JP2000150625A - 基板支持装置及びそれを備えた熱処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多種多様な処理に容易に対応し得る基板支持
装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗの周縁部を支持する支持部ＳＰと
この支持部ＳＰに支持された基板Ｗの端縁をガイドする
ガイド部ＧＰとを有する支持部材１１０を３本備えた周
縁部支持機構１１と、基板Ｗの一方側の面内において、
周縁部支持機構１１の支持位置よりも内側の支持位置を
支持する支持部材１２０を３本備えた面内支持機構１２
とを備える。制御部Ｃは周縁部支持機構１１を昇降させ
る昇降駆動機構１３Ａと面内支持機構１２を昇降させる
昇降駆動機構１３Ｂのうちのいずれか一方を選択的に駆
動して、周縁部支持機構１１と面内支持機構１２とのう
ちのいずれか１つの支持機構１１または１２を選択して
基板Ｗの支持に用いるように各支持機構１１、１２を選
択的に切り替える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの基板を支持する基板支持
装置とその基板支持装置を備えた加熱処理装置や冷却処
理装置などの熱処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板に対してレジスト塗布処理や現像処
理などの薬液処理を施す基板処理においては、薬液処理
の前後に基板を加熱処理装置で加熱したり、加熱後の基
板を冷却処理装置で常温に冷却したりする熱処理が実行
される。

【０００３】このような熱処理を実行する加熱処理装置
や冷却処理装置などの熱処理装置は、ヒーターなどの加
熱手段を内蔵した加熱プレートや、ペルチェ素子などの
冷却手段を内蔵した冷却プレートなどの熱処理プレート
を処理室内に備え、この熱処理プレートの上面に基板を
支持した状態で基板を加熱または冷却する構成となって
いる。

【０００４】この熱処理装置に対する基板の搬入搬出
は、基板を搬送する基板搬送機構が搬送アームを用いて
行うが、基板搬送機構の搬送アームと熱処理装置内の熱
処理プレートとの間で基板の受け渡しを直接行うことが
難しい。そのため、この種の熱処理装置には、基板搬送
機構の搬送アームと熱処理装置内の熱処理プレートとの
間で基板を受け渡すために基板を一時的に支持する基板
支持装置を備えている。

【０００５】熱処理装置に備えられた従来の基板支持装
置は、基板を支持する支持機構と、この支持機構と熱処
理プレートとを相対的に昇降させる昇降駆動機構とを備
えて構成されている。支持機構としては、従来、予め決
められたサイズの基板の周縁部を支持する支持部とこの
支持部に支持された前記サイズの基板の端縁をガイドす
るガイド部とを有する支持部材を備えた、いわゆるエッ
ジホールドタイプの支持機構が備えられている。

【０００６】この基板支持装置によれば、熱処理プレー
トに対して支持部材を上昇させて、熱処理プレートの上
方に支持部材を突出させた状態で、熱処理前の基板を搬
入してきた基板搬送機構の搬送アームから支持部材にそ
の基板が引き渡されて支持部材に熱処理前の基板が支持
される。そして、熱処理プレートに対して支持部材を下
降させて、支持部材に支持された熱処理前の基板が熱処
理プレートの上面に引き渡され、その基板に熱処理が施
される。また、熱処理を終了すると、熱処理プレートに
対して支持部材を上昇させて、熱処理を終えた基板を支
持部材で支持して熱処理プレートの上方に持ち上げ、そ
の状態で、基板搬送機構の搬送アームによって支持部材
に支持された熱処理済の基板が受け取られて装置外に搬
出される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
熱処理装置に備えた基板支持装置は、エッジホールドタ
イプの支持機構を１つ（１種類）しか備えていないの
で、以下のような不都合を招いている。

【０００８】通常は、基板の周縁部のレジストは除去さ
れており、そのように周縁部のレジストが除去された基
板のみが熱処理装置に搬入されていたが、最近、基板を
有効利用するために基板の周縁部までパターンを形成し
たいという要望があり、そのため、周縁部のレジストを
除去していない基板が熱処理装置に搬入されることがあ
る。エッジホールドタイプの支持機構は、基板の周縁部
付近を支持するので、周縁部のレジストを除去していな
い基板をこの支持機構（支持部材）で支持すると、周縁
部のレジストが支持部材と接触して基板からレジストが
剥離し、支持部材にレジストが付着する。そして、この
レジストが乾燥してパーティクルになり支持部材にパー
ティクルが付着した状態となる。その結果、支持部材を
介してパーティクルが他の基板に転移して基板を２次汚
染したり、処理に悪影響を与えたりするなどの不都合が
起こっている。

【０００９】また、エッジホールドタイプの支持機構
は、予め決められたサイズの基板を支持するように構成
されており、他のサイズの基板の支持に用いることがで
きない。例えば、３００mmの半導体ウエハを支持するた
めのエッジホールドタイプの支持機構では、それよりも
小さい８インチ（２００mm）の半導体ウエハを支持する
ことができない。そのため、従来の熱処理装置には、サ
イズの異なる基板を混在させて熱処理装置で熱処理する
ことができないという不都合もあった。例えば、半導体
ウエハのサイズは８インチから３００mmに移行しつつあ
り、両方のサイズの半導体ウエハを１つの熱処理装置で
熱処理したいという要望があるが、従来の熱処理装置で
は、そのような要望を実現することができない。

【００１０】上述のように、従来の熱処理装置では、処
理の多様化に対応することが難しく、多種多様な処理を
行うためには、基板の種類などに応じて熱処理装置を交
換しなければならないなどコスト高や作業量の増大など
の不都合を招いている。

【００１１】また、上述したような問題は、熱処理装置
に備えた基板支持装置に限らず、例えば、複数の基板搬
送機構の間で基板の受け渡しを行う際に用いられる基板
受け渡し部に備えた基板支持装置などにも同様に起こり
得る。

【００１２】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、多種多様な処理に容易に対応し得る基
板支持装置及びそれを備えた熱処理装置を提供すること
を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板を支持する支持手段
を複数有するとともに、前記複数の支持手段のうちのい
ずれか１つの支持手段を選択して基板の支持に用いるよ
うに前記各支持手段を選択的に切り替え可能に構成した
ことを特徴とするものである。

【００１４】請求項２に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板支持装置において、前記複数の支持手段に
は、基板の周縁部を支持する支持部とこの支持部に支持
された基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支持
部材を備えた周縁部支持手段と、基板の一方側の面内に
おいて、前記周縁部支持手段の支持位置よりも内側の支
持位置を支持する支持部材を備えた面内支持手段と、を
含んでいることを特徴とするものである。

【００１５】請求項３に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板支持装置において、前記複数の支持手段に
は、所定の第１のサイズの基板の周縁部を支持する支持
部とこの支持部に支持された前記第１のサイズの基板の
端縁をガイドするガイド部とを有する支持部材を備えた
第１の周縁部支持手段と、前記第１のサイズと異なる第
２のサイズの基板の周縁部を支持する支持部とこの支持
部に支持された前記第２のサイズの基板の端縁をガイド
するガイド部とを有する支持部材を備えた第２の周縁部
支持手段と、を含んでいることを特徴とするものであ
る。

【００１６】請求項４に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板支持装置において、前記複数の支持手段に
は、所定の第１のサイズの基板の周縁部を支持する支持
部とこの支持部に支持された前記第１のサイズの基板の
端縁をガイドするガイド部とを有する支持部材を備えた
第１の周縁部支持手段と、前記第１のサイズと異なる第
２のサイズの基板の周縁部を支持する支持部とこの支持
部に支持された前記第２のサイズの基板の端縁をガイド
するガイド部とを有する支持部材を備えた第２の周縁部
支持手段と、基板の一方側の面内において、前記第１、
第２の周縁部支持手段の支持位置よりも内側の支持位置
を支持する支持部材を備えた面内支持手段と、を含んで
いることを特徴とするものである。

