KR101909479B1 - 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법 - Google Patents

기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101909479B1
KR101909479B1 KR1020160128974A KR20160128974A KR101909479B1 KR 101909479 B1 KR101909479 B1 KR 101909479B1 KR 1020160128974 A KR1020160128974 A KR 1020160128974A KR 20160128974 A KR20160128974 A KR 20160128974A KR 101909479 B1 KR101909479 B1 KR 101909479B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
ring
electrostatic chuck
insert
impedance
Prior art date
Application number
KR1020160128974A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180038596A (ko
Inventor
구자명
안종환
남신우
노수련
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020160128974A priority Critical patent/KR101909479B1/ko
Priority to US15/702,119 priority patent/US20180102238A1/en
Priority to CN201710905447.7A priority patent/CN107919263B/zh
Publication of KR20180038596A publication Critical patent/KR20180038596A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101909479B1 publication Critical patent/KR101909479B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/10—Inductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0203—Protection arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 있어서 기판 주변부의 전기장을 용이하게 제어하여 기판 지지대 둘레에 제공되는 링부재가 마모되는 정도를 줄여 교체 주기를 연장하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하며, 상기 지지 유닛은: 상기 기판이 놓이는 정전척; 상기 정전척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제1 링; 상기 정전척의 둘레를 감싸며, 절연 재질로 제공되는 제2 링; 상기 제2 링 내에 배치되는 전도성 재질로 제공되는 삽입체; 및 상기 삽입체의 임피던스를 조절하는 임피던스 제어부를 포함할 수 있다.

Description

기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법{SUBSTRATE SUPPORT UNIT, SUBSTRATE TREATING APPARAUTS INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME}
본 발명은 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 제조 공정 중 에칭 공정은 플라즈마를 이용하여 기판상의 박막을 제거할 수 있다.
플라즈마를 이용한 에칭 공정과 같은 기판 처리 공정에 있어서, 기판 가장자리까지 공정 균일도를 높이기 위해서는 기판의 가장자리 영역까지 플라즈마 영역을 확대하는 것이 필요하다. 이를 위해 전계 커플링(coupling) 효과를 낼 수 있는 링부재가 기판 지지대를 감싸도록 제공하며, 이를 장비의 하부 모듈과 전기적으로 분리하기 위해 링 형태의 절연체를 사용하고 있다.
그러나 식각 장비의 동작 시간이 길어짐에 따라 상술한 바와 같은 링부재는 플라즈마에 노출된 상부 표면이 플라즈마 쉬스를 통해 가속된 이온에 의해 마모된다. 마모된 링부재는 기판 가장자리의 식각 프로파일에 영향을 끼치게 되며, 따라서 이를 주기적으로 교체해주어야 하는 문제점이 존재한다.
본 발명의 일 실시 예는 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 있어서 기판 주변부의 전기장을 용이하게 제어하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 기판 지지대 둘레에 제공되는 링부재가 마모되는 정도를 줄여 교체 주기를 연장하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시 예는 링부재에 삽입된 삽입체의 임피던스를 제어하여 기판 가장자리 영역에 형성되는 플라즈마의 균일도를 높일 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 상기 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함할 수 있다.
상기 지지 유닛은: 상기 기판이 놓이는 정전척; 상기 정전척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제1 링; 상기 정전척의 둘레를 감싸며, 절연 재질로 제공되는 제2 링; 상기 제2 링 내에 배치되는 전도성 재질로 제공되는 삽입체; 및 상기 삽입체의 임피던스를 조절하는 임피던스 제어부를 포함할 수 있다.
상기 지지 유닛은, 상기 정전척에 제공된 전극으로 RF 전력을 제공하는 고주파 전원을 포함하며, 상기 임피던스 제어부는 상기 삽입체의 임피던스를 조절하여 상기 정전척과 상기 제1 링 사이의 커플링을 제어할 수 있다.
상기 임피던스 제어부는 인덕터 및 가변 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 인덕터 및 상기 가변 커패시터는 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.
상기 삽입체는 금속 재질로 제공될 수 있다.
상기 삽입체는 유전체 재질로 제공될 수 있다.
상기 제2 링은 상기 제1 링의 아래에 배치될 수 있다.
상기 정전척의 중앙 영역의 상단은 상기 정전척의 가장자리 영역의 상단보다 높게 제공될 수 있다.
상기 제1 링의 상단은 상기 정전척의 중앙 영역의 상단보다 높고, 상기 제1 링의 하단은 상기 중앙 영역의 하단보다 낮으며, 상기 제1 링의 일부는 상기 정전척의 가장자리 영역의 상부에 위치될 수 있다.
