CN107919263A - 基板支撑单元、包括其的基板处理装置及其控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明构思的目的是通过减少设置在基板支撑件的圆周处的环形件的磨损程度来延长更换周期。一种基板处理装置包括：腔室，其内部具有处理空间；支撑单元，支撑处理空间内的基板；气体供应单元，配置为将处理气体供应到处理空间；和等离子体源，配置为从处理气体产生等离子体。支撑单元包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。

Description

基板支撑单元、包括其的基板处理装置及其控制方法
技术领域
本文所描述的发明构思的实施例涉及一种基板支撑单元、包括该基板支撑单元的基板处理装置及控制该基板处理装置的方法。
背景技术
半导体制造工艺可包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体工艺的蚀刻工艺中，可使用等离子体去除基板上的薄膜。
在基板处理工艺，例如使用等离子体的蚀刻工艺中，等离子体区域需要扩大到基板的周边区域，以增加基板周边的工艺均匀性。为了实现该目的，可提供围绕基板支撑构件的环形构件，该环形构件可表现出电场耦合，例如环形绝缘体用作环形构件，以电隔离刻蚀设备的下部模块。
然而，随着蚀刻设备操作时间的增加，以上提及的环形构件的上表面暴露于等离子体中，被等离子体鞘层所加速的离子磨损。磨损的环形构件影响基板周边的蚀刻剖面，因此，需要定期更换环形构件。
发明内容
本发明构思的一目的是容易地控制执行等离子体工艺的基板处理装置中的基板周边的电场。
本发明构思的另一个目的是通过减少设置在基板支撑件圆周处的环形构件的磨损程度来延长更换周期。
本发明构思的另一个目的是通过控制插入到环形构件中的插入体的阻抗来提高形成在基板周边区域内的等离子体的均匀性。
本发明构思的目的不限于上述目的。本发明构思所属领域的技术人员可根据下面的描述清楚地理解未提及的其他技术目的。
根据本发明构思的一方面，提供了一种基板处理装置，包括：腔室，其内部具有处理空间；支撑单元，支撑处理空间内的基板；气体供应单元，配置为将处理气体供应到处理空间；和等离子体源，配置为从处理气体产生等离子体。
支撑单元可包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。
支撑单元还包括高频电源，配置为向设置在静电吸盘中的电极提供射频功率，且阻抗控制单元可通过调节插入体的阻抗，控制静电吸盘和第一环形件之间的耦合。
阻抗控制单元可包括电感器和可变电容器。
电感器和可变电容器可彼此串联或者并联连接。
插入件可由金属材料制成。
插入件可由电介质材料制成。
第二环形件可位于第一环形件的下面。
静电吸盘的中心区域的上端可高于静电吸盘的周边区域的上端。
第一环形件的上端可高于静电吸盘的中心区域的上端，第一环形件的下端可低于中心区域的上端，且第一环形件的一部分可位于静电吸盘的周边区域的上方。
第二环形件的上端可位于与静电吸盘的周边区域的上端相同的高度，或者位于比静电吸盘的周边区域的上端低的高度。
第一环形件和第二环形件之间可设置有金属材料的第三环形件。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种基板支撑单元，用于支撑等离子体工艺腔室中的基板，该基板支撑单元包括：静电吸盘，其上放置基板；第一环形件，围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周；第二环形件，围绕静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；插入体，设置于第二环形件中，并由导电材料制成；和阻抗控制单元，配置为调节插入体的阻抗。
基板支撑单元还可包括高频电源，配置为向设置在静电吸盘中的电极提供射频功率。
阻抗控制单元可通过调节插入体的阻抗，控制静电吸盘和第一环形件之间的耦合。
阻抗控制单元可包括电感器和可变电容器。
电感器和可变电容器可彼此串联或者并联连接。
插入件可由金属材料制成。
插入件可由电介质材料制成。
第二环形件可位于第一环形件的下面。
