TWI538093B - 有著對稱供給結構之基板支架 - Google Patents

有著對稱供給結構之基板支架 Download PDF

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Description

有著對稱供給結構之基板支架
本發明之實施例大體而言係關於基板處理裝置。
隨著器件之關鍵尺寸持續縮小，原本在較大尺寸下可能無關或不太重要的因素在較小尺寸下可變得關鍵。
發明人已提供在處理基板時可促進改良之處理結果的改良之設備。
本文揭示用於處理基板之設備。在一些實施例中，一種基板支架可包括：基板支架，其具有用於支撐基板之支撐表面，該基板支架具有中心軸線；第一電極，其安置於該基板支架內以在將基板安置於該支撐表面上時將RF功率提供至該基板；內部導體，其圍繞該第一電極之與支撐表面相對的表面之中心而耦接至該第一電極，其中該內部導體為管狀，且在遠離基板支架的支撐表面之方向上平行於中心軸線且圍繞中心軸線自第一電極延伸；外部導體，其圍繞該內部導體而安置；以及外部介電層，其安置於該內部導體與該外部導體之間，該外部介電層使該外部導體與該內部導體電隔離。在一些實施例中，該外部導體可耦接至電接地。在一些實施例中，DC能量可經由沿中心軸線延伸之第二導體而提供至第二電極。在一些實施例中，AC能量可經由關於中心軸線對稱地安置之複數個第三導體而提供至一或多個加熱器電極。在一些實施例中，第二導體及第三導體可安置於該內部導體之軸向開口中。
在一些實施例中，一種電漿處理設備可包括：處理腔室，其具有內部容積，其中基板支架安置於該內部容積中，該基板支架具有支撐表面及中心軸線；第一電極，其安置於該基板支架中以在基板存在於該基板支架上時將RF功率提供至該基板；內部導體，其第一端圍繞該第一電極之背對該支撐表面的表面之中心而耦接至該第一電極，其中該內部導體為管狀，且平行於該中心軸線且圍繞該中心軸線遠離該第一電極而延伸；第一導體，其接近於該內部導體之與該第一端相反的第二端而耦接至該內部導體，該第一導體自該中心軸線朝向自該中心軸線離軸安置之RF功率源側向延伸，該RF功率源用以將RF功率提供至該第一電極；外部導體，其圍繞該內部導體而安置；以及外部介電層，其安置於該內部導體與該外部導體之間，該外部介電層使該外部導體與該內部導體電隔離。
下文描述本發明之其他及進一步實施例。
可藉由參考在附圖中描繪之本發明之說明性實施例而理解上文簡要概述且在下文更詳細論述之本發明之實施例。然而，應注意，附圖僅說明本發明之典型實施例，且因此不應認為限制本發明之範疇，因為本發明可容許其他同等有效之實施例。
本文揭示用於處理基板之設備。發明人已發現，具有不對稱供電結構以將電功率提供至安置於基板支架中的電極之基板支架可造成處理不均勻性，例如，安置於基板支架頂上的基板之蝕刻速度及蝕刻尺寸不均勻性。因此，發明人已提供一種對稱供電結構，該對稱供電結構可併入於基板支架中以有利地改良蝕刻速度及/或蝕刻尺寸均勻性。在一些實施例中，本發明設備可藉由以下操作來有利地減小沿基板表面之電磁偏斜：藉由將電功率經由相對於基板支架的中心軸線對稱地佈置之一或多個導體傳導至基板支架之各組件，及/或藉由提供用於限定或均勻地分佈電場及/或磁場的一或多個元件。
第1圖描繪可用以實踐如本文所論述之本發明實施例的種類的說明性蝕刻反應器100的示意圖。反應器100可單獨利用或更通常地作為整合式半導體基板處理系統或叢集工具(諸如整合式半導體基板處理系統，可購自Applied Materials公司(Santa Clara,California))之處理模組而利用。適當蝕刻反應器100之實例包括ADVANTEDGETM系列蝕刻反應器(諸如AdvantEdge S或AdvantEdge HT)、系列蝕刻反應器(諸如 II、 AE、 HT、 G3多蝕刻器)或可購自Applied Materials公司之其他蝕刻反應器。亦可使用其他蝕刻反應器及/或叢集工具，包括其他製造商之蝕刻反應器及/或叢集工具。
