CN104078298A - 等离子体产生单元、包括该单元的基板处理装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种能够调节在腔体内部生成的等离子体密度的等离子体产生单元、包括该单元的基板处理装置及方法。根据本发明的一实施例的基板处理装置包括：提供实施工序的处理空间的腔体；在上述处理空间支撑基板的基板支撑单元；向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元；以及根据向上述处理空间供给的处理气体产生等离子体的等离子体产生单元，上述等离子体产生单元具有：设置在上述腔体的上部的天线部件；位于上述天线部件的上部的调节焊盘；以及使上述调节焊盘向上下移动的驱动部件。

Description

等离子体产生单元、包括该单元的基板处理装置及方法

技术领域

本发明涉及处理基板的装置及方法，详细地涉及利用等离子体处理基板的装置及方法。

背景技术

半导体元件的制造工序中，蚀刻、沉积以及清洗工序等是利用等离子体来处理基板。在利用等离子体的工序中，向腔体内部喷射处理气体，并根据处理气体产生等离子体并提供给基板。

通常，基板处理装置包括等离子体产生装置。等离子体产生装置包括天线部件。天线部件产生电磁场。所产生的电磁场形成为放射形状。电磁场将处理气体激发成等离子体状态。但是，通常，所产生的等离子体的密度在处理空间的中心区域和边缘区域产生密度差。这种等离子体的密度差会阻碍均匀的基板处理工序、降低基板处理工序的可靠性。

等离子体是因电磁场而产生的，因此，如果调节电磁场，则能够调节等离子体的量。但是，电磁场是根据天线部件形成为放射形状，从而不易对其进行控制。由此，不易通过调节电磁场来控制等离子体的量。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种能够调节在腔体内部生成的等离子体密度的基板处理装置。

本发明所要解决的技术课题并不限于上述的课题，所属技术领域的技术人员能够根据本说明书和附图明确地理解未在上面说明的技术课题。

本发明提供基板处理装置。

根据本发明的一实施例的基板处理装置包括提供实施工序的处理空间的腔体、在上述处理空间支撑基板的基板支撑单元、向上述处理空间供给处理气体的气体供给单元以及根据向上述处理空间供给的处理气体产生等离子体的等离子体产生单元，上述等离子体产生单元具有设置在上述腔体的上部的天线部件、位于上述天线部件的上部的调节焊盘以及使上述调节焊盘向上下移动的驱动部件。

上述调节焊盘能够被接地。

上述调节焊盘能够包括环状的第1焊盘。

上述第1焊盘能够位于与上述天线部件的边缘区域对置的位置。

上述调节焊盘能够包括位于与上述天线部件的中心区域对置的位置的第2焊盘。

上述第1焊盘的截面面积能够大于上述第2焊盘的截面面积。

上述天线部件包括分离的第1天线和第2天线，上述第2天线位于中心区域，上述第1天线能够位于围绕上述第2天线的位置。

上述等离子体产生单元还能够包括固定设置在上述调节焊盘的上部并且其截面面积比上述调节焊盘的截面面积大且接地的接地板。

此外，本发明提供等离子体产生单元。

根据本发明的一实施例的等离子体产生单元包括产生电磁场的天线部件、位于上述天线部件的上部的调节焊盘以及使上述调节焊盘上下移动的驱动部件。

上述调节焊盘能够被接地。

上述调节焊盘能够包括位于与上述天线部件的边缘区域对置的位置且形成为环状的第1焊盘。

上述调节焊盘能够包括位于与上述天线部件的中心区域对置的位置的第2焊盘。

上述第1焊盘的截面面积能够大于上述第2焊盘的截面面积。

上述天线部件包括分离的第1天线和第2天线，上述第2天线位于中心区域，上述第1天线能够位于围绕上述第2天线的位置。

上述等离子体产生单元还能够包括固定设置在上述调节焊盘的上部且其截面面积比上述调节焊盘的截面面积大并且被接地的接地板。

此外，本发明提供基板处理方法。

根据本发明的一实施例的基板处理方法是利用等离子体处理基板的基板处理方法，其通过改变产生电磁场的天线部件和位于上述天线部件的上部的调节焊盘的相对位置来调节所产生的等离子体的量。