静电吸盘的中心区域的上端可高于静电吸盘的周边区域的上端。
第一环形件的上端可高于静电吸盘的中心区域的上端，第一环形件的下端可低于该中心区域的上端，且第一环形件的一部分可位于静电吸盘的周边区域的上方。
第二环形件的上端可位于与静电吸盘的周边区域的上端相同的高度，或者位于比静电吸盘的周边区域的上端低的高度。
第一环形件和第二环形件之间可设置有金属材料的第三环形件。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种用于控制基板处理装置的方法，该方法包括：通过向设置在静电吸盘中的电极提供射频功率，在电极与插入体之间产生耦合；和通过调节可变电容器的元件值，控制插入体的阻抗。
控制插入体的阻抗可包括：当处理第一基板然后处理第二基板时，对第一基板处理期间插入体的阻抗和第二基板处理期间插入体的阻抗进行不同地控制。
附图说明
通过参照以下附图的以下描述，以上所述的和其他目的和特征变得显而易见，其中，除非另有说明，各附图中相同的附图标记表示相同的元件，其中：
图1为根据本发明构思实施例的基板处理装置的示意图；
图2为根据本发明构思实施例的基板支撑单元的示意性剖面图；
图3A和图3B为包括在图2的阻抗控制单元中的电路的示意性电路图；
图4A和图4B为用于解释根据本发明构思实施例的阻抗控制单元的操作的示意性电路图；
图5为根据本发明构思一实施例的用于控制基板处理装置的方法的示意性流程图；
图6为根据本发明构思一实施例的用于控制基板处理装置的方法的示意性流程图。
具体实施方式
通过下面对结合附图给出的实施例的描述，本发明的上述和其他方面、特征及优点将会变得显而易见。然而，本发明构思的范围不限于以下公开的实施例，而是可以以各种形式实现。本发明构思的实施例提供为使本发明构思的公开完整，并充分地向本发明构思所属领域的技术人员告知本发明构思的范围。
虽然没有定义，但是本文所使用的所有术语(包括技术或科学术语)的含义可与本发明构思所属领域中的常用技术通常公认的含义相同。由通用字典定义的术语可解释为具有与相关技术和/或本申请公开中的那些含义相同的含义，并且即使本文中没有明确定义也不能理想化或解释为过于形式。
本文所使用的术语提供为描述实施例，而不是限制本发明构思。在说明书中，单数形式包括复数形式，除非明确指出。说明书中所使用的表述“包括”和/或其各种词形形式，例如“包含”不排除存在或附加有一个或多个组分、物质、构件、步骤、操作、和/或设备。在说明书中，术语“和/或”表示列举的配置或其各种组合。
本发明构思的目的是延长环形构件的、暴露于等离子体中而被磨损的聚焦环的更换周期，该环形构件围绕配置为支撑基板处理装置中基板的静电吸盘的圆周。根据本发明构思一实施例，可通过安装可对环形构件产生电场耦合影响的导电材料，由配置为控制导电材料的阻抗的电路来控制静电吸盘周边电场的变化。因此，可控制在聚焦环的上部产生并穿过等离子体鞘层的离子。
在下文中，将参照附图详细说明本发明构思的示例性实施例。
图1为示出了根据本发明构思实施例的基板处理装置的示意图。
参见图1，基板处理装置10使用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可在基板W上执行蚀刻工艺。基板处理装置10可包括腔室620、基板支撑组件200、喷头300、气体供应单元400、挡板单元500和等离子体生成单元600。
腔室620可提供处理空间，在该处理空间的内部执行基板处理工艺。腔室620可在其内部具有处理空间，并可具有封闭形状。腔室620可由金属材料制成。腔室620可由铝制成。腔室620可接地。腔室620的底表面上可形成有排气孔102。排气孔102可连接到排气管线151。可通过排气管线151将工艺中所产生的反应副产物和留在腔室内部空间中的气体排放到外部。可通过排气过程将腔室620内部的压力降低至特定压力。
根据一实施例，腔室620的内部可设置有内衬130。内衬130的上表面和下表面可具有开放的圆筒形形状。内衬130可设置为与腔室620的内表面接触。内衬130可通过保护腔室620的内壁来防止腔室620的内壁因电弧放电而被损坏。进一步地，内衬130可防止基板处理工艺期间产生的杂质沉积到腔室620的内壁上。选择性地，可以不提供内衬130。
