JP2004214312A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板ステージ3に少なくとも1個の基板リフト手段4を設ける。、基板リフト手段4は、基板搬送位置で基板ステージの下降方向に設けたストッパ14と接触して基板ステージから上方に突出して所定の高さで基板を担持すると共に、基板ステージのプロセス位置への移動に伴ってストッパとの接触が解除されて基板ステージ上で所定の高さ位置まで基板を下降させる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に所定の膜を形成するCVD装置やスパッタリングなどのPVD装置またはエッチング装置やアッシング装置等の基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば基板処理装置であるCVD装置は、真空排気手段を設けた真空チャンバを有する。該真空チャンバの天井部には、反応ガスと原料ガスとの混合ガスをチャンバ内部に導入するガス噴出手段が設けらている。該ガス噴出手段に対向して真空チャンバ内には基板ステージが設けられ、該基板ステージには、ウェハーなどの所定の基板が載置される。基板ステージに基板をロードするため、真空チャンバの側面には基板ステージとガス噴出手段との間に位置してゲートバルブを備えた基板搬送口が設けられている。
【0003】
この場合、基板搬送口に対応して真空チャンバの外壁にロードロックチャンバを付設してもよい。ロードロックチャンバと基板ステージとの間の基板の搬送は、先端部にフォーク状のアームを有する真空搬送手段によって行われる。そして、真空搬送手段によって基板ステージ上に基板をロードして、真空チャンバに所定の混合比に混合した反応ガスと原料ガスとから構成される混合ガスをガス噴出手段を介して導入し、気相化学反応させて基板上に所定の膜を形成する。尚、プロセスに寄与しない混合ガス等を含む排ガスは、真空チャンバに設けた真空排気手段により外部に排出される(特許文献1)。
【0004】
ここで、基板ステージに基板をロード、アンロードする場合、基板ステージ上の複数の箇所で支持して所定の高さで基板を担持できれば、基板と基板ステージとの間に形成された空間を利用してアームの出し入れができ、アームで基板を支持できる。この場合、例えば基板を吸着する真空チャック機構を省略でき、搬送手段の構造を簡素化できる。このため、基板のロード、アンロードの際、基板を担持する複数個の基板リフト手段を基板ステージに設けることが考えられる。各基板リフト手段は、例えば圧縮空気で駆動されるエアーシリンダなどの駆動手段をそれぞれ有し、基板ステージに設けた開口に挿設されたリフトピンを駆動する。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−2127495号公報(例えば、図1参照)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、各リフトピンにそれぞれ駆動手段を設けたのでは部品点数が増加してコスト高を招く。特に、エアーシリンダなどの駆動部品は、例えばベローズを使用して真空シールする必要があるのでさらにコスト高を招き、耐久性も問題となる。
【0007】
また、金属製(熱膨張の大きい材質)の基板ステージに孔を設け、この孔に、チャンバに固定したリフトピンを、この基板ステージ下部側から貫通させて基板を昇降する場合、基板ステージの温度が上昇すると、リフトピンと基板ステージの孔との位置に差が生じ、相互に衝突してリフトピンまたは基板ステージを破損する場合があった。
【0008】
そこで、本発明は、上記点に鑑み、部品点数を少なくして低コストで製造でき、耐久性が高く、その上、昇降自在な基板ステージに簡単に装着できる基板リフト手段を有する基板処理装置を提供することを課題とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の基板処理装置は、チャンバを有し、該チャンバ内に基板が載置される基板ステージを設け、該基板ステージは、所定の基板処理を行うプロセス位置と基板のロード、アンロードを行い得る基板搬送位置との間で昇降自在である基板処理装置において、前記基板ステージに少なくとも1個の基板リフト手段を設け、該基板リフト手段は、基板搬送位置で基板ステージの下降方向に設けたストッパと係合して基板ステージから上方に突出して所定の高さで基板を担持すると共に、基板ステージのプロセス位置への移動に伴ってストッパとの係合が解除されて基板ステージ上で所定の高さ位置まで基板を下降させることを特徴とする。
