CN103715050A - 基板支承组件及基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种利用等离子体的基板处理装置。根据本发明的一个实施例的基板处理装置，包括：腔室，内部具有处理空间；基板支承组件，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内部供给气体；以及电源，向供给到所述壳体内的气体供电从而产生等离子体，所述基板支承组件包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，所述内部空间设置有向所述静电夹盘供给电力或气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板为非金属材质。

Description

基板支承组件及基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种利用等离子体的基板处理装置。

背景技术

为了制造半导体元件，在基板上进行光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积及清洗等多种工艺从而在基板上形成期望的图案。其中，蚀刻工艺为从基板上形成的膜中去除选定区域的工艺，使用湿刻或干刻。

其中，为了进行干刻，使用利用等离子体的蚀刻装置。一般，为了形成等离子体，在腔室的内部空间形成电磁场，该电磁场将腔室内提供的工艺气体激发为等离子态。

等离子体是指由离子或电子，自由基组成的离子化的气体状态。等离子体通过非常高的温度或强电场或高频电场（RF Electromagnetic Fields）产生。通过等离子体中含有的离子颗粒与基板冲撞进行蚀刻工艺。

图1为示出利用等离子体的普通基板处理装置的剖视图。

参考图1，基板处理装置5000包括腔室5100、基板支承组件5200以及喷头5300。基板支承组件5200包括电介质板5220、主体5230、聚焦环5240、第一板5250、第二板5260以及下部盖5270。主体5230和第二板5260以金属材质提供，第一板5250以绝缘体提供。

通常，利用容性耦合等离子体（CCP:capacitively coupled plasma）的基板处理装置5000在腔室内部具有上部电极和下部电极。通过在上部电极和下部电极之间产生的电磁场将工艺气体激发为等离子态。上部电极可由喷头5300提供，下部电极可在基板支承组件5200内部由主体5230提供。但是，下部电极5230和第二板5260也会作为电容起作用而形成电磁场。由此，产生等离子体的上部电极5300和下部电极5230之间的电磁场密度会减少。由此，利用等离子体的基板处理工艺的效率会降低。

并且，由于基板支承组件5200内部产生电磁场因而会发生电弧现象。基板支承组件5200内部存在提供与提升销和电源等连接的线的垂直方向的孔（未图示）。在基板支承组件5200内部提供电容的情况下，基板支承组件5200内部的孔中会发生电弧现象。随着对下部电极施加电力的增高电弧现象变得严重。由此导致利用等离子体的基板处理工艺的效率降低。

图2为示出利用图1的基板处理装置的基板处理工艺的图。

参考图2，在图1的基板处理装置中存在等离子体不能均匀分布在基板上部区域的问题。即，在基板上部区域中与直接施有高频电力的主体5230的位置对向的区域51和其他区域52中的电磁场的强度不同，从而导致各区域的等离子体密度不同。在这种情况下，存在基板处理工艺的效率降低的问题。

发明内容

要解决的技术问题

本发明的一个目的在于提供一种诱导产生等离子体的电磁场使其能够集中到基板的上部区域的基板处理装置。

并且，本发明的一个目的在于提供一种在利用等离子体的基板处理工艺中能够使基板支承组件内部发生的电弧最小化的基板处理装置。

并且，本发明的一个目的在于提供一种通过向产生电磁场的下部电极施加高电力的高频电源从而能够提高基板处理工艺效率的基板处理装置。

本发明要解决的技术问题不限于上述问题，本领域的技术人员可从本说明书及附图中清楚地理解未提及的技术问题。

技术方案

本发明提供一种基板处理装置。

根据本发明的一个实施例的基板处理装置，包括：腔室，内部具有处理空间的；基板支承组件，位于所述腔室内并支承基板；电源，向所述腔室内部供给气体的气体供给单元；以及电源，向供给到所述壳体内的气体供电从而产生等离子体，所述基板支承组件包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供电或供给气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板以非金属材质提供。