上述调节焊盘包括形成为环状的第1焊盘，能够使上述第1焊盘上下移动来改变上述天线部件和上述第1焊盘的相对位置。

在上部观察时，上述调节焊盘还包括形成在与上述第1焊盘不重叠的位置的第2焊盘，上述第2焊盘能够独立于上述第1焊盘地上下移动而改变与上述天线部件之间的相对位置。

上述第1焊盘的截面面积能够大于上述第2焊盘的截面面积。

上述调节焊盘能够被接地。

上述天线部件能够包括位于中心区域的第1天线和位于围绕上述第1天线的位置的第2天线。

根据本发明的一实施例，能够调节在腔体内部生成的等离子体密度。

本发明的效果并不限于上述的效果，本发明所属技术领域的技术人员能够根据本说明书及附图明确了解未作说明的效果。

附图说明

图1是表示根据本发明的一实施例的基板处理装置的截面图。

图2是表示图1的等离子体调节单元的分解立体图。

图3是表示根据本发明的另一实施例的基板处理装置的截面图。

图4是表示图3的等离子体调节单元的分解立体图。

图5是表示根据本发明的再一实施例的基板处理装置的截面图。

图6是表示根据本发明的一实施例的基板处理方法的流程图。

图7和图8是表示图1的基板处理装置调节等离子体的量的过程的图。

图9至图12是表示图3的基板处理装置调节等离子体的量的过程的图。

具体实施方式

以下，参照附图进一步详细说明本发明的实施例。本发明的实施例能够以多种方式变形，而并不能解释为本发明的范围限定在下述的实施例。本实施例是为了给所属技术领域的技术人员进一步完整地说明而提供的。从而，为了强调进一步明确的说明而夸张地示出了附图中的要素的形状。

图1是表示根据本发明的一实施例的基板处理装置的截面图。

如图1所示，基板处理装置10利用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10能够对基板W实施蚀刻工序。基板处理装置10包括腔体100、基板支撑单元200、气体供给单元300、等离子体产生单元400以及挡板单元500。

腔体100提供实施基板处理工序的空间。腔体100包括壳体110、密封盖120以及衬垫130。

壳体110在内部具有上面开放的空间。壳体110的内部空间被用作实施基板处理工序的处理空间。壳体110由金属材料形成。壳体110能够由铝材料形成。壳体110能够被接地。在壳体110的下表面形成有排气孔102。排气孔102与排气线151连接。在工序过程中产生的反应副产物以及留在壳体的内部空间的气体能够通过排气线151向外部排出。根据排气过程，壳体110的内部减压至预定压力。

密封盖120覆盖壳体110的开放的上面。密封盖120形成为板形状，并且使壳体110的内部空间密封。密封盖120能够包括电介质（dielectricsubstance）窗。

衬垫130形成在壳体110内部。在衬垫130的内部形成有上面和下面开放的空间。衬垫130能够形成为圆筒形状。衬垫130能够具有与壳体110的内侧面相应的半径。衬垫130沿着壳体110的内侧面形成。在衬垫130的上端形成有支撑环131。支撑环131形成为环状的板，并且沿着衬垫130的周围向衬垫130的外侧突出。支撑环131位于壳体110的上端，并且支撑衬垫130。衬垫130能够由与壳体110相同的材料形成。衬垫130能够由铝材料形成。衬垫130保护壳体110的内侧面。在处理气体被激发的过程中，在腔体100内部可以产生弧（Arc）放电。弧放电破损周边装置。衬垫130保护壳体110的内侧面，从而防止壳体110的内侧面因弧放电而遭破损。此外，防止在基板处理工序中产生的杂质沉积在壳体110的内侧壁。与壳体110相比，衬垫130的价格低且易于交换。从而，在衬垫130因弧放电而遭破损的情况下，操作人员能够以新的衬垫130进行交换。