【0010】
本発明によれば、基板ステージを基板搬送位置に移動させ、搬送手段によって基板を基板ステージにロードする。基板搬送位置では、基板ステージに設けた基板リフト手段がストッパと係合し、基板ステージから上方に突出しているので、基板は各リフト手段で支持される。この場合、基板と基板ステージの上面との間に所定の空間が画成されるので、この空間を利用して搬送手段の先端部のアームを出し入れでき、基板をアームで支持できる。
【0011】
基板ステージに基板がロードされると、基板ステージが上昇してプロセス位置に到達する。その際、基板リフト手段とストッパとの係合は解除されて下方に移動するので、基板ステージ上の基板は所定の高さまで下降する。そして、基板ステージのプロセス位置で所定の基板処理が行われる。
【0012】
基板処理が完了すると、基板をアンロードするため基板ステージを下降させる。基板ステージが所定の位置まで下降すると基板リフト手段がストッパと再度係合する。この場合、基板ステージの下降に伴って基板リフト手段が基板ステージの上面から突出し、基板搬送位置では、基板リフト手段によって基板ステージから所定の高さに基板が担持される。
【0013】
これにより、各基板リフト手段に駆動手段を設けることなく、基板ステージを昇降させるだけで該基板ステージ上で基板を昇降させることができる。また、耐久性が問題となるベローズ等の真空シール用の部品も必要でない。そして、搬送手段によって基板がアンロードされ、基板処理しようとする次ぎの基板がロードされる。
【0014】
ここで、前記基板リフト手段は、例えば基板ステージに設けた貫通孔に装着した筒状のガイド部材と、該ガイド部材内に移動自在に挿設したリフトピンであって少なくとも基板搬送位置でガイド部材の下面から突出したものとから構成すればよい。
【0015】
この場合、ストッパと接触するリフトピンの下端面を丸み加工するのがよい。
【0016】
ところで、リフトピンがガイド部材内部を動く際、摩擦が大きくなるとリフトピンの円滑な移動が阻害される危険性がある。この場合、前記基板ステージの裏面に、ガイド部材から突出したリフトピンの一部が貫通する孔を有する第2ガイド部材を設けて、ガイド部材内でリフトピンが、がたつかないようにしてもよい。これにより、ガイド部材とリフトピンとが落下するのを防止できる。
【0017】
また、前記基板ステージのプロセス位置への移動した際、リフトピンを下方に向かって動かす移動手段を設けてもよい。
【0018】
前記移動手段は、例えば、リフトピンに設けた重し、またはガイド部材と該ガイド部材から突出したリフトピンの下端部との間に縮設したばねである。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1及び図2を参照して、1は、本発明の基板処理装置の一例であるCVD装置を示す。このCVD装置1は、シリコンウェハーやガラス等の基板S上に気相化学反応により薄膜を形成するものであり、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段11aを有する所定の容積の真空チャンバ11を有する。真空チャンバ11の天井部12の略中央には、反応ガスと原料ガスとから構成される混合ガスを真空チャンバ11内に導入するガス噴出手段2が設けれている。
【0020】
ガス噴出手段2は、真空チャンバ11の天上部12から内方に向かって突出させた環状の突出部21と、その先端部に装着され複数個の孔が開設されたシャワープレート22とから構成される。この場合、真空チャンバ11の上部には、突出部21とシャワープレート22とによってガス拡散室23が形成され、該ガス拡散室23内に導入された混合ガスをその全体に亘って拡散する。真空チャンバ11の天井部12にはまた、一端が混合器(図示せず)に接続されたガス導入管24が接続され、複数のガス源に接続された混合器で混合された混合ガスが拡散室23に導入される。ガス噴出手段2に対して真空チャンバ11内には基板ステージ3が設けられ、該基板ステージ3にはウェハーなどの基板Sが載置される。
【0021】