상기 제2 링의 상단은 상기 정전척의 가장자리 영역의 상단과 동일하거나 더 낮은 높이로 위치될 수 있다.
상기 제1 링 및 상기 제2 링 사이에는 금속 재질의 제3 링이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따라 제공되는, 플라즈마 공정 챔버 내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지 유닛은, 상기 기판이 놓이는 정전척; 상기 정전척의 둘레를 감싸며, 절연 재질로 제공되는 제2 링; 상기 제2 링 내에 배치되는 전도성 재질로 제공되는 삽입체; 및 상기 삽입체의 임피던스를 조절하는 임피던스 제어부를 포함할 수 있다.
상기 정전척에 제공된 전극으로 RF 전력을 제공하는 고주파 전원을 포함할 수 있다.
상기 임피던스 제어부는 상기 삽입체의 임피던스를 조절하여 상기 정전척과 상기 제1 링 사이의 커플링을 제어할 수 있다.
상기 임피던스 제어부는 인덕터 및 가변 커패시터를 포함할 수 있다.
상기 인덕터 및 상기 가변 커패시터는 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.
상기 삽입체는 금속 재질로 제공될 수 있다.
상기 삽입체는 유전체 재질로 제공될 수 있다.
상기 제2 링은 상기 제1 링의 아래에 배치될 수 있다.
상기 정전척의 중앙 영역의 상단은 상기 정전척의 가장자리 영역의 상단보다 높게 제공될 수 있다.
상기 제1 링의 상단은 상기 정전척의 중앙 영역의 상단보다 높고, 상기 제1 링의 하단은 상기 중앙 영역의 하단보다 낮으며, 상기 제1 링의 일부는 상기 정전척의 가장자리 영역의 상부에 위치될 수 있다.
상기 제2 링의 상단은 상기 정전척의 가장자리 영역의 상단과 동일하거나 더 낮은 높이로 위치될 수 있다.
상기 제1 링 및 상기 제2 링 사이에는 금속 재질의 제3 링이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따라 상기 기판 처리 장치를 제어하는 방법은, 상기 정전척에 제공된 전극으로 RF 전력을 제공하여, 상기 전극과 상기 삽입체 사이에 커플링이 발생하도록 하는 단계; 및 상기 가변 커패시터의 소자값을 조절하여 상기 삽입체의 임피던스를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 삽입체의 임피던스를 제어하는 단계는, 제1 기판에 대해 공정 처리하고 이후에 제2 기판에 대해 공정 처리할 때, 상기 제1 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스와 상기 제2 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스를 서로 상이하게 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 있어서 기판 주변부의 전기장을 용이하게 제어할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면 기판 지지대 둘레에 제공되는 링부재가 마모되는 정도를 줄여 교체 주기를 연장할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면 링부재에 삽입된 삽입체의 임피던스를 제어하여 기판 가장자리 영역에 형성되는 플라즈마의 균일도를 높일 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 예시적인 단면도이다.
도 3a 및 3b은 도 2의 임피던스 제어부에 포함되는 예시적인 회로도이다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 제어 방법의 예시적인 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 제어 방법의 예시적인 흐름도이다.
본 발명의 다른 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술 되는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
만일 정의되지 않더라도, 여기서 사용되는 모든 용어들(기술 혹은 과학 용어들을 포함)은 이 발명이 속한 종래 기술에서 보편적 기술에 의해 일반적으로 수용되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적인 사전들에 의해 정의된 용어들은 관련된 기술 그리고/혹은 본 출원의 본문에 의미하는 것과 동일한 의미를 갖는 것으로 해석될 수 있고, 그리고 여기서 명확하게 정의된 표현이 아니더라도 개념화되거나 혹은 과도하게 형식적으로 해석되지 않을 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다' 및/또는 이 동사의 다양한 활용형들 예를 들어, '포함', '포함하는', '포함하고', '포함하며' 등은 언급된 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 조성, 성분, 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 본 명세서에서 '및/또는' 이라는 용어는 나열된 구성들 각각 또는 이들의 다양한 조합을 가리킨다.
본 발명은 기판 처리 장치에서 기판을 지지하는 정전척의 둘레를 감싸고 있는 링부재 중 플라즈마에 노출되어 마모가 발생하는 포커스 링의 교체 주기 연장을 일 목적으로 한다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 전계 커플링 효과를 유도할 수 있는 전도성 물질을 링부재에 장착하여, 상기 전도성 물질의 임피던스를 제어하는 회로를 통해 정전척 가장자리의 전기장의 변화를 제어할 수 있다. 이에 따라, 포커스링 상부에 생성되는 플라즈마 쉬스를 통과하는 이온을 제어할 수 있다.
