JP3962323B2 - 膜付着防止用ガスパージ機構及びこの機構を備えた処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、膜付着防止用ガスパージ機構及びこの機構を備えた処理装置に関し、特に処理装置における加熱手段を備えた基板ステージの周囲部及びその周辺の構成部材への膜付着防止用ガスパージ機構及びこの機構を備えた処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
真空チャンバを有するCVD装置(例えば、特許文献1及び2参照。)等の処理装置では、成膜プロセス中に、基板表面に成膜される以外に、例えば、基板の成膜面以外の面や、真空チャンバ内に設けられた加熱手段を備えた基板ステージの表面及び基板ステージ周辺の構成部材等の真空チャンバ内に設けた種々の部品の表面へも膜が付着・形成し、これらの部品から膜が剥がれて、ダストが発生する。このような異物が、基板上に形成された膜の表面状態を不良化し、形成された膜の特性に影響を与えることがある。そのため、基板の裏面への膜の付着を防止する目的で、また、加熱、冷却の目的で、真空チャンバ内に不活性ガスを流して、その解決を図ることがある。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−23930号公報
【特許文献2】
特開2000−212749号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、真空チャンバ内へ不活性ガスを単に流しただけでは、基板の成膜面以外や、基板ステージの表面及び基板ステージ周辺の構成部材等のチャンバ内に設けた種々の構成部品の表面への膜の付着を防止することは困難である。
本発明の課題は、上記した問題点を解決することにあり、基板の成膜面以外の面や、チャンバ内に設けられた加熱手段を備えた基板ステージの表面及び基板ステージ周辺の構成部材等のチャンバ内に設けられた種々の構成部品の表面に対して、成膜又はエッチング等のプロセス中に膜が付着・形成し、その結果、ダストが発生することを防止するために、膜付着防止用ガスパージ機構及びこの機構を備えた処理装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の膜付着防止用ガスパージ機構は、チャンバを有し、その天井部にプロセスガスのガス噴出手段を設け、該ガス噴出手段に対向して加熱手段を備えた昇降自在の基板ステージを設けた処理装置における膜付着防止用ガスパージ機構であって、不活性ガスが該基板ステージの裏面及び側面に沿って流れ、この側面に沿って流れた不活性ガスが基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び該基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿ってチャンバ内周側壁へ流れ、その後、チャンバ内周側壁へ達した不活性ガスがチャンバ下方へ流れるように、不活性ガス流路を形成したことを特徴とする。
この膜付着防止用ガスパージ機構において、さらに、不活性ガスが基板ステージの下方から上方へ流れるように、基板ステージを昇降せしめるための昇降ロッドの外周に不活性ガス流路が形成されいる。
【0006】
本発明の膜付着防止用ガスパージ機構において、基板ステージの裏面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの裏面とその近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、基板ステージの側面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの側面とその近傍に設けた絶縁性部材の側面との間に形成された流路であり、基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿って不活性ガスがチャンバ内周側壁へ流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面と、基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、そしてチャンバ内周側壁へ達した不活性ガスがチャンバ下方へ流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の側壁とチャンバ内周側壁との間に形成された流路であることを特徴とする。
上記した膜付着防止用ガスパージ機構において、基板を水平に維持しながら移動できるように、基板ステージに基板リフト手段を設け、不活性ガスが、基板ステージの裏面に沿って流れると共に、不活性ガスの一部が、基板ステージから下方へ突出し、かつ基板ステージ裏面近傍に設けた絶縁性部材を貫通している基板リフト手段の下方部分の外周面に沿ってチャンバの下方へと流れるように、不活性ガス流路を形成してなる。