在壳体110的内部设置有基板支撑单元200。基板支撑单元200支撑基板W。基板支撑单元200能够包括利用静电力来吸附基板W的静电夹头210。与此相对地，基板支撑单元200还能够通过如机械夹紧等多种方式支撑基板W。下面，对包括静电夹头210的基板支撑单元200进行说明。

基板支撑单元200包括静电夹头210、绝缘板250以及下部盖件270。在腔体100内部，基板支撑单元200能够从壳体110的下表面向上部隔开设置。

静电夹头210包括电介质板220、电极223，加热器225，支撑板230以及调焦环（focus ring）240。

电介质板220位于静电夹头210的上端部。电介质板220由圆板形状的电介质（dielectric substance）形成。基板W设置在电介质板220的上表面。电介质板220的上表面的半径比基板W的半径小。因此，基板W的边缘区域位于电介质板220的外侧。在电介质板220形成有第1供给流路221。第1供给流路221从电介质板210的上表面向下表面形成。第1供给流路221以互相隔开的方式形成有多个，其被用作热传递介质向基板W的下面供给的通路。

在电介质板220的内部埋设有下部电极223和加热器225。下部电极223位于加热器225的上部。下部电极223与第1下部电源223a电连接。第1下部电源223a包括直流电源。在下部电极223与第1下部电源223a之间设置有开关223b。下部电极223能够根据开关223b的导通/截止（ON/OFF）而与第1下部电源223a电连接。若开关223b导通（ON），则直流电流被施加至下部电极223。根据施加给下部电极223的电流，静电力作用于下部电极223与基板W之间，基板W根据静电力吸附在电介质板220。

加热器225与第2下部电源225a电连接。加热器225通过其电阻阻碍由第2下部电源225a施加的电流而产生热。所产生的热通过电介质板220向基板W传递。根据在加热器225产生的热，基板W保持预定温度。加热器225包括螺旋形状的线圈。

支撑板230位于电介质板220的下部。电介质板220的下表面和支撑板230的上表面能够通过粘合剂236粘合。支撑板230能够由铝材料形成。支撑板230的上表面能够具有高低差，以便其中心区域比边缘区域高。支撑板230的上表面中心区域具有与电介质板220的下表面相应的面积，并且与电介质板220的下表面粘合。在支撑板230形成有第1循环流路231、第2循环流路232以及第2供给流路233。

第1循环流路231被用作供热传递介质循环的通路。第1循环流路231能够在支撑板230的内部形成为螺旋形状。或者，第1循环流路231能够被配置为具有互相不同的半径的环状的流路具有相同的中心。各个第1循环流路231能够互相连通。第1循环流路231形成在相同的高度。

第2循环流路232被用作供冷却流体循环的通路。第2循环流路232能够在支撑板230的内部形成为螺旋形状。此外，第2循环流路232能够被配置为具有互相不同的半径的环状的流路具有相同的中心。各个第2循环流路232能够互相连通。第2循环流路232能够具有比第1循环流路231大的截面面积。第2循环流路232形成在相同的高度。第2循环流路232能够位于第1循环流路231的下部。

第2供给流路233从第1循环流路231向上部延伸，并且形成在支撑板230的上表面。第2供给流路243形成有与第1供给流路221对应的数量，并连接第1循环流路231和第1供给流路221。

第1循环流路231通过热传递介质供给线231b与热传递介质存储部231a连接。在热传递介质存储部231a存储热传递介质。热传递介质包括非活性气体。根据实施例，热传递介质包括氦（He）气体。氦气体通过供给线231b供给至第1循环流路231，并依次经过第2供给流路233和第1供给流路221而被供给至基板W的下表面。氦气体起到从等离子体向基板W传递的热向静电夹头210传递的介质功能。

第2循环流路232通过冷却流体供给线232c与冷却流体存储部232a连接。在冷却流体存储部232a存储冷却流体。在冷却流体存储部232a内可以设置有冷却机232b。冷却机232b使冷却流体冷却至预定温度。与此相对地，冷却机232b能够设置在冷却流体供给线232c上。通过冷却流体供给线232c供给到第2循环流路232的冷却流体沿第2循环流路232循环，并冷却支撑板230。冷却支撑板230时，将电介质板220与基板W一起冷却，从而使基板W保持预定温度。