所述基板处理装置还可以包括喷头，所述喷头在所述基板支承组件的上部与所述基板支承组件对置设置。

所述一个或多个板可以包括绝缘体。

所述静电夹盘可以包括：电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。

所述主体可以包括：下部主体，包括所述金属板；上部主体，位于所述下部主体的上部；以及连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。

所述下部盖可以具有上面开放的形状。

并且，本发明提供一种基板支承组件。

根据本发明的一个实施例的基板支承组件，包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供电或供给气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板以非金属材质提供。

所述一个或多个板可以包括绝缘体。

所述静电夹盘可以包括：电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。

所述主体可以包括：下部主体，包括所述金属板；上部主体，位于所述下部主体的上部；以及连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。

根据本发明的另一实施例的基板支承组件，包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间，在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供给功率或气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘和所述下部盖起到相互对置的电极的功能。

所述静电夹盘包括由金属构成的金属板，所述下部盖的底面可以为金属材质，所述一个或多个板可以为非金属材质。

所述一个或多个板可以包括绝缘体。

所述静电夹盘可以包括：电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。

所述主体可以包括：下部主体，包括所述金属板；上部主体，位于所述下部主体的上部；以及连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。

本发明的效果

根据本发明的一个实施例，能够诱导产生等离子体的电磁场使其集中到基板的上部区域。

并且，根据本发明的一个实施例，在在利用等离子体的基板处理工艺中能够使在基板支承组件内部发生的电弧最小化。

并且，根据本发明的一个实施例，通过向产生电磁场的下部电极施加高功率的高频电源，能够提高基板处理工艺的效率。

本发明的效果不限于上述效果，对于本领域的技术人员可从本说明书及附图中清楚地理解未提及的效果。

附图说明

图1为示出利用等离子体的普通基板处理装置的剖视图；

图2为示出利用图1的基板处理装置的基板处理工艺的图；

图3为示出根据本发明的一个实施例的基板处理装置的剖视图；

图4为图1的基板支承组件内部适用的电容的等价电路；

图5为图3的基板支承组件内部适用的电容的等价电路；

图6为示出图3的基板处理装置的另一实施例的图；

图7为示出图6的连接部件的一个实施例的分解立体图；

图8为示出图6的连接部件的另一实施例的分解立体图。

具体实施方式

下面，参考附图对本发明的实施例进行更详细的说明。本发明的实施例可以变形为各种形态，不应解释为本发明的范围由下面的实施例限定。本实施例是为了对本领域中具有普通知识的人更完整地说明本发明而提供的。因此，图中元件的形状为了强调更明确的说明而进行了夸张。

图3为示出根据本发明的一个实施例的基板处理装置的剖视图。

参考图3，基板处理装置10利用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可以对基板W执行蚀刻工艺。基板处理装置10包括腔室100、基板支承组件200、喷头300、气体供给单元400、等离子体源以及挡板单元500。

腔室100在内部提供执行基板处理工艺的处理空间。腔室100具有内部的处理空间，并以密封形状提供。腔室100为金属材质。腔室100可以为铝材质。腔室100可以接地。腔室100的底板面形成有排气孔10。排气孔102与排气线151连接。工艺过程中产生的反应副产物和在腔室的内部空间滞留的气体可以通过排气线151向外部排出。通过排气过程腔室100的内部被减压至预定压力。

根据一个实例，腔室100内部可提供衬垫130。衬垫130具有上表面和下表面开放的圆筒形状。衬垫130可与腔室100的内侧面接触。衬垫130保护腔室100的内侧壁，从而防止腔室100的内侧壁因电弧放电而受损。并且，防止基板处理工艺中产生的杂质沉积到腔室100的内侧壁。可选择地，可以不提供衬垫130。

腔室100的内部设有基板支承组件200。基板支承组件200支承基板W。基板支承组件200可以包括利用静电力吸附基板W的静电夹盘210。与此不同，基板支承组件200可以以机械夹持等多种方式支承基板W。下面，对包含静电夹盘210的基板支承组件200进行说明。