反應器100包含：處理腔室110，該處理腔室110具有基板支架116，基板支架116安置於形成於導電主體(壁)130內的處理容積117內；以及控制器140。對稱供電結構150可經提供以將電能耦接至安置於基板支架116內的一或多個電極，如下文所論述。腔室110可配有實質上平坦的介電頂板120。或者，腔室110可具有其他類型的頂板，例如圓頂形頂板。包含至少一個感應線圈元件112之天線安置於頂板120上方(圖示兩個共軸元件112)。感應線圈元件112經由第一匹配網路119耦接至電漿功率源118。電漿功率源118通常可能能夠產生高達3000W(在範圍自50kHz至13.56MHz之可調諧頻率下)。
如第1圖中所說明，基板支架116可包括複數個組件，諸如電極、加熱器及其類似者，該等組件可藉由安置於基板支架116下方的一或多個機構148來操作。舉例而言，且如第1圖中所示，該一或多個機構可經由經安置穿過導電主體130之開口115而耦接至基板支架116。波紋管152可經提供以促進維持處理腔室內部空間與處理腔室外部之間的密封，同時允許基板支架相對於處理腔室移動。舉例而言，波紋管152可隨著基板支架116在處理容積117內抬高或降低而壓縮或膨脹。該一或多個機構148可包括提昇機構154，該提昇機構154可用以相對於安置於基板支架116上方之一或多個電漿產生元件(諸如感應線圈元件112)抬高及降低基板支架116。下文將進一步參看第4圖詳細描述該一或多個機構148。
第2圖描繪根據本發明之一些實施例的基板支架116及對稱供電結構150之示意性側視圖。如第2圖中所說明，基板支架可包括具有中心開口202之基底200。中心開口202可(例如)用以提供穿過其中之一或多個導體，以耦接來自安置於基板支架116下方之該一或多個機構148的射頻(RF)功率、交流電(AC)或直流電(DC)中之一或多者。基底200可具有突出部分204以促進將基底200耦接至處理腔室之其他組件。
基板支架116可包括安置於基板支架116內之第一電極206，以在將基板(諸如基板114(第1圖圖示))安置於基板支架116上時將RF功率提供至該基板。第一電極206可包括中心軸線208。內部導體210可耦接至該第一電極206。內部導體210可為圓柱形管，其中心軸線與中心軸線208對準，使得內部導體210可以對稱方式將RF能量提供至第一電極206。內部導體210大體平行於中心軸線208且圍繞中心軸線208遠離第一電極206而延伸。內部導體210可延伸穿過基底200中之中心開口202(如圖所示)、穿過波紋管152(圖示於第1圖中)且延伸至一或多個機構148(如下文描述之第4圖中所說明)中。內部導體210可包含任何適當傳導材料，諸如銅(Cu)、鋁(Al)、鍍金之銅，或其類似者。在一些實施例中，內部導體可包含銅。
基板支架116進一步包括圍繞內部導體210之至少部分而安置之外部導體212。類似於內部導體210，外部導體212在形狀上可為管狀，且大體平行於中心軸線208且圍繞中心軸線208而延伸。外部導體212可包含任何適當傳導材料，諸如鋁(Al)、銅(Cu)，或其類似者。在一些實施例中，外部導體212可包含Al。外部導體212可遠離安置於基底200上方之導電平板214而延伸。外部導體212可(諸如)藉由使外部導體212之相對端耦接至箱400(其含有一或多個機構148，如第4圖所示且於下文加以描述)而耦接至電接地。或者，外部導體212可單獨接地(未圖示)。
外部介電層216可安置於內部導體210與外部導體212之間以使外部導體212與內部導體210電隔離。外部介電層216可包含任何適當介電材料，諸如含有聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene;PTFE)之材料，諸如(可購自DuPont(Wilmington,Delaware))，或其類似者。在一些實施例中，外部介電層216可包含PTFE。在操作中，諸如RF能量之電能可流經內部導體210而流至第一電極206。電場通常可存在於內部導體210與接近於內部導體210之任何其他導電元件之間。另外，可藉由流經內部導體210之電流而誘發磁場。外部導體212可用以將電場及磁場限定至內部導體210與外部導體212之間的區域，例如限定至包括外部介電層216之區域。將電場及磁場限定至此區域可導致電場及磁場分佈之改良之均勻性，此可導致安置於基板支架116頂上的基板114上的改良之蝕刻速度及蝕刻尺寸均勻性。另外，導電平板214可類似地用以限定電場及磁場及/或使電場及磁場關於導電平板214對稱地分佈。另外，導電平板214可用作屏蔽件以使基板214隔離於由其他組件(諸如下文描述之第4圖中所說明的第一導體408)引起的不對稱電場及磁場。