이하, 첨부되는 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 예시적인 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(620), 기판 지지 어셈블리(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급 유닛(400), 배플 유닛(500) 그리고 플라즈마 발생 유닛(600)을 포함할 수 있다.
챔버(620)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공할 수 있다. 챔버(620)는 내부에 처리 공간을 가지고, 밀폐된 형상으로 제공될 수 있다. 챔버(620)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 챔버(620)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(620)는 접지될 수 있다. 챔버(620)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성될 수 있다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결될 수 있다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(620)의 내부는 소정 압력으로 감압될 수 있다.
일 예에 의하면, 챔버(620) 내부에는 라이너(130)가 제공될 수 있다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 라이너(130)는 챔버(620)의 내측면과 접촉하도록 제공될 수 있다. 라이너(130)는 챔버(620)의 내측벽을 보호하여 챔버(620)의 내측벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(620)의 내측벽에 증착되는 것을 방지할 수 있다. 선택적으로, 라이너(130)는 제공되지 않을 수도 있다.
챔버(620)의 내부에는 기판 지지 어셈블리(200)가 위치할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 어셈블리(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판 지지 어셈블리(200)에 대하여 설명한다.
기판 지지 어셈블리(200)는 정전 척(210), 하부 커버(250) 그리고 플레이트(270)를 포함할 수 있다. 기판 지지 어셈블리(200)는 챔버(620) 내부에서 챔버(620)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치할 수 있다.
정전 척(210)은 유전판(220), 몸체(230) 그리고 링부재(240)를 포함할 수 있다. 정전 척(210)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 유전판(220)은 정전 척(210)의 상단에 위치할 수 있다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 때문에, 기판(W)의 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치할 수 있다.
유전판(220)은 내부에 제1 전극(223), 가열 유닛(225) 그리고 제1 공급 유로(221)를 포함할 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공될 수 있다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격되어 복수 개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공될 수 있다.
제1 전극(223)은 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전원(223a)은 직류 전원을 포함할 수 있다. 제1 전극(223)과 제1 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치될 수 있다. 제1 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON)되면, 제1 전극(223)에는 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착될 수 있다.
가열 유닛(225)는 제1 전극(223)의 하부에 위치할 수 있다. 가열 유닛(225)는 제2 전원(225a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 가열 유닛(225)는 제2 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킬 수 있다. 발생한 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달될 수 있다. 가열 유닛(225)에서 발생한 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지될 수 있다. 가열 유닛(225)는 나선 형상의 코일을 포함할 수 있다.
유전판(220)의 하부에는 몸체(230)가 위치할 수 있다. 유전판(220)의 저면과 몸체(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 몸체(230)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 위치할 수 있다. 몸체(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착될 수 있다. 몸체(230)는 내부에 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232) 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성될 수 있다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제1 순환 유로(231)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 몸체(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 몸체(230)의 상면으로 제공될 수 있다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결할 수 있다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결될 수 있다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장될 수 있다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함할 수 있다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급될 수 있다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 할 수 있다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장될 수 있다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킬 수 있다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 몸체(230)를 냉각할 수 있다. 몸체(230)는 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킬 수 있다.
몸체(230)는 금속판을 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 몸체(230) 전체가 금속판으로 제공될 수 있다.
링부재(240)는 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치될 수 있다. 링부재40)는 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치될 수 있다. 링부재(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 위치할 수 있다. 링부재(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치될 수 있다. 링부재(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지할 수 있다. 링부재(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 링부재(240)는 기판(W)의 전체 영역에서 플라즈마의 밀도가 균일하게 분포하도록 전자기장을 제어할 수 있다. 이에 의해, 기판(W)의 전체 영역에 걸쳐 플라즈마가 균일하게 형성되어 기판(W)의 각 영역이 균일하게 식각될 수 있다.
하부 커버(250)는 기판 지지 어셈블리(200)의 하단부에 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 챔버(620)의 바닥면에서 상부로 이격하여 위치할 수 있다. 하부 커버(250)는 상면이 개방된 공간(255)이 내부에 형성될 수 있다. 하부 커버(250)의 외부 반경은 몸체(230)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다. 리프트 핀 모듈(미도시)은 하부 커버(250)로부터 일정 간격 이격하여 위치할 수 있다. 하부 커버(250)의 저면은 금속 재질로 제공될 수 있다. 하부 커버(250)의 내부 공간(255)은 공기가 제공될 수 있다. 공기는 절연체보다 유전율이 낮으므로 기판 지지 어셈블리(200) 내부의 전자기장을 감소시키는 역할을 할 수 있다.
