、標準偏差は０．２９であった。
【００２０】［比較例］従来のリフトピンを使用して枚
葉式の気相成長装置によりエピタキシャル成長させた結
果を図５、図６に示す。このリフトピンは、ＣＶＤ法に
よりその表面全体にＳｉＣ膜を形成したそのままの状態
で使用し、その表面粗さは最も大きな値を示す部分で１
００μm程度であった。なお、図５は０．１３μmより大
きいパーティクルについての結果であり、図６は２０μ
mより大きいパーティクルについての結果である。ま
た、横軸および縦軸は図３、図４と同様であり、計測し
たウェーハのＮ数は１１４９３枚であった。図５および
図６においても、図３および図４と同様に、パーティク
ルの増加に伴ってウェーハ枚数が次第に減少していく傾
向であった。ただし、図５に示すように、０．１３μm
より大きいパーティクルを計測した場合、パーティクル
が全く計測されなかったウェーハは全体のほぼ３５％程
度であり、パーティクルの平均値は１．７５ヶ／ウェー
ハであり、標準偏差は２．７３であった。また、図６に
示すように、２０μmより大きいパーティクルを計測し
た場合、パーティクルが全く計測されなかったウェーハ
は全体のほぼ９０％程度であり、パーティクルの平均値
は０．１３ヶ／ウェーハであり、標準偏差は０．４５で
あった。
葉式の気相成長装置によりエピタキシャル成長させた結
果を図５、図６に示す。このリフトピンは、ＣＶＤ法に
よりその表面全体にＳｉＣ膜を形成したそのままの状態
で使用し、その表面粗さは最も大きな値を示す部分で１
００μm程度であった。なお、図５は０．１３μmより大
きいパーティクルについての結果であり、図６は２０μ
mより大きいパーティクルについての結果である。ま
た、横軸および縦軸は図３、図４と同様であり、計測し
たウェーハのＮ数は１１４９３枚であった。図５および
図６においても、図３および図４と同様に、パーティク
ルの増加に伴ってウェーハ枚数が次第に減少していく傾
向であった。ただし、図５に示すように、０．１３μm
より大きいパーティクルを計測した場合、パーティクル
が全く計測されなかったウェーハは全体のほぼ３５％程
度であり、パーティクルの平均値は１．７５ヶ／ウェー
ハであり、標準偏差は２．７３であった。また、図６に
示すように、２０μmより大きいパーティクルを計測し
た場合、パーティクルが全く計測されなかったウェーハ
は全体のほぼ９０％程度であり、パーティクルの平均値
は０．１３ヶ／ウェーハであり、標準偏差は０．４５で
あった。
【００２１】以上の本実施例と比較例とのデータから、
本実施例のリフトピン１３を使用すると、従来のリフト
ピンを使用するよりも、エピタキシャル成長後に計測さ
れるパーティクル数が低減されることが判る。即ち、図
３と図５を比較すると、比較例ではパーティクルが全く
計測されなかったウェーハが全体の３５％程度であった
のに対して、本実施例ではパーティクルが全く計測され
なかったウェーハが全体の５０％程度に増加することが
判る。また、比較例ではパーティクルの平均値が１．７
５ヶ／ウェーハであったのに対して、本実施例では１．
１６ヶ／ウェーハに低減される。さらに、比較例では標
準偏差が２．７３であったのに対して、本実施例では標
準偏差が２．１０に低減される。同様に、図４と図６を
比較すると、パーティクルが全く計測されなかったウェ
ーハが、従来、全体の９０％程度だったものが、本実施
例では９５％程度に増加する。また、パーティクルの平
均値が０．１３ヶ／ウェーハから０．０６ヶ／ウェーハ
に低減されると共に、標準偏差が０．４５から０．２９
に低減される。こうして、エピタキシャル成長中に発生
する摩耗粉を低減することにより、パーティクルの付着
や結晶欠陥の形成が低減されたエピタキシャルウェーハ
を高い歩留まりで得ることができる。
本実施例のリフトピン１３を使用すると、従来のリフト
ピンを使用するよりも、エピタキシャル成長後に計測さ
れるパーティクル数が低減されることが判る。即ち、図
３と図５を比較すると、比較例ではパーティクルが全く
計測されなかったウェーハが全体の３５％程度であった
のに対して、本実施例ではパーティクルが全く計測され
なかったウェーハが全体の５０％程度に増加することが
判る。また、比較例ではパーティクルの平均値が１．７
５ヶ／ウェーハであったのに対して、本実施例では１．
１６ヶ／ウェーハに低減される。さらに、比較例では標
準偏差が２．７３であったのに対して、本実施例では標
準偏差が２．１０に低減される。同様に、図４と図６を
比較すると、パーティクルが全く計測されなかったウェ
ーハが、従来、全体の９０％程度だったものが、本実施
例では９５％程度に増加する。また、パーティクルの平
均値が０．１３ヶ／ウェーハから０．０６ヶ／ウェーハ
に低減されると共に、標準偏差が０．４５から０．２９
に低減される。こうして、エピタキシャル成長中に発生
する摩耗粉を低減することにより、パーティクルの付着
や結晶欠陥の形成が低減されたエピタキシャルウェーハ
を高い歩留まりで得ることができる。
【００２２】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではない。例えば、本発明のリフトピン１３とし
てはその表面全体を研磨しても良いし、ウェーハ２０を
座ぐり部１２ａの底面１２ｃに載置させたり、ウェーハ
２０を座ぐり部１２ａの底面１２ｃから突き出すとき
に、リフトピン１３の表面が摺動する部分だけを研磨し
ても良い。また、本実施例ではリフトピン１３をＳｉＣ
による共擦りにより研磨したが、その他の手段を用いて
も良く、例えば、ダイヤモンド等のＳｉＣよりも硬い材
質により、リフトピン１３を研磨しても良い。その他、
本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、適宜に変更可
能であることは勿論である。
るものではない。例えば、本発明のリフトピン１３とし
てはその表面全体を研磨しても良いし、ウェーハ２０を
座ぐり部１２ａの底面１２ｃに載置させたり、ウェーハ
２０を座ぐり部１２ａの底面１２ｃから突き出すとき
に、リフトピン１３の表面が摺動する部分だけを研磨し
ても良い。また、本実施例ではリフトピン１３をＳｉＣ
による共擦りにより研磨したが、その他の手段を用いて
も良く、例えば、ダイヤモンド等のＳｉＣよりも硬い材
質により、リフトピン１３を研磨しても良い。その他、
本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、適宜に変更可
能であることは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、リフトピンのサセプタ
との摺動面に研磨が施されているために、リフトピンを
摺動させたときに生じる摩耗粉を大幅に低減できる。こ
れにより、リフトピンが摺動しても摩耗粉等の異物が基
板に付着せず、基板上に気相成長させる薄膜にパーティ
クルの付着や結晶欠陥が生じることを大幅に低減でき
る。
との摺動面に研磨が施されているために、リフトピンを
摺動させたときに生じる摩耗粉を大幅に低減できる。こ
れにより、リフトピンが摺動しても摩耗粉等の異物が基
板に付着せず、基板上に気相成長させる薄膜にパーティ
クルの付着や結晶欠陥が生じることを大幅に低減でき
る。
【図１】本発明を適用した一実施形態の気相成長装置１
０であり、ウェーハ２０を座ぐり部１２ａから上方に突
き出した様子を示す図である。
０であり、ウェーハ２０を座ぐり部１２ａから上方に突
き出した様子を示す図である。
【図２】図１の気相成長装置１０であり、ウェーハ２０
を座ぐり部１２ａに収容した状態を示す図である。
を座ぐり部１２ａに収容した状態を示す図である。
【図３】本実施例のリフトピンを使用して得られたエピ
タキシャルウェーハについて、０．１３μmより大きい
パーティクルを計測した結果を示すグラフである。
タキシャルウェーハについて、０．１３μmより大きい
パーティクルを計測した結果を示すグラフである。
【図４】本実施例のリフトピンを使用して得られたエピ
タキシャルウェーハについて、２０μmより大きいパー
ティクルを計測した結果を示すグラフである。
タキシャルウェーハについて、２０μmより大きいパー
ティクルを計測した結果を示すグラフである。
【図５】従来のリフトピンを使用して得られたエピタキ
シャルウェーハについて、０．１３μmより大きいパー
ティクルを計測した結果を示すグラフである。
