CN112992769B - 基板处理装置和载置台 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板处理装置和载置台。在利用具有贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。用于对基板进行处理的基板处理装置包括：具有沿上下方向贯通的贯通孔的载置台，其上表面供基板载置并对基板进行加热和/或冷却；贯穿于贯通孔的基板支承销；构成为能够支承基板支承销的支承构件，基板支承销具有：构成为能够经由贯通孔自载置台的上表面突出的突出部；位于突出部的下方并形成得比突出部粗的大径部，载置台还具有形成为自载置台的侧面延伸并与贯通孔相交、供支承构件插入的横孔，在支承构件插入于横孔的状态下利用与大径部之间的卡合来支承基板支承销，贯通孔的上侧的开口端比大径部细。

Description

基板处理装置和载置台
技术领域
本公开涉及基板处理装置和载置台。
背景技术
在专利文献1中，公开了一种在对基板进行高温处理的情况下防止由于处理气体的迂回等而使基板处理的均匀性受到不良影响的基板处理装置。该基板处理装置具有：基座、升降驱动装置、多个基板支承销以及移动阻止构件。基座水平配置，使基板搭载在其上表面而对该基板进行支承。升降驱动装置在用于支承基板的第1位置和低于该第1位置的使基板的支承待机的第2位置之间驱动基座而升降。基板支承销被支承为能够相对于基座沿上下方向移动，在基座定位于第2位置的情况下支承基板。移动阻止构件在基座从第1位置向第2位置移动时阻止基板支承销的向下方的移动。在基座形成有用于供基板支承销插入的销插入孔，另外，基板支承销的上端部的直径设定为大于销插入孔的直径。由此，基板支承销被支承为能够相对于基座沿上下方向移动。此外，在基座的销插入孔的上端部形成有用于收容大径的基板支承销的上端部的凹部。
专利文献1：日本特开平11－111821号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开所涉及的技术在利用具有供基板支承销贯穿的贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案为一种基板处理装置，该基板处理装置用于对基板进行处理，该基板处理装置包括：载置台，其具有沿上下方向贯通的贯通孔，该载置台的上表面供基板载置并且对所载置的该基板进行加热和冷却中的至少任一者；基板支承销，其贯穿于所述贯通孔；以及支承构件，其构成为能够支承所述基板支承销，所述基板支承销具有：突出部，其构成为能够经由所述载置台的所述贯通孔自该载置台的上表面突出；以及大径部，其位于所述突出部的下方并形成得比所述突出部粗，所述载置台还具有横孔，该横孔形成为自该载置台的侧面延伸并与所述贯通孔相交，所述横孔供所述支承构件插入，在所述支承构件插入于所述载置台的所述横孔的状态下所述支承构件利用其与所述基板支承销的所述大径部之间的卡合来支承该基板支承销，所述载置台的贯通孔的上侧的开口端比所述基板支承销的大径部细。
发明的效果
根据本公开，在利用具有供基板支承销贯穿的贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。
附图说明
图1是示意性表示作为本实施方式所涉及的基板处理装置的成膜装置的结构的概略的说明图，由剖面示出成膜装置的局部。
图2是图1的局部放大图。
图3是支承构件的顶端的放大俯视图。
图4是将载置台的贯通孔附近放大地示出的图。
图5是表示晶圆处理时的图1的成膜装置的内部状态的局部放大剖视图。
图6是表示晶圆处理时的图1的成膜装置的内部状态的局部放大剖视图。
图7是用于说明支承构件的另一例子的局部放大俯视图。
图8是表示升降销的支承构造的另一例子的局部放大剖视图。
图9是构成图8的支承构造的局部的支承构件的顶端的放大俯视图。
具体实施方式
例如，在半导体器件的制造工艺中，对半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)等基板进行成膜处理等基板处理。该基板处理使用基板处理装置来进行。在基板处理装置为一张一张地处理基板的单片式的情况下，在装置内设置供基板载置于上表面的载置台。另外，在单片式的基板处理装置中，为了在输送基板的基板输送装置与载置台之间交接基板而设有基板支承销，该基板支承销插入于形成在载置台的孔。例如，基板支承销固定于收容基板的处理容器的底壁，并且载置台构成为能够上下移动，利用该结构，能够相对于载置台使基板支承销相对地上下移动，因而能够在基板输送装置与载置台之间交接基板。
然而，在基板处理之际，具有对载置于载置台的基板经由该载置台进行加热、冷却的情况。该情况下，若如上述那样地将基板支承销相对于处理容器的底壁固定，则由于载置台的热膨胀、热收缩，而产生载置台的孔与基板支承销之间的位置偏移。若产生有上述位置偏移，则在为了交接基板等而使基板支承销和载置台相对地进行了升降之际，可能会产生基板支承销的破损等。因此，在专利文献1中，设为不使基板支承销固定于处理容器的底壁，而使基板支承销的上端部的直径大于基座的销插入孔的直径，并将基板支承销支承为相对于基座能够沿上下方向移动。