【0007】
本発明の処理装置は、チャンバを有し、このチャンバ内に、その天井部にプロセスガスのガス噴出手段を設け、このガス噴出手段に対向して加熱手段を備えた昇降自在の基板ステージを設けた処理装置において、不活性ガスが基板ステージの裏面及び側面に沿って流れ、側面に沿って流れた不活性ガスが基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿ってチャンバ内周側壁へ流れ、その後、チャンバ内周側壁へ達した不活性ガスがチャンバ下方へ流れるように、不活性ガス流路を形成してなる膜付着防止用ガスパージ機構を備えたことを特徴とする。
この処理装置において、さらに、不活性ガスが基板ステージの下方から上方へ流れるように、基板ステージを昇降せしめるための昇降ロッドの外周に不活性ガス流路を形成してなる膜付着防止用ガスパージ機構を備えている。
【0008】
本発明の処理装置において、基板ステージの裏面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの裏面とその近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、基板ステージの側面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの側面とその近傍に設けた絶縁性部材の側面との間に形成された流路であり、基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿って不活性ガスがチャンバ内周側壁へ流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面と、基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、そしてチャンバ内周側壁へ達した不活性ガスがチャンバ下方へと流れるように形成された不活性ガス流路が、基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の側面とチャンバ内周側壁との間に形成された流路である膜付着防止用ガスパージ機構を備えたことを特徴とする。
【0009】
上記した処理装置は、さらに、基板を水平に維持しながら移動できるように、基板ステージに基板リフト手段を設け、不活性ガスが、基板ステージの裏面に沿って流れると共に、不活性ガスの一部が、基板ステージから下方へ突出し、かつ基板ステージ裏面近傍に設けた絶縁性部材を貫通している基板リフト手段の下方部分の外周面に沿ってチャンバの下方へと流れるように、不活性ガス流路を形成してなる膜付着防止用ガスパージ機構を備えてなる。
上記のように構成した膜付着防止用ガスパージ機構を設けた処理装置を用いて行う成膜プロセス中に、基板の成膜面以外の面や、チャンバ内に設けられた加熱手段を備えた基板ステージの上面及び側面を含めた表面及び基板ステージ周辺の構成部材等のチャンバ内の種々の構成部品の表面に対して、不要な膜が付着し難くなり、その結果、ダストが発生することを防止することができる。これは、チャンバ内に上記した不活性ガス流路を設け、プロセス中にこの流路に不活性ガスを流すことによって、この流路にはプロセスガスが流れ難くなるからである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる膜付着防止用ガスパージ機構及びこの機構を備えた処理装置の一実施の形態である薄膜形成装置を例にとり、図面を参照して説明する。
図1及び図2に示す薄膜形成装置には、膜付着防止用ガスパージ機構が設けられている。図1は、基板ステージが成膜位置にある薄膜形成装置の断面図を模式的に示すものであり、成膜プロセス中のプロセスガス及び不活性ガスの流れを矢印で示してある。また、図2は、基板ステージが基板搬送位置にある薄膜形成装置の断面図を模式的に示すものである。図1及び2において、同じ構成部品は同じ参照符号を付けてある。
【0011】
薄膜形成装置1は、シリコンウエハやガラス等の基板S上に気相化学反応により薄膜を形成するCVD装置として構成され、ターボポンプ等の真空排気手段2を備えた所定の容積の真空チャンバ3を有する。
真空チャンバ3の天井部の中央部には、原料ガスと反応ガスとから構成されるプロセスガスを真空チャンバ3内へ供給するためのガス噴射手段が設けられている。このガス噴射手段は、シャワープレート4を先端部に有すると共に、所望によりプロセスガスを拡散させるための拡散室6を有している。プロセスガスは、真空チャンバ3の天井部に接続されたガス供給管7を通って導入され、拡散室6を経て真空チャンバ内へ供給される。このガス供給管7の他端は、原料ガスと反応ガスとを混合する混合室、また、必要に応じて気化室を介して複数のガス源へ接続されている。