调焦环240配置在静电夹头210的边缘区域。调焦环240具有环状，并且沿电介质板220的周围配置。调焦环240的上表面能够具有高低差，以便外侧部240a比内侧部240b高。调焦环240的上表面的内侧部240b位于与电介质板220的上表面相同的高度。调焦环240的上表面的内侧部240b支撑位于电介质板220的外侧的基板W的边缘区域。调焦环240的外侧部240a被形成为围绕基板W的边缘区域。调焦环240使等离子体在腔体100内向与基板W相对的区域集中。

绝缘板250位于支撑板230的下部。绝缘板250被形成为其截面面积与支撑板230的截面面积相对应。绝缘板250位于支撑板230和下部盖件270之间。绝缘板250由绝缘材料形成，并且使支撑板230和下部盖件270电绝缘。

下部盖件270位于基板支撑单元200的下端部。下部盖件270从壳体110的下表面向上部隔开设置。在下部盖件270的内部形成有上面开放的空间。下部盖件270的上表面被绝缘板250覆盖。从而，下部盖件270的截面的外部半径的能够形成为其长度与绝缘板250的外部半径相同。在下部盖件270的内部空间可以设置有使被输送的基板W从外部的输送部件向静电夹头210移动的提升销模块（lift pin module）（未图示）等。

下部盖件270具有连接部件273。连接部件273连接下部盖件270的外侧面和壳体110的内侧壁。连接部件273能够在下部盖件270的外侧面以一定的间隔形成有多个。连接部件273在腔体100内部支撑基板支撑单元200。此外，连接部件273与壳体110的内侧壁连接，从而使下部盖件270电接地（grounding）。通过连接部件273的内部空间，与第1下部电源223a连接的第1电源线223c、与第2下部电源225a连接的第2电源线225c、与热传递介质存储部231a连接的热传递介质供给线231b以及与冷却流体存储部232a连接的冷却流体供给线232c等延伸至下部盖件270的内部。

气体供给单元300向腔体100的内部供给处理气体。气体供给单元300包括气体供给喷嘴310、气体供给线320以及气体存储部330。气体供给喷嘴310设置在密封盖120的中心部。在气体供给喷嘴310的下表面形成有喷射口。喷射口位于密封盖120的下部，并向腔体100的内部的处理空间供给处理气体。气体供给线320连接气体供给喷嘴310与气体存储部330。气体供给线320将存储在气体存储部330的处理气体供给给气体供给喷嘴310。在气体供给线320设置有阀321。阀321将气体供给线320开启和关闭，并调节通过气体供给线320供给的处理气体的流量。

图2是表示图1的等离子体产生单元的分解立体图。

如图1和图2所示，等离子体产生单元400根据向处理空间提供的处理气体生成等离子体。等离子体产生单元400包括天线部件410、电源420、上部盖件430、接地板450、调节焊盘470以及驱动部件480。

天线部件410设置在腔体100的上部。在天线部件410可以形成有多个具有分别不同的直径的环状的天线。根据一个例子，天线部件410能够包括第1天线411和第2天线413。第2天线413位于中心区域，第1天线411能够位于围绕第2天线413的位置。第1天线411和第2天线413能够分离设置。第1天线411和第2天线413能够分别与不同的电源连接。

电源420向天线部件410施加电力。根据一个例子，电源420包括第1电源421和第2电源423。第1电源421与第1天线411连接，第2电源423能够与第2天线413连接。电源420能够向天线部件410施加高频电力。根据一个例子，第1电源421和第2电源423能够分别将不同的电力传递给第1天线411和第2天线413。由此，在第1天线411和第2天线413能够产生分别不同的电磁波。以天线部件410为中心产生放射形状电磁波。电磁波中的一部分提供给腔体100的内部，剩余一部分提供给腔体100的外部。提供给腔体100的内部的电磁波在腔体100的内部的处理空间形成感应电场。处理气体从感应电场得到离子化时所需要的能量，从而被激发成等离子体状态。等离子体被提供给基板W，并且能够实施蚀刻工序等基板处理工序。