但是，若增大基板支承销的上端部的直径，则为了收容该上端部而需要在载置台的上表面设置直径大于该上端部的直径的凹部。若设置这样的凹部，则载置台上的基板的温度的面内均匀性受到损坏。
于是，本公开所涉及的技术在利用具有供基板支承销贯穿的贯通孔的载置台对载置于该载置台的基板进行加热、冷却的情况下改善基板的温度的面内均匀性。
以下，参照附图说明本实施方式所涉及的基板处理装置和基板的交接方法。其中，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
图1是示意性表示作为本实施方式所涉及的基板处理装置的成膜装置的结构的概略的说明图，由剖面示出成膜装置的局部。
图1的成膜装置1具有处理容器10，该处理容器10构成为能够减压，并用于收容作为基板的晶圆W。
处理容器10具有形成为有底的圆筒形状的容器主体10a。
在容器主体10a的侧壁设有晶圆W的送入送出口11，在该送入送出口11设有使该送入送出口11开闭的闸阀12。在比送入送出口11靠上部侧的位置设有成为容器主体10a的侧壁的一部分的后述的排气管道60。在容器主体10a的上部，具体而言在排气管道60设有开口10b，并以封闭该开口10b的方式安装有盖13。在排气管道60与盖13之间设有用于将处理容器10内保持为气密的O形密封圈14。
在处理容器10内设有在上表面将晶圆W水平地载置的载置台20。在载置台20的内部形成有作为温度调节机构的加热图案21。加热图案21用于加热晶圆W。此外，在利用载置台20冷却晶圆W的情况下，代替加热图案21而设置例如具有冷却介质的流路的冷却机构作为温度调节机构。还可以设为在载置台20的内部设置加热图案21和冷却机构这两者，而能够进行晶圆W的加热和冷却这两者。
在该载置台20以遍及周向地覆盖比其上表面的载置晶圆W的载置区域靠外周侧的区域以及其侧周面的方式设有罩构件22。
在载置台20的下表面中央部连接有支承轴构件23的上端，该支承轴构件23是穿过形成于处理容器10的底壁的开口15而贯穿该底壁并沿上下方向延伸的台支承构件。支承轴构件23的下端连接于驱动机构24。驱动机构24产生用于使支承轴构件23升降和旋转的驱动力，例如具有气缸(未图示)、马达(未图示)。伴随支承轴构件23利用驱动机构24的驱动而上下移动，载置台20能够在由双点划线表示的输送位置与其上方的处理位置之间上下移动。上述的输送位置是指在作为基板输送装置的晶圆输送装置M(参照图5)与后述的升降销30之间对晶圆W进行交接时供载置台20待机的位置，该晶圆输送装置M自处理容器10的送入送出口11进入处理容器10内。另外，上述的处理位置是指对晶圆W进行成膜处理的位置。另外，伴随支承轴构件23利用驱动机构24的驱动而以其轴线为中心旋转，载置台20以上述轴线为中心旋转。
另外，在支承轴构件23的位于处理容器10的外侧的部分设有比该支承轴构件23大径的凸缘25。而且，在该凸缘25与处理容器10的底壁的供支承轴构件23贯穿的贯通部之间以包围支承轴构件23的外周部的方式设有波纹管26。由此，保持处理容器10的气密。
而且，在载置台20形成有多个沿上下方向贯通的贯通孔20a。另外，相对于载置台20，设有从下方贯穿贯通孔20a的作为基板支承销的升降销30。升降销30用于在晶圆输送装置M(参照图5)与载置台20之间交接晶圆W，该晶圆输送装置M从处理容器10的外部插入该处理容器10内。该升降销30构成为能够自上述的输送位置的载置台20的上表面经由贯通孔20a突出。此外，升降销30设于每个贯通孔20a。
之后说明升降销30的形状、升降销30的支承构造、用于升降升降销30的构造。
而且，在处理容器10内的载置台20与盖13之间以与载置台20相对的方式设有帽构件40，该帽构件40用于在其与载置台20之间形成处理空间S。帽构件40利用螺栓(未图示)与盖13固定。
在帽构件40的下部形成有倒研钵状的凹部41。在凹部41的外侧形成有平坦的周缘42。
而且，由位于前述的处理位置的载置台20的上表面和帽构件40的凹部41形成处理空间S。形成了处理空间S时的载置台20的高度以在帽构件40的周缘42的下表面与罩构件22的上表面之间形成间隙43的方式设定。凹部41例如形成为使处理空间S的容积尽可能变小，并且使由吹扫气体置换处理气体时的气体置换性良好。
在帽构件40的中央部形成有用于向处理空间S内导入处理气体、吹扫气体的气体导入路径44。气体导入路径44贯通帽构件40的中央部，并设为其下端与载置台20上的晶圆W的中央部相对。另外，在帽构件40的中央部嵌入有流路形成构件40a，气体导入路径44的上侧利用该流路形成构件40a分支，并分别与贯通盖13的气体导入路径45连通。
在帽构件40的气体导入路径44的下端的下方设有用于使自气体导入路径44喷出的气体向处理空间S内分散的分散板46。分散板46借助支承棒46a固定于帽构件40。
在气体导入路径45设有用于将作为处理气体的TiCl4气体、NH3气体、吹扫用的N2气体等自气体供给源(未图示)向处理容器10导入的气体导入机构50。在气体导入机构50与处理容器10之间，具体而言，在气体导入机构50与盖13之间设有用于将处理容器10内保持为气密的O形密封圈(未图示)。
而且，另外，在容器主体10a的排气管道60连接有排气管61的一端部。排气管61的另一端部连接有由例如真空泵构成的排气装置62。另外，在排气管61的比排气装置62靠上游侧的位置设有用于调整处理空间S内的压力的APC阀63。