하부 커버(250)는 연결 부재(253)를 가질 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면과 챔버(620)의 내측벽을 연결할 수 있다. 연결 부재(253)는 하부 커버(250)의 외측면에 일정한 간격으로 복수 개 제공될 수 있다. 연결 부재(253)는 기판 지지 어셈블리(200)를 챔버(620) 내부에서 지지할 수 있다. 또한, 연결 부재(253)는 챔버(620)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(250)가 전기적으로 접지되도록 할 수 있다. 제1 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c) 등은 연결 부재(253)의 내부 공간(255)을 통해 하부 커버(250) 내부로 연장될 수 있다.
정전 척(210)과 하부 커버(250)의 사이에는 플레이트(270)가 위치할 수 있다. 플레이트(270)는 하부 커버(250)의 상면을 덮을 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)에 상응하는 단면적으로 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 절연체를 포함할 수 있다. 일 예에 의하면, 플레이트(270)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 플레이트(270)는 몸체(230)와 하부 커버(250)의 전기적 거리를 증가시키는 역할을 할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 챔버(620) 내부에서 기판 지지 어셈블리(200)의 상부에 위치할 수 있다. 샤워 헤드(300)는 기판 지지 어셈블리(200)와 대향하게 위치할 수 있다.
샤워 헤드(300)는 가스 분산판(310)과 지지부(330)를 포함할 수 있다. 가스 분산판(310)은 챔버(620)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치할 수 있다. 가스 분산판(310)과 챔버(620)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성될 수 있다. 가스 분산판(310)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 가스 분산판(310)의 단면은 기판 지지 어셈블리(200)와 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 가스 분산판(310)은 복수 개의 분사홀(311)을 포함할 수 있다. 분사홀(311)은 가스 분산판(310)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통할 수 있다. 가스 분산판(310)은 금속 재질을 포함할 수 있다.
지지부(330)는 가스 분산판(310)의 측부를 지지할 수 있다. 지지부(330)는 상단이 챔버(620)의 상면과 연결되고, 하단이 가스 분산판(310)의 측부와 연결될 수 있다. 지지부(330)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
가스 공급 유닛(400)은 챔버(620) 내부에 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(400)은 가스 공급 노즐(410), 가스 공급 라인(420), 그리고 가스 저장부(430)를 포함할 수 있다. 가스 공급 노즐(410)은 챔버(620)의 상면 중앙부에 설치될 수 있다. 가스 공급 노즐(410)의 저면에는 분사구가 형성될 수 있다. 분사구는 챔버(620) 내부로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 공급 노즐(410)과 가스 저장부(430)를 연결할 수 있다. 가스 공급 라인(420)은 가스 저장부(430)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(410)에 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(420)에는 밸브(421)가 설치될 수 있다. 밸브(421)는 가스 공급 라인(420)을 개폐하며, 가스 공급 라인(420)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절할 수 있다.
배플 유닛(500)은 챔버(620)의 내측벽과 기판 지지 어셈블리(200)의 사이에 위치될 수 있다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배플(510)에는 복수의 관통홀(511)들이 형성될 수 있다. 챔버(620) 내에 제공된 공정 가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기될 수 있다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정 가스의 흐름이 제어될 수 있다.
플라즈마 발생 유닛(600)은 챔버(620) 내 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 플라즈마 발생 유닛(600)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 타입으로 구성될 수 있다. 이 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 발생 유닛(600)은 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(610), 고주파 전원에 전기적으로 연결되어 고주파 전력을 인가받는 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)을 포함할 수 있다.
본 명세서에 있어서 설명되는 플라즈마 발생 유닛(600)은 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 타입으로 설명되었으나, 이에 제한되지 않으며 용량 결합형 플라즈마(CCP: Capacitively coupled plasma) 타입으로 구성될 수도 있다.
CCP 타입의 플라즈마 소스가 사용되는 경우, 챔버(620)에 상부 전극 및 하부 전극, 즉 몸체가 포함될 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 처리 공간을 사이에 두고 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 하부 전극뿐만 아니라 상부 전극도 RF 전원에 의해 RF 신호를 인가받아 플라즈마를 생성하기 위한 에너지를 공급받을 수 있으며, 각 전극에 인가되는 RF 신호의 수는 도시된 바와 같이 하나로 제한되지는 않는다. 양 전극 간의 공간에는 전기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다.