基板支撑组件200可位于腔室620的内部。基板支撑组件200可支撑基板W。基板支撑组件200可包括静电吸盘210，该静电吸盘210配置为通过使用静电力来吸住基板W。与此不同，基板支撑组件200可以以各种方式支撑基板W，该方式例如为机械夹持。下文中，将描述包括静电吸盘210的基板支撑组件200。
基板支撑组件200可包括静电吸盘210、底盖250和板270。基板支撑组件200可位于腔室620的内部，向上与腔室620的底表面间隔开。
静电吸盘210可包括介电板220、主体230和环形构件240。静电吸盘210可支撑基板W。介电板220可位于静电吸盘210的上端。介电板220可由盘形的介电质制成。基板W可放置在介电板220的上表面上。介电板220的上表面的半径可小于基板W的半径。因此，基板W的周边区域可位于介电板220的外侧。
介电板220的内部可包括第一电极223、加热单元225和第一供应通道221。第一供应通道221可从介电板220的上表面延伸到下表面。多个第一供应通道221可形成为彼此间隔开以提供为通道，通过这些通道将传热介质供应到基板W的下表面。
第一电极223可电连接到第一电源223a。第一电源223a可包括直流(DC)电源。第一电极223与第一电源223a之间可安装有开关223b。可通过接通和断开开关223b而将第一电极223电连接到第一电源223a。如果开关223a接通，则可向第一电极223施加直流电流。通过施加到第一电极223的电流，第一电极223和基板W之间可施加有静电力，基板W可通过静电力吸附到介电板220上。
加热单元225可位于第一电极223的下面。加热单元225可电连接到第二电源225a。因为第二电源225a所施加的电流，加热单元225可通过电阻产生热量。所产生的热量可通过介电板220传输到基板W。基板W可通过加热单元225所产生的热量而维持在特定温度。加热单元225可包括螺旋线圈。
主体230可位于介电板220的下面。可通过粘合剂236将介电板220的下表面与主体230的上表面彼此粘接。主体230可由铝制成。主体230的上表面可配置为其中心区域高于其周边区域。主体230上表面的中心区域可具有与介电板220的下表面相对应的区域，并可粘接到介电板220的下表面。主体230可在其内部具有第一循环通道231、第二循环通道232和第二供应通道233。
第一循环通道231可提供为循环传热介质的通道。多个第一循环通道231可形成在主体230的内部以具有多个螺旋形。此外，多个第一循环通道231可配置成具有相同圆心不同半径的环形形状的多个通道。多个第一循环通道231可彼此连通。多个第一循环通道231可形成在相同的高度上。
第二循环通道232可提供为循环冷却流体的通道。多个第二循环通道232可形成在主体230的内部以具有多个螺旋形。此外，多个第二循环通道232可配置成具有相同圆心不同半径的环形形状的多个通道。多个第二循环通道232可彼此连通。第二循环通道232的截面积可大于第一循环通道231的截面积。多个第二循环通道232可形成在相同的高度上。第二循环通道232可位于第一循环通道231的下面。
第二供应通道233可从第一循环通道231向上延伸，并可设置在主体230的上表面上。第二供应通道233的数量对应于第一供应通道221的数量，且第二供应通道233可连接第一循环通道231和第一供应通道221。
第一循环通道231可通过传热介质供应管线231b连接到传热介质储存装置231a。传热介质储存装置231a中可储存有传热介质。传热介质可包括惰性气体。根据一实施例，传热介质可包括氦(He)气。氦气可通过供应管线231b供应到第一循环通道231，并可在继续穿过第二供应通道233和第一供应通道221之后，供应到基板W的下表面。氦气可用作介质，从等离子体传递至基板W的热量通过该介质传递至静电吸盘210。
第二循环通道232可通过冷流体供应管线232c连接到冷流体储存装置232a。冷流体储存装置232a可储存有冷流体。冷流体储存装置232a内可提供有冷却器232b。冷却器232b可将冷流体冷却到特定温度。与此不同，冷却器232b可安装在冷流体供应管线232c上。通过冷流体供应管线232c供应到第二循环通道232的冷流体可在沿着第二循环通道232循环时冷却主体230。主体230在被冷却时还能同时冷却介电板220和基板W，以将基板W保持在特定温度。