シャルウェーハについて、０．１３μmより大きいパー
ティクルを計測した結果を示すグラフである。
【図６】従来のリフトピンを使用して得られたエピタキ
シャルウェーハについて、２０μmより大きいパーティ
クルを計測した結果を示すグラフである。
シャルウェーハについて、２０μmより大きいパーティ
クルを計測した結果を示すグラフである。
１０ 気相成長装置 １１ 反応容器 １２ サセプタ １２ａ 座ぐり部 １２ｂ 貫通孔 １３ リフトピン ２０ シリコンウェーハ（基板） ２１ シリコンウェーハの裏面
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 DB01 EG04 TF03 TF04 4K030 BA37 CA04 GA02 GA12 KA46 5F031 CA02 HA02 HA03 HA12 HA33 HA58 HA59 KA03 MA28 PA26 5F045 BB15 DP02 EM01 EM06 EM09 EM10
Claims (4)
- 【請求項１】 反応容器内に基板を載置するサセプタを
備え、該サセプタに座ぐり部を形成すると共に、該座ぐ
り部に設けられた貫通孔に挿通してリフトピンが摺動自
在に配設され、前記リフトピンを昇降させて前記基板の
裏面と接離させることにより、前記サセプタ上における
基板の着脱を行う気相成長装置において、 前記リフトピンの前記サセプタとの摺動面に研磨が施さ
れていることを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記リフトピンの前記サセプタとの摺動
面は、表面粗さ５μm以下に形成されていることを特徴
とする請求項１記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記サセプタは、前記リフトピンとの摺
動面が表面粗さ５μm以下に形成されていることを特徴
とする請求項１または２記載の気相成長装置。 - 【請求項４】 前記リフトピンおよび前記サセプタの表
面は、ＳｉＣにより形成されていることを特徴とする請
求項１〜３のいずれか一つに記載の気相成長装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100848A JP3931578B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 気相成長装置 |
| DE60223514T DE60223514T2 (de) | 2001-03-30 | 2002-03-14 | Gasphasen-aufwachseinrichtung |
| KR1020027016086A KR100781912B1 (ko) | 2001-03-30 | 2002-03-14 | 기상 성장 장치 |
| EP02705172A EP1376665B1 (en) | 2001-03-30 | 2002-03-14 | Gaseous phase growing device |
| PCT/JP2002/002405 WO2002082516A1 (fr) | 2001-03-30 | 2002-03-14 | Dispositif de croissance de phase gazeuse |
| US10/276,092 US20030075109A1 (en) | 2001-03-30 | 2002-03-14 | Vapor phase growth apparatus |
| TW091105056A TW521326B (en) | 2001-03-30 | 2002-03-18 | Vapor phase growing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100848A JP3931578B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299260A true JP2002299260A (ja) | 2002-10-11 |
| JP3931578B2 JP3931578B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=18954247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001100848A Expired - Fee Related JP3931578B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 気相成長装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030075109A1 (ja) |
| EP (1) | EP1376665B1 (ja) |
| JP (1) | JP3931578B2 (ja) |
| KR (1) | KR100781912B1 (ja) |
| DE (1) | DE60223514T2 (ja) |
| TW (1) | TW521326B (ja) |
| WO (1) | WO2002082516A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513027A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体処理チャンバ |
| JP2016092130A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 株式会社Sumco | リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2016194291A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン |
| CN114078680A (zh) * | 2020-08-20 | 2022-02-22 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
| JP2022047493A (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6776873B1 (en) * | 2002-02-14 | 2004-08-17 | Jennifer Y Sun | Yttrium oxide based surface coating for semiconductor IC processing vacuum chambers |
| US20050160992A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Applied Materials, Inc. | Substrate gripping apparatus |
| US20050176252A1 (en) * | 2004-02-10 | 2005-08-11 | Goodman Matthew G. | Two-stage load for processing both sides of a wafer |
| US7906234B2 (en) * | 2005-08-18 | 2011-03-15 | Panasonic Corporation | All-solid-state lithium secondary cell and method of manufacturing the same |
| JP5065660B2 (ja) | 2005-12-02 | 2012-11-07 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 半導体処理 |
| US10242888B2 (en) | 2007-04-27 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing apparatus with a ceramic-comprising surface which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| US10622194B2 (en) | 2007-04-27 | 2020-04-14 | Applied Materials, Inc. | Bulk sintered solid solution ceramic which exhibits fracture toughness and halogen plasma resistance |