其中，排气管道60是将纵剖面形状呈方形的气体流通流路64形成为环状而成的。在排气管道60的内周面遍及整周地形成有狭缝65。在排气管道60的外壁设有排气口66，在该排气口66连接有排气管61。狭缝65形成在与前述的间隙43对应的位置，该间隙43是在载置台20上升到了前述的处理位置之际形成的。因而，通过使排气装置62工作，处理空间S内的气体经由间隙43和狭缝65到达排气管道60的气体流通流路64，并经过排气管61排出。
在以上这样构成的成膜装置1设有控制部U。控制部U例如由具备CPU、存储器等的计算机构成，并具有程序储存部(未图示)。在程序储存部储存有用于实现成膜装置1的后述的晶圆处理的程序等。此外，上述程序可以记录于能够由计算机读取的存储介质，也可以自该存储介质加载于控制部U。另外，程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路基板)来实现。
接着，参照图1并使用图2和图3来说明升降销30的形状、升降销30的支承构造、用于升降升降销30的构造。图2是图1的局部放大图。图3是后述的支承构件70的顶端的放大俯视图。
如图2所示，升降销30具有：突出部31，其构成为能够经由载置台20的贯通孔20a自该载置台20的上表面突出；以及大径部32，其位于突出部31的下方，并形成得比突出部31粗。大径部32形成得比该大径部32的周围粗，换言之，形成为凸缘状。大径部32形成于升降销30的大致中央部。另外，升降销30在比大径部32靠下方的位置、具体而言在销下端具有抵接部33。抵接部33形成得比于大径部32粗，与后述的销移动机构100抵接。此外，对于升降销30，大径部32和抵接部33利用连接部34连接，连接部34的粗细与突出部31大致相同。另外，在本实施方式中，突出部31、大径部32、抵接部33以及连接部34全部形成为剖视呈圆形形状。
对于具有上述的各部分的升降销30，至少比大径部32的形成部分靠上侧的部分从下方插入于载置台20的贯通孔20a。因此，贯通孔20a的下侧的开口端20b形成得比升降销30的大径部32粗。另一方面，贯通孔20a的上侧的开口端20c形成得比升降销30的大径部32细。以下，在贯通孔20a的上部，将形成得比升降销30的大径部32细的部分称作细径部20a1。另外，贯通孔20a除上述的细径部20a1以外形成得比升降销30的大径部32粗，以使升降销30能够上下移动且该升降销30的突出部31能够相对于载置台20的上表面突出没入。
为了支承插入于贯通孔20a的升降销30，而在载置台20的内部设有支承构件70。具体而言，在载置台20以自该载置台20的侧面沿水平方向延伸并与贯通孔20a相交的方式形成有横孔20d，在该横孔20d插入有上述支承构件70。横孔20d设于每个贯通孔20a。另外，上述横孔20d的开口端被罩构件22覆盖。
支承构件70在插入于载置台20的横孔20d的状态下利用与升降销30的大径部32之间的卡合来支承该升降销30。具体而言，支承构件70在插入于载置台20的横孔20d的状态下利用该支承构件70的顶端的上表面与升降销30的大径部32的下表面之间的抵接卡合来悬吊保持该升降销30。支承构件70至少在载置台20向前述的处理位置移动的状态下如上述那样地悬吊保持升降销30。
在载置台20向处理位置移动的状态下，即，在升降销30悬吊保持于支承构件70的状态下，以满足以下的条件(A)的方式对横孔20d的高度方向上的形成位置、升降销30的突出部31的长度进行设定。
(A)升降销30的突出部31的上端面不会自载置台20的上表面突出(例如上述突出部31的上端面位于自载置台20的上表面向下方0.1mm～0.3mm的位置)。
另外，如图3所示，在支承构件70的顶端形成有缺口71，利用该缺口71，形成有供升降销30勾挂的U字状的勾挂部72。缺口71沿支承构件70的相对于载置台20的横孔20d的插入方向被切掉。缺口71的宽度W1小于升降销30的大径部32的直径R1且大于升降销30的连接部34的直径R2。因而，在将支承构件70插入到载置台20的横孔20d的深侧时，该插入不会被贯通孔20a内的升降销30妨碍，另外，能够利用支承构件70的勾挂部72大致整体来支承升降销30。
此外，上述的升降销30和上述的支承构件70由例如氧化铝、氮化铝形成。
另外，如图1所示，针对升降销30设有销移动机构100，该销移动机构100构成为能够支承该升降销30并且使所支承的该升降销30沿上下方向移动。销移动机构100设于载置台20与处理容器10的底壁之间。
销移动机构100利用与升降销30之间的卡合来支承该升降销30。具体而言，销移动机构100具有抵接构件101，通过使升降销30的未插入于载置台20的贯通孔20a的抵接部33的下端面与上述抵接构件101的上表面抵接，从而支承该升降销30。抵接构件101例如由俯视呈环状的构件构成。
在抵接构件101的下表面侧设有支承柱102，支承柱102贯穿处理容器10的底壁而与设于处理容器10的外侧的驱动机构104连接。驱动机构104产生用于使支承柱102升降的驱动力，该驱动机构104具有例如气缸(未图示)。伴随支承柱102利用驱动机构104的驱动而上下移动，抵接构件101上下移动，由此，支承于该抵接构件101的升降销30以与载置台20独立的方式上下移动。特别是，伴随支承柱102利用驱动机构104的驱动而向上方移动，升降销30向上方移动，该升降销30的上端部自移动到了上述的输送位置的载置台20的上表面突出。