【0012】
真空チャンバ3内には、ガス噴射手段に対向して基板Sを載置するための基板ステージ8が設けられ、この基板ステージの上部は基板載置部9として機能する。基板ステージ8には、その上面の基板載置部9上に載置される基板Sの温度を制御するための加熱手段(図示せず)が組み込まれている。この基板Sは、真空チャンバ3の壁面に設けられたゲートバルブを備えた基板搬送口10を介して、基板ステージ8上に搬入・搬出される。
【0013】
基板ステージ8は、所定の薄膜形成プロセスを実施する際の成膜位置と基板Sを搬入・搬出する基板搬送位置との間で、又はそれらの位置よりも余裕を持たせて、昇降自在に構成されている。そのため、基板ステージ8には昇降ロッド11を接続し、さらにこの昇降ロッドには圧縮空気又はモーター等で駆動される駆動手段(図示せず)を接続して、基板ステージが昇降自在になるように構成してある。この昇降ロッド11は、その一部が真空チャンバ3の底面から突出されて設けられ、その突出部分の周囲にはベローズ12が設けられ、真空シールしてある。
【0014】
本実施の形態によれば、基板S自体を水平に維持しながら移動できるように、基板ステージ8の所定の位置に、例えば、正三角形の各頂点に対応する位置に、3個の基板リフト手段13を設けてある。この基板リフト手段13は、既知の基板搬送ロボットのような基板搬送手段(図示せず)によって基板Sを基板載置部9上にロード又はアンロードする際に、基板Sを所定の高さに保持できるように構成されており、基板搬送手段の構成を簡素化するために設けてある。
【0015】
上記実施の形態によれば、真空チャンバ3内に設けられた基板ステージ8とその周辺部材との間に不活性ガスが流れるように不活性ガス流路が形成されている。この不活性ガスは、基板ステージ8の下方から、基板ステージの裏面及び側面を通って真空チャンバ3の内壁側面へ向かい、次いで真空チャンバ下方へ流れると共に、その不活性ガスの一部は、基板リフト手段13の基板ステージから突出した下方部分に沿って真空チャンバ下方へと流れる。
【0016】
不活性ガスを上記のような流路を通して流すために、図1に示すように、基板ステージ8の裏面及び側面の高温部分の近傍に、それぞれ、絶縁性部材14及び15を設け、また、基板載置部9上の基板を載置する部分以外の部分(基板Sの径よりも基板載置部9が大きい場合)及び基板ステージの外縁の延長線上に絶縁性部材16を直接設けてもよい。この場合、絶縁性部材14は、以下詳細に述べるように、基板リフト手段13の基板ステージ8から突出した下方部分の周辺近傍にも設けられている。また、絶縁性部材16の上面が、成膜位置における基板の上面と面一になるように又は面がほぼ揃うように設けることが好ましい。
【0017】
不活性ガスは、ガス供給管17から昇降ロッドの周囲に設けられた不活性ガス流路を介して、基板ステージ8の裏面と絶縁性部材14とで形成された流路を通り、次いで、基板ステージの側面と絶縁性部材15とで形成された流路を経て、絶縁性部材15と絶縁性部材16とで形成された流路を通り、その後、真空チャンバ3の内壁側面と絶縁性部材15とで形成された流路を通って下方へ流れ、真空排気手段2から排出される。また、基板ステージ8の裏面と絶縁性部材14とで形成された流路を流れる不活性ガスの一部は、以下詳細に述べるように、基板リフト手段13の基板ステージ8から突出した部分の外周面と絶縁性部材14とで形成される流路を真空チャンバ3の下方へと流れる。
【0018】
一方、ガス供給管7から導入されたプロセスガスは、ガス噴出手段のシャワープレート4を介して真空チャンバ3内へ供給され、基板上での反応により成膜を終了した後、真空チャンバ3の内壁側面と絶縁性部材15とで形成された流路を通って下方へ流れ、真空排気手段2から排出される。
不活性ガスを上記のように流すことにより、プロセスガスがこの不活性ガスの流路に流れ込むことがなくなり、基板ステージ8の側面や裏面及び周辺部材への膜付着防止が可能となる。
【0019】
上記不活性ガスとしては、成膜用又はエッチング用のプロセスガスに対して不活性なものであれば特に制限されない。例えば、アルゴンガス、ヘリウムガス、クリプトンガス、ネオンガス、キセノンガス、窒素ガス等からなる群から選ばれる少なくとも一種類のガスを用いることにより同様の効果が得られる。経済性、入手のしやすさの点からは、アルゴンガスや窒素ガスが好ましい。
なお、図1及び2において、符号18は後述する基板温度測定器である。
基板リフト手段13は、図3に示すように、基板ステージ8の裏面側から開設された孔13aに螺着される中空円筒形状のガイド部材13bを有する。このガイド部材13bの下方部は基板ステージ8の底面から突出している。