| JP5092975B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2012-12-05 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP5275935B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2013-08-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| US9905443B2 (en) * | 2011-03-11 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Reflective deposition rings and substrate processing chambers incorporating same |
| US20140007808A1 (en) * | 2011-07-05 | 2014-01-09 | Epicrew Corporation | Susceptor Device And Deposition Apparatus Having The Same |
| KR101670807B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2016-11-01 | 한국기계연구원 | 고온 국부가열 방식의 서셉터 및 이를 갖는 히팅 장치 |
| KR101548903B1 (ko) * | 2015-03-19 | 2015-09-04 | (주)코미코 | 리프트 핀 및 이의 제조 방법 |
| TWI729101B (zh) * | 2016-04-02 | 2021-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於旋轉料架基座中的晶圓旋轉的設備及方法 |
| WO2018142788A1 (ja) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 株式会社Sumco | リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| CN114695234A (zh) * | 2020-12-31 | 2022-07-01 | 拓荆科技股份有限公司 | 保护机构及保护晶圆和销的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167034U (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-22 | ||
| JPH06318630A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-11-15 | Applied Materials Inc | サセプタ駆動及びウエハ変位機構 |
| JP2000026192A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722489A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-24 | Toshiba Corp | ウェハーフォーク |
| US6035101A (en) * | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
| US6063202A (en) * | 1997-09-26 | 2000-05-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for backside and edge exclusion of polymer film during chemical vapor deposition |
| JPH11104950A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電極板及びその製造方法 |
| US5931666A (en) * | 1998-02-27 | 1999-08-03 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Slip free vertical rack design having rounded horizontal arms |
| US6596086B1 (en) * | 1998-04-28 | 2003-07-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Apparatus for thin film growth |
| US6146504A (en) * | 1998-05-21 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support and lift apparatus and method |
| JP4402763B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2010-01-20 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | エピタキシャルウェーハ製造装置 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001100848A patent/JP3931578B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-14 EP EP02705172A patent/EP1376665B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-14 WO PCT/JP2002/002405 patent/WO2002082516A1/ja active IP Right Grant
- 2002-03-14 DE DE60223514T patent/DE60223514T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-14 KR KR1020027016086A patent/KR100781912B1/ko active IP Right Grant
- 2002-03-14 US US10/276,092 patent/US20030075109A1/en not_active Abandoned
- 2002-03-18 TW TW091105056A patent/TW521326B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01167034U (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-22 | ||
| JPH06318630A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-11-15 | Applied Materials Inc | サセプタ駆動及びウエハ変位機構 |
| JP2000026192A (ja) * | 1998-04-28 | 2000-01-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 薄膜成長装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009513027A (ja) * | 2005-10-24 | 2009-03-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体処理チャンバ |