主体230可包括金属板。根据一实施例，整个主体230可由金属板构成。
环形构件240可放置在静电吸盘210的周边区域。环形构件240可具有环形形状，并可沿介电板220的圆周放置。环形构件240的上表面可设置为其外侧240a高于其内侧240b。环形构件240上表面的内侧240b可位于与介电板220上表面的高度相同的高度上。环形构件240上表面的内侧240b可支撑基板W的、位于介电板220外侧的周边区域。环形构件240的外侧240a可设置为围绕基板W的周边区域。环形构件240可控制电磁场，这样，等离子体的密度均匀分布在基板W的整个区域内。因此，等离子体均匀地形成在基板W的整个区域上，这样，基板W的各区域可被均匀地蚀刻。
底盖250可位于基板支撑组件200的下端。底盖250可向上与腔室620的底表面间隔开。底盖250的内部可形成顶部开放的空间255。底盖250的外半径可与主体230的外半径相同。升降销模块(未示出)可位于底盖250的内部空间255中，该升降销模块将传递后的基板W从外部的传递构件移动到静电吸盘210。升降销模块(未示出)可与底盖250间隔开特定间距。底盖250的下表面可由金属材料制成。底盖250的内部空间255中可提供有空气。由于空气的介电常数小于绝缘体的介电常数，所以空气可削弱基板支撑组件200内部的电磁场。
底盖250可具有连接构件253。连接构件253可连接底盖250的外表面和腔室620的内壁。多个连接构件253可以以特定间隔设置在底盖250的外表面上。连接构件253可支撑腔室620内部的基板支撑组件200。此外，连接构件253可连接到腔室620的内壁，这样，底盖250可电接地。连接到第一电源223a的第一电源线223c、连接到第二电源225a的第二电源线225c、连接到传热介质储存装置231a的传热介质供应管线231b和连接到冷流体储存装置232a的冷流体供应管线232c可通过连接构件253的内部空间255延伸到底盖250内。
板270可位于静电吸盘210与底盖250之间。板270可覆盖底盖250的上表面。板270可具有与主体230相对应的截面积。板270可包括绝缘体。根据一实施例，可提供有一个或多个板270。板270可用于增加主体230与底盖250之间的电距离。
喷头300可位于腔室620内部的基板支撑组件200的上方。喷头300可放置为面对基板支撑组件200。
喷头300可包括气体分配板310和支撑件330。气体分配板310可向下与腔室620的上表面间隔开。气体分配板310与腔室620的上表面之间形成有空间。气体分配板310可具有板形，该板形具有特定厚度。气体分配板310的下表面可经阳极化处理以防止等离子体产生电弧。气体分配板310可具有与基板支撑组件200相同的形状和横截面。气体分配板310可包括多个喷射孔311。喷射孔311可垂直穿过气体分配板310的上表面和下表面。气体分配板310可包括金属材料。
支撑件330可支撑气体分配板310的侧面。支撑件330的上端可连接到腔室620的上表面，且支撑件330的下端可连接到气体分配板310的侧面。支撑件330可包括非金属材料。
气体供应单元400可将工艺气体供应到腔室620的内部中。气体供应单元400可包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体储存单元430。气体供应喷嘴410可安装在腔室620上表面的中心部位。气体供应喷嘴410的下表面上可形成有喷射孔。可通过喷射孔将工艺气体供应到腔室620的内部中。气体供应管线420可连接气体供应喷嘴410和气体储存单元430。气体供应管线420可将储存在气体储存单元430内的工艺气体供应到气体供应喷嘴410。气体供应管线420上可安装有阀421。阀421可打开和关闭气体供应管线420，并可调节通过气体供应管线420供应的工艺气体的流量。
挡板单元500可位于腔室620的内壁与基板支撑组件200之间。挡板单元500包括挡板510。挡板510可具有环孔形状。挡板510可具有多个贯穿孔511。提供到腔室620内的工艺气体可穿过挡板510的贯穿孔511，以通过排气孔102排出。可根据挡板510的形状和贯穿孔511的形状控制工艺气体的流动。