다시 도 1을 참조하면, 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 기판(W)에 대향하는 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 챔버(620)의 상부에 설치될 수 있다. 제1 코일(621)의 직경은 제2 코일(622)의 직경보다 작아 챔버(620) 상부의 안쪽에 위치하고, 제2 코일(622)은 챔버(620) 상부의 바깥쪽에 위치할 수 있다. 제1 코일(621) 및 제2 코일(622)은 고주파 전원(610)으로부터 고주파 전력을 인가받아 챔버에 시변 자기장을 유도할 수 있으며, 그에 따라 챔버(620)에 공급된 공정 가스는 플라즈마로 여기될 수 있다.
이하, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 설명하도록 한다.
기판 지지 어셈블리(200)에 기판(W)이 놓이면, 제1 전원(223a)으로부터 제1 전극(223)에 직류 전류가 인가될 수 있다. 제1 전극(223)에 인가된 직류 전류에 의해 제1 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 정전 척(210)에 흡착될 수 있다.
기판(W)이 정전 척(210)에 흡착되면, 가스 공급 노즐(410)을 통하여 챔버(620) 내부에 공정 가스가 공급될 수 있다. 공정 가스는 샤워 헤드(300)의 분사홀(311)을 통하여 챔버(620)의 내부 영역으로 균일하게 분사될 수 있다. 고주파 전원에서 생성된 고주파 전력은 플라즈마 소스에 인가될 수 있으며, 그로 인해 챔버(620) 내에 전자기력이 발생할 수 있다. 전자기력은 기판 지지 어셈블리(200)와 샤워 헤드(300) 사이의 공정 가스를 플라즈마로 여기시킬 수 있다. 플라즈마는 기판(W)으로 제공되어 기판(W)을 처리할 수 있다. 플라즈마는 식각 공정을 수행할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛의 일부분에 대한 예시적인 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은 정전척(210)과 그의 둘레를 감싸는 링부재로 구성될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 지지 유닛은 정전척(210), 제1 링(241), 제2 링(242), 삽입체(243), 및 임피던스 제어부(244)를 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 정전척(210) 위에는 기판(W)이 놓일 수 있다.
제1 링(241)은 정전척에 놓인 기판의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 제1 링(241)은 포커스 링일수 있다. 포커스 링은 플라즈마 공정시 생성된 이온이 기판 위로 집중되도록 할 수 있다.
제2 링(242)는 정전척의 둘레를 감쌀 수 있다. 일 실시 예에 따라, 제2 링(242)는 절연 재질로 제공될 수 있다. 제2 링(242)는 정전척과 챔버의 외벽을 분리하고, 제1 링(241)을 정전척의 하부에 있는 모듈들과 전기적으로 절연시킬 수 있다.
일 실시 예에 따라, 상기 제1 링(241) 및 상기 제2 링(242) 사이에는 금속 재질을 제3 링(245)이 제공될 수 있다. 일 예로, 상기 제3 링(245)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 일 실시 예에 따라, 상기 제1 링(241) 및 상기 제3 링(245)의 둘레를 감싸는 제4 링(246)이 더 제공될 수 있다. 상기 제4 링(246)은 절연체로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 링(242)의 내부에 전도성 재질로 제공되는 삽입체(243)가 제공될 수 있다. 상기 삽입체(243)는 임피던스 제어부(244)와 연결될 수 있다.
일 실시 예에 있어서, 상기 삽입체는 유전체 재질로 제공될 수 있다. 또 다른 실시 예에 있어서, 상기 삽입체는 금속 재질로 제공될 수 있다. 이처럼 유전체 재질 또는 금속 재질과 같은 전도성 물질로 제2 링(242) 내부에 삽입체를 제공함으로써, 제2 링(242) 주변으로 전계 커플링 효과를 유도할 수 있다.
임피던스 제어부(244)를 통해 정전척(210)과 제1 링(241) 사이의 RF 전력 커플링 정도를 조절할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은 정전척 가장자리의 전기장 및 플라즈마 밀도를 용이하게 제어할 수 있다.
정전척 가장자리의 전기장을 제어함으로써, 제1 링(241)의 상부에 형성되는 플라즈마 쉬스를 통해 입사하는 이온의 방향을 제어할 수 있다. 이로써, 제1 링(241)의 상부가 마모되는 정도를 감소시킬 수 있다.