【００１７】請求項５に記載の発明は、上記請求項１な
いし４のいずれかに記載の基板支持装置において、待機
状態と基板の支持に用いる動作状態とで切り替える駆動
手段を、前記複数の支持手段ごとに個別に有するととも
に、前記複数の駆動手段のうちのいずれか１つの駆動手
段を選択して駆動する制御手段を備えたことを特徴とす
るものである。

【００１８】請求項６に記載の発明は、基板に熱処理を
施す熱処理装置であって、上記請求項１ないし４のいず
れかに記載の基板支持装置と、加熱手段または冷却手段
のうち少なくとも一方を有し、上面に支持した基板を熱
処理する熱処理プレートと、前記基板支持装置に備えら
れた支持手段と前記熱処理プレートとを相対的に昇降さ
せる駆動手段と、を備えたことを特徴とするものであ
る。

【００１９】請求項７に記載の発明は、基板に熱処理を
施す熱処理装置であって、上記請求項５に記載の基板支
持装置と、加熱手段または冷却手段のうち少なくとも一
方を有し、上面に支持した基板を熱処理する熱処理プレ
ートと、を備え、前記複数の支持手段ごとに個別に設け
られ、待機状態と基板の支持に用いる動作状態とで切り
替える駆動手段は、前記各支持手段と前記熱処理プレー
トとを相対的に昇降させるものであることを特徴とする
ものである。

【００２０】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、複数の支持手
段を有し、これら複数の支持手段のうちのいずれか１つ
の支持手段を選択して基板の支持に用いるように各支持
手段を選択的に切り替える。これにより、支持対象の基
板に応じて、支持手段を使い分けて、基板に対して最適
な支持手段を用いて基板を支持することができる。

【００２１】複数の支持手段としては、例えば、以下の
請求項２ないし４に記載の発明に列記した支持手段を備
える。

【００２２】すなわち、まず、請求項２に記載の発明で
は、複数の支持手段として、基板の周縁部を支持する支
持部とこの支持部に支持された基板の端縁をガイドする
ガイド部とを有する支持部材を備えた周縁部支持手段
と、基板の一方側の面内において、上記周縁部支持手段
の支持位置よりも内側の支持位置を支持する支持部材を
備えた面内支持手段とを含める。

【００２３】これにより、例えば、周縁部のレジストが
除去されている基板と周縁部のレジストが除去されてい
ない基板とが混在して与えられ、これら各種の基板を支
持する必要がある場合に、周縁部のレジストが除去され
ている基板は周縁部支持手段を用いて支持し、周縁部の
レジストが除去されていない基板は面内支持手段を用い
て支持するように基板の種類に応じて各支持手段を使い
分けて各種の基板を支持することができる。

【００２４】周縁部支持手段は、支持部材に設けられた
支持部に基板の周縁部を支持し、この支持部に支持され
た基板の端縁を支持部材に設けられたガイド部でガイド
するので、位置ズレを起こさずに基板を支持することが
でき、周縁部のレジストが除去されている基板を好適に
支持することができる。一方で、面内支持手段は、基板
の一方側の面内において、周縁部支持手段の支持位置よ
りも内側の、レジストが塗布されていない支持位置を支
持部材で支持するので、周縁部のレジストが除去されて
いない基板を支持しても、この面内支持手段に備えた支
持部材にレジストが付着することを防止できる。なお、
面内支持手段が支持する基板の一方側の面は、レジスト
が塗布されていない側の面（基板の裏面）である。

【００２５】また、請求項３に記載の発明では、複数の
支持手段として、所定の第１のサイズの基板の周縁部を
支持する支持部とこの支持部に支持された第１のサイズ
の基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支持部材
を備えた第１の周縁部支持手段と、第１のサイズと異な
る第２のサイズの基板の周縁部を支持する支持部とこの
支持部に支持された第２のサイズの基板の端縁をガイド
するガイド部とを有する支持部材を備えた第２の周縁部
支持手段とを含める。

【００２６】これにより、例えば、サイズの異なる基板
が混在して与えられ、これら各サイズの基板を支持する
必要がある場合に、各サイズに応じた周縁部支持手段を
使い分けて各サイズの基板を支持することができる。

【００２７】なお、請求項３に記載の発明では、少なく
とも２種類のサイズの基板を支持できる２種類の周縁部
支持手段を備えていればよいが、３種類以上のサイズの
基板が混在して与えられ、これら３種類以上の各サイズ
の基板を支持する必要がある場合には、基板のサイズの
種類数に応じた数の周縁部支持手段を備えればよい。こ
れについては、次の請求項４に記載の発明でも同様であ
る。

【００２８】また、請求項４に記載の発明では、複数の
支持手段として、所定の第１のサイズの基板の周縁部を
支持する支持部とこの支持部に支持された第１のサイズ
の基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支持部材
を備えた第１の周縁部支持手段と、第１のサイズと異な
る第２のサイズの基板の周縁部を支持する支持部とこの
支持部に支持された第２のサイズの基板の端縁をガイド
するガイド部とを有する支持部材を備えた第２の周縁部
支持手段と、基板の一方側の面内において、上記第１、
第２の周縁部支持手段の支持位置よりも内側の支持位置
を支持する支持部材を備えた面内支持手段とを含める。

【００２９】これにより、例えば、サイズの異なる基板
が混在して与えられるとともに、各サイズの基板につい
ても周縁部のレジストが除去されている基板と周縁部の
レジストが除去されていない基板とが存在する場合で
も、各種各サイズの基板に応じて最適な支持手段を使い
分けて基板を支持することができる。

【００３０】例えば、周縁部のレジストが除去されてい
る基板であれば、請求項３に記載の発明と同様に、その
基板のサイズに応じた周縁部支持手段を使い分けて各サ
イズの基板を支持することができる。また、周縁部のレ
ジストが除去されていない基板であれば、例えば、基板
のサイズにかかわらず、面内支持手段を用いてその基板
を支持することができる。なお、例えば、第１のサイズ
が第２のサイズよりも大きい場合、第２の周縁部支持手
段は、第１のサイズの基板に対して、その基板の一方側
の面内において、第１の周縁部支持手段の支持位置より
も内側の支持位置を支持する面内支持手段として機能す
る。従って、第１のサイズが第２のサイズよりも大きい
場合には、周縁部のレジストが除去されていない第１の
サイズの基板は第２の周縁部支持手段で支持し、周縁部
のレジストが除去されていない第２のサイズの基板は面
内支持手段で支持するように各支持手段を使い分けるこ
ともできる。第１のサイズが第２のサイズよりも小さい
場合は、逆に、周縁部のレジストが除去されていない第
２のサイズの基板は第１の周縁部支持手段で支持し、周
縁部のレジストが除去されていない第１のサイズの基板
は面内支持手段で支持する。

【００３１】請求項５に記載の発明によれば、制御手段
は、複数の支持手段ごとに個別に備えた、待機状態と基
板の支持に用いる動作状態とで切り替える各駆動手段の
うちのいずれか１つの駆動手段を選択して駆動し、複数
の支持手段のうちのいずれか１つの支持手段を選択して
基板の支持に用いるように各支持手段を選択的に切り替
える。

【００３２】請求項６に記載の発明は、基板に熱処理を
施す熱処理装置に、上記請求項１ないし４のいずれかに
記載の基板支持装置を備えて、複数の支持手段のうちの
いずれか１つの支持手段を選択して基板の支持に用いる
ように各支持手段を選択的に切り替え、支持対象の基板
に応じて、支持手段を使い分けて、基板に対して最適な
支持手段を用いて基板を支持する。そして、駆動手段に
よってその支持手段と熱処理プレートとを相対的に昇降
させて、熱処理装置に対する基板の搬入搬出を行う基板
搬送機構の搬送アームと熱処理プレートとの間の基板の
受け渡しを行う。