等离子体生成单元600可将腔室620中的工艺气体激发成等离子体态。根据本发明构思的一实施例，等离子体生成单元600可以是电感耦合等离子体(ICP)型。在这种情况下，如图1所示，等离子体生成单元600可包括配置成供应高频功率的高频电源610，和电连接到高频电源610以接收高频功率的第一线圈621和第二线圈622。
尽管说明书中已经描述了等离子体生成单元600是ICP型，但是本发明构思不限于此，等离子体生成单元600可以是电容耦合等离子体(CCP)型。
当使用CCP型等离子体源时，上电极和下电极，即主体可包括在腔室620内。上电极和下电极可竖直地彼此平行布置，同时在它们之间形成处理空间。上电极和下电极可从射频(RF)电源接收射频信号以接收用于产生等离子体的能量，并且施加到电极的射频信号的数量不限于所示的数量。两个电极之间的空间内可形成有电磁场，且供应到该空间的工艺气体可被激发成等离子体态。使用等离子体执行基板处理工艺。
再次参见图1，第一线圈621和第二线圈622可位于面对基板W的位置。例如，第一线圈和第二线圈可安装在腔室620的上方。第一线圈621的直径可小于第二线圈622的直径，这样，第一线圈621位于腔室620上侧的内侧，而第二线圈位于腔室620上侧的外侧。第一线圈621和第二线圈622可从高频电源610接收高频功率，以在腔室620内产生时变电磁场，因此，供应到腔室的工艺气体可被等离子体激发。
下文中，将对使用上述基板处理装置处理基板的工艺进行描述。
如果将基板W放置在基板支撑组件200上，则可通过第一电源223a向第一电极223施加直流。通过施加到第一电极223的直流可在第一电极223和基板W之间施加静电力，并且通过静电力可将基板W吸附到静电吸盘210上。
如果基板W由静电吸盘210吸住，则可通过气体供应喷嘴410将工艺气体供应到腔室620的内部。可通过喷头300的喷射孔311将工艺气体均匀地喷射到腔室620的内部区域。高频电源产生的高频功率可供应到等离子体源，因此，腔室620内可产生电磁力。电磁力可使用等离子体激发基板支撑组件200与喷头300之间的工艺气体。等离子体可提供到基板W以处理基板W。等离子体可执行刻蚀工艺。
图2为根据本发明构思实施例的基板支撑单元的示意性剖面图。
如图2所示，根据本发明构思实施例的基板支撑单元可包括静电吸盘210和围绕静电吸盘210圆周的环形构件。如图2所示，基板支撑单元可包括静电吸盘210、第一环形件241、第二环形件242、插入体243及阻抗控制单元244。
如上所述，基板W可放置在静电吸盘210上。
第一环形件241可设置为围绕放置在静电吸盘上的基板的圆周。根据一实施例，第一环形件241可以是聚集环。聚集环可将等离子体工艺期间产生的离子聚集到基板上。
第二环形件242可围绕静电吸盘的圆周。根据一实施例，第二环形件242可由绝缘材料制成。第二环形件242将静电吸盘与腔室的外壁分离，并可将第一环形件241与静电吸盘下侧的模块电隔离。
根据一实施例，可在第一环形件241和第二环形件242之间设置有金属材料的第三环形件245。作为一示例，第三环形件245可由铝材料制成。
如图2所示，根据一实施例，还可设置有围绕第一环形件241和第三环形件245的圆周的第四环形件246。第四环形件246可由绝缘体制成。
根据本发明构思一实施例，第二环形件242的内部可设置有由导电材料制成的插入体243。插入体243可连接到阻抗控制单元244。
在一实施例中，插入体可由电介质材料制成。在一实施例中，插入体可由金属材料制成。以这种方式，由于第二环形件242的内部设置有由例如电介质材料或金属材料的导电材料制成的插入体，所以第二环形件242的周围可诱发电场耦合效应。
可通过阻抗控制单元244调节静电吸盘210和第一环形件241之间的射频功率耦合度。因此，根据本发明构思实施例的基板支撑单元可以容易地控制静电吸盘周边处的电场和等离子体密度。
可通过控制静电吸盘周边处的电场，来控制通过形成在第一环形件241上侧的等离子体鞘层而进入的离子的方向。因此，可以减少第一环形件241的上侧被磨损的程度。