도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따라 제2 링(242)은 제1 링(241)의 아래에 배치될 수 있다. 정전척(210)의 중앙 영역의 상단은 정전척(210)의 가장자리 영역의 상단보다 높게 제공될 수 있다. 제1 링(241)의 상단은 정전척(210)의 중앙 영역의 상단보다 높게 제공될 수 있다. 제1 링(241)의 하단은 상기 중앙 영역의 하단보다 낮게 제공될 수 있다. 제1 링(241)의 일부는 정전척(210)의 가장자리 영역의 상부에 위치될 수 있다. 제2 링(242)의 상단은 정전척(210)의 가장자리 영역의 상단과 동일하거나 더 낮은 높이로 위치될 수 있다.
도 3은 도 2의 임피던스 제어부에 포함되는 예시적인 회로도이다.
도 3a 및 3b에 도시된 바와 같이, 상기 임피던스 제어부(244)는 가변 커패시터 및 인덕터로 구성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 가변 커패시터와 인덕터는 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다. 그러나 임피던스 제어부(244)가 구현될 수 있는 회로의 구성은 이에 제한되지 않으며, 삽입체(243)에 전기적으로 연결되어 정전척 주변부에 커플링되는 고주파 전력을 제어할 수 있는 어떠한 구성의 회로로도 제공될 수 있다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 임피던스 제어부의 동작을 설명하기 위한 예시적인 회로도이다.
도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이, 임피던스 제어부(244)는 플라즈마 임피던스(Z)와 정전척에 제공된 전극으로 RF 전력을 제공하는 고주파 전원 사이의 커플링을 조절할 수 있다.
상기 임피던스 제어부(244)를 통해 제2 링(242)의 임피던스를 변화시킴에 따라 정전척 가장자리에 형성되는 플라즈마 쉬스의 전위를 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 쉬스를 통해 입사되는 이온들의 제어가 가능해진다. 따라서, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 지지 유닛은 기판 가장자리의 식각률 및 식각 프로파일의 제어 기능이 강화된다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 제어 방법의 예시적인 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치 제어 방법(700)은 상기 정전척에 제공된 전극으로 RF 전력을 제공하여, 상기 전극과 상기 삽입체 사이에 커플링이 발생하도록 하는 단계(S710), 및 상기 가변 커패시터의 소자값을 조절하여 상기 삽입체의 임피던스를 제어하는 단계(S720)를 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 삽입체의 임피던스를 제어하는 단계(S720)는, 제1 기판을 공정 처리하는 단계(S721) 및 삽입체의 임피던스를 제1 기판 공정처리시와 다르게 조절하여 제2 기판을 공정 처리하는 단계(S722)를 포함할 수 있다.
즉, 상기 임피던스 제어부(244)는 상기 제1 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스와 상기 제2 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스를 서로 상이하게 제어할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않으며, 공정과 포커스 링의 마도 정도에 따라 임피던스는 계속 동일하게 유지될 수도 있다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속할 수 있음을 이해하여야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 도시된 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 반대로 여러 개로 분산된 구성 요소들은 결합 되어 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.
10 : 기판 처리 장치
210 : 정전척
241 : 제1 링
242 : 제2 링
243 : 삽입체
244 : 임피던스 제어부
245 : 제3 링
246 : 제4 링
700 : 기판 처리 장치 제어 방법

Claims (24)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하며,
    상기 지지 유닛은:
    상기 기판이 놓이되, 고주파 전력이 인가되는 전극을 포함하는 정전척;
    상기 정전척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제1 링;
    상기 정전척의 둘레를 감싸며, 절연 재질로 제공되는 제2 링;
    상기 제2 링 내에 배치되고 전도성 재질로 제공되며 공정 처리 시에 고주파 전력이 인가된 상기 전극과 전계 커플링을 유도하는 삽입체; 및
    상기 삽입체와 전기적으로 연결되어 상기 삽입체의 임피던스를 조절함으로써, 상기 정전척 가장자리로 입사하는 전기장을 제어하는 임피던스 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 임피던스 제어부는 인덕터 및 가변 커패시터를 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 인덕터 및 상기 가변 커패시터는 직렬 또는 병렬로 연결된 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 삽입체는 금속 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 삽입체는 유전체 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제1 항 및 제3 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 링은 상기 제1 링의 아래에 배치되는 기판 처리 장치.
  8. 제1 항 및 제3 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정전척의 중앙 영역의 상단은 상기 정전척의 가장자리 영역의 상단보다 높게 제공되는 기판 처리 장치.

  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 링의 상단은 상기 정전척의 중앙 영역의 상단보다 높고, 상기 제1 링의 하단은 상기 중앙 영역의 하단보다 낮으며, 상기 제1 링의 일부는 상기 정전척의 가장자리 영역의 상부에 위치되는 기판 처리 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 링의 상단은 상기 정전척의 가장자리 영역의 상단과 동일하거나 더 낮은 높이로 위치되는 기판 처리 장치.