【００３３】請求項７に記載の発明によれば、基板に熱
処理を施す熱処理装置に、上記請求項５に記載の基板支
持装置を備えて、複数の支持手段のうちのいずれか１つ
の支持手段を選択して基板の支持に用いるように各支持
手段を選択的に切り替え、支持対象の基板に応じて、支
持手段を使い分けて基板に対して最適な支持手段を用い
て基板を支持する。そして、駆動手段によってその支持
手段と熱処理プレートとを相対的に昇降させて、熱処理
装置に対する基板の搬入搬出を行う基板搬送機構の搬送
アームと熱処理プレートとの間の基板の受け渡しを行
う。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明の第１実施例に係る
基板支持装置を備えた第１の熱処理装置の全体構成を示
す一部省略正面図であり、図２は第１の熱処理装置の平
断面図である。

【００３５】この第１の熱処理装置は、基板Ｗを上面に
支持して熱処理する熱処理プレート１や、第１実施例に
係る基板支持装置１０を備えている。

【００３６】なお、熱処理装置には、基板Ｗを加熱する
加熱処理装置と基板Ｗを冷却する冷却装置とがあるが、
加熱処理装置にはヒーターなどの加熱手段を内蔵した加
熱プレート（熱処理プレート１）が搭載され、冷却処理
装置にはペルチェ素子などの冷却手段を内蔵した冷却プ
レート（熱処理プレート１）が搭載されていること以
外、全体的な構成は略同じである。従って、以下では、
加熱処理装置と冷却処理装置を総称して熱処理装置と
し、加熱プレートと冷却プレートとを総称して熱処理プ
レート１として説明する。

【００３７】熱処理プレート１は、ハウジング２によっ
て形成された処理室３内に配設されている。通常、熱処
理プレート１の上面には、３個以上の球体状のプロキシ
ミティボール４が、熱処理プレート１の上面より微小量
だけ突出させた状態で配設され、基板Ｗはこれらプロキ
シミティボール４に載置支持され、熱処理プレート１の
上面からプロキシミティギャップと呼ばれる微小間隔を
隔てた状態で、熱処理（加熱処理や冷却処理）が施され
る。なお、プロキシミティボール４が省略されて、基板
Ｗが熱処理プレート１の上面に直接接触して支持された
状態で熱処理が施されることもある。

【００３８】ハウジング２の１つの側壁には、処理室３
に対する基板Ｗの搬入搬出に用いられる開口５が形成さ
れ、この開口５を開閉するシャッター６も設けられてい
る。

【００３９】次に、本発明の要部である基板支持装置１
０の構成を説明する。この第１実施例に係る基板支持装
置１０は、周縁部支持手段に相当するエッジホールドタ
イプの周縁部支持機構１１と、面内支持手段に相当する
面内支持機構１２との２種類の支持機構（支持手段）を
備えている。また、周縁部支持機構１１を昇降駆動して
周縁部支持機構１１を待機状態と基板Ｗの支持に用いる
動作状態とで切り替える駆動手段に相当する第１の昇降
駆動機構１３Ａと、面内支持機構１２を昇降駆動して面
内支持機構１２を待機状態と基板Ｗの支持に用いる動作
状態とで切り替える駆動手段に相当する第２の昇降駆動
機構１３Ｂとを個別に備えて、周縁部支持機構１１と面
内支持機構１２との複数の支持機構１１、１２のうちの
いずれか１つの支持機構１１または１２を選択して基板
Ｗの支持に用いるように各支持機構１１、１２を選択的
に切り替え可能に構成されている。

【００４０】周縁部支持機構１１は、図１ないし図３に
示すように、基板Ｗの周縁部ＷＯを支持する支持部ＳＰ
とこの支持部ＳＰに支持された基板Ｗの端縁ＷＥの外側
に位置して基板Ｗの水平移動を規制してガイドするガイ
ド部ＧＰとを有する支持部材１１０を３本以上（図では
３本）備えて構成されている。これら支持部材１１０
は、熱処理プレート１に設けられた貫通孔１ａに昇降可
能に遊嵌され、その基端部が支持アーム１４Ａに立設支
持されている。なお、各支持部材１１０は、基板Ｗをバ
ランスよく支持できるように基板Ｗの周縁部ＷＯに沿っ
て等間隔に配置されている。

【００４１】面内支持機構１２は、図１ないし図３に示
すように、基板Ｗの一方側の面（図１および図３（ａ）
の下面である基板Ｗの裏面）内において、周縁部支持機
構１１の支持位置よりも内側の支持位置を支持する支持
部材１２０を３本以上（図では３本）備えて構成されて
いる。これら支持部材１２０は、熱処理プレート１に設
けられた貫通孔１ａに昇降可能に遊嵌され、その基端部
が支持アーム１４Ｂに立設支持されている。なお、各支
持部材１２０は、基板Ｗをバランスよく支持できるよう
に基板Ｗの周縁部ＷＯと相似する円周に沿って等間隔に
配置されている。

【００４２】第１、第２の昇降駆動機構１３Ａ、１３Ｂ
は、例えば、エアシリンダなどで構成されている。第１
の昇降駆動機構１３Ａを駆動、すなわち、エアシリンダ
１３Ａのロッド１３Ａａを縮小・伸長させることで、支
持アーム１４Ａを介して、周縁部支持機構１１を構成す
る各支持部材１１０を、熱処理プレート１に対して同期
して上昇・下降させることができる。また、第２の昇降
駆動機構１３Ｂを駆動、すなわち、エアシリンダ１３Ｂ
のロッド１３Ｂａを縮小・伸長させることで、支持アー
ム１４Ｂを介して、面内支持機構１２を構成する各支持
部材１２０を、熱処理プレート１に対して同期して上昇
・下降させることができる。

【００４３】第１、第２の昇降駆動機構１３Ａ、１３Ｂ
の駆動制御は、制御部Ｃによって行われる。制御部Ｃ
は、第１、第２の昇降駆動機構１３Ａ、１３Ｂのうちの
いずれか１つの昇降駆動機構１３Ａまたは１３Ｂを選択
して駆動し、周縁部支持機構１１と面内支持機構１２と
のうちのいずれか１つの支持機構１１または１２を選択
して基板Ｗの支持に用いるように各支持機構１１、１２
を選択的に切り替える。

【００４４】なお、例えば、図４に示すように、支持ア
ーム１４Ａは、先端部をリング状にし、中間部を２股に
分け、中間部の２股部分を基端部で結合させてその基端
部にエアシリンダ１３Ａのロッド１３Ａａを連結すると
ともに、支持アーム１４Ｂの先端部を、支持アーム１４
Ａの先端部の中空部よりも小さい円盤状にし、支持アー
ム１４Ｂの中間部及び基端部を支持アーム１４Ａの中間
部の２股の間に配置させ、支持アーム１４Ｂの基端部に
エアシリンダ１３Ｂのロッド１３Ｂａを連結すれば、支
持アーム１４Ａ、１４Ｂは互いに干渉せずに、周縁部支
持機構１１（支持部材１１０）と面内支持機構１２（支
持部材１２０）とを個別に昇降させることができる。