基板支承组件200包括静电夹盘210、下部盖250以及板270。基板支承组件200在腔室100内部与腔室100的底板面留有间隔地向上部设置。

静电夹盘210包括电介质板220、主体230以及聚焦环240。静电夹盘210支承基板W。

电介质板220位于静电夹盘210的上端。电介质板220为圆盘形状的电介质（dielectric substance）。电介质板220的上表面放置基板W。电介质板220的上表面半径比基板W小。因此，基板W的边缘区域位于电介质板220的外侧。

电介质板220在内部包括第一电极223、加热器225以及第一供给流路221。第一供给流路221从电介质板210的上表面朝向底面。第一供给流路221相互间隔并形成多个，作为向基板W的底面供给热传递介质的通路。

第一电极223与第一电源223a电气连接。第一电源223a包括直流电源。第一电极223和第一电源223a之间设置有开关223b。第一电极223可以通过开关223b的开/关（ON/OFF）与第一电源223a电气连接。当开关223b开时，向第一电极223施加直流电流。通过第一电极223上施加的电流，静电力作用到第一电极223和基板W之间，通过静电力，基板W被吸附到电介质板220。

加热器225位于第一电极223的下部。加热器225与第二电源225a电气连接。加热器225抵抗第二电源225a施加的电流而产生热。产生的热通过电介质板220被传递到基板W。通过加热器225产生的热，使基板W维持在预定温度。加热器225包括螺旋形的线圈。

在电介质板220的下部设有主体230。电介质板220的底面和主体230的上表面可以通过粘合剂236粘接。主体230可以为铝材质。主体230的上表面可以具有高度差，使得中心区域高于边缘区域。主体230的上表面中心区域具有与电介质板220的底面对应的面积，并与电介质板220的底面粘接。主体230在内部形成第一循环流路231、第二循环流路232以及第二供给流路233。

第一循环流路231作为热传递介质循环的通路。第一循环流路231可以在主体230的内部以螺旋形形成。或者，第一循环流路231可以被配置为具有相互不同的半径的环状的流路并具有相同的中心。各个第一循环流路231可以相互连通。第一循环流路231形成在相同的高度。

第二循环流路232作为冷却流体循环的通路。第二循环流路232可以在主体230的内部以螺旋形形成。或者，第二循环流路232可以被配置为具有相互不同的半径的环状的流路具有相同的中心。各个第二循环流路232可以相互连通。第二循环流路232可以具有比第一循环流路231大的截面积。第二循环流路232形成在相同的高度。第二循环流路232可以位于第一循环流路231的下部。

第二供给流路233从第一循环流路231向上部延长，延长至主体230的上表面。第二供给流路243与第一供给流路221的个数相对应，并连接第一循环流路231和第二供给流路221。

第一循环流路231通过热传递介质供给线231b与热传递介质存储部231a连接。热传递介质存储部231a存储热传递介质。热传递介质包括非活性气体。根据实施例，热传递介质包括氦（He）气。氦气通过供给线231b被供给至第一循环流路231，依次经过第二供给流路233和第一供给流路221被供给至基板W底面。氦气起到将从等离子体传递到基板W的热传递到静电夹盘210的介质作用。

第二循环流路232通过冷却流体供给线232c与冷却流体存储部232a连接。冷却流体存储部232a存储冷却流体。冷却流体存储部232a内可以提供冷却器232b。冷却器232b将冷却流体冷却至预定温度。与此不同地，冷却器232b也可以设置在冷却流体供给线232c上。通过冷却流体供给线232c被供给至第二循环流路232的冷却流体沿着第二循环流路232循环并冷却主体230。主体230被冷却，使电介质板220和基板W同时冷却，从而使基板W维持在预定温度。

主体230可以包括金属板。根据一个实例，主体230整体可以为金属板。主体230可以与第三电源235a电气连接。第三电源235a可以作为产生高频电力的高频电源。高频电源可以作为RF电源。主体230可以从第三电源235a接收高频电力。由此，主体230可以起到电极的作用。