基板ステージ3上に基板Sをロード、アンロードするために、真空チャンバ11にゲートバルブを有する基板搬送口13を設けている。この場合、CVDプロセスの実行時、基板S上の薄膜の膜厚分布及び組成分布が均一になるようにガス噴出手段2を介して基板Sに混合ガスを均等に噴出しても、基板搬送口13が基板ステージ3の上方に位置したのでは、該基板搬送口13の周辺で乱流が発生してガスの流れが乱れることで、基板S上のガスの流れも乱れて薄膜の膜厚分布及び組成分布が均一にならない。
【0022】
本実施の形態では、基板ステージ3を、基板処理であるCVDプロセスを実行するプロセス位置と基板のロード、アンロードを行い得る基板搬送位置との間で昇降自在に形成し、プロセス位置では、基板ステージ3下方に基板搬送口13が位置するようにした。また、ガスの流れに関するコンダクタンスは、シャワープレート22と基板ステージ3との間の空間Aに比べて基板ステージ3下側の空間Bがより大きな値をもつことが望ましい(図2参照)。
【0023】
基板ステージ3は、ガス噴出手段2と対向した金属製の基板載置部31に、真空チャンバ11の底面から真空チャンバ11内に突出させて設けた昇降ロッド32を接続して構成されている。基板載置部31には基板Sの加熱を可能とするヒータ(図示せず)が組込まれている。また、昇降ロッド32は、例えば圧縮空気またはモータで駆動され、昇降ロッド32の周囲にベローズ33を設けて真空シールしている。
【0024】
ところで、3次元方向に移動可能であって先端にフォーク状のアームを設けた既知の真空搬送手段によって基板ステージ3に基板をロード、アンロードする場合、基板載置部31上の複数の箇所で支持して所定の高さで基板Sを担持できれば、真空搬送手段の構造を簡素化できる。本実施の形態では、基板Sを水平に持ち上げられるように、正三角形の各頂点に対応する基板載置部31の所定の位置に3個の基板リフト手段4を設けた。
【0025】
図3を参照して、基板リフト手段4は、基板載置部31に設けた貫通孔31aに下側から螺着された中空円筒形状のガイド部材41を有する。この場合、ガイド部材41の下端部は基板載置部31の裏面から突出している。ガイド部材41の内部にはリフトピン42が挿設されている。リフトピン42は、上部にフランジ42cを有する下ピン42aと、フランジ42cに接続された上ピン42bとから構成される。この場合、リフトピン42は、真空中でも耐熱性及び機械的強度を有する材料、例えばセラミックスから一体に成形されている。特に、リフトピン42の材料は、基板ステージ3が加熱されることを考慮して、高純度のアルミナセラミックスなどの耐熱材がよい。
【0026】
上ピン42bの長さ寸法は、フランジ42cが、ガイド部材41の下端を内方に向かって屈曲させた屈曲部41aに接触した場合に、上ピン42bの上端面が基板載置部31の上面と面一、または上ピン42bの方が基板載置部31より僅かに低くなるように定寸されている。他方で、下ピン42aは、基板ステージ3が基板搬送位置にある場合、下ピン42aの下端部が真空チャンバ11の底面に設けたストッパ14と係合し、上ピン42bが基板載置部31の上面から所定の高さだけ突出するように定寸されている。尚、下ピン42aの下端部は丸み加工するのがよい。
【0027】
また、基板ステージ3の昇降に伴ってガイド部材41が緩み、上下動する際にリフトピン42とガイド部材41とが共にがたつかないように、ガイド部材41から突出した下ピン42aが貫通する孔を備えた第2ガイド部材5を設けてもよい。これにより、リフトピン42とガイド部材41とが落下するのを防止できる。さらに、ガイド部材41が上下動する際、摩擦抵抗が増加して、リフトピン42に対するガイド部材41の円滑な移動が阻害されないように、フランジ42cの外周面を球面加工してもよく、ガイド部材41の内周面を鏡面加工してもよい。
【0028】
図4に示すように、下ピン42aの下端部にウェイト43を設けると共に、重し43とガイド部材41との間にばね44を設けて、リフトピン42を下方に向かって付勢してもよい。
【0029】
次に、基板リフト手段4の作動を説明する。図1に示す基板ステージ3の基板搬送位置では、ガイド部材41の下端面から突出したリフトピン42の下ピン42aがストッパ14に接触しているので、上ピン42bが基板載置部31の上面から突出している。この状態で、基板搬送口13に設けたゲートバルブを開け、真空搬送手段によって基板載置部31に所定の基板Sをロードする。基板Sがロードされ、ゲートバルブが閉じると基板ステージ3を上昇させる。