  11. 제1 항 및 제3 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 링 및 상기 제2 링 사이에는 금속 재질의 제3 링이 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제1 항에 따른 기판 처리 장치를 제어하는 방법으로,
    상기 정전척에 제공된 전극으로 고주파 전력을 제공하여, 상기 전극과 상기 삽입체 사이에 커플링이 발생시키면서, 기판에 대한 공정을 수행하는 단계; 및
    상기 삽입체의 임피던스를 제어하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치 제어 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 삽입체의 임피던스를 제어하는 단계는,
    제1 기판에 대해 공정 처리하고 이후에 제2 기판에 대해 공정 처리할 때, 상기 제1 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스와 상기 제2 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스를 서로 상이하게 제어하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치 제어 방법.
  14. 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기판 처리 장치는,
    내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지 유닛;
    상기 처리 공간 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
    상기 처리 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스를 포함하며,
    상기 지지 유닛은:
    상기 기판이 놓이는 정전척;
    상기 정전척에 놓인 기판의 둘레를 감싸는 제1 링;
    상기 정전척의 둘레를 감싸며, 절연 재질로 제공되는 제2 링;
    상기 제2 링 내에 배치되는 전도성 재질로 제공되는 삽입체; 및
    상기 제1 링의 마모 정도에 따라 상기 삽입체의 임피던스를 조절하여 기판 가장자리 영역에 제공되는 플라즈마 쉬스의 전위를 변화시키는 임피던스 제어부를 포함하는 기판 처리 장치.
  15. 제14 항의 기판 처리 장치를 제어하는 방법에 있어서,
    상기 정전척에 제공된 전극으로 고주파 전력을 제공하여, 상기 전극과 상기 삽입체 사이에 커플링이 발생시키면서, 기판에 대한 공정을 수행하는 단계; 및
    제1 기판에 대해 공정 처리하고 이후에 제2 기판에 대해 공정 처리할 때, 상기 제1 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스와 상기 제2 기판에 대한 공정 처리시 삽입체의 임피던스를 서로 상이하게 제어하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치 제어 방법.

  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
KR1020160128974A 2016-10-06 2016-10-06 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법 KR101909479B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160128974A KR101909479B1 (ko) 2016-10-06 2016-10-06 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법
US15/702,119 US20180102238A1 (en) 2016-10-06 2017-09-12 Substrate support unit, substrate treating apparatus including the same, and method for controlling the same
CN201710905447.7A CN107919263B (zh) 2016-10-06 2017-09-29 基板支撑单元、包括其的基板处理装置及其控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160128974A KR101909479B1 (ko) 2016-10-06 2016-10-06 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180038596A KR20180038596A (ko) 2018-04-17
KR101909479B1 true KR101909479B1 (ko) 2018-10-19

Family

ID=61830231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160128974A KR101909479B1 (ko) 2016-10-06 2016-10-06 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20180102238A1 (ko)
KR (1) KR101909479B1 (ko)
CN (1) CN107919263B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210071066A (ko) * 2018-11-20 2021-06-15 장쑤 루벤 인스트루먼츠 컴퍼니 리미티드 에칭 균일도 조절 장치 및 방법

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102063108B1 (ko) * 2017-10-30 2020-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110323117A (zh) * 2018-03-28 2019-10-11 三星电子株式会社 等离子体处理设备
KR102487930B1 (ko) * 2018-07-23 2023-01-12 삼성전자주식회사 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR102111504B1 (ko) * 2018-10-15 2020-05-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN111276381A (zh) * 2018-12-04 2020-06-12 江苏鲁汶仪器有限公司 一种调节晶圆刻蚀均匀性的装置和方法
US11094508B2 (en) * 2018-12-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition
KR102214333B1 (ko) * 2019-06-27 2021-02-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102256216B1 (ko) 2019-06-27 2021-05-26 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 제어 방법
KR102290910B1 (ko) * 2019-06-27 2021-08-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11114279B2 (en) 2019-06-28 2021-09-07 COMET Technologies USA, Inc. Arc suppression device for plasma processing equipment
CN112151343B (zh) * 2019-06-28 2023-03-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种电容耦合等离子体处理装置及其方法
US11527385B2 (en) 2021-04-29 2022-12-13 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for calibrating capacitors of matching networks
US11596309B2 (en) 2019-07-09 2023-03-07 COMET Technologies USA, Inc. Hybrid matching network topology
KR20210022879A (ko) * 2019-08-21 2021-03-04 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR102335472B1 (ko) * 2019-09-04 2021-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11830708B2 (en) 2020-01-10 2023-11-28 COMET Technologies USA, Inc. Inductive broad-band sensors for electromagnetic waves
US11521832B2 (en) 2020-01-10 2022-12-06 COMET Technologies USA, Inc. Uniformity control for radio frequency plasma processing systems