【００４５】また、この実施例では、周縁部支持機構１
１（各支持部材１１０）、面内支持機構１２（各支持部
材１２０）ともに、下降された状態を待機状態とし、そ
の待機状態から上昇された状態を動作状態としている。
周縁部支持機構１１（各支持部材１１０）は、図１に示
すように、下降された待機状態において、熱処理プレー
ト１の上面から各支持部材１１０の先端部が若干突出さ
れ、熱処理中の基板Ｗの水平方向への位置ズレを防止す
るようにしている。一方、面内支持機構１２（各支持部
材１２０）は、図１に示すように、下降された待機状態
において、基板Ｗの熱処理の邪魔にならないように、各
支持部材１２０の先端部が熱処理プレート１内に収容さ
れる。

【００４６】制御部Ｃは、第１、第２の昇降駆動機構１
３Ａ、１３Ｂの駆動制御の他にも、熱処理プレート１内
の加熱手段や冷却手段を駆動制御して熱処理プレート１
の温度制御を行ったり、シャッター６の開閉制御を行っ
たりするなど、装置全体を統括的に制御する。

【００４７】次に、上記構成を有する実施例装置の動作
を説明する。シャッター６が開かれた状態で、図示しな
い基板搬送機構が熱処理前の基板Ｗを保持した搬送アー
ム（図示せず）をハウジング２の外から前進させて開口
５を介して処理室３内に進入させる。そして、搬送アー
ムに保持された基板Ｗが、熱処理プレート１の上方の所
定の搬入位置に位置されると、制御部Ｃは、周縁部支持
機構１１または面内支持機構１２のうちのいずれか一方
の支持機構１１または１２を選択して第１、第２の昇降
駆動機構１３Ａ、１３Ｂのうちのいずれか一方の昇降駆
動機構１３Ａまたは１３Ｂを駆動して、周縁部支持機構
１１を構成する各支持部材１１０または面内支持機構１
２を構成する各支持部材１２０を上昇させる。

【００４８】各支持部材１１０または１２０の上昇が停
止され、各支持部材１１０または１２０の先端が搬送ア
ームに保持された熱処理前の基板Ｗの若干下方に位置す
ると、基板搬送機構は搬送アームを所定量下降させ、そ
の下降途中で、搬送アームに保持する基板Ｗを各支持部
材１１０または１２０に引き渡す。基板Ｗを各支持部材
１１０または１２０に引き渡すと、基板搬送機構は搬送
アームを後退させて処理室３から搬送アームを退出させ
る。

【００４９】搬送アームが処理室３から退出されると、
制御部Ｃは、シャッター６を閉じるとともに、昇降駆動
機構１３Ａまたは１３Ｂを駆動して、搬送アームから受
け取った熱処理前の基板Ｗを支持している各支持部材１
１０または１２０を下降させ、その下降途中で、その基
板Ｗをプロキシミティボール４（または、熱処理プレー
ト１の上面）に引き渡し、待機状態になる。

【００５０】熱処理前の基板Ｗが、プロキシミティボー
ル４に（または、熱処理プレート１の上面に直接）載置
支持されると、その基板Ｗに熱処理が施される。

【００５１】熱処理が終了すると、制御部Ｃは、周縁部
支持機構１１または面内支持機構１２のうちのいずれか
一方の支持機構１１または１２を選択して第１、第２の
昇降駆動機構１３Ａ、１３Ｂのうちのいずれか一方の昇
降駆動機構１３Ａまたは１３Ｂを駆動して、周縁部支持
機構１１を構成する各支持部材１１０または面内支持機
構１２を構成する各支持部材１２０を上昇させ、この上
昇途中で、熱処理済の基板Ｗが各支持部材１１０または
１２０に支持されて、熱処理プレート１の上方に持ち上
げられる。

【００５２】そして、シャッター６が開かれ、基板搬送
機構が基板Ｗを保持していない空の搬送アームを開口５
を介して処理室３内に進入させ、熱処理プレート１の上
方において、各支持部材１１０または１２０に支持され
た熱処理済の基板Ｗの若干下方の搬出位置に搬送アーム
を位置させる。この状態で、基板搬送機構は搬送アーム
を所定量上昇させ、その上昇途中で、各支持部材１１０
または１２０に支持されている熱処理済の基板Ｗを搬送
アームで受け取る。熱処理済の基板Ｗを搬送アームに受
け取ると、基板搬送機構は、搬送アームを後退させて処
理室３から退出させ、熱処理済の基板Ｗを熱処理装置か
ら搬出する。一方、搬送アームが処理室３から退出され
ると、制御部Ｃは、昇降駆動機構１３Ａまたは１３Ｂを
駆動して、各支持部材１１０または１２０を下降させて
待機状態に戻す。

【００５３】この第１実施例に係る基板支持装置１０及
びそれを備えた第１の熱処理装置によれば、周縁部のレ
ジストが除去されている基板Ｗと周縁部のレジストが除
去されていない基板Ｗとが混在して搬入される場合に効
果が得られる。

【００５４】すなわち、周縁部のレジストが除去されて
いる基板Ｗを支持する場合には、周縁部支持機構１１を
用い、一方、周縁部のレジストが除去されていない基板
Ｗを支持する場合には、面内支持機構１２を用いるよう
に、各支持機構１１、１２を使い分けて、上記動作を行
うことができる。

【００５５】周縁部のレジストが除去されている基板Ｗ
は、周縁部支持機構１１（各支持部材１１０）によって
周縁部付近が支持されても、レジストが支持部材１１０
に付着することがない。一方、周縁部のレジストが除去
されていない基板Ｗは、面内支持機構１２（各支持部材
１２０）によって基板Ｗの下面（レジストが塗布されて
いない裏面）を支持することで、レジストが支持部材１
２０に付着することがない。従って、周縁部のレジスト
が除去されている基板Ｗと周縁部のレジストが除去され
ていない基板Ｗとが混在して搬入されても、支持機構１
１、１２の各支持部材１１０、１２０にレジストが付着
することがなく、周縁部のレジストが除去されている基
板Ｗと周縁部のレジストが除去されていない基板Ｗとが
混在して搬入される場合に起こっていた従来の問題を解
消することができる。

【００５６】また、周縁部支持機構１１（各支持部材１
１０）によって基板Ｗを支持すると、上述した熱処理装
置における動作において、各支持部材１１０によって基
板Ｗが支持された状態で各支持部材１１０を昇降させて
も、ガイド部ＧＰによって基板Ｗの端縁ＷＥがガイドさ
れ水平移動が規制されているので、上記昇降中に基板Ｗ
が水平移動して位置ズレすることもない。

【００５７】一方、面内支持機構１２（各支持部材１２
０）によって基板Ｗを支持した場合、基板Ｗは各支持部
材１２０の先端に載置支持されているだけであるので、
上述した熱処理装置における動作において、各支持部材
１２０によって基板Ｗが支持された状態で各支持部材１
２０を昇降させると、その昇降中に基板Ｗが水平移動し
て位置ズレする可能性もある。

【００５８】すなわち、各支持部材１２０によって基板
Ｗが支持された状態で各支持部材１２０を熱処理プレー
ト１の上方から下降させる場合、各支持部材１２０によ
って支持された基板Ｗの下面と熱処理プレート１の上面
との間の空気がスムーズに排出されずその空気がエアク
ションとして働き、基板Ｗが各支持部材１２０の上で横
滑りして位置ズレが起きる可能性がある。一方、各支持
部材１２０を上昇させて熱処理プレート１の上面から基
板Ｗを持ち上げる際、最初の段階では、基板Ｗの下面と
熱処理プレート１の上面との間に空気が流入し難く、基
板Ｗは熱処理プレート１の上面側に引っ張られる応力を
受ける。この状態で基板Ｗが強制的に上昇されると、基
板Ｗの下面と熱処理プレート１の上面との間に多量の空
気が急激に流入し、基板Ｗに付与されていた上記応力が
消滅し、基板Ｗはその反作用によって各支持部材１２０
から上方に浮き上がり、これに伴って基板Ｗが水平移動
して位置ズレが起きる可能性もある。