此外，在驱动机构104与处理容器10的底壁的供支承柱102贯穿的贯通部之间以包围支承柱102的外周部的方式设有波纹管103。由此，保持处理容器10的气密。
在此，说明载置台20、升降销30的尺寸。
在晶圆W的直径为300mm的情况下，载置台20的直径为例如330mm～350mm，贯通孔20a形成在与载置台20的周端距离20mm～40mm的位置。
贯通孔20a的上侧的开口端20c如前述那样形成得比升降销30的大径部32细。具体而言，例如，升降销30的突出部31的直径为1mm～3mm，大径部32的直径为其2倍以上，相对于此，贯通孔20a的上侧的开口端20c的内径设定为突出部31的直径的1.2倍～1.5倍，例如为1.2mm～4.5mm。越减小开口端20c的内径，越能够使载置台20上的晶圆W的温度的面内均匀性提高。此外，贯通孔20a的下侧的开口端20b的内径例如为7mm～10mm。
使用图4进一步说明载置台20、升降销30的尺寸。图4是将载置台20的贯通孔20a附近放大地示出的图。
在载置台20的厚度为15mm～25mm的情况下，横孔20d的形成位置等例如以下所示。但是，也根据加热图案21的形成位置等而并不限定于此。
载置台20的贯通孔20a的细径部20a1的厚度T1：1.5mm～2.5mm
载置台20的自细径部20a1到横孔20d的距离L1：8mm～12mm
载置台20的横孔20d的高度H1：2mm～4mm
升降销30的突出部31的长度L2：8mm～13mm
升降销30的大径部32的长度L3：1.5mm～2.5mm
支承构件70的厚度T2：1.5mm～2.5mm
从强度的观点来看，针对载置台20的贯通孔20a的细径部20a1的厚度T1采用上述那样的尺寸。
此外，处于处理位置的载置台20的周端面与处理容器10的内壁面之间的距离例如设为100mm～150mm。
接着，说明使用成膜装置1进行的晶圆处理。参照图1和图2并使用图5和图6进行说明。图5和图6是表示晶圆处理时的成膜装置1的内部状态的局部放大剖视图。
首先，闸阀12被打开，晶圆W自与处理容器10相邻的真空环境的输送室(未图示)经由送入送出口11向处理容器10内送入。如图5所示，由晶圆输送装置M进行晶圆W的送入。送入的晶圆W被向移动到前述的待机位置的载置台20的上方输送。接着，利用支承构件70的顶端与升降销30的大径部32之间的卡合，被悬吊保持的该升降销30利用销移动机构100而上升。由此，如图6所示，上述支承构件70对升降销30的悬吊保持被解除，并且该升降销30自载置台20的上表面突出预定距离，晶圆W被交接到该升降销30之上。为了使此时的升降销30的突出量增大，横孔20d可以设于载置台20的尽可能的下侧。
在将晶圆W交接到了升降销30上之后，晶圆输送装置M被自处理容器10抽出，闸阀12被关闭。并且，利用销移动机构100进行升降销30的下降，利用驱动机构24进行载置台20的上升。由此，销移动机构100对升降销30的支承被解除，如图2所示，升降销30再次利用支承构件70悬吊保持，并且升降销30的上端部收纳于载置台20的贯通孔20a而成为未自上表面突出的状态，晶圆W被载置于载置台20上。接着，将处理容器10内调整为预定的压力，利用驱动机构24使载置台20向处理位置移动，而形成处理空间S。
该状态下，经由气体导入机构50向处理空间S供给作为吹扫气体的N2气体，并且交替且间歇地供给TiCl4气体和NH3气体，利用ALD法在晶圆W上成膜TiN膜。在该成膜时，晶圆W被载置台20加热，例如，晶圆W的温度(具体而言，载置台20的温度)设为300℃～600℃。
在上述那样的利用ALD法进行的TiN膜的成膜完成了之后，载置有晶圆W的载置台20下降到输送位置。接着，利用销移动机构100使升降销30上升。由此，解除支承构件70对升降销30的悬吊保持，并且该升降销30自载置台20的上表面突出预定距离，而将晶圆W交接到该升降销30之上。之后，闸阀12被打开，未保持晶圆W的晶圆输送装置M经由送入送出口11向处理容器10内插入。晶圆输送装置M插入到被升降销30保持的晶圆W与输送位置的载置台20之间。接下来，升降销30利用销移动机构100下降。由此，升降销30上的晶圆W被交接到晶圆输送装置M。然后，晶圆输送装置M被自处理容器10抽出，闸阀12被关闭。由此，完成一系列的晶圆处理。
然后，对另一晶圆W进行上述的一系列的晶圆处理。
接着，说明升降销30的安装方法的一个例子。
例如，首先，向翻转过来的状态下的载置台20的贯通孔20a分别插入升降销30。接着，向与各个贯通孔20a相对的横孔20d插入支承构件70。然后，将翻转过来的载置台20翻回，利用支承构件70的上表面与升降销30的大径部32的下表面之间的抵接卡合，各升降销30被支承构件70悬吊保持。然后，将载置台20安装于处理容器10内。然后，将罩构件22安装于载置台20的上表面。升降销30的安装例如像这样地进行。