【0020】
ガイド部材13bの内部には、リフトピン13cが設けられている。このリフトピン13cは、上部にフランジ13dを有する下部ピン13eと、フランジ13dに接続され、基板ステージ8に開設された貫通孔を通って基板載置部9の上面から突出し得るようになっている上部ピン13fとから構成されている。上部ピン13fの長さ寸法は、フランジ13dがガイド部材13b内の下方に設けたリフトピン13cのストッパ部に接触し、リフトピンを持ち上げる時に、基板載置部9の面と面一になるように又は面がほぼ揃うように設定されている。
【0021】
また、下部ピン13eは、基板ステージ8が基板搬送位置にある場合(図2)、下部ピンの下端が真空チャンバ3の底面のストッパと接触し、上部ピン13fが基板載置部9から所定の高さだけ突出するように設定されている。なお、下部ピン13eの下端部は丸み加工してあることが好ましい。この下部ピン13eの下端にウエイトを設けると共に、このウエイトとガイド部材との間にバネを設けて、リフトピンを下方に向かって付勢しても良い。
【0022】
さらに、基板ステージの昇降に伴ってリフトピン13cが上下に移動する際に、リフトピンがガイド部材13b内でがたつかないようにするため、ガイド部材13bから突出した下部ピン13eが貫通する孔を備えた別のガイド部材をガイド部材13bの下端近傍に設けても良く、このガイド部材によってガイド及びピンの落下を防止しても良い。また、リフトピン13cが上下に移動する際、摩擦抵抗が増加しても、ガイド部材13bに対するリフトピンの円滑な移動が維持されるように、例えば、フランジ13dの上端部に丸み加工を施したり、フランジの外周面及びガイド部材の内周面を研磨加工、例えば鏡面加工しても良い。
リフトピン13cは、例えば、セラミックス等の耐熱性材料で一体に成形されている。この耐熱性材料としては、基板ステージが加熱されることを考慮すれば、高純度アルミナ等が良い。
【0023】
上記基板リフト手段13の基板ステージ8の裏面から突出している部分に膜が付着しないようにするため、上記したように、突出部分の周辺は絶縁性部材14で囲まれている。すなわち、この突出部分は、絶縁性部材14を貫通して設けられている。不活性ガスのガス供給管17から昇降ロッドの周囲に設けた不活性ガス流路を介して基板ステージ8の裏面と絶縁性部材14との間を通って流れる不活性ガスの一部が、この突出部分と絶縁性部材14とで形成された流路を通って流れ、その後真空排気手段2から排気される。このように不活性ガスを流すことにより、基板リフト手段13の突出部分への膜付着防止が可能となり、ダストの発生が抑えられる。
この真空排気手段2の排気口は、シャワープレート4と基板Sと間の成膜空間に不活性ガスが流れ込まないような位置、例えば、シャワープレート4に対向する位置である真空チャンバ3の底壁や、側壁に設ける場合には、不活性ガスが流れる流路の出口位置よりも下方に設けることがよい。
【0024】
次に、基板リフト手段13の作動について、図1〜3を参照して説明する。
基板ステージ8が基板搬送位置にある場合(図2)、基板リフト手段13のガイド部材13bの下端から突出した下部ピン13eが真空チャンバ底面のストッパで持ち上げられているので、上部ピン13fが基板載置部9から上方へ突出している。この状態で、基板搬送口10に設けたゲートバルブを開け、突出している上部ピン13f上に真空搬送手段によって被処理基板Sをロードする。次いで、ゲートバルブを閉じ、基板ステージ8を上昇させる。
【0025】
基板ステージ8が上昇しても、当初は、リフトピン13cは移動しないが、さらなる基板ステージの上昇によるガイド部材13bの上昇と共に、基板Sと基板載置部9との距離が短くなる。さらに上昇してフランジ13dがガイド部材13bの下部に設けたストッパ部に当接すると、基板Sが基板載置部9上に載置される。次いで、下部ピン13eの係止が外れ、基板ステージの上昇と共に基板Sが成膜位置に到達する(図1)。
【0026】
成膜位置での所定の成膜プロセスが終了した後、基板ステージ8を下降させると、まず、下部ピン13eの下端が真空チャンバ3の底面のストッパと接触し、その後、リフトピン13cは下降しなくなる。その際、基板ステージの下降に伴って、上部ピン13fが基板載置部9の上面から突出して、基板Sを基板載置部から持ち上げ、基板を所定の高さに保持する。基板ステージ8がこのような基板搬送位置に到達したら、真空搬送手段によって基板Sをアンロードし、新たな基板を上記と同様にしてロードし、再び成膜処理を行う。
【0027】