| JP2016092130A (ja) * | 2014-10-31 | 2016-05-23 | 株式会社Sumco | リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| WO2016194291A1 (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン |
| JP2016225444A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン |
| KR20170137917A (ko) | 2015-05-29 | 2017-12-13 | 가부시키가이샤 사무코 | 에피택셜 성장 장치, 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법 및 에피택셜 성장 장치용 리프트 핀 |
| US11208718B2 (en) | 2015-05-29 | 2021-12-28 | Sumco Corporation | Epitaxial growth device, production method for epitaxial wafer, and lift pin for epitaxial growth device |
| CN114078680A (zh) * | 2020-08-20 | 2022-02-22 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
| CN114078680B (zh) * | 2020-08-20 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
| JP2022047493A (ja) * | 2020-09-11 | 2022-03-24 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
| JP7203158B2 (ja) | 2020-09-11 | 2023-01-12 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1376665A4 (en) | 2006-11-22 |
| JP3931578B2 (ja) | 2007-06-20 |
| DE60223514D1 (de) | 2007-12-27 |
| KR100781912B1 (ko) | 2007-12-04 |
| US20030075109A1 (en) | 2003-04-24 |
| EP1376665B1 (en) | 2007-11-14 |
| TW521326B (en) | 2003-02-21 |
| WO2002082516A1 (fr) | 2002-10-17 |
| EP1376665A1 (en) | 2004-01-02 |
| DE60223514T2 (de) | 2008-09-18 |
| KR20030007719A (ko) | 2003-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002299260A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN107851560B (zh) | 基座、外延生长装置、及外延晶圆 | |
| US6596086B1 (en) | Apparatus for thin film growth | |
| US7214271B2 (en) | Silicon single crystal wafer process apparatus, silicon single crystal wafer, and manufacturing method of silicon epitaxial wafer | |
| TWI417988B (zh) | Pneumatic growth device base | |
| JP4661982B2 (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
| JP2007084428A (ja) | エピタキシャルシリコンウェハおよびエピタキシャルシリコンウェハの製造方法 | |
| WO2005034219A1 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びシリコンエピタキシャルウェーハ | |
| JP5834632B2 (ja) | サセプタ、該サセプタを用いた気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2016225444A (ja) | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン | |
| JP5347288B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP5375768B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2004119859A (ja) | サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 | |
| JP2010147080A (ja) | 気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2004356416A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2005183908A (ja) | 半導体製造装置及びこれを利用した半導体基板の薄膜形成方法 | |
| JP2006041028A (ja) | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2016225445A (ja) | エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン | |
| US20230268186A1 (en) | Systems and methods for producing epitaxial wafers | |
| JP5206613B2 (ja) | エピタキシャルウェーハ用サセプタ、およびその製造方法、並びにそれを用いたエピタキシャル成長装置 | |
| JPH11238780A (ja) | 半導体シリコンウエーハ搬送保持具およびこれを用いた半導体プロセス装置 | |
| CN116288692A (zh) | 外延处理期间承载硅片的基座及硅片的外延的设备和方法 | |
| JP2003197547A (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP2020205386A (ja) | 半導体ウェーハ搬送治具およびそれを用いた搬送方法 | |
| WO2007000824A1 (ja) | 半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060808 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061005 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070305 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3931578 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100323 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110323 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120323 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120323 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130323 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140323 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |