WO2007000824A1 - 半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置 - Google Patents

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Akira Okabe
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Definitions

  • the present invention relates to a reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus. Specifically, the present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus reaction chamber and a semiconductor manufacturing apparatus that can reduce pollutants such as fine dust.
  • Substrates having a fine V and a complete crystal surface obtained by depositing and growing an epitaxial layer on the surface of a semiconductor substrate are often used in MPUs and memory ICs.
  • a wafer is taken out from a wafer cassette at room temperature stored in a load lock chamber to a transfer chamber by a transfer robot or the like placed in the transfer chamber, and Transfer to the reaction chamber.
  • a transfer robot or the like placed in the transfer chamber, and Transfer to the reaction chamber.
  • SiCl is deposited on a silicon substrate heated to a high temperature.
  • a reactive gas containing a material gas such as 4 and a carrier gas such as hydrogen is supplied to deposit and grow a silicon single crystal on a silicon substrate (CVD (chemical vapor deposition) method). After the growth, the wafer is pulled out of the reaction chamber by a transfer robot or the like, and returned to the force to be loaded into another processing chamber or the load lock chamber.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the reaction furnace 101 described in JP-A-6-318630 includes a reaction chamber 102, a drive mechanism (not shown), an upper quartz window 105, a lower quartz window 106, and a stainless steel base ring. 107, including an access port 108 for the robot arm formed through the base ring, and the reaction chamber 102 houses a susceptor 103 that supports the wafer 104 thereon.
  • the susceptor 103 rotates during semiconductor processing operations, and this rotation is a hollow drive shaft 110 for driving a susceptor support cradle 109 that rotates the susceptor 103. This is done by a rotation drive device (not shown) of a drive mechanism (not shown).
  • the susceptor support cradle 109 includes a centering pin 111 and a support arm 112.
  • the wafer support cradle 113 also includes a hollow shaft 114 that has a sufficiently large inner diameter to accommodate the hollow drive shaft 110.
  • the wafer support cradle 113 also includes an arm 115.
  • a flat pad 116 is disposed at the free end of each arm 115.
  • Wafer support pins 117 pass through holes 118 in the susceptor and holes 119 in the support arm 112 of the susceptor support cradle 109.
  • FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view of a conventional reactor.
  • the conventional reaction furnace moves the susceptor support cradle and the wafer support cradle up and down when the wafer is loaded into the reaction chamber and the reaction chamber force is unloaded. These vibrations generate particles, and the generation of particles can be sufficiently reduced.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing apparatus capable of reducing the generation of particles. .
  • the reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention has an opening formed at a predetermined location, a support that is movable in the vertical direction, and the insertion through the opening.
  • the movement of the lifting member is restricted by simply moving the support member downward by the restriction member fixed at a position corresponding to the opening below the support member, and the lifting member Can move upward relative to the support, lift the semiconductor substrate, and smoothly carry the substrate into and out of the reaction chamber. Moreover, since the regulating member is fixed, the vibration of the member in the reaction chamber is reduced.
  • ⁇ ⁇ “predetermined location” refers to the mounting position of the semiconductor substrate.
  • the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention has an opening formed at a predetermined location, a support that is movable in the vertical direction, and the insertion through the opening.
  • a vertically movable lifting member, a regulating member fixed at a position corresponding to the opening below the support, the support, the lifting member, and the regulating member are accommodated and reacted.
  • a semiconductor manufacturing apparatus comprising: a reaction chamber to which a gas is supplied; and a semiconductor substrate transport device that carries a semiconductor substrate onto the support and unloads the semiconductor substrate from the support, the semiconductor substrate transport device Is arranged outside the reaction chamber.
  • the movement of the lifting member is restricted only by moving the support downward by the restriction member fixed at a position corresponding to the opening below the support, and the lifting member Can move upward relative to the support, lift the semiconductor substrate, and smoothly carry the substrate into and out of the reaction chamber.
  • the regulating member is fixed, the vibration of the member in the reaction chamber is reduced.
  • the semiconductor substrate transfer device is disposed outside the reaction chamber, vibrations of members inside the reaction chamber are reduced.
  • the “predetermined location” here refers to the mounting position of the semiconductor substrate.
  • the reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention can reduce the generation of particles.
  • the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention can reduce the generation of particles.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus for processing a plurality of semiconductor substrates using a reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus to which the present invention is applied.
  • FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus using a reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus to which the present invention is applied.
  • FIG. 3 is a schematic explanatory view showing a procedure for placing a semiconductor substrate on a support.
  • FIG. 4 is a schematic sectional view of a conventional reactor.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus for processing a plurality of semiconductor substrates using a reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus to which the present invention is applied.
  • a disk-shaped support 3 on which a plurality of disk-shaped semiconductor substrates 4 are placed is disposed.
  • the support 3 can rotate.
  • the reaction chamber 1 is provided with a slit valve 5 at the inlet / outlet of the reaction chamber, and is connected to the transfer chamber 2 via the slit valve 5 that can be opened and closed.
  • a transfer robot 8 having a quartz robot blade 6 and a stainless steel robot arm 7 for transferring the semiconductor substrate 4 is disposed.
  • the transfer chamber 2 is connected to the port lock chamber 9. Further, a semiconductor substrate cassette 10 is disposed in the load lock chamber 9. The lower part of the semiconductor substrate cassette 10 is supported by a cassette elevating member (not shown), and a specific semiconductor substrate is transferred by making the cassette elevating member (not shown) movable in the vertical direction. Give it to the robot.
  • the transfer chamber 2 is connected to the cooling chamber 11, and in the cooling chamber 11, cooling gas is allowed to flow near the upper and lower surfaces of the semiconductor substrate 4 after film formation taken out from the reaction chamber 1 to cool the semiconductor substrate. Thereafter, the semiconductor substrate is returned to the semiconductor substrate cassette 10.
  • the cooling gas may be blown onto the semiconductor substrate. If the semiconductor substrate can be cooled, the cooling gas is not necessarily used.
  • FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus using a reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus to which the present invention is applied.
  • the reaction chamber 1 is composed of quartz glass 13 whose upper and lower portions are curved, and this quartz glass has its end fixed by a fastening tool 2A constituting the inner wall of the reaction chamber.
  • silicon carbide (SiC) and rod-shaped lift pins 14 are provided with holes 3 A (an example of an opening) in the support. Is going through.
  • a quartz regulating member 15 that regulates the downward movement of the lift pins 14 is fixed to the stainless steel fastener 2A.
  • the quartz glass may be flat, for example, without being curved. If the regulating member can be fixed to the fastener, it may be fixed directly to the fastener, or some It may be fixed via these parts.
  • the lift pin 14 is suspended away from the regulating member 15 and is held by the support 3 at this position. This holding is achieved by the lift pin head hanging on the inner wall of the hole 3A.
  • the support 3 is supported by the support member 12 in the substantially central region. The support member 12 can move up and down and can rotate, so that the support 3 can also move up and down and rotate.
  • the transfer robot includes a main body 16, a robot arm 7 connected to the main body 16, and a robot blade 6 connected to the robot arm 7. By rotating the robot arm, the transfer robot freely rotates and expands and contracts the robot blade, and transfers the semiconductor substrate to the reaction chamber, load lock chamber, and cooling chamber. In addition, the transfer robot can move up and down.
  • the lower quartz glass 13 is used.
  • a concave / convex shape may be formed on the base plate, and the convex portion may be disposed at a position corresponding to the opening below the support.
  • the regulating member does not necessarily have to be made of a light-transmitting material, but by being made of quartz, which is a light-transmitting material, the reaction chamber It can be used effectively for epitaxial deposition growth without blocking the light emitted from the heating lamp such as halogen lamps placed outside. If the semiconductor substrate can be lifted, the lifting member may be made of quartz.
  • the lifting member is inserted in the opening and can be moved in the vertical direction, the lifting member may not be rod-shaped, but if the lifting member is rod-shaped, the opening does not have to be enlarged. It is possible to suppress the occurrence of a temperature difference between the lifting member and the support.
  • FIGS. 3A to 3D are schematic explanatory views showing a procedure for placing the semiconductor substrate on the support.
  • the semiconductor substrate 4 is placed on the quartz robot blade 6 and the robot blade is transported in the loading direction 18, and the free end of the lift pin 14 suspended from the support 3 is placed on the regulating member 15. Until the support 3 moves downward.
  • One end of the lift pin 14 is placed on the restriction member 15 When the support body 3 is moved downward, the downward movement of the lift pin 14 is stopped, and the other end (head) of the lift pin 14 is positioned higher than the surface of the support body 3 on which the semiconductor substrate 4 is placed. ( Figure 3 (a)).
  • the reaction chamber for a semiconductor manufacturing apparatus to which the present invention is applied can carry the semiconductor substrate into and out of the reaction chamber by simply moving the support up and down,
  • the generation of particles can be reduced because fewer members are moved in the reaction chamber than in the reaction chamber.
  • the support is simply moved up and down in the reaction chamber, so that the processing time in the reaction chamber can be shortened and the processing speed is improved.
  • the configuration of the parts can be simplified accordingly, so that by-products do not adhere and maintenance is easy. Power can also keep manufacturing costs low.
  • the regulating member is made of quartz which is a translucent material, it does not block the light of an external force halogen lamp used for epitaxial layer precipitation growth.
  • the lifting member has a rod-like shape such as a lift pin, it is not necessary to enlarge the opening, and therefore it is possible to suppress the occurrence of a temperature difference between the lifting member and the support.

Abstract

　パーティクルの発生を低減することができる、半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置を提供する。所定箇所に開口部が形成されていると共に、上下方向に移動可能な支持体と、前記開口部に挿通された上下方向に移動可能な持上げ部材と、前記支持体の下方の前記開口部に対応する位置に固定された規制部材と、前記支持体、前記持上げ部材及び前記規制部材を収容すると共に反応ガスが供給される反応室とを備える半導体製造装置用反応室。

Description

明 細 書
半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置
技術分野
[0001] 本発明は半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置に関する。詳しくは、微 小なゴミ等の汚染物質を低減できる、半導体製造装置用反応室及び半導体製造装 置に係るものである。
背景技術
[0002] 半導体基板の表面にェピタキシャル層を析出成長させて得られた、微小欠陥のな V、完全結晶表面部を有する基板は、 MPUやメモリ ICにお 、て多く用いられて 、る。
[0003] このェピタキシャル層を析出成長させるため、一般的には、ウェハはロードロック室 に収納された室温のウェハカセットから、搬送室内に配置された搬送ロボット等により 搬送室へ取り出され、そして反応室内へ移送する。反応室内では、例えばシリコンェ ピタキシャル層を析出成長させる場合、高温に加熱されたシリコン基板上に、 SiCl
4 等の材料ガスと水素等のキャリアガスとを含む反応ガスを供給し、シリコン基板上に おいてシリコン単結晶を堆積させ、そして成長させる（CVD (ィ匕学気相成長）法)。成 長させた後、ウェハは搬送ロボット等によって反応室から引き出され、別の処理室内 に搬入される力 またはロードロック室内に戻される。
[0004] ところで、反応室内に配置されている部材同士の接触や部材の振動等によって発 生する「パーティクル」と呼ばれる粒子によって半導体基板の表面が汚染されると、半 導体基板の品質は低下するため、このような汚染の原因となるパーティクルの低減を 図るべく様々な技術が提案されて 、る。
[0005] 例えば、特開平 6— 318630号公報に記載の反応炉 101は、反応チャンバ 102、 駆動機構（図示せず。）、上の石英窓 105及び下の石英窓 106、ステンレス鋼のベー スリング 107、ベースリングを通して形成されたロボットアーム用のアクセスポート 108 を含んでおり、反応チャンバ 102は、ウェハ 104を上部に支持するサセプタ 103を収 納する。サセプタ 103は半導体処理操作の間、回転し、この回転は、サセプタ 103を 回転させるサセプタ支持用クレードル 109を駆動させるための中空駆動シャフト 110 を回転させる、駆動機構（図示せず。）の回転駆動装置（図示せず。 )によってなされ る。サセプタ支持用クレードル 109は心出し用ピン 111、支持アーム 112を含む。ま た、ウェハ支持用クレードル 113は中空シャフト 114を含み、この中空シャフト 114は 中空駆動シャフト 110を収容するために充分大きな内径を有している。ウェハ支持用 クレードル 113はアーム 115も備えている。各アーム 115の自由端には、平坦パッド 1 16が配置されている。ウェハ支持用ピン 117は、サセプタ内の穴 118及びサセプタ 支持用クレードル 109の支持アーム 112の穴 119を通過している。ウェハが反応チヤ ンバ内で処理されると、ロボットアーム用のアクセスポート 108を通って反応チャンバ 102内に入ってくるロボットアーム（図示せず。）により、ウェハはそこから除去される 力 ロボットアーム（図示せず。）が所定の場所に来ると、サセプタ支持用クレードル 1 09とウェハ支持用クレードル 113の両方は、共に下方に移動する。サセプタ 103は、 単にピン（図示せず。）の上に置かれ、ピン（図示せず。）及び心出し用ピン 111と共 に回転するので、サセプタの摩滅は生じない。その結果、不要な粒子は発生しない。 図 4に従来の反応炉の概略断面図を示す。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] し力しながら、従来の反応炉は、ウェハを反応チャンバに搬入したり反応チャンバ 力も搬出したりする場合に、サセプタ支持用クレードルとウェハ支持用クレードルを上 下に移動させているため、これらの振動によってパーティクルが発生し、パーティクル の発生を充分に低減できて 、なかった。
[0007] 本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであり、パーティクルの発生を低減す ることができる、半導体製造装置用反応室及び半導体製造装置を提供することを目 的とする。
課題を解決するための手段
[0008] 上記の目的を達成するために、本発明の半導体製造装置用反応室は、所定箇所 に開口部が形成されていると共に、上下方向に移動可能な支持体と、前記開口部に 挿通された上下方向に移動可能な持上げ部材と、前記支持体の下方の前記開口部 に対応する位置に固定された規制部材と、前記支持体、前記持上げ部材及び前記 規制部材を収容すると共に反応ガスが供給される反応室とを備える。
[0009] ここで、支持体の下方の開口部に対応する位置に固定された規制部材によって、 支持体を下方へ移動させるだけで、持上げ部材の下方への移動が規制され、持上 げ部材が支持体に対して相対的に上方向に移動し、半導体基板を持上げて、反応 室への基板の搬入及び反応室からの基板の搬出を円滑に行なうことができる。また、 規制部材は固定されているので、反応室内での部材の振動が低減される。なお、ここ で ヽぅ「所定箇所」とは、半導体基板の搭載位置を ヽぅ。
[0010] また、上記の目的を達成するために、本発明の半導体製造装置は、所定箇所に開 口部が形成されていると共に、上下方向に移動可能な支持体と、前記開口部に挿通 された上下方向に移動可能な持上げ部材と、前記支持体の下方の前記開口部に対 応する位置に固定された規制部材と、前記支持体、前記持上げ部材及び前記規制 部材を収容すると共に反応ガスが供給される反応室と、前記支持体上に半導体基板 を搬入すると共に、前記支持体上から半導体基板を搬出する半導体基板搬送装置 とを備える半導体製造装置であって、前記半導体基板搬送装置は、前記反応室外 に配置されている。
[0011] ここで、支持体の下方の開口部に対応する位置に固定された規制部材によって、 支持体を下方へ移動させるだけで、持上げ部材の下方への移動が規制され、持上 げ部材が支持体に対して相対的に上方向に移動し、半導体基板を持上げて、反応 室への基板の搬入及び反応室からの基板の搬出を円滑に行なうことができる。また、 規制部材は固定されているので、反応室内での部材の振動が低減される。また、半 導体基板搬送装置が反応室外に配置されているので、反応室内での部材の振動が 低減される。なお、ここでいう「所定箇所」とは、半導体基板の搭載位置をいう。
発明の効果
[0012] 本発明に係る半導体製造装置用反応室は、パーティクルの発生を低減することが できる。
また、本発明に係る半導体製造装置は、パーティクルの発生を低減することができ る。
図面の簡単な説明 [図 1]本発明を適用した半導体製造装置用反応室を使用した、複数枚の半導体基板 を処理する半導体製造装置の概略横断面図である。
[図 2]本発明を適用した半導体製造装置用反応室を使用した半導体製造装置の概 略縦断面図である。
[図 3]支持体に半導体基板を載せる手順を示す概略説明図である。
[図 4]従来の反応炉の概略断面図である。
符号の説明
1 汉応室
2 搬送室
2A 締め付け具
3 支持体
3A 穴
4 半導体基板
5 スリットバルブ
6 ロボットブレード
7 ロボットアーム
8 搬送ロボット
9 ロード、ロック室
10 半導体基板カセット
11 冷却室
12 支持部材
13 石英ガラス
14 リフトピン
15 規制部材
16 本体
17 カノく一
18 搬入方向
19 搬出方向 発明を実施するための最良の形態
[0015] 以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に 供する。図 1は、本発明を適用した半導体製造装置用反応室を使用した、複数枚の 半導体基板を処理する半導体製造装置の概略横断面図である。
[0016] 反応室 1内には、円板状の複数枚の半導体基板 4が載置された円板状の支持体 3 が配置されている。支持体 3は回転することができる。また、反応室 1は、反応室出入 口にスリットバルブ 5を配置し、開閉可能なスリットバルブ 5を介して搬送室 2と接続し ている。
[0017] 搬送室 2内には、半導体基板 4を搬送する、石英製のロボットブレード 6とステンレス 製のロボットアーム 7とを有する搬送ロボット 8が配置されている。また、搬送室 2は口 ードロック室 9に接続している。更に、ロードロック室 9内には、半導体基板カセット 10 が配置されている。半導体基板カセット 10は、その下部をカセット昇降部材（図示せ ず。）によって支持されており、カセット昇降部材（図示せず。）を垂直方向に移動可 能とすることで特定の半導体基板を搬送ロボットに受け渡しする。また、搬送室 2は冷 却室 11と接続しており、冷却室 11において冷却ガスを、反応室 1から取り出された成 膜後の半導体基板 4の上下面付近で流して半導体基板を冷却し、その後、半導体 基板を半導体基板カセット 10に戻す。ここで、冷却ガスによって半導体基板を冷却 できれば、冷却ガスを半導体基板に吹き付けてもよぐまた、半導体基板を冷却でき れば必ずしも冷却ガスを用いなくてもよ 、。
[0018] 図 2は、本発明を適用した半導体製造装置用反応室を使用した半導体製造装置の 概略縦断面図である。反応室 1は、その上部と下部が湾曲した石英ガラス 13で構成 されており、この石英ガラスは反応室の内壁を構成する締め付け具 2Aによってその 端部を固定されている。また、支持体 3の半導体基板 4が載置される領域には、炭化 珪素（SiC)製でかつ棒状のリフトピン 14 (持ち上げ部材の一例）が、支持体内の穴 3 A (開口部の一例）を通過している。また、リフトピン 14の下方には、リフトピン 14の下 方への動きを規制する石英製の規制部材 15がステンレス製の締め付け具 2Aに固定 されている。ここで、石英ガラスは湾曲せずに例えば平板状であってもよい。また、規 制部材を締め付け具に固定できれば、締め付け具に直接固定してもよいし、幾つか の部品を介して固定してもよい。
[0019] また、図 2においてリフトピン 14は、規制部材 15から離れて吊り下げられており、こ の位置において支持体 3によって保持される。この保持は、リフトピンの頭部が穴 3A の内壁に掛カることによって成されている。また、支持体 3は、その略中央領域にお いて支持部材 12によって支えられている。支持部材 12は上下に移動可能であると 共に回転可能であり、よって支持体 3も上下に移動可能であると共に回転可能である
[0020] また、搬送室 2の上面にはカバー 17を被せている。搬送ロボットは、その本体 16、 本体 16に接続したロボットアーム 7、そしてロボットアーム 7に接続したロボットブレー ド 6から構成されている。搬送ロボットはロボットアームを回転させることにより、ロボット ブレードを自在に回転及び伸縮させ、半導体基板を反応室、ロードロック室、冷却室 へと搬送する。また、搬送ロボットは上下移動可能である。
[0021] ここで、支持体の下方の開口部に対応する位置に固定されているのであれば、必 ずしも規制部材 15のような部材を用いなくてもよぐ例えば下部の石英ガラス 13に凹 凸を形成し、凸部を支持体の下方の開口部に対応する位置に配置させてもよい。