本発明に係わる別の実施の形態によれば、図4及び5に示すように、上記した薄膜形成装置に基板の表面温度を正確に測定できる手段を設け、成膜時と同じ雰囲気又はほぼ同じ雰囲気で基板の表面温度を連続して測定できるようにする。図4は、基板ステージが基板搬送位置にあるこの実施の形態に係る薄膜形成装置の断面図を模式的に示すものである。また、図5は、基板ステージが成膜位置にあるこの実施の形態に係る薄膜形成装置の断面図を模式的に示すものである。図4及び5において、図1及び2と同じ構成部品は同じ参照符号を付けてある。
【0028】
図4及び5に示すように、真空チャンバ3を有する薄膜形成装置1において、この真空チャンバ3内に設けられたガス拡散室6の高さを、所定の長さを有する筺体の先端部に熱電対線の測温部を埋設した測温手段18aの収納を可能とする高さとし、この測温手段18aをシャワープレート4の所定の位置に設けた少なくとも1個の貫通孔で保持し、真空チャンバの天井部に設けたガス噴射手段と対向して設けられた基板ステージ8の基板載置部9上に載置した基板Sに測温手段18aの測温部を接触させて基板の表面温度を測定できるようにしてある。この場合、ガス噴射手段を介して所定のプロセスガスを流しつつ、上記したような不活性ガスを流しつつ基板を加熱して基板の表面温度を測定する。
【0029】
このような測温手段により基板表面温度を正確に測定する理由は次の通りである。すなわち、CVD装置等のような薄膜形成装置によって複数枚の基板を連続して処理する場合、各基板上に形成される薄膜の膜厚分布や組成分布を均一にするには、基板に対してプロセスガスを均等に供給するだけでなく、各基板をその全体に亘って同一温度にそれぞれ加熱することが重要である。この場合、連続して処理される各基板へのヒータ等の加熱手段による加熱量を予め測定し、それに応じて加熱手段を制御する必要がある。このため、実際の成膜プロセスと同一雰囲気又はほぼ同じ雰囲気の条件下で、基板ステージに基板を連続してロードし、加熱手段で加熱して各基板毎にその表面温度を測定し、各基板への加熱量の最適化ができるように薄膜形成装置を構成するのがよいからである。
【0030】
この別の実施の形態によれば、測温手段18aの筺体を、シャワープレート4の所定の位置に設けた少なくとも1個の貫通孔の上方から挿入し、筺体の先端部に設けた測温部を基板ステージ上に載置した基板と接触させ得るように構成する。この筺体の一部はガス拡散室6内に突出している。そして、ガス噴射手段を介して所定のプロセスガス又は不活性ガスを流しつつ基板を加熱して基板の表面温度を測定する。このガス拡散室6は筺体の収納を可能とする高さを有するので、筐体の長さに関係なく、シャワープレート4と基板Sとの間の間隔が最適な状態で基板の表面温度を測定できる。
【0031】
この実施の形態によれば、基板ステージ8を昇降自在に構成すると共に、測温手段18aを筐体が貫通孔で吊り下げるようにしてある。そのため、基板Sの載置された基板ステージを上昇させて測温部と基板とを接触させると、測温手段の一部がガス拡散室6内に突出するので、貫通孔で吊り下げられた測温手段の貫通孔内での高さ調節等が不要になる。このように、測温手段18aの筐体がシャワープレート4の所定の位置に設けた貫通孔で吊し下げられるようにした場合、ガス拡散室6の高さは測温手段の筐体の長さより高くしてある。
上記貫通孔は、シャワープレート4に、例えば、その同一円周上で90度ずらして4個設けられており、シャワープレート4を、例えば、8箇所で固定して真空チャンバ天井部に取り付ければ、その取付位置を円周方向にずらすことにより、基板表面の測定点を変更できる。
【0032】
測温手段18aは、上記したように、例えば、絶縁材料から構成した所定の長さの円筒形状部材の末端部に重しの役割を担うフランジを接続した筐体を有し、測温時に基板と当接させるその先端部には熱電対線の測温部が埋設されている。この測温手段18aのフランジには熱電対線が接続されており、この熱電対線は真空チャンバ3の天井壁面に貫通して設けた接続部を介して温度測定器18に接続されている。
【0033】
上記したように測温手段を構成すれば、基板ステージ8を上昇させると、基板Sが測温手段18aの先端の測温部と接触し、さらに基板ステージ8を上昇させれば、測温手段の筐体はガス拡散室6内に突出することができるので、測温手段の筐体の長さに関係なく、シャワープレート4と基板Sとの間の間隔が最適である実際の成膜プロセスを行う雰囲気又は実プロセスに近い雰囲気で、連続してロードされる基板S毎にその表面温度が測定できる。
次に、基板Sの表面温度の測定の一例について説明する。
先ず、シャワープレート4を一旦取外してシャワープレートの所定の位置に設けた貫通孔に、測温手段18aをその先端部方向から挿入し、再度シャワープレートを装着する。この場合、測温手段18aは、そのフランジによって貫通孔で吊り下げられた状態になる(図4参照)。
【0034】