【0030】
ここで、基板ステージ3が上昇しても、その当初、リフトピン42が移動を開始しないが、基板載置部31に装着したガイド部材41が上昇することで、基板Sと基板載置部31との間の距離が短くなる。そして、フランジ42cがガイド部材41の屈曲部41aに接触すると、基板Sが基板載置部31に載置され、基板ステージ3がプロセス位置に到達する。この場合、下ピン42aの大部分がガイド部材41の下端面から突出している。
【0031】
プロセス位置で所定のCVDプロセスが終了した後、基板ステージ3を下降させると、ガイド部材41の下端面から突出した下ピン42aの下端面が先ずストッパ14と接触する。下ピン42aとストッパ14とが接触すると、リフトピン42はもはや下降しない。このため、基板ステージ3の下降に伴って、上ピン42bが基板載置部31の上面から突出することで基板Sが上昇される。基板搬送位置に基板ステージ3が到達すると、基板Sは基板載置部31から所定の高さで担持される。そして、真空搬送手段によって基板Sがアンロードされ、新たな基板ロードされる。
【0032】
これにより、各基板リフト手段4は、基板ステージ3を昇降させるだけで該基板ステージ3上で基板Sを昇降させることができ、別個の駆動手段は必要でない。
【0033】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、基板リフト手段を、部品点数が少なくて低コストで製造でき、耐久性が高く、その上、基板ステージを昇降自在としても簡単に装着できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】基板ステージが基板搬送位置にある本発明の基板処理装置の断面図
【図2】基板ステージがプロセス位置にある本発明の基板処理装置の断面図
【図3】基板リフト手段を拡大して示す図
【図4】基板リフト手段の他の変形例を示す図
【符号の説明】
1 基板処理装置(CVD装置)
3 基板ステージ
4 基板リフト手段
41 ガイド部材
42 リフトピン
Claims (7)
- チャンバを有し、該チャンバ内に基板が載置される基板ステージを設け、該基板ステージは、所定の基板処理を行うプロセス位置と基板のロード、アンロードを行い得る基板搬送位置との間で昇降自在である基板処理装置において、
前記基板ステージに少なくとも1個の基板リフト手段を設け、該基板リフト手段は、基板搬送位置で基板ステージの下降方向に設けたストッパと係合して基板ステージから上方に突出して所定の高さで基板を担持すると共に、基板ステージのプロセス位置への移動に伴ってストッパとの係合が解除されて基板ステージ上で所定の高さ位置まで基板を下降させることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板リフト手段を、基板ステージに設けた貫通孔に装着した筒状のガイド部材と、該ガイド部材内に移動自在に挿設したリフトピンであって少なくとも基板搬送位置でガイド部材の下端面から突出したものとから構成したことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記リフトピンの下端部を丸み加工したことを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。
- 前記基板ステージの裏面に、ガイド部材から突出したリフトピンの一部が貫通する孔を有する第2ガイド部材を設けたことを特徴とする請求項2または請求項3記載の基板処理装置。
- 前記基板ステージがプロセス位置に移動するとリフトピンを下方に向かって動かす移動手段を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記移動手段はリフトピンに設けた重しであること特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- 前記移動手段は、ガイド部材と該ガイド部材から突出したリフトピンの下端部との間に縮設したばねであることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
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