聚焦环240被配置在静电夹盘210的边缘区域。聚焦环240具有环状，并沿着电介质板220的周界配置。聚焦环240的上表面可以具有高度差，使得外侧部240a高于内侧部240b。聚焦环240的上表面内侧部240b位于与电介质板220的上表面相同的高度。聚焦环240的上表面内侧部240b支承位于电介质板220的外侧的基板W的边缘区域。聚焦环240的外侧部240a包围基板W的边缘区域。聚焦环240控制电磁场，使得在基板W的整个区域等离子体的密度都均匀分布。由此，在基板W的整个区域都均匀地形成等离子体，从而能够均匀地蚀刻基板W的各区域。

下部盖250位于基板支承组件200的下端部。下部盖250与腔室100的底板面留有间隔地向上部设置。下部盖250的内部形成有上面开放的空间255。下部盖250的外部半径可以具有与主体230的外部半径相同的长度。下部盖250的内部空间255中可以设置将运送的基板W从外部的运送部件移动至静电夹盘210的提升销模块（未图示）等。提升销模块（未图示）与下部盖250相隔一定间隔设置。下部盖250的底面可以以金属材质提供。下部盖250的内部空间255提供空气。空气与绝缘体相比介电常数低，因此能够起到减少基板支承组件200内部的电磁场的作用。

下部盖250具有连接部件253。连接部件253连接下部盖250的外侧面和腔室100的内侧壁。连接部件253可以在下部盖250的外侧面以一定间隔提供多个。连接部件253在腔室100内部支承基板支承组件200。并且，连接部件253通过与腔室100的内侧壁连接，使下部盖250电气接地（grounding）。与第一电源223a连接的第一电源线223c、与第二电源225a连接的第二电源线225c、与第三电源235a连接的第三电源线235c、与热传递介质存储部231a连接的热传递介质供给线231b、以及与冷却流体存储部232a连接的冷却流体供给线232c等通过连接部件253的内部空间255延长到下部盖250内部。

静电夹盘210和下部盖250之间设置板270。板270覆盖下部盖250的上表面。板270以与主体230对应的截面积提供。板270可以包括绝缘体。根据一个实例，板270可以提供一个或多个。板270起到增加主体230和下部盖250的电气距离的作用。

喷头300在腔室100内部位于基板支承组件200的上部。喷头300与基板支承组件200对置设置。

喷头300包括气体分散板310和支承部330。气体分散板310从腔室100的上表面向下部相隔一定距离地设置。气体分散板310和腔室100的上表面在其间形成一定的空间。气体分散板310可以为厚度一定的板状。气体分散板310的底面，其表面可进行两极化处理，以防止因等离子体引起的电弧的产生。气体分散板310的截面可以提供为与基板支承组件200具有相同的形状和截面积。气体分散板310包括多个喷射孔311。喷射孔311以垂直方向贯通气体分散板310的上表面和下表面。气体分散板310包括金属材质。气体分散板310可以与第四电源351电气连接。第四电源351可以提供为高频电源。与此不同，气体分散板310可以电气接地。气体分散板310可以与第四电源351电气连接或接地而起到电极的作用。

支承部330支承气体分散板310的侧部。支承部330的上端与腔室100的上表面连接，下端与气体分散板310的侧部连接。支承部330可以包括非金属材质。

气体供给单元400向腔室100内部供给处理气体。气体供给单元400包括气体供给喷嘴410、气体供给线420以及气体存储部430。气体供给喷嘴410设置在腔室100的上表面中央部。气体供给喷嘴410的底面形成喷射口。喷射口向腔室100内部供给处理气体。气体供给线420连接气体供给喷嘴410和气体存储部430。气体供给线420将气体存储部430存储的处理气体供给至气体供给喷嘴410。气体供给线420设有阀421。阀421对气体供给线420进行开闭，调节通过气体供给线420供给的处理气体的流量。