次いで、真空排気手段2を介して真空チャンバ3内を所定の真空度に到達するまで排気する。所定の真空度に到達したら、真空搬送手段によって基板搬送口10を介して基板ステージ8上に基板Sを載置する。基板Sを載置したら、基板ステージ8を上昇させる。基板Sと、測温手段18aの先端部に設けた熱電対線の測温部とが接触すると、基板ステージ8の上昇に伴って測温手段が上昇し始める。
実際の成膜プロセスが実行される基板ステージ8の高さ位置まで基板ステージを上昇させると、測温手段18aの筐体の一部はガス拡散室6内に突出する(図5)。この場合、筐体の一端に設けたフランジが重しの役割を担えば、測温手段18aの筐体自体が基板方向に向かって付勢され、基板Sと測温部とは常時接触した状態となる。
【0035】
成膜位置に到達したら、基板ステージ8に組込んだ加熱手段で基板Sへの加熱を開始すると共に、ガス噴射手段を介して所定のプロセスガス、又は不活性ガス等を流す。そして、4個の測温手段18aによって各位置での基板Sの表面温度を測定する。
その後、所定の温度までの基板表面温度の測定が終了すると、基板ステージ8を基板搬送位置まで下降させ、基板Sをアンロードし、次ぎの基板を基板ステージ8にロードして、上記と同様の手順で連続して複数枚の基板の表面温度を測定する。その結果、実際の成膜プロセスにおける各基板への加熱量の最適化が可能となる
【0036】
【発明の効果】
本発明の膜付着防止用ガスパージ機構によれば、チャンバ内に、その天井部に設けたガス噴出手段に対向して設けられた加熱手段を備えた昇降自在の基板ステージとその周辺部材との間に不活性ガスを流す不活性ガス流路を形成したので、基板ステージの裏面及び側面並びに基板ステージ周辺の構成部材等のチャンバ内に設けた種々の構成部品の表面に対する膜付着・形成が防止され得る。
また、基板ステージに少なくとも2個の基板リフト手段を設けて、基板搬送手段の構成を簡略化した場合には、基板ステージから突出した基板リフト手段の下方部分の外周部に沿って下方へと不活性ガスが流れるように、不活性ガス流路を形成したので、その外周部への膜付着も防止され得る。
【0037】
本発明の処理装置によれば、上記膜付着防止用ガスパージ機構を備えているので、基板の成膜面以外の、基板ステージ等のチャンバ内の種々の構成部品に対して、また、基板リフト手段を設けた場合にはその基板リフト手段の外周面に対して、成膜中に不要な膜が形成されることもなく、膜の剥がれによるダスト等の発生がなく、基板上に得られた膜の特性が害されることもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 基板ステージが成膜位置にある本発明に係る薄膜形成装置の一実施の形態の模式的断面図。
【図2】 基板ステージが基板搬送位置にある本発明に係る薄膜形成装置の一実施の形態の模式的断面図。
【図3】 図1に示す基板リフト手段の拡大図。
【図4】 基板ステージが基板搬送位置にある本発明に係る薄膜形成装置の別の実施の形態の模式的断面図。
【図5】 基板ステージが成膜位置にある本発明に係る薄膜形成装置の別の実施の形態の模式的断面図。
【符号の説明】
1 薄膜形成装置 2 真空排気手段
3 真空チャンバ 4 シャワープレート
6 拡散室 7 ガス供給管
8 基板ステージ 9 基板載置部
10 基板搬送口 11 昇降ロッド
12 ベローズ 13 基板リフト手段
13a 孔 13b ガイド部材
13c リフトピン 13d フランジ
13e 下部ピン 13f 上部ピン
14、15、16 絶縁性部材 17 ガス供給管
18 基板温度測定器 18a 測温手段
S 基板
Claims (8)
- チャンバを有し、その天井部にプロセスガスのガス噴出手段を設け、該ガス噴出手段に対向して加熱手段を備えた昇降自在の基板ステージを設けた処理装置における膜付着防止用ガスパージ機構であって、不活性ガスが該基板ステージの裏面及び側面に沿って流れ、該側面に沿って流れた不活性ガスが該基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び該基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿って該チャンバ内周側壁へ流れ、その後、該チャンバ内周側壁へ達した不活性ガスが該チャンバ下方へ流れるように、不活性ガス流路を形成したことを特徴とする膜付着防止用ガスパージ機構。
- 請求項1において、該不活性ガスが該基板ステージの下方から上方へ流れるように、該基板ステージを昇降せしめるための昇降ロッドの外周に不活性ガス流路を形成したことを特徴とする膜付着防止用ガスパージ機構。