如上所述，在本实施方式中，成膜装置1包括：载置台20，其具有沿上下方向贯通的贯通孔20a，且在其上表面载置基板并对该载置的晶圆W进行加热；升降销30，其贯穿于贯通孔20a；以及支承构件70，其构成为能够支承升降销30。另外，在本实施方式中，升降销30具有：突出部31，其构成为能够经由载置台20的贯通孔20a自该载置台20的上表面突出；以及大径部32，其位于突出部31的下方，该大径部32形成得比突出部31粗。而且，载置台20具有横孔20d，该横孔20d形成为自该载置台20的侧面延伸并与贯通孔20a相交，且供支承构件70插入。而且，在本实施方式中，利用经由横孔20d插入于载置台20的内部的支承构件70与升降销30的大径部32之间的卡合来对该升降销30进行支承。也就是说，升降销30不固定于销移动机构100等。因此，不会存在由于载置台20的热膨胀等的影响而导致下升降销30的破损、升降销30的顺畅的升降动作受到破坏的情况。而且，在本实施方式中，载置台20的贯通孔20a的上侧的开口端20c比该升降销30的用于支承升降销30的大径部32细。因而，根据本实施方式，相比于例如使贯通孔20a的上侧的开口端20c比升降销30的大径部32粗的情况，能够抑制晶圆W的与贯通孔20a对应的部分的温度降低，因而能够改善晶圆W的温度的面内均匀性。
另外，根据本实施方式，能够简单地安装升降销30。
而且，在本实施方式中，由于支承构件70等用于对升降销30进行支承的构件不具有复杂的形状，而且较小型，因此能够以较低的成本进行制作。
此外，而且，在本实施方式中，由于是利用升降销30的大径部32支承该升降销30的形态，因此能够极力减小升降销30的突出部31的直径，由此能够极力减小开口端20c的尺寸。通过减小开口端20c的尺寸，能够进一步改善晶圆W的温度的面内均匀性。
另外，在本实施方式中，由于升降销30的至少一部分始终位于贯通孔20a内，因而不会产生升降销30与贯通孔20a之间的位置偏移。若产生上述位置偏移，则在使升降销上升时该升降销有时会破损，但根据本实施方式，由于不产生上述位置偏移，因而能够避免升降销30的破损。为了避免升降销的破损，特别是避免升降销的突出部的破损，有时会加粗该升降销的突出部，但根据本实施方式，由于如上述那样不会产生破损，因而无需加粗升降销的突出部。也就是说，能够使升降销的突出部较细。
此外，作为改善晶圆W的温度的面内均匀性的技术，存在使用对晶圆W的边缘进行支承的边缘销的技术。但是，在该技术中，需要在载置台设置供边缘销贯穿的贯穿孔，由于晶圆W的边缘位于该贯穿孔上，因此导致也会在晶圆背面成膜。在本实施方式中，不会产生这样的针对晶圆背面的成膜。
另外，本实施方式所涉及的升降销30的支承构造利用支承构件70对升降销30进行悬吊保持，是不使用为了支承升降销30而可能成为异物的释放源的夹具等动作构件的简单的构造。因而，根据本实施方式，能够防止形成在晶圆W上的TiN膜等膜的低品质化。
而且，在本实施方式中，升降销30在比大径部32靠下方的部分形成有形成得比该大径部32粗且供销移动机构100抵接的抵接部33。因此，在使销移动机构100从下方与升降销30抵接而使升降销30移动时，能够稳定地支承升降销30。因而，不会使升降销30以倾斜的状态上升，而使该升降销30产生弯折等破损。另外，通过设置上述那样的抵接部33，升降销30能够伴随销移动机构100的抵接构件101的下降而利用自重顺畅地下降。
而且，另外，在本实施方式中，由于升降销30的连接部34整体形成得比大径部32细，因此即使升降销30略微倾斜，在该升降销30上升时，连接部34也不会与载置台20的下表面等抵接而发生破损。
另外，在本实施方式中，载置台20的横孔20d的开口端由罩构件22覆盖。因而，能够防止支承构件70自横孔20d脱落。通过设置罩构件22，还能够防止在载置台20的周端面、背面进行不必要的成膜。
在以上的例子中，升降销30的大径部32与支承构件70之间的卡合不会因仅通过使载置台20向输送位置移动而解除，而是在利用销移动机构100使升降销30进行了上升时，上述卡合被解除。但是，也可以是，在载置台20向输送位置移动的过程中，升降销30的抵接部33的下表面与销移动机构100的上表面抵接，升降销30的进一步向下方的移动被妨碍，在完成了载置台20的向输送位置的移动的状态时，上述卡合被解除。
图7是用于说明支承构件的另一例子的局部放大俯视图。
对于使用图3等进行了说明的支承构件70，设于其顶端的勾挂部72形成为U字状。支承构件的勾挂部并不限于该形状，只要能够供升降销30勾挂即可，具体而言，只要能够供升降销30的大径部32勾挂即可，例如也可以如图7的支承构件200的勾挂部201那样形成为L字状。
使用图8和图9说明升降销的支承构造的另一例子。图8是表示升降销的支承构造的另一例子的局部放大剖视图，图9是构成图8的支承构造的一部分的支承构件的顶端的放大俯视图。
在以上的例子中，升降销30以该升降销30的大径部32的下表面与支承构件70的上表面抵接的状态与该支承构件70卡合，并利用该支承构件70进行了支承。也就是说，在以上的例子中，升降销30与支承构件70直接卡合，并利用该支承构件70进行支承。
相对于此，在图8的例子中，升降销210隔着支承辅助构件230间接地与插入于载置台20的横孔20d的支承构件220卡合，利用该间接的卡合，由该支承构件220支承该升降销210。
支承辅助构件230例如由氧化铝、氮化铝形成，具有第1卡合部231和第2卡合部232。