【００５９】しかしながら、上述した熱処理装置におけ
る動作において、各支持部材１２０によって基板Ｗが支
持された状態で各支持部材１２０を昇降させる場合に、
各支持部材１２０の昇降を比較的低速で行うと、上述し
た基板Ｗの位置ズレを抑制することができる。

【００６０】また、各支持部材１２０による基板Ｗの支
持位置を、レジストが付着しない範囲でなるべく基板Ｗ
の周縁部寄りの位置を各支持部材１２の支持位置にする
ことでも上述した基板Ｗの位置ズレを抑制することがで
きる。このような支持位置を各支持部材１２０で支持す
ることで、各支持部材１２０によって支持された基板Ｗ
は、基板Ｗの自重で中心部が下方にたわむ。その結果、
各支持部材１２０によって支持された基板Ｗの周縁部
は、基板Ｗの中心部よりも高くなり、上述した熱処理装
置における動作において、各支持部材１２０によって基
板Ｗが支持された状態で各支持部材１２０を昇降させる
場合に、基板Ｗの下面と熱処理プレート１の上面との間
に対する基板Ｗの周縁部からの空気の排出や流入がスム
ーズに行われ、上述した基板Ｗの位置ズレを抑制するこ
とができる。なお、本願出願人の実験の結果、半導体ウ
エハのような円形基板Ｗの場合、基板Ｗの中心から基板
Ｗの半径方向に、基板Ｗの半径の２／３以上の距離隔て
た位置を各支持部材１２の支持位置にすることで上述し
た基板Ｗの位置ズレを抑制することが確認された。

【００６１】その他、各支持部材１２０の先端部に真空
吸着孔を設け、各支持部材１２０によって基板Ｗが支持
されると、基板Ｗの下面の支持位置を各支持部材１２０
で真空吸着すれば、上述した基板Ｗの位置ズレをより確
実に防止することができる。

【００６２】なお、上述した基板Ｗの位置ズレ防止の技
術は、後述する実施例でも必要に応じて適用できる。

【００６３】次に、本発明の第２実施例に係る基板支持
装置及びそれを備えた第２の熱処理装置の構成を図５、
図６を参照して説明する。図５は本発明の第２実施例に
係る基板支持装置を備えた第２の熱処理装置の全体構成
を示す一部省略正面図であり、図６は第２の熱処理装置
の平断面図である。

【００６４】この第２実施例に係る基板支持装置２０
は、第１のサイズの基板Ｗ（Ｗ１）、例えば、３００mm
の半導体ウエハＷ１を支持するための第１の周縁部支持
手段に相当するエッジホールドタイプの第１の周縁部支
持機構２１と、上記第１のサイズと異なる第２のサイズ
の基板Ｗ（Ｗ２）、例えば、８インチ（２００mm）の半
導体ウエハＷ２を支持するための第２の周縁部支持手段
に相当するエッジホールドタイプの第２の周縁部支持機
構２２との２種類の支持機構（支持手段）を備えてい
る。

【００６５】第１、第２の周縁部支持機構２１、２２
は、上述した第１実施例で説明した周縁部支持機構１１
と同様の構成であるので、共通する部分は第１実施例と
同一符号を付してその詳述を省略する。なお、図５、図
６では、便宜上、第１の周縁部支持機構２１を構成する
３本以上（図では３本）の支持部材の符号を２１０、第
２の周縁部支持機構２２を構成する３本以上（図では３
本）の支持部材の符号を２２０としている。

【００６６】そして、この第２実施例では、第１の昇降
駆動機構１３Ａによって支持アーム１４Ａを介して第１
の周縁部支持機構２１（各支持部材２１０）を昇降駆動
し、第２の昇降駆動機構１３Ｂによって支持アーム１４
Ｂを介して第２の周縁部支持機構２２（各支持部材２２
０）を昇降駆動するようにしている。

【００６７】サイズが大きい方の基板Ｗ（Ｗ１）を支持
する第１の周縁部支持機構２１（各支持部材２１０）
は、第１実施例の周縁部支持機構１１と同様に、下降さ
れた待機状態において、熱処理プレート１の上面から各
支持部材２１０の先端部が若干突出され、熱処理中の基
板Ｗの水平方向への位置ズレを防止するようにしている
（図５参照）。一方、サイズが小さい方の基板Ｗ（Ｗ
２）を支持する第２の周縁部支持機構２２（各支持部材
２２０）は、図５に示すように、下降された待機状態に
おいて、サイズが大きい方の基板Ｗ（Ｗ１）を熱処理す
る際に邪魔にならないように、各支持部材２１０の先端
部を熱処理プレート１内に収容させている。なお、本実
施例では、基板搬送機構との基板Ｗの受け渡し高さを、
第１の周縁部支持機構２１（各支持部材２１０）及び第
２の周縁部支持機構２２（各支持部材２２０）ともに同
じ高さで行うようにするために、第２の周縁部支持機構
２２（各支持部材２２０）の昇降のストロークを第１の
周縁部支持機構２１（各支持部材２１０）の昇降のスト
ロークよりも若干大きくしている（図５参照）。

【００６８】第２実施例に係る基板支持装置２０のその
他の構成は第１実施例に係る基板支持装置１０と同様で
あり、第２の熱処理装置の構成も上述した第１の熱処理
装置と同様であるので、共通する部分は同一符号を付し
て重複する説明は省略する。

【００６９】この第２実施例に係る基板支持装置２０及
び第２の熱処理装置によれば、サイズの異なる基板Ｗが
搬入されても、第１、第２の周縁部支持機構２１、２２
を使い分けて、いずれか一方の周縁部支持機構２１また
は２２を用いて、上述した第１実施例に係る基板支持装
置１０及び第１の熱処理装置で説明した動作、すなわ
ち、熱処理プレート１の上方で搬送アームから熱処理前
の基板Ｗを受け取って支持し、熱処理プレート１の上面
に引き渡す動作や、熱処理を終えた基板Ｗを支持して熱
処理プレート１の上方に持ち上げ、熱処理済の基板Ｗを
搬送アームに引き渡す動作を行うことができる。従っ
て、サイズの異なる基板Ｗを混在させた熱処理を容易に
行うことができる。

【００７０】また、第１、第２の周縁部支持機構２１、
２２（各支持部材２１０、２２０）によって基板Ｗを支
持すると、上述した熱処理装置における動作において、
各支持部材２１０、２２０によって基板Ｗが支持された
状態で各支持部材２１０、２２０を昇降させても、ガイ
ド部ＧＰによって各サイズの基板Ｗの端縁がガイドされ
水平移動が規制されているので、いずれのサイズの基板
Ｗであっても上記昇降中に基板Ｗが水平移動して位置ズ
レすることもない。

【００７１】なお、上記第２実施例に係る基板支持装置
２０及び第２の熱処理装置では、２種類のサイズの基板
Ｗの支持に対応させたが、３種類以上のサイズの基板Ｗ
をそれぞれ支持可能な３つ以上の周縁部支持機構を設け
れば、３種類以上のサイズの基板Ｗの支持にも対応する
ことができる。これについては、後述する実施例でも必
要に応じて適用することができる。

【００７２】また、例えば、図７に示すように、小さい
方のサイズ（第２のサイズ）の基板Ｗ（Ｗ２）を搬入搬
出する基板搬送機構の搬送アームＡＭ２が、平面視で、
第１の周縁部支持機構２１の各支持部材２１０及び第２
の周縁部支持機構２２の各支持部材２２０に干渉しない
場合には、以下のように構成することもできる。