US11887820B2 (en) * 2020-01-10 2024-01-30 COMET Technologies USA, Inc. Sector shunts for plasma-based wafer processing systems
US11670488B2 (en) 2020-01-10 2023-06-06 COMET Technologies USA, Inc. Fast arc detecting match network
US11961711B2 (en) 2020-01-20 2024-04-16 COMET Technologies USA, Inc. Radio frequency match network and generator
US11605527B2 (en) 2020-01-20 2023-03-14 COMET Technologies USA, Inc. Pulsing control match network
KR20220013046A (ko) * 2020-07-24 2022-02-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102603678B1 (ko) * 2020-10-13 2023-11-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102603429B1 (ko) * 2020-10-30 2023-11-16 세메스 주식회사 임피던스 제어 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR102593141B1 (ko) * 2020-11-05 2023-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102251891B1 (ko) * 2020-12-08 2021-05-13 주식회사 기가레인 기판 지지 장치 및 이를 이용한 기판 반출 방법
KR20220095349A (ko) * 2020-12-29 2022-07-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11923175B2 (en) 2021-07-28 2024-03-05 COMET Technologies USA, Inc. Systems and methods for variable gain tuning of matching networks
US11657980B1 (en) 2022-05-09 2023-05-23 COMET Technologies USA, Inc. Dielectric fluid variable capacitor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050257743A1 (en) 2002-11-26 2005-11-24 Akira Koshiishi Plasma processing apparatus and method

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW506234B (en) * 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
US7128804B2 (en) * 2000-12-29 2006-10-31 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
JP4365226B2 (ja) * 2004-01-14 2009-11-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング装置及び方法
EP3128538B1 (en) * 2004-06-21 2019-12-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
JP4566789B2 (ja) * 2005-03-07 2010-10-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP5657262B2 (ja) * 2009-03-27 2015-01-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10777387B2 (en) * 2012-09-28 2020-09-15 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate
US9875881B2 (en) * 2013-02-20 2018-01-23 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
CN104078298A (zh) * 2013-03-29 2014-10-01 细美事有限公司 等离子体产生单元、包括该单元的基板处理装置及方法
CN103811247B (zh) * 2014-02-17 2016-04-13 清华大学 用于等离子体刻蚀的聚焦环及具有其的等离子体刻蚀装置
KR101670457B1 (ko) * 2014-11-28 2016-10-31 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050257743A1 (en) 2002-11-26 2005-11-24 Akira Koshiishi Plasma processing apparatus and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210071066A (ko) * 2018-11-20 2021-06-15 장쑤 루벤 인스트루먼츠 컴퍼니 리미티드 에칭 균일도 조절 장치 및 방법
KR102589701B1 (ko) * 2018-11-20 2023-10-16 장쑤 루벤 인스트루먼츠 컴퍼니 리미티드 에칭 균일도 조절 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20180102238A1 (en) 2018-04-12
KR20180038596A (ko) 2018-04-17
CN107919263B (zh) 2020-10-09
CN107919263A (zh) 2018-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101909479B1 (ko) 기판 지지 유닛, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 그 제어 방법
KR101980203B1 (ko) 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR101842127B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101817210B1 (ko) 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법
KR101778972B1 (ko) 전력 공급 장치, 그리고 그를 이용하는 기판 처리 장치
KR20200072933A (ko) 기판처리장치
US11587770B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102344528B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101965573B1 (ko) 전력 공급 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR101949406B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102290910B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102281888B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101966793B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR101502853B1 (ko) 지지 유닛 및 기판 처리 장치
KR102290909B1 (ko) 기판 처리 장치 및 챔버 클리닝 방법
KR102189873B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101842122B1 (ko) 전기장 발생 장치, 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR101885564B1 (ko) 플라즈마 소스, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법
KR101791873B1 (ko) 플라즈마 발생 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치
KR20160026264A (ko) 기판 처리 장치
KR101754565B1 (ko) 전력 공급 장치 및 방법, 그리고 그를 이용하는 기판 처리 장치
KR101464205B1 (ko) 기판 지지 어셈블리 및 기판 처리 장치
KR102218381B1 (ko) 윈도우 유닛 및 그를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 윈도우 유닛 제조 방법
KR20170025544A (ko) 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법
KR20140131187A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right