基板支架116可進一步包括安置於第一電極206與導電平板214之間的介電層218。介電層218可包含處理相容介電材料，諸如(一種交聯聚苯乙烯，可購自C-Lec Plastics公司(Philadelphia,Pennsylvania))，或其類似者。介電層218可用以限制(例如)第一電極206與導電平板214之間的功率損失。
在一些實施例中，基板支架116可包括安置於第一電極206上方之靜電卡盤(ESC)220。ESC大體可包含基底層226，基底層226具有安置於基底層226之上的介電層248。基底層226可為冷卻平板以促進將靜電卡盤220在操作期間保持於所要溫度下。舉例而言，基底層226可包含高度導熱性材料，諸如鋁或銅，且可具有一或多個通道用於使熱傳遞流體流經該等通道。
ESC 220可包括第二電極222。在一些實施例中，第二電極222可安置於介電層248內。第二電極222可耦接至DC能量源以經由第二導體236將基板114用靜電緊固至基板支架116。在一些實施例中，第二導體236可沿軸線208而安置且安置於內部導體210之軸向開口內，以便使來自所提供之DC能量的任何RF干擾最小化，且使任何此RF干擾對稱。在一些實施例中，第二導體236可為導電桿。第二導體236可由任何適當處理相容導電材料製造而成。在一些實施例中，第二導體236包含銅。
在一些實施例中，ESC 220可進一步包括一或多個加熱器電極238。在一些實施例中，該一或多個加熱器電極238可安置於介電層248內。該一或多個加熱器電極238可按任何適當佈局圖樣而提供，且可佈置於一或多個加熱器區中以提供用於加熱基板之所要加熱佈局圖樣。該一或多個加熱器電極238可經由複數個第三導體234而耦接至AC能量源。將AC能量施加至該一或多個加熱器電極238使得該等電極因電阻性加熱(亦即，焦耳加熱)而變熱。在一些實施例中，第三導體234可為導電桿。第三導體234可由任何適當處理相容導電材料製造而成。在一些實施例中，第三導體234包含銅。
在一些實施例中，電力分配平板240可經提供以導引自該等複數個第三導體234至該一或多個加熱器電極238之連接。舉例而言，在一些實施例中，電力分配平板240可包括印刷電路板(PCB)242或其類似者，以用於連接至該等複數個第三導體234且用於提供至複數個AC端子224之導電路徑(例如，電跡線)。AC端子絕緣平板244可安置於PCB 242之上以使該等導電路徑及AC端子224與鄰近的導電元件(諸如ESC 220之基底層226)絕緣。導體246可經提供以將該等AC端子224耦接至該等複數個第三導體234中之各別導體。在一些實施例中，導體246可為導電桿。在一些實施例中，導體246可包含銅。
在一些實施例中，第三導體234可關於中心軸線208對稱地安置。在一些實施例中，第三導體234可關於中心軸線208對稱地安置，且可安置於內部導體210之軸向開口內(如圖所示)。在一些實施例中，AC端子224可關於中心軸線208對稱地安置，例如，使每一AC端子224與該等複數個第三導體234中之一各別導體對準。發明人已發現，第三導體234關於中心軸線208之對稱佈置可進一步使RF干擾最小化，且改良處理效能，諸如改良基板上之蝕刻速度均勻性及/或蝕刻尺寸均勻性。
在一些實施例中，第二導體236及該等複數個第三導體234可經導引而穿過內部導體210之開放中心部分。內部介電層228可安置於內部導體210內，且可使第二導體236及該等複數個第三導體234經導引穿過經安置而穿過該內部介電層228的通路。內部介電層228之該等通路可使第二導體236及該等複數個第三導體234彼此絕緣、與內部導體210絕緣，且與其他鄰近的導電組件或層絕緣。內部介電層228之該等通路可進一步將第二導體236及該等複數個第三導體234定位於所要位置或定位成所要佈局圖樣，諸如對稱佈局圖樣。內部介電層228可包含與上文對於外部介電層216所論述之材料類似的介電材料。