【００７３】すなわち、図８に示すように、第１の周縁
部支持機構２１の各支持部材２１０の先端の高さよりも
第２の周縁部支持機構２２の各支持部材２２０の先端の
高さを充分に低くして第１の周縁部支持機構２１の各支
持部材２１０及び第２の周縁部支持機構２２の各支持部
材２２０を支持アーム１４に立設支持させておき、これ
ら第１の周縁部支持機構２１（各支持部材２１０）と第
２の周縁部支持機構２２（各支持部材２２０）とを１つ
の昇降駆動機構１３で同期して昇降させる。一方で、基
板搬送機構では、第１の周縁部支持機構２１（各支持部
材２１０）に対する基板Ｗの受け渡しの際の搬送アーム
（第１のサイズの基板Ｗ（Ｗ１）を搬送する搬送アー
ム）の搬入搬出位置の高さと、第２の周縁部支持機構２
２（各支持部材２２０）に対する基板Ｗの受け渡しの際
の搬送アーム（ＡＭ２）の搬入搬出位置の高さとを変え
て、第１の周縁部支持機構２１（各支持部材２１０）と
第２の周縁部支持機構２２（各支持部材２２０）とが上
昇されたときの第１の周縁部支持機構２１（各支持部材
２１０）の上昇時の高さと、第２の周縁部支持機構２２
（各支持部材２２０）の上昇時の高さとに応じて設定す
る。

【００７４】なお、基板搬送機構の搬送アームＡＭ２が
第２の周縁部支持機構の各支持部材２２０との間で小さ
いサイズの基板Ｗ（Ｗ２）の受け渡しを行う場合に、搬
送アームＡＭ２自体は第１の周縁部支持機構２１の各支
持部材２１０に干渉することなく第２の周縁部支持機構
２２の各支持部材２２０との基板受渡し位置にまで進入
することができるが、搬送アームＡＭ２に支持された基
板Ｗ（Ｗ２）は第１の周縁部支持機構２１のいずれかの
支持部材２１０に干渉するという場合がある。その場合
には、搬送アームＡＭ２によって搬送される小さいサイ
ズの基板Ｗ（Ｗ２）が第１の周縁部支持機構２１の各支
持部材２１０に干渉するのを避けるため、小さいサイズ
の基板Ｗ（Ｗ２）が各支持部材２１０の先端部よりも高
い位置において第２の周縁部支持機構２２の各支持部材
２２０の上方位置への進入もしくは各支持部材２２０の
上方位置から後退するように搬送アームＡＭ２を動作さ
せてもよい。

【００７５】このように構成すれば、第１の周縁部支持
機構２１（各支持部材２１０）と第２の周縁部支持機構
２２（各支持部材２２０）とを同期して昇降させても、
図８に示すように、上昇された状態で第１の周縁部支持
機構２１（各支持部材２１０）よりも下方に位置してい
る第２の周縁部支持機構２２（各支持部材２２０）と干
渉することなく、第１の周縁部支持機構２１（各支持部
材２１０）と搬送アームとの間で大きいサイズの基板Ｗ
（Ｗ１）の受け渡しが行える。また、図７、図８に示す
ように、搬送アームＡＭ２および小さいサイズの基板Ｗ
（Ｗ２）は第１の周縁部支持機構２１（各支持部材２１
０）及び第２の周縁部支持機構２２（各支持部材２２
０）と干渉しないので、第１の周縁部支持機構２１（各
支持部材２１０）と干渉することなく、第２の周縁部支
持機構２２（各支持部材２２０）と搬送アームＡＭ２と
の間で小さいサイズの基板Ｗ（Ｗ２）の受け渡しが行え
る。このように構成すれば、第１の周縁部支持機構２１
（各支持部材２１０）と第２の周縁部支持機構２２（各
支持部材２２０）とを昇降させるための昇降駆動機構１
３（駆動手段）を１つにすることができる。

【００７６】次に、本発明の第３実施例に係る基板支持
装置及びそれを備えた第３の熱処理装置の構成を図９、
図１０を参照して説明する。図９は本発明の第３実施例
に係る基板支持装置を備えた第３の熱処理装置の全体構
成を示す一部省略正面図であり、図１０は第３の熱処理
装置の平断面図である。

【００７７】この第３実施例に係る基板支持装置３０
は、上記第２実施例と同様の第１のサイズの基板Ｗを支
持するための第１の周縁部支持機構２１及び上記第１の
サイズと異なる第２のサイズの基板Ｗを支持するための
第２の周縁部支持機構２２に加えて、上記第１実施例の
面内支持機構１２と同様の構成を有する面内支持機構２
３の合計３種類の支持機構（支持手段）を備えている。

【００７８】第１、第２の周縁部支持機構２１、２２
は、上述した第２実施例で説明した第１、第２の周縁部
支持機構２１、２２と同様の構成であるので、共通する
部分は第２実施例と同一符号を付してその詳述を省略す
る。

【００７９】第３実施例の面内支持機構２３は、図９、
図１０に示すように、基板Ｗの一方側の面（図９の下面
である基板Ｗの裏面）内において、第１、第２の周縁部
支持機構２１、２２の支持位置よりも内側の支持位置を
支持する支持部材２３０を３本以上（図では３本）備え
て構成されている。これら支持部材２３０は、熱処理プ
レート１に設けられた貫通孔１ａに昇降可能に遊嵌さ
れ、その基端部が支持アーム１４Ｃに立設支持されてい
る。なお、各支持部材２３０は、基板Ｗをバランスよく
支持できるように基板Ｗの周縁部と相似する円周に沿っ
て等間隔に配置されている。

【００８０】この第３実施例では、それぞれエアシリン
ダなどで構成される３つの昇降駆動機構１３Ａ、１３
Ｂ、１３Ｃを備えている。そして、第１の昇降駆動機構
１３Ａによって支持アーム１４Ａを介して第１の周縁部
支持機構２１（各支持部材２１０）を昇降駆動し、第２
の昇降駆動機構１３Ｂによって支持アーム１４Ｂを介し
て第２の周縁部支持機構２２（各支持部材２２０）を昇
降駆動し、第３の昇降駆動機構１３Ｃによって支持アー
ム１４Ｃを介して面内支持機構２３（各支持部材２３
０）を昇降駆動するようにしている。なお、図９中の符
号１３Ｃａは、第３の昇降駆動機構１３Ｃであるエアシ
リンダのロッドを示している。

【００８１】各昇降駆動機構１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃの
駆動制御は制御部Ｃにより行われる。制御部Ｃは各昇降
駆動機構１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃのうちのいずれか１つ
を選択して駆動し、３つの支持機構２１〜２３のうちの
いずれか１つを選択的に切り替えて基板Ｗの支持に用い
る。

【００８２】なお、各支持アーム１４Ａ、１４Ｂ、１４
Ｃを、例えば、図１１に示すように構成すれば、支持ア
ーム１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃは互いに干渉せずに、第１
の周縁部支持機構２１（各支持部材２１０）と第２の周
縁部支持機構２２（各支持部材２２０）と面内支持機構
２３（各支持部材２３０）とを個別に昇降させることが
できる。

【００８３】第３実施例に係る基板支持装置３０のその
他の構成は第１、第２実施例に係る基板支持装置１０、
２０と同様であり、第３の熱処理装置の構成も上述した
第１、第２の熱処理装置と同様であるので、共通する部
分は同一符号を付して重複する説明は省略する。

【００８４】この第３実施例に係る基板支持装置３０及
び第３の熱処理装置によれば、サイズの異なる基板Ｗが
搬入されても、上記第２実施例に係る基板支持装置２０
及び第２の熱処理装置と同様に、第１、第２の周縁部支
持機構２１、２２を使い分けて、いずれか一方の周縁部
支持機構２１または２２を用いて、熱処理プレート１の
上方で搬送アームから熱処理前の基板Ｗを受け取って支
持し、熱処理プレート１の上面に引き渡す動作や、熱処
理を終えた基板Ｗを支持して熱処理プレート１の上方に
持ち上げ、熱処理済の基板Ｗを搬送アームに引き渡す動
作を行うことができる。