第1卡合部231与插入于载置台20的横孔20d的支承构件220卡合。具体而言，第1卡合部231以其下表面与在上述支承构件220的顶端形成的后述的勾挂部222的上表面抵接的状态与该支承构件220卡合。
第2卡合部232位于插入于载置台20的横孔20d的支承构件220的下方，与升降销210的大径部211卡合。具体而言，第2卡合部232位于上述支承构件220的下方，以该第2卡合部232的上表面与升降销210的大径部211的下表面抵接的状态与该升降销210卡合。
而且，支承辅助构件230以连接第1卡合部231和第2卡合部232的方式形成有收容升降销210的大径部211的筒状部233。
筒状部233例如形成为其内径大于升降销210的大径部211的圆筒状。
在本例中，第1卡合部231以自筒状部233的外周面向外侧突出的方式形成为圆环状，第2卡合部232以自筒状部233的内周面向内侧突出的方式形成为圆环状。
支承构件220在插入于载置台20的横孔20d的状态下利用经由支承辅助构件230的与升降销210的大径部211之间的卡合来支承该升降销210。具体而言，支承构件220利用其与支承辅助构件230的第1卡合部231之间的卡合来悬吊保持该支承辅助构件230，从而悬吊保持升降销210，该支承辅助构件230利用其与升降销210的大径部211之间的卡合而悬吊保持了该升降销210。
另外，在支承构件220的顶端如图9所示形成缺口221，由该缺口221形成了供升降销210勾挂的U字状的勾挂部222。缺口221沿着支承构件220的相对于载置台20的横孔20d的插入方向被切掉。缺口221的宽度W2小于支承辅助构件230的第1卡合部231的直径R3且大于支承辅助构件230的筒状部233的直径R4。因此，在将支承构件220插入到载置台20的横孔20d的深侧时，该插入不会被贯通孔20a内的支承辅助构件230妨碍，另外，能够由支承构件220的勾挂部222的大致整体悬吊保持支承辅助构件230。
此外，在本例中，载置台20的贯通孔20a的下侧的开口端20b形成得比支承辅助构件230的第1卡合部231粗。因而，能够将支承辅助构件230的靠第1卡合部231侧的部分相对于载置台20的贯通孔20a从下方插入。
在本例中也是，载置台20的贯通孔20a的上侧的开口端20c比升降销210的大径部211细。因此，能够抑制晶圆W的与贯通孔20a对应的部分的温度降低，因此能够改善晶圆W的温度的面内均匀性。
此外，载置台20的供支承构件220插入的横孔20d无法形成在加热图案21的配设位置。因而，上述横孔20d的形成位置无法自由地设定。但是，在本例中，由于支承辅助构件230的第2卡合部232位于支承构件220的下方，因此无论横孔20d的形成位置如何，都能够将自升降销210的顶端到大径部211的下表面的距离设定为所期望的值。因而，无论横孔20d的形成位置如何，都能够使升降销210自载置台20的上表面突出所期望的量。
此外，在图3等的例子中，为了防止升降销30在倾斜的状态下利用销移动机构100移动，在升降销30形成了抵接部33。
相对于此，在本例中，升降销210省略了抵接部33，代替于此而在支承辅助构件230设有收容升降销210的大径部211的筒状部233。在该结构中，由于升降销210的外周面与筒状部233的内周面之间的抵接，升降销210的倾斜被限制。由此，在本例中，防止了升降销210在倾斜的状态下利用销移动机构100移动。
升降销210的大径部211的长度和支承辅助构件230的筒状部233的长度设定为至少在升降销210最大程度地上升了时大径部211仍位于筒状部233内。
另外，大径部211的长度和外径、筒状部233的长度和内径设定为在升降销210最大程度地倾斜了的状态下该升降销210仍不与贯通孔20a的内周面抵接。
此外，大径部211的长度例如为10mm～15mm，筒状部233的长度例如为15mm～25mm。
在以上的例子中，载置台20的横孔20d沿水平方向延伸，即，沿与载置台20的上表面平行的方向延伸，但横孔20d也可以形成为以相对于载置台20的上表面倾斜的方式自载置台20的侧面向斜下方延伸。该情况下，也可以省略罩构件22。
另外，以上利用ALD法进行了成膜，但本公开所涉及的技术也能够应用于利用CVD法进行成膜的情况。例如，在使用含Si气体而利用CVD法形成Si膜、SiN膜的情况下，也能够应用本公开所涉及的技术。
以上以成膜装置为例进行了说明，但本公开所涉及的技术也能够应用于具有载置台的、进行成膜处理以外的处理的基板处理装置。例如，也能够应用于进行检查处理的检查装置、蚀刻装置。
应该认为，此次公开的实施方式在所有方面仅为例示，而并非限制性的。上述的实施方式在不脱离权利要求书及其主旨的范围内也可以以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其用于对基板进行处理，其中，
该基板处理装置包括：
载置台，其具有沿上下方向贯通的贯通孔，该载置台的上表面供基板载置并且对所载置的该基板进行加热和冷却中的至少任一者；
基板支承销，其贯穿于所述贯通孔；以及
支承构件，其构成为能够支承所述基板支承销，
所述基板支承销具有：突出部，其构成为能够经由所述载置台的所述贯通孔自该载置台的上表面突出；以及大径部，其位于所述突出部的下方并形成得比所述突出部粗，
所述载置台还具有横孔，该横孔形成为自该载置台的侧面延伸并与所述贯通孔相交，