等离子体源在腔室100内使处理气体激发为等离子态。在本发明的实施例中，作为等离子体源使用容性耦合等离子体（CCP：capacitively coupled plasma）。容性耦合等离子体在腔室100的内部可以包括上部电极和下部电极。上部电极和下部电极可以在腔室100的内部相互平行地上下配置。可以对两个电极中任一电极施加高频电力，另一电极接地。在两个电极之间的空间形成电磁场，且被供给至该空间的工艺气体可以被激发为等离子态。利用该等离子体执行基板处理工艺。根据一个实例，上部电极可以由喷头300提供，下部电极可以由主体230提供。下部电极可以施加高频电力，上部电极可以接地。与此不同，可以对上部电极和下部电极都施加高频电力。由此，上部电极和下部电极之间产生电磁场。产生的电磁场将向腔室100内部提供的工艺气体激发为等离子态。

挡板单元500位于腔室100的内侧壁和基板支承组件200之间。挡板510为环形的环状。挡板510上形成多个贯通孔511。提供到腔室100内的工艺气体通过挡板510的贯通孔511而排出到排气孔102。可以根据挡板510的形状和贯通孔511的形状控制工艺气体的流动。

下面，对利用上述基板处理装置处理基板的过程进行说明。

基板W被放置到基板支承组件200后，从第一电源223a向第一电极223施加直流电流。通过第一电极223上施加的直流电流，静电力作用到第一电极223和基板W之间，通过静电力，基板W被吸附到静电夹盘210。

基板W被吸附到静电夹盘210后，通过气体供给喷嘴410向腔室100内部供给工艺气体。工艺气体通过喷头300的喷射孔311被均匀地喷射到腔室100的内部区域。第三电源235a产生的高频电力被施加到作为下部电极的主体230。作为上部电极的喷头的喷射板310接地。上部电极和下部电极之间产生电磁力。电磁力使基板支承组件200和喷头300之间的工艺气体激发为等离子体。等离子体被提供到基板W而对基板W进行处理。等离子体可以执行蚀刻工艺。

通常，利用容性耦合等离子体（CCP:capacitively coupled plasma）的基板处理装置5000在腔室内部具有上部电极和下部电极。通过在上部电极和下部电极之间产生的电磁场将工艺气体激发为等离子态。上部电极可以为喷头5300，下部电极可以在基板支承组件内部为主体5230。但是，下部基板和与基板支承组件内部的下部电极平行的金属性部件5260也能起到电容的作用，并形成电磁场。由此，产生等离子体的上部电极和下部电极之间的电磁场密度会减少。由此，利用等离子体的基板处理工艺的效率会降低。

图4为图1的在基板支承组件内部应用的电容的等价电路，图5为图3的基板支承组件内部应用的电容的等价电路。

参考图4，基板支承组件内部的电容将主体5230和第二板5260作为电极。主体5230可以连接高频电源，第二板5260可以电气接地。主体5230和第二板5260之间的空间a1中提供第一板。第一板可以包括绝缘物质。这种情况下，将主体5230和第二板5260作为电极产生电磁场。

参考图5，根据本发明的一个实施例的基板支承组件内部两个电容串联连接而提供。主体230和板270形成一个电容，板270和下部盖250也形成一个电容。在主体230和板270之间的空间a2提供有绝缘体而在两个电极230、270之间提供电气间距。板270和下部盖250，其内部空间a2提供有空气。空气的介电常数比其他绝缘物质低，从而使两个电极之间的负荷提高。由此，进行诱导，使两个电极250、270之间的电磁场较少产生。

比较图4和图5，对于基板支承组件内部的电容，在图4的普通基板支承组件的情况下提供一个电容。与此不同，在图5的本发明的实施例的情况下，两个电容串联连接。图4的电容在两个电极之间的空间a1中提供有绝缘体，但图5的电容提供绝缘体a2和空气a3。其中，空气a3由于介电常数低从而使两个电极之间形成高负荷。串联连接的电容在整体上介电常数也会减少。由此，提供到整个电容的负荷也会比图4的情况高。由此，图5的基板支承组件内部的电容相比于图4的情况在内部产生的电磁场会减少。