参见图2，根据一实施例，第二环形件242可放置在第一环形件241的下面。静电吸盘210的中心区域的上端可高于静电吸盘210的周边区域的上端。第一环形件241的上端可高于静电吸盘210的中心区域的上端。第一环形件241的下端可低于该中心区域的上端。第一环形件241的一部分可位于静电吸盘210的周边区域的上方。第二环形件242的上端可位于与静电吸盘210的周边区域的上端相同的高度，或者位于比静电吸盘210的周边区域的上端低的高度。
图3A和图3B为包括在图2的阻抗控制单元中的电路的示意性电路图。
如图3A和图3B所示，阻抗控制单元244可包括可变电容器和电感器。根据一实施例，可变电容器与电感器可彼此串联或并联连接。然而，可实现阻抗控制单元244的电路的配置不限于此，而是可提供具有以下配置的任何电路：可电连接至插入体243以控制耦合到静电吸盘周边的高频功率。
图4A和图4B为用于解释根据本发明构思实施例的阻抗控制单元的操作的示意性电路图。
如图4A和图4B所示，阻抗控制单元244可调节等离子体阻抗Z和高频电源之间的耦合，该高频电源被配置为向设置在静电吸盘中的电极提供射频功率。
可通过阻抗控制单元244改变第二环形件242的阻抗，来改变形成在静电吸盘周边的等离子体鞘层的电势。因此，可控制通过等离子体鞘层进入的离子。因此，根据本发明构思实施例的基板支撑单元可加快基板周边的蚀刻速率并强化控制蚀刻剖面的功能。
图5为根据本发明构思一实施例的用于控制基板处理装置的方法的示意性流程图。
参见图5，根据本发明构思实施例的用于控制基板处理装置的方法700可包括通过向设置在静电吸盘中的电极提供射频功率而在电极与插入体之间产生耦合的操作S710，和通过调节可变电容器的元件值而控制插入体的阻抗的操作S720。
参见图6，用于控制插入体的阻抗的操作S720可包括：处理第一基板的操作S721，以及，通过与处理第一基板时所不同方式调节插入体的阻抗来处理第二基板的操作S722。
也就是说，阻抗控制单元244可对处理第一基板期间插入体的阻抗和处理第二基板期间插入体的阻抗进行不同地控制。然而，本发明构思不限于此，而是阻抗可以根据工艺及聚集环的磨损程度而维持不变。
根据本发明构思一实施例，可容易地控制执行等离子体工艺的基板处理装置中的基板周边的电场。
根据本发明构思一实施例，可通过减少设置在基板支撑件圆周处的环形件的磨损程度，延长更换周期。
根据本发明构思一实施例，可通过控制插入到环形构件的插入体的阻抗，提高形成在基板周边区域内的等离子体的均匀性。
本发明构思的效果不限于上述效果，本发明构思所属领域的技术人员可根据说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
应注意的是，以上所述实施例是为了理解本发明构思，而不会限制本发明构思的范围，并且任何可修改的实施例也落入本发明构思的范围。例如，本发明构思中阐述的构件可以单独实施，且一些单独的构件可耦合到彼此以实施。应当理解的是，本发明构思的技术保护范围必须由权利要求书的技术精神确定，且本发明构思的技术保护范围不限于权利要求书的词汇含义，而是甚至可达到等同的发明。

Claims (24)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
腔室，其内部具有处理空间；
支撑单元，支撑所述处理空间内的基板；
气体供应单元，配置为将处理气体供应到所述处理空间；和
等离子体源，配置为从所述处理气体产生等离子体；
其中，所述支撑单元包括：
静电吸盘，其上放置所述基板；
第一环形件，围绕放置在所述静电吸盘上的基板的圆周；
第二环形件，围绕所述静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；
插入体，设置于所述第二环形件中，并由导电材料制成；和
阻抗控制单元，配置为调节所述插入体的阻抗。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述支撑单元还包括：
高频电源，配置为向设置在所述静电吸盘中的电极提供射频功率，