- 請求項1において、該基板ステージの裏面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの裏面とその近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、該基板ステージの側面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの側面とその近傍に設けた絶縁性部材の側面との間に形成された流路であり、該基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び該基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿って不活性ガスが該チャンバ内周側壁へ流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び該基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面と、該基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、そして該チャンバ内周側壁へ達した不活性ガスが該チャンバ下方へ流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の側面と該チャンバ内周側壁との間に形成された流路であることを特徴とする膜付着防止用ガスパージ機構。
- 請求項1〜3のいずれかにおいて、基板を水平に維持しながら移動できるように、該基板ステージに基板リフト手段を設け、該不活性ガスが、該基板ステージの裏面に沿って流れると共に、該不活性ガスの一部が、該基板ステージから下方へ突出し、かつ該基板ステージ裏面近傍に設けた絶縁性部材を貫通している該基板リフト手段の下方部分の外周面に沿って該チャンバの下方へ流れるように、不活性ガス流路を形成したことを特徴とする膜付着防止用ガスパージ機構。
- チャンバを有し、該チャンバ内に、その天井部にプロセスガスのガス噴出手段を設け、該ガス噴出手段に対向して加熱手段を備えた昇降自在の基板ステージを設けた処理装置において、不活性ガスが該基板ステージの裏面及び側面に沿って流れ、該側面に沿って流れた不活性ガスが該基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び該基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿って該チャンバ内周側壁へ流れ、その後、該チャンバ内周側壁へ達した不活性ガスが該チャンバ下方へ流れるように、不活性ガス流路を形成してなる膜付着防止用ガスパージ機構を備えたことを特徴とする処理装置。
- 請求項5において、該不活性ガスが該基板ステージの下方から上方へ流れるように、該基板ステージを昇降せしめるための昇降ロッドの外周に不活性ガス流路を形成してなる膜付着防止用ガスパージ機構を備えたことを特徴とする処理装置。
- 請求項5において、該基板ステージの裏面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの裏面とその近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、該基板ステージの側面に沿って不活性ガスが流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの側面とその近傍に設けた絶縁性部材の側面との間に形成された流路であり、該基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び該基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面に沿って不活性ガスが該チャンバ内周側壁へ流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの上面の基板載置部以外の部分及び該基板ステージの外縁の延長部に設けた絶縁性部材の裏面と 、該基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の上面との間に形成された流路であり、そして該チャンバ内周側壁へ達した不活性ガスが該チャンバ下方へ流れるように形成された不活性ガス流路が、該基板ステージの側面の近傍に設けた絶縁性部材の側面と該チャンバ内周側壁との間に形成された流路であることを特徴とする処理装置。
- 請求項5〜7のいずれかにおいて、基板を水平に維持しながら移動できるように、該基板ステージに基板リフト手段を設け、該不活性ガスが、該基板ステージの裏面に沿って流れると共に、該不活性ガスの一部が、該基板ステージから下方へ突出し、かつ該基板ステージ裏面近傍に設けた絶縁性部材を貫通している該基板リフト手段の下方部分の外周面に沿って該チャンバの下方へ流れるように、不活性ガス流路を形成したことを特徴とする処理装置。
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