并且，基板支承组件内部的电容的两个电极之间的距离在图5的本发明的实施例的情况D2、D3比图4的普通基板支承组件的情况D1远。由此，图5的基板支承组件内部的电容相比于图4的情况在内部产生的电磁场会减少。

由于这种原因，本发明的实施例的情况下，能够在产生等离子体的上部电极和下部电极之间提供较多的电磁场。由此，能够提高利用等离子体的基板处理工艺的效率。

并且，在基板支承组件内部产生电磁场而会发生电弧现象。基板支承组件内部设有在与提升销和电源等连接的线的垂直方向上的孔。在基板支承组件内部提供有电容的情况下，基板支承组件内部的孔中会发生电弧现象。电弧现象会随着对下部电极施加高电力而严重。由此，利用等离子体的基板处理工艺的效率会降低。

根据本发明的一个实施例的基板处理装置，基板支承组件内部产生的电磁场会比普通基板处理装置的情况少。由此，能够使基板支承组件内部产生的电弧最小化。

图6为示出图1的基板处理装置的另一实施例的图。

参考图6，基板处理装置20包括腔室100、基板支承组件2200、喷头300、气体供给单元400、等离子体源以及挡板单元500。基板处理装置20与图1的基板处理装置10相比在基板支承组件2200和等离子体源上有区别，剩下的结构具有相同的形状和功能。

基板支承组件2200包括静电夹盘2210、下部盖2250以及板2270。基板支承组件2200与图1的基板支承组件200相比在静电夹盘2210上有区别，剩下的结构其形状和功能相同或类似。下面，对基板支承组件2200以与图1的基板支承组件200的区别为中心进行说明。

静电夹盘2210包括电介质板2220、主体2230以及聚焦环2240。静电夹盘2210支承基板W。

电介质板2220位于静电夹盘2210的上端。电介质板2220以圆盘形状的电介质（dielectric substance）提供。电介质板2220的上表面放置基板W。电介质板2220的上表面具有比基板W小的半径。因此，基板W的边缘区域位于电介质板2220的外侧。

在电介质板2220的下部设有主体2230。电介质板2220的底面和主体2230的上表面可以通过粘合剂2236粘接。主体2230可以为铝材质。主体2230的上表面可以具有高度差，使得中心区域高于边缘区域。主体2230的上表面中心区域具有与电介质板2220的底面对应的面积，并与电介质板2220的底面粘接。主体2230包括金属板。根据一个实例，主体2230整体可以为包括金属的金属板。

根据一个实例，主体2230包括上部主体2230a、下部主体2230b以及连接部件2235。对置设置的上部主体2230a的底面与下部主体2230b的上表面具有相同的面积。上部主体2230a位于下部主体2230b的上部。上部主体2230a的底面和下部主体2230b的上表面相隔一定间隔地设置。上部主体2230a的底面和下部主体2230b的上表面之间设置连接部件2235。连接部件2235可以以一定间隔提供多个。连接部件2235使上部主体2230a和下部主体2230b电气连接。连接部件2235可以包括金属材质。

图7为示出图6的连接部件的一个实施例的分解立体图。

参考图7，连接部件2235a可以为小的圆柱形状。根据一个实例，连接部件2235a可以设置为从主体2230的截面的中央形成放射形。

图8为示出图6的连接部件的另一实施例的分解立体图。

参考图8，连接部件2235b可以为具有一定厚度的多个环状。各个环状提供为具有同心。多个环状的连接部件2235b可以提供为各个连接部件2235b之间的间隔相同。

根据一个实例，上部主体2230a在内部形成第一循环流路2231、第二循环流路2232以及第二供给流路2233。第一循环流路2231、第二循环流路2232以及第二供给流路2233与图1的基板处理装置具有相同的结构和功能，因此省略对其的说明。