【００８５】また、それに加えて、周縁部のレジストが
除去されている基板Ｗと周縁部のレジストが除去されて
いない基板Ｗとが混在して搬入された場合にも対応する
ことができる。

【００８６】すなわち、周縁部のレジストが除去されて
いる基板Ｗであれば、上述したように、その基板Ｗのサ
イズに応じた周縁部支持機構２１または２２を使い分け
て各サイズの基板Ｗを支持する。また、周縁部のレジス
トが除去されていない基板Ｗであれば、例えば、基板Ｗ
のサイズにかかわらず、面内支持機構２３を用いてその
基板Ｗを支持することで、上記第１実施例に係る基板支
持装置１０及び第１の熱処理装置と同様の効果が得られ
る。

【００８７】なお、図９、図１０に示すように、この第
３実施例に係る基板支持装置３０及び第３の熱処理装置
では、第１のサイズが第２のサイズよりも大きいので、
第２の周縁部支持機構２２は、第１のサイズの基板Ｗ１
に対して、その基板Ｗ１の一方側の面（裏面）内におい
て、第１の周縁部支持機構２１の支持位置よりも内側の
支持位置を支持する面内支持機構として機能させること
ができる。従って、周縁部のレジストが除去されていな
い第１のサイズの基板Ｗ１は第２の周縁部支持機構２２
で支持し、周縁部のレジストが除去されていない第２の
サイズの基板Ｗ２は面内支持機構２３で支持するように
各支持機構２２、２３を使い分けることもできる。な
お、第１のサイズの基板Ｗ１の裏面を第２の周縁部支持
機構２２で支持する場合は、第１のサイズの基板Ｗ１の
裏面を面内支持機構２３で支持しする場合よりも、熱処
理プレート１の上方における基板搬送機構の搬送アーム
との間での基板Ｗ１の受け渡しの際の高さが若干高くな
る。従って、第１のサイズの基板Ｗ１の裏面を第２の周
縁部支持機構２２で支持する場合は、基板搬送機構の搬
送アームの搬入搬出位置の高さを若干上方にずらせるこ
とになる。

【００８８】以上のように、この第３実施例に係る基板
支持装置３０及び第３の熱処理装置によれば、サイズの
異なる基板Ｗが混在して搬入されるとともに、各サイズ
の基板Ｗについても周縁部のレジストが除去されている
基板Ｗと周縁部のレジストが除去されていない基板Ｗと
が存在する場合でも、各種各サイズの基板Ｗに応じて最
適な支持機構２１、２２、２３を使い分けて基板Ｗを支
持することができ、多種多様な処理に容易に対応するこ
とができる。

【００８９】なお、上記説明では、本発明に係る基板支
持装置を熱処理装置に適用する場合を例にしたが、本発
明に係る基板支持装置は基板受け渡し部や熱処理装置以
外の基板処理装置などにも適用することができる。

【００９０】例えば、基板受け渡し部は、ある基板搬送
機構の搬送アームから別の基板搬送機構の搬送アームへ
の基板Ｗの受け渡しに用いられる。すなわち、ある基板
搬送機構が搬送アームに保持した基板Ｗを、基板受け渡
し部に備えた支持機構（支持部材）に一旦支持し、支持
機構（支持部材）に支持されたその基板Ｗを別の基板搬
送機構が搬送アームで受け取ることで複数の基板搬送機
構の間での基板Ｗの受け渡しが行われる。従って、受け
渡される基板Ｗの種類やサイズなどに応じて、その基板
Ｗに適した支持機構を選択して用いることで多種多様な
基板Ｗを混在させて基板Ｗを受け渡すことができる。

【００９１】なお、例えば、図１２に示すような基板受
け渡し部４０の場合、各支持機構（例えば、１１、１２
や２１、２２）を構成する各支持部材１１０、１２０
（２１０、２２０）の高さを変えることで、支持に用い
る支持機構１１、１２（２１、２２）を切り替えること
ができる。従って、図１２に示すように、例えば、Ｒを
支点として揺動させるリンク機構５０を用いれば、１つ
の駆動機構１３で支持に用いる支持機構１１、１２（２
１、２２）を切り替えることができる。

【００９２】また、上記説明では、半導体ウエハのよう
な円形基板を支持する場合を例にしたが、液晶表示器用
のガラス基板のような角型基板を支持する場合にも本発
明は同様に適用することができる。

【００９３】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、複数の支持手段を有し、これ
ら複数の支持手段のうちのいずれか１つの支持手段を選
択して基板の支持に用いるように各支持手段を選択的に
切り替え可能に構成したので、支持対象の基板に応じ
て、支持手段を使い分けて、基板に対して最適な支持手
段を用いて基板を支持することができる。

【００９４】請求項２に記載の発明によれば、複数の支
持手段として、基板の周縁部を支持する支持部とこの支
持部に支持された基板の端縁をガイドするガイド部とを
有する支持部材を備えた周縁部支持手段と、基板の一方
側の面内において、周縁部支持手段の支持位置よりも内
側の支持位置を支持する支持部材を備えた面内支持手段
とを含めたので、例えば、周縁部のレジストが除去され
ている基板と周縁部のレジストが除去されていない基板
とが混在して与えられ、これら各種の基板を支持する必
要がある場合に、周縁部のレジストが除去されている基
板を周縁部支持手段を用いて支持し、周縁部のレジスト
が除去されていない基板を面内支持手段を用いて支持す
るというように基板の種類に応じて各支持手段を使い分
けることができる。

【００９５】これにより、周縁部のレジストが除去され
ている基板は周縁部支持手段を用いて周縁部支持手段を
構成する支持部材へのレジストの付着を起こさず、か
つ、位置ズレを起こさずに好適に支持することができ
る。一方、周縁部のレジストが除去されていない基板は
面内支持手段を用いて支持部材にレジストが付着するこ
となく基板を支持することができ、支持部材へのレジス
トの付着に起因する不都合を防止することができる。

【００９６】請求項３に記載の発明によれば、複数の支
持手段として、所定の第１のサイズの基板の周縁部を支
持する支持部とこの支持部に支持された第１のサイズの
基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支持部材を
備えた第１の周縁部支持手段と、第１のサイズと異なる
第２のサイズの基板の周縁部を支持する支持部とこの支
持部に支持された第２のサイズの基板の端縁をガイドす
るガイド部とを有する支持部材を備えた第２の周縁部支
持手段とを含めたので、例えば、サイズの異なる基板が
混在して与えられ、これら各サイズの基板を支持する必
要がある場合に、各サイズに応じた周縁部支持手段を使
い分けて各サイズの基板を支持することができる。

【００９７】請求項４に記載の発明によれば、複数の支
持手段として、所定の第１のサイズの基板の周縁部を支
持する支持部とこの支持部に支持された第１のサイズの
基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支持部材を
備えた第１の周縁部支持手段と、第１のサイズと異なる
第２のサイズの基板の周縁部を支持する支持部とこの支
持部に支持された第２のサイズの基板の端縁をガイドす
るガイド部とを有する支持部材を備えた第２の周縁部支
持手段と、基板の一方側の面内において、第１、第２の
周縁部支持手段の支持位置よりも内側の支持位置を支持
する支持部材を備えた面内支持手段とを含めたので、請
求項２に記載の発明と同様に、周縁部のレジストが除去
されているか除去されていないかに応じて最適な支持手
段を使い分けて基板を支持することができ、さらにそれ
に加えて、請求項３に記載の発明と同様に、サイズの異
なる基板が混在していても、各サイズに応じた周縁部支
持手段を使い分けて各サイズの基板を支持することがで
きる。