上部盖件430能够形成为下表面开放的圆筒形状。上部盖件430能够位于电介质盖件120的上部。上部盖件430通过覆盖电介质盖件120来形成等离子体产生单元400所在的空间。

接地板450能够形成为具有一定的厚度的平板形状。接地板450位于上部盖件430和电介质盖件120之间的空间。根据一个例子，接地板450能够固定设置在天线部件410的上部。接地板450能够形成为被接地（grounding）。接地板450能够形成为其截面面积比调节焊盘470的截面面积大。可选地，还可以不形成接地板450。

调节焊盘470位于天线部件410的上部。调节焊盘470可以位于天线部件410和接地板450之间。根据一个例子，调节焊盘470能够形成为接地的状态。

根据一个例子，调节焊盘470能够形成为环状。调节焊盘470能够形成在与天线部件410的边缘区域对置的位置。调节焊盘470能够形成在与第1天线411对置的位置。

驱动部件480与调节焊盘470连接。驱动部件480使调节焊盘470向上下方向移动。驱动部件480能够使调节焊盘470在上下方向上从与天线部件410接近的位置移动至与接地板450接近的位置。

图3是表示根据本发明的另一实施例的基板处理装置的截面图，图4是表示图3的等离子体调节单元的分解立体图。

如图3和图4所示，基板处理装置11包括腔体100、基板支撑单元200、气体供给单元300、等离子体产生单元4100以及挡板单元500。与图1的基板处理装置10相比，在基板处理装置11中，只有等离子体产生单元4100的调节焊盘4170不同，其他结构都相同。下面，对等离子体产生单元4100的调节焊盘4170进行说明。

调节焊盘4170位于天线部件4110的上部。调节焊盘4170能够位于天线部件4110和接地板4150之间。根据一个例子，调节焊盘4170能够形成为接地的状态。

根据一个例子，调节焊盘4170能够包括第1焊盘4171和第2焊盘4173。第1焊盘4171和第2焊盘4173能够互相分离地设置。第1焊盘4171能够形成为环状。第1焊盘4171能够形成在与天线部件4110的边缘区域对置的位置。第1焊盘4171能够形成在与第1天线4111对置的位置。第2焊盘4173能够形成为圆板形状。第2焊盘4173能够形成在与天线部件4110的中心区域对置的位置。第2焊盘4173能够形成在与第2天线4173对置的位置。第1焊盘4171能够形成为围绕第2焊盘4173的形状。第1焊盘4171能够形成为其截面面积比第2焊盘4173的截面面积大。

驱动部件4180与调节焊盘4170连接。驱动部件4180使调节焊盘4170在上下方向移动。根据一个例子，驱动部件4180能够包括第1驱动部件4181和第2驱动部件4183。第1驱动部件4181使第1焊盘4171在上下方向移动，第2驱动部件4183能够使第2焊盘4173在上下方向移动。驱动部件4180能够使调节焊盘4170在上下方向上从与天线部件4110接近的位置移动至与接地板4150接近的位置。

图5是表示根据本发明的再一实施例的基板处理装置的截面图。

基板处理装置12包括腔体100、基板支撑单元200、气体供给单元300、等离子体产生单元4200以及挡板单元500。与图1的基板处理装置10相比，在基板处理装置11中，只有等离子体产生单元4200的调节焊盘4270不同，其他结构都相同。下面，对等离子体产生单元4200的调节焊盘4270进行说明。

调节焊盘4270位于天线部件4210的上部。调节焊盘4270可以位于天线部件4210和接地板4250之间。根据一个例子，调节焊盘4270能够形成为被接地的状态。

根据一个例子，调节焊盘4270能够形成在与天线部件4210的中心区域对置的位置。调节焊盘4270能够形成在与第2天线4213对置的位置。调节焊盘4270能够形成为圆板形状。