其中，所述阻抗控制单元通过调节所述插入体的阻抗，控制所述静电吸盘和所述第一环形件之间的耦合。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述阻抗控制单元包括电感器和可变电容器。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述电感器和所述可变电容器彼此串联或者并联连接。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述插入体由金属材料制成。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述插入体由电介质材料制成。
7.根据权利要求1-6任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二环形件位于所述第一环形件的下面。
8.根据权利要求1-6任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述静电吸盘的中心区域的上端高于所述静电吸盘的周边区域的上端。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一环形件的上端高于所述静电吸盘的中心区域的上端，所述第一环形件的下端低于所述中心区域的上端，且所述第一环形件的一部分位于所述静电吸盘的周边区域的上方。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述第二环形件的上端位于与所述静电吸盘的周边区域的上端相同的高度，或者位于比所述静电吸盘的周边区域的上端低的高度。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一环形件和所述第二环形件之间设置有金属材料的第三环形件。
12.一种基板支撑单元，用于支撑等离子体工艺腔室中的基板，其特征在于，所述基板支撑单元包括：
静电吸盘，其上放置所述基板；
第一环形件，围绕放置在所述静电吸盘上的基板的圆周；
第二环形件，围绕所述静电吸盘的圆周，并由绝缘材料制成；
插入体，设置于所述第二环形件中，并由导电材料制成；和
阻抗控制单元，配置为调节所述插入体的阻抗。
13.根据权利要求12所述的基板支撑单元，其特征在于，所述基板支撑单元还包括：
高频电源，配置为向设置在所述静电吸盘中的电极提供射频功率，
其中，所述阻抗控制单元通过调节所述插入体的阻抗，控制所述静电吸盘和所述第一环形件之间的耦合。
14.根据权利要求13所述的基板支撑单元，其特征在于，所述阻抗控制单元包括电感器和可变电容器。
15.根据权利要求14所述的基板支撑单元，其特征在于，所述电感器和可变电容器彼此串联或者并联连接。
16.根据权利要求12所述的基板支撑单元，其特征在于，所述插入体由金属材料制成。
17.根据权利要求12所述的基板支撑单元，其特征在于，所述插入体由电介质材料制成。
18.根据权利要求12-17任一项所述的基板支撑单元，其特征在于，所述第二环形件位于所述第一环形件的下面。
19.根据权利要求12-17任一项所述的基板支撑单元，其特征在于，所述静电吸盘的中心区域的上端高于所述静电吸盘的周边区域的上端。
20.根据权利要求19所述的基板支撑单元，其特征在于，所述第一环形件的上端高于所述静电吸盘的中心区域的上端，所述第一环形件的下端低于所述中心区域的下端，且所述第一环形件的一部分位于所述静电吸盘的周边区域的上方。
21.根据权利要求19所述的基板支撑单元，其特征在于，所述第二环形件的上端位于与所述静电吸盘的周边区域的上端相同的高度，或者位于比所述静电吸盘的周边区域的上端低的高度。
22.根据权利要求12-17任一项所述的基板支撑单元，其特征在于，所述第一环形件和所述第二环形件之间设置有金属材料的第三环形件。
23.一种用于控制如权利要求3所述的基板处理装置的方法，其特征在于，所述方法包括：
通过向设置在静电吸盘中的电极提供射频功率，在所述电极与插入体之间产生耦合；和
通过调节可变电容器的元件值，控制所述插入体的阻抗。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述控制所述插入体的阻抗包括：
当处理第一基板然后处理第二基板时，对第一基板处理期间所述插入体的阻抗和第二基板处理期间所述插入体的阻抗进行不同地控制。
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