所述横孔供所述支承构件插入，
在所述支承构件插入于所述载置台的所述横孔的状态下所述支承构件利用其与所述基板支承销的所述大径部之间的卡合来支承该基板支承销，
所述载置台的贯通孔的上侧的开口端比所述基板支承销的大径部细。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述支承构件在插入于所述载置台的所述横孔的状态下利用该支承构件的上表面与所述大径部的下表面之间的抵接卡合来支承所述基板支承销。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括销移动机构，该销移动机构使所述基板支承销沿上下方向移动，
所述基板支承销在比所述大径部靠下方的位置具有抵接部，该抵接部形成得比该大径部粗并用于与所述销移动机构抵接。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括支承辅助构件，该支承辅助构件具有：第1卡合部，其与插入于所述载置台的横孔的所述支承构件卡合；以及第2卡合部，其位于插入于所述载置台的横孔的所述支承构件的下方，用于与所述基板支承销的大径部卡合，
在所述支承构件插入于所述横孔的状态下所述支承构件利用其借助所述支承辅助构件与所述大径部之间的卡合来支承所述基板支承销。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述支承辅助构件以连接所述第1卡合部和所述第2卡合部的方式形成有筒状部，该筒状部收容所述基板支承销的大径部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还包括罩构件，该罩构件覆盖所述载置台的所述横孔的开口端。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述支承构件具有缺口，该缺口沿该支承构件的相对于所述横孔的插入方向被切掉而成。
8.一种载置台，该载置台的上表面供基板载置，其中，
该载置台具有：
温度调节机构，其对载置于该载置台的上表面的基板进行加热和冷却中的至少任一者；
贯通孔，其沿上下方向贯通该载置台；以及
横孔，其形成为自该载置台的侧面延伸并与所述贯通孔相交，
在所述贯通孔贯穿有基板支承销，该基板支承销具有：突出部，其构成为能够经由该贯通孔自该载置台的上表面突出；以及大径部，其位于该突出部的下方并形成得比所述突出部粗，
在所述横孔插入有支承构件，该支承构件与所述基板支承销的所述大径部卡合而支承该基板支承销，
所述贯通孔的上侧的开口端比所述基板支承销的大径部细。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111971785A (zh) * 2018-03-27 2020-11-20 Vat控股公司 具有用于容纳和放开支撑销的联接装置的销提升装置
JP2020177967A (ja) * 2019-04-16 2020-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2023032647A (ja) * 2021-08-27 2023-03-09 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
US20240038575A1 (en) * 2022-07-27 2024-02-01 Applied Materials, Inc. Thickness uniformity improvement kit for thermally sensitive epitaxial processing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0913172A (ja) * 1995-06-28 1997-01-14 Ulvac Japan Ltd 真空装置用昇降機構
JP2004214312A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置
JP2008004575A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 支持ピン
CN102859031A (zh) * 2010-04-28 2013-01-02 株式会社爱发科 真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法
JP2017195407A (ja) * 2017-07-06 2017-10-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2019027801A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 Applied Materials, Inc. ACTIVE MONITORING SYSTEM FOR PREVENTING SUBSTRATE BREAKAGE