根据一个实例，下部主体2230b可以与第三电源2235a电气连接。第三电源2235a可以作为产生高频电力的高频电源提供。高频电源可以作为RF电源提供。下部主体2230b可以从第三电源2235a接收高频电力。接收到高频电力的下部主体2230b通过连接部件2235向上部主体2230a施加高频电力。由此，整个主体2230可以起到电极的作用。

根据本实施例执行基板处理工艺的情况下，为了使工艺气体激发为等离子体，将喷头300用作上部电极，将主体2230用作下部电极。上部电极接地，下部电极被提供高频电力，从而在上部电极和下部电极之间产生电磁场。产生的电磁场使位于上部电极和下部电极之间的工艺气体激发为等离子体。

此时，施加到下部主体2230b的高频电力通过连接部件2235移动到上部主体2230a。此时，连接部件2235以均匀的间隔提供多个。通过多个连接部件2235，高频电力移动，从而能够在主体2230全部区域施加高频电力。由此，在下部电极和上部电极之间、基板的全部区域均匀地产生电磁场。由此，从工艺气体激发的等离子体能够在下部电极和上部电极之间均匀地提供。因此，能够提高利用等离子体的基板处理工艺的效率。

以上的详细说明为例示本发明。并且，前述内容为示出本发明的优选实施方式进行说明的，本发明可以在多种不同组合、变更及环境下使用。即，在本说明书公开的发明的概念的范围、与记述的公开内容等同的范围和/或本领域的技术或知识的范围内可进行变更或修改。记述的实施例说明了用于实现本发明的技术思想的最佳状态，本发明的具体适用领域及用途中要求的多种变更也是可能的。因此，以上本发明的详细说明不意图以公开的实施方式限定本发明。并且，随附的权利要求范围应解释为包括其他实施方式。

符号的说明

10、20：基板处理装置 100：腔室

200：基板支承组件    230：主体

300：喷头            400：气体供给单元

500：挡板单元

Claims (15)

1.一种基板处理装置，包括：

腔室，内部具有处理空间；

基板支承组件，位于所述腔室内并支承基板；

气体供给单元，向所述腔室内部供给气体；以及

电源，向供给到所述壳体内的气体供电，从而产生等离子体，

所述基板支承组件包括：

静电夹盘，支承所述基板；

下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，在所述内部空间中设置有向所述静电夹盘供给功率或气体的线；以及

一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，

所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板为非金属材质。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括喷头，所述喷头在所述基板支承组件的上部与所述基板支承组件对置地设置。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，所述一个或多个板包括绝缘体。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，所述静电夹盘包括：

电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及

主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，所述主体包括：

下部主体，包括所述金属板；

上部主体，位于所述下部主体的上部；以及

连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述下部盖具有上面开放的形状。

7.一种基板支承组件，包括：

支承所述基板的静电夹盘；

下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供给功率或气体的线；以及

一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，

所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板为非金属材质。

8.根据权利要求7所述的基板支承组件，所述一个或多个板包括绝缘体。

9.根据权利要求8所述的基板支承组件，所述静电夹盘包括：

电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及

主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。

10.根据权利要求9所述的基板支承组件，所述主体包括：

下部主体，包括所述金属板；

上部主体，位于所述下部主体的上部；以及

连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。

11.一种基板支承组件，包括：

静电夹盘，支承所述基板；

下部盖，具有内部空间，其中在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供给电力或气体的线；以及

一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，

所述静电夹盘和所述下部盖起到相互对置的电极的功能。

12.根据权利要求11所述的基板支承组件，所述静电夹盘包括由金属构成的金属板，所述下部盖的底面以金属材质提供，所述一个或多个板为非金属材质。

13.根据权利要求12所述的基板支承组件，所述一个或多个板包括绝缘体。

14.根据权利要求13所述的基板支承组件，所述静电夹盘包括：

电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及

主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。

15.根据权利要求14所述的基板支承组件，所述主体包括：

下部主体，包括所述金属板；

上部主体，位于所述下部主体的上部；以及

连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。

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