在此参照图1，挡板单元500位于壳体110的内侧壁与支撑部件400之间。挡板单元500包括形成有贯通孔511的挡板510。挡板510形成为环形的的环（ring）形状。向壳体110内提供的处理气体通过挡板510的贯通孔511并利用排气孔102排出。根据挡板510的形状和贯通孔511的形状，能够控制处理气体的流动情况。

下面，对利用上述的基板处理装置处理基板的方法进行说明。

图6是表示根据本发明的一实施例的基板处理方法的流程图。

如图6所示，基板处理方法包括：S10，向腔体内部输送基板的步骤；S20，将腔体内部的处理气体激发成等离子体的步骤；S30，利用等离子体处理基板的步骤；S40，调节等离子体的量的步骤；S50，利用等离子体处理基板的步骤；以及S60，向腔体外部输送基板的步骤。其中，调节等离子体的量的步骤包括S40：S41，调节调节焊盘与天线的相对距离的步骤；S42，调节向处理空间提供的电磁波的步骤；以及S43，调节所产生的等离子体的量的步骤。

经过调节等离子体的量的步骤S40，利用等离子体处理基板的步骤S30、S50中的各个步骤中处理基板的等离子体的量可以不同。此外，根据基板处理工序，能够实施多次调节等离子体的量的步骤S40。与此相反，调整等离子体的量的步骤S40也可以省略。

下面，对调节等离子体的量的步骤S40进行详细说明。

图7和图8是表示图1的基板处理装置调节等离子体的量的过程的图。

如图7和图8所示，基板处理装置10的等离子体产生单元400利用调节焊盘470调节等离子体的量。调节焊盘470能够在从接地板450到天线部件410为止的位置上下移动。调节焊盘470能够以被接地的状态在从接地板450到天线部件410为止的位置上下移动。由此，调节调节焊盘470和天线部件410之间的相对距离。

调节焊盘470与天线部件410之间的相对距离越近，则在天线部件410产生的电磁波因被接地的天线部件410而其强度越减弱。若电磁波的强度减弱，则从处理气体激发成等离子体的量减少。此时，由于调节焊盘470设置在与天线部件410的边缘区域对置的位置，所以在处理空间的边缘区域产生的等离子体的量减少。

与此相对地，调节焊盘470和天线部件410之间的相对距离越远，则在天线部件410产生的电磁波因被接地的天线部件410而其强度越增大。若电磁波的强度增大，则从处理气体激发成等离子体的量增加。此时，由于调节焊盘470设置在与天线部件410的边缘区域对置的位置，因此在处理空间的边缘区域产生的等离子体的量增多。

如上所述，若使被接地的调节焊盘470向上下方向移动，则调节焊盘470和天线部件410之间的相对距离发送变化。若调节调节焊盘470和天线部件410之间的相对距离，则能够调节在天线部件410产生的电磁波的量。若调节在天线部件410产生的电磁波的量，则能够调节从处理气体激发的等离子体的量。根据这种过程，通过使调节焊盘470移动，从而能够调节在处理空间产生的等离子体的量。

以上，以图1的基板处理装置的调节焊盘470为基准进行了说明。图1的基板处理装置10的调节焊盘470位于基板处理装置10的边缘区域，并且能够调节边缘区域的等离子体密度。

与此相对地，还能够分别调节处理空间的中心区域和边缘区域的等离子体密度。

图9至图12是表示图3的基板处理装置调节等离子体的量的过程的图。如图9至图12所示，基板处理装置11的调节焊盘4170包括位于边缘区域的第1焊盘4171和位于中心区域的第2焊盘4173。由于第1焊盘4171和第2焊盘4173分别向上下方向移动，所以能够分别调节处理空间的中心区域和边缘区域的等离子体密度。