[0022] また、基板を支えることができるのであれば、規制部材は必ずしも透光性材料で構 成されていなくてもよいが、透光性材料である石英によって構成されることで、反応室 外部に配置されるハロゲンランプ等の加熱ランプ力 発せられる光を遮ることなく、ェ ピタキシャル析出成長に有効に利用できる。また、半導体基板を持上げられれば、持 上げ部材は石英で構成されて 、てもよ 、。
[0023] また、開口部に挿通され、上下方向に移動可能であれば、持上げ部材は棒状でな くてもよいが、持上げ部材が棒状であれば開口部を大きくしなくてもよぐよって、持 上げ部材と支持体との間の温度差が生じることを抑制できる。
[0024] 次に、支持体に半導体基板を載置する動作について説明する。図 3 (a)〜(d)は、 支持体に半導体基板を載せる手順を示す概略説明図である。先ず、半導体基板 4を 石英製のロボットブレード 6に載せて、ロボットブレードを搬入方向 18へ搬送すると共 に、支持体 3から吊り下げられているリフトピン 14の自由端が規制部材 15上に置か れるまで、支持体 3が下方へ移動する。リフトピン 14の一端が規制部材 15上に置か れると、支持体 3の下方移動に伴うリフトピン 14の下方移動が停止し、半導体基板 4 が載置される支持体 3の表面よりもリフトピン 14の他端 (頭部）が高い位置に位置する (図 3 (a) )。この位置では、支持体 3もリフトピン 14も半導体基板 4の下方に位置する (図 3 (b) )ので、ロボットブレード 6を下方へ移動させ、半導体基板 4をリフトピン 14の 頭部上に置く（図 3 (c) )。そして、ロボットブレード 6を搬出方向 19へ移動させる（図 3 (d) ) Gその後、支持体 3が上昇してリフトピン 14の頭部が支持体の表面と略同一平 面に位置すると、半導体基板 4は支持体表面に載置され、その後は支持体 3の上昇 と共に半導体基板 4及びリフトピン 14も上昇し、図 2に示される支持体の位置で停止 する。そして、反応ガスや外部からのハロゲンランプ等の加熱ランプ（図示せず。 )に よる熱によってェピタキシャル層を基板上に析出成長させる。
[0025] ェピタキシャル層の析出成長処理を終えた後は、上記のプロセスとは逆になり、搬 送ロボットによって反応室から搬送室へと半導体基板が搬出される。
[0026] このように、本発明を適用した半導体製造装置用反応室は、単に支持体を上下さ せて、半導体基板の反応室への搬入や反応室からの搬出を行うことができ、従来の 反応室に比べて反応室内において動かす部材が少なぐよってパーティクルの発生 を低減することができる。また、半導体基板の反応室への搬入や反応室からの搬出 時は、反応室内では単に支持体を上下させるだけなので、反応室での処理時間を短 縮できると共に処理スピードが向上する。更に、従来の反応室に比べて反応室内に おいて動かす部材が少ないので、その分、部品の構成を単純ィ匕でき、よって、副生 成物が付着せず、メンテナンスも容易であり、し力も製造コストを低く抑えることができ る。
[0027] また、規制部材は透光性材料である石英によって構成されて 、るので、ェピタキシ ャル層析出成長に使われる外部力 のハロゲンランプの光を遮ることはない。
[0028] また、持上げ部材がリフトピンのような棒状であるので、開口部を大きくしなくてもよく 、よって、持上げ部材と支持体との間の温度差が生じることを抑制できる。

Claims

請求の範囲
[1] 所定箇所に開口部が形成されていると共に、上下方向に移動可能な支持体と、 前記開口部に挿通された上下方向に移動可能な持上げ部材と、
前記支持体の下方の前記開口部に対応する位置に固定された規制部材と、 前記支持体、前記持上げ部材及び前記規制部材を収容すると共に反応ガスが供 給される反応室とを備える
半導体製造装置用反応室。
[2] 前記持上げ部材の下端が、前記規制部材と当接した状態で前記支持体が下方向 へ移動することによって、前記持上げ部材が上方向に移動する
請求項 1に記載の半導体製造装置用反応室。
[3] 前記規制部材は透光性材料で構成されて ヽる
請求項 1または請求項 2に記載の半導体製造装置用反応室。
[4] 前記持上げ部材は棒状である
請求項 1、請求項 2または請求項 3に記載の半導体製造装置用反応室。
[5] 所定箇所に開口部が形成されていると共に、上下方向に移動可能な支持体と、 前記開口部に挿通された上下方向に移動可能な持上げ部材と、
前記支持体の下方の前記開口部に対応する位置に固定された規制部材と、 前記支持体、前記持上げ部材及び前記規制部材を収容すると共に反応ガスが供 給される反応室と、
前記支持体上に半導体基板を搬入すると共に、前記支持体上から半導体基板を 搬出する半導体基板搬送装置とを備える半導体製造装置であって、
前記半導体基板搬送装置は、前記反応室外に配置された
半導体製造装置。
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