【００９８】請求項５に記載の発明によれば、待機状態
と基板の支持に用いる動作状態とで切り替える駆動手段
を、複数の支持手段ごとに個別に有し、制御手段によっ
てこれら複数の駆動手段のうちのいずれか１つの駆動手
段を選択して駆動するように構成したので、各支持手段
の選択切替えを高精度に、かつ、自動的に行うことがで
きる。

【００９９】請求項６に記載の発明によれば、基板に熱
処理を施す熱処理装置に、上記請求項１ないし４のいず
れかに記載の基板支持装置を備えたので、複数の支持手
段のうちのいずれか１つの支持手段を選択して基板の支
持に用いるように各支持手段を選択的に切り替え、支持
対象の基板に応じて、支持手段を使い分けて、基板に対
して最適な支持手段を用いて基板を支持し、熱処理装置
に対する基板の搬入搬出を行う基板搬送機構の搬送アー
ムと熱処理プレートとの間の基板の受け渡しを行うこと
ができる。従って、例えば、周縁部のレジストが除去さ
れている基板と周縁部のレジストが除去されていない基
板とを混在させて熱処理装置で熱処理したり、サイズの
異なる基板を混在させて熱処理装置で熱処理したりする
こともできる。

【０１００】請求項７に記載の発明によれば、基板に熱
処理を施す熱処理装置に、上記請求項５に記載の基板支
持装置を備えたので、複数の支持手段のうちのいずれか
１つの支持手段を選択して基板の支持に用いるように各
支持手段を選択的に切り替え、支持対象の基板に応じ
て、支持手段を使い分けて、基板に対して最適な支持手
段を用いて基板を支持し、熱処理装置に対する基板の搬
入搬出を行う基板搬送機構の搬送アームと熱処理プレー
トとの間の基板の受け渡しを行うことができる。従っ
て、例えば、周縁部のレジストが除去されている基板と
周縁部のレジストが除去されていない基板とを混在させ
て熱処理装置で熱処理したり、サイズの異なる基板を混
在させて熱処理装置で熱処理したりすることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る基板支持装置を備え
た第１の熱処理装置の全体構成を示す一部省略正面図で
ある。

【図２】第１の熱処理装置の平断面図である。

【図３】周縁部支持機構による基板の支持状態と面内支
持機構による基板の支持状態を示す拡大正面図と拡大平
面図である。

【図４】周縁部支持機構を構成する各支持部材を支持す
る支持アームと面内支持機構を構成する各支持部材を支
持する支持アームの一例の構成を示す平面図である。

【図５】本発明の第２実施例に係る基板支持装置を備え
た第２の熱処理装置の全体構成を示す一部省略正面図で
ある。

【図６】第２の熱処理装置の平断面図である。

【図７】第２のサイズの基板を搬送する搬送アームの一
例の構成を示す平面図である。

【図８】第２実施例に係る基板支持装置及び第２の熱処
理装置の変形例の構成を示す正面図である。

【図９】本発明の第３実施例に係る基板支持装置を備え
た第３の熱処理装置の全体構成を示す一部省略正面図で
ある。

【図１０】第３の熱処理装置の平断面図である。

【図１１】第１の周縁部支持機構を構成する各支持部材
を支持する支持アームと第２の周縁部支持機構を構成す
る各支持部材を支持する支持アームと面内支持機構を構
成する各支持部材を支持する支持アームの一例の構成を
示す平面図である。

【図１２】本発明に係る基板支持装置を基板受け渡し部
に適用した一例の構成を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１：熱処理プレート １０：第１の基板支持装置 １１：周縁部支持機構 １２、２３：面内支持機構 １３、１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ：昇降駆動機構 ２０：第２の基板支持装置 ２１：第１の周縁部支持機構 ２２：第２の周縁部支持機構 ３０：第３の基板支持装置 １１０：周縁部支持機構を構成する支持部材 １２０、２３０：面内支持機構を構成する支持部材 ２１０：第１の周縁部支持機構を構成する支持部材 ２２０：第２の周縁部支持機構を構成する支持部材 Ｃ：制御部 Ｗ：基板 Ｗ１：第１のサイズの基板 Ｗ２：第２のサイズの基板 ＷＯ：基板の周縁部 ＷＥ：基板の端縁 ＳＰ：支持部 ＧＰ：ガイド部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 正美 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 CA07 FA01 FA02 FA04 FA12 FA13 HA24 HA37 HA38 MA26 MA30 PA16

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を支持する支持手段を複数有すると
   ともに、 前記複数の支持手段のうちのいずれか１つの支持手段を
   選択して基板の支持に用いるように前記各支持手段を選
   択的に切り替え可能に構成したことを特徴とする基板支
   持装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板支持装置におい
   て、 前記複数の支持手段には、 基板の周縁部を支持する支持部とこの支持部に支持され
   た基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支持部材
   を備えた周縁部支持手段と、 基板の一方側の面内において、前記周縁部支持手段の支
   持位置よりも内側の支持位置を支持する支持部材を備え
   た面内支持手段と、 を含んでいることを特徴とする基板支持装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の基板支持装置におい
   て、 前記複数の支持手段には、 所定の第１のサイズの基板の周縁部を支持する支持部と
   この支持部に支持された前記第１のサイズの基板の端縁
   をガイドするガイド部とを有する支持部材を備えた第１
   の周縁部支持手段と、 前記第１のサイズと異なる第２のサイズの基板の周縁部
   を支持する支持部とこの支持部に支持された前記第２の
   サイズの基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支
   持部材を備えた第２の周縁部支持手段と、 を含んでいることを特徴とする基板支持装置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の基板支持装置におい
   て、 前記複数の支持手段には、 所定の第１のサイズの基板の周縁部を支持する支持部と
   この支持部に支持された前記第１のサイズの基板の端縁
   をガイドするガイド部とを有する支持部材を備えた第１
   の周縁部支持手段と、 前記第１のサイズと異なる第２のサイズの基板の周縁部
   を支持する支持部とこの支持部に支持された前記第２の
   サイズの基板の端縁をガイドするガイド部とを有する支
   持部材を備えた第２の周縁部支持手段と、 基板の一方側の面内において、前記第１、第２の周縁部
   支持手段の支持位置よりも内側の支持位置を支持する支
   持部材を備えた面内支持手段と、 を含んでいることを特徴とする基板支持装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
   板支持装置において、 待機状態と基板の支持に用いる動作状態とで切り替える
   駆動手段を、前記複数の支持手段ごとに個別に有すると
   ともに、 前記複数の駆動手段のうちのいずれか１つの駆動手段を
   選択して駆動する制御手段を備えたことを特徴とする基
   板支持装置。
6. 【請求項６】 基板に熱処理を施す熱処理装置であっ
   て、 請求項１ないし４のいずれかに記載の基板支持装置と、 加熱手段または冷却手段のうち少なくとも一方を有し、
   上面に支持した基板を熱処理する熱処理プレートと、 前記基板支持装置に備えられた支持手段と前記熱処理プ
   レートとを相対的に昇降させる駆動手段と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
7. 【請求項７】 基板に熱処理を施す熱処理装置であっ
   て、 請求項５に記載の基板支持装置と、 加熱手段または冷却手段のうち少なくとも一方を有し、
   上面に支持した基板を熱処理する熱処理プレートと、 を備え、前記複数の支持手段ごとに個別に設けられ、待
   機状態と基板の支持に用いる動作状態とで切り替える駆
   動手段は、 前記各支持手段と前記熱処理プレートとを相対的に昇降
   させるものであることを特徴とする熱処理装置。