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5860640A (en) * 1995-11-29 1999-01-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor wafer alignment member and clamp ring
JPH11111821A (ja) 1997-10-03 1999-04-23 Kokusai Electric Co Ltd 基板支持装置
JP3602324B2 (ja) 1998-02-17 2004-12-15 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置
JP3935303B2 (ja) 2000-03-17 2007-06-20 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
KR100666764B1 (ko) * 2001-10-16 2007-01-09 동경 엘렉트론 주식회사 피처리체 승강기구 및 이를 사용한 처리장치
KR100526924B1 (ko) 2004-05-18 2005-11-09 삼성전자주식회사 반도체 제조용 챔버의 웨이퍼 리프트 장치
JP4687534B2 (ja) * 2005-09-30 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板の載置機構及び基板処理装置
JP5148955B2 (ja) * 2007-09-11 2013-02-20 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構及び基板処理装置
JP5155790B2 (ja) 2008-09-16 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 基板載置台およびそれを用いた基板処理装置
US9011602B2 (en) * 2009-01-29 2015-04-21 Lam Research Corporation Pin lifting system
TWI691388B (zh) * 2011-03-11 2020-04-21 美商布魯克斯自動機械公司 基板處理裝置
JP6056403B2 (ja) * 2012-11-15 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6017328B2 (ja) * 2013-01-22 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
US10332778B2 (en) 2015-11-11 2019-06-25 Lam Research Corporation Lift pin assembly and associated methods
US11004722B2 (en) * 2017-07-20 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Lift pin assembly
JP2022016045A (ja) * 2020-07-10 2022-01-21 東京エレクトロン株式会社 載置台装置及び基板処理装置
JP2022069274A (ja) * 2020-10-23 2022-05-11 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US20220336258A1 (en) * 2021-04-16 2022-10-20 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling lift pin movement

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0913172A (ja) * 1995-06-28 1997-01-14 Ulvac Japan Ltd 真空装置用昇降機構
JP2004214312A (ja) * 2002-12-27 2004-07-29 Ulvac Japan Ltd 基板処理装置
JP2008004575A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 支持ピン
CN102859031A (zh) * 2010-04-28 2013-01-02 株式会社爱发科 真空处理装置、基板和对位掩模的移动方法以及对位方法及成膜方法
JP2017195407A (ja) * 2017-07-06 2017-10-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2019027801A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 Applied Materials, Inc. ACTIVE MONITORING SYSTEM FOR PREVENTING SUBSTRATE BREAKAGE

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