以上的详细说明是用于示例性地描述本发明的。并且，上述的内容是通过本发明的优选实施方式来进行说明的，本发明可以在多种其他的组合、变更以及环境下使用。即，在本说明书中公开的发明的概念的范围、所描述的公开内容以及等效的范围和/或所属技术领域的公知技术或知识的范围内，可以对本发明进行变更或者修改。上述的实施例是说明用于实现本发明的技术思想的最佳状态，其还可以进行在本发明的具体适用领域以及用途下要求的多种变更。因此，以上的发明的详细内容并不是通过所公开的实施方式来限制本发明。并且，应理解为，所附的权利要求书还包括其他实施方式。

附图标记说明

10：等离子体处理装置；100：腔体；200：基板支撑单元；300：气体供给单元；400：等离子体产生单元；410：天线部件；420：电源；430：上部盖件；450：接地板；470：调节焊盘；480：驱动部件；500：挡板单元。

Claims (19)

1.一种基板处理装置，其中，包括：

腔体，提供实施工序的处理空间；

基板支撑单元，在上述处理空间供以支撑基板；

气体供给单元，向上述处理空间供给处理气体；以及

等离子体产生单元，根据向上述处理空间供给的处理气体产生等离子体，

上述等离子体产生单元具有：

天线部件，设置在上述腔体的上部；

调节焊盘，位于上述天线部件的上部；以及

驱动部件，使上述调节焊盘向上下移动。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

上述调节焊盘被接地。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

上述调节焊盘包括环状的第1焊盘。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

上述第1焊盘位于与上述天线部件的边缘区域对置的位置。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

上述调节焊盘包括：

第2焊盘，位于与上述天线部件的中心区域对置的位置。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，

上述调节焊盘还包括：

第2焊盘，位于与上述天线部件的中心区域对置的位置。

7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，

上述天线部件包括分离的第1天线和第2天线，

上述第1天线形成为围绕上述第2天线，

上述调节焊盘包括形成在与上述第1天线对置的位置的第1焊盘。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，

上述等离子体产生单元还包括：

接地板，其固定设置在上述调节焊盘的上部，且该接地板的截面面积比上述调节焊盘的截面面积大，并且该接地板接地。

9.一种等离子体产生单元，其中，包括：

天线部件，产生电磁场；

调节焊盘，位于上述天线部件的上部；以及

驱动部件，使上述调节焊盘上下移动。

10.根据权利要求9所述的等离子体产生单元，其中，

上述调节焊盘被接地。

11.根据权利要求10所述的等离子体产生单元，其中，

上述调节焊盘包括：

第1焊盘，位于与上述天线部件的边缘区域对置的位置且形成为环状。

12.根据权利要求10所述的等离子体产生单元，其中，

上述调节焊盘包括：

第2焊盘，位于与上述天线部件的中心区域对置的位置。

13.根据权利要求11所述的等离子体产生单元，其中，

上述调节焊盘还包括：

第2焊盘，位于与上述天线部件的中心区域对置的位置。

14.根据权利要求10所述的等离子体产生单元，其中，

上述天线部件包括分离的第1天线和第2天线，

上述第1天线形成为围绕上述第2天线，

上述调节焊盘包括形成在与上述第1天线对置的位置的第1焊盘。

15.一种基板处理方法，其中，

其通过改变产生电磁场的天线部件和位于上述天线部件的上部的调节焊盘的相对位置来调节所产生的等离子体的量。

16.根据权利要求15所述的基板处理方法，其中，

上述调节焊盘被接地。

17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，

上述调节焊盘包括形成为环状的第1焊盘，

使上述第1焊盘上下移动来改变上述天线部件和上述第1焊盘的相对位置。

18.根据权利要求17所述的基板处理方法，其中，

在上方观察时，上述调节焊盘还包括形成在不与上述第1焊盘重叠的位置的第2焊盘,

上述第2焊盘独立于上述第1焊盘而上下移动，从而改变与上述天线部件之间的相对位置。

19.根据权利要求16所述的基板处理方法，其中，

上述天线部件包括分离的第1天线和第2天线，

上述第1天线形成为围绕上述第2天线，

上述调节焊盘包括形成在与上述第1天线对置的位置的第1焊盘。