如第2圖中所示且在第3圖之俯視橫截面圖中，內部介電層228大體安置於內部導體210內，但可延伸超出內部導體210之末端，以環繞延伸超出內部導體210之末端的第二導體236及該等複數個第三導體234之長度的至少一部分。舉例而言，內部介電層228可包括第一部分230，第一部分230環繞該等複數個第三導體234的朝向電力分配平板240延伸經過內部導體210之末端的部分。第二部分232可環繞第二導體236的朝向第二電極222延伸經過內部導體210之末端的部分。
第3圖說明根據本發明之至少一些實施例的對稱供電結構150的示意性部分俯視圖。如第3圖所示，對稱供電結構150包括由外部介電層216分開的內部導體210及外部導體212。內部介電層228使第二導體236與該等複數個第三導體234絕緣且將第二導體236與該等複數個第三導體234定位成所要佈局圖樣(例如，對稱地)。舉例而言，第二導體236可沿中心軸線208在中心安置於內部介電層228中，且該等複數個第三導體234可關於中心軸線208對稱地安置。
第4圖描繪根據本發明之至少一些實施例的對稱供電結構150之下部部分的示意性側視圖，該圖圖示耦接至基板支架116的一或多個機構148。如第4圖所示，對稱供電結構150之下部部分可提供至RF能量源的連接，且視情況提供至一或多個AC或DC能量源的連接。舉例而言，內部導體210可(例如)經由第一導體408而耦接至RF功率源406，以經由第一導體408將RF能量提供至第一電極206。在一些實施例中，第二導體236可耦接至DC電源供應器402以將DC能量提供至第二電極222，以用靜電將基板保持於基板支架116上。在一些實施例中，該等複數個第三導體234可耦接至AC電源供應器404以將AC能量提供至電極238，以將熱量提供至基板。
第一導體408可圍繞內部導體210之外表面而耦接至內部導體210，以將RF能量對稱地提供至內部導體210。第一導體408可自中心軸線208朝向RF功率源406側向延伸，該RF功率源406可安置至中心軸線208之側部。RF功率源406可經由匹配網路410而耦接至第一導體408。RF功率源406可對於特定應用提供處於任何適當頻率及功率下的RF能量。在一些實施例中，RF功率源406可能能夠提供處於約13.56MHz之頻率下的高達約1500W之RF能量。RF功率可以連續波或脈衝模式加以提供。
在一些實施例中，第二介電層414可經提供以使第一導體408與鄰近的導電組件(諸如，下文論述之接地箱400，其圍封供電結構150之下部部分)電隔離。在一些實施例中，且如第4圖中所示，第一導體408可內嵌於第二介電層414內。
儘管第一導體408經安置而與內部導體210成角度，此情形可能導致干擾由RF電流產生之電磁場，但導電平板214可用以限制由第一導體408之定向引起的電磁效應。因而，可能歸因於第一導體之定向而產生的電場中的任何不對稱性應對於對安置於基板支架116上的基板執行之處理具有有限影響或無影響。
在一些實施例中，介電端蓋416可圍繞RF供給結構150之末端而提供。舉例而言，介電端蓋416可圍繞內部介電層228之延伸超出內部導體210之部分而置放。在一些實施例中，介電端蓋416可覆蓋內部介電層228之延伸超出第二介電層414之部分。介電端蓋416可具有複數個開口以允許供電結構150之導體延伸穿過其中。該等導體可藉由耦接至複數個導體234及導體236之各別導電路徑而分別耦接至DC電源供應器402及/或AC電源供應器404。舉例而言，印刷電路板(PCB) 418可經提供而具有形成於其中或其上之電跡線，以將該等複數個導體234導引至AC電源供應器404。單獨導電路徑可經提供以將導體236耦接至DC電源供應器402。在一些實施例中，端子420(以點線圖示)可經提供以促進將導體236耦接至DC電源供應器402。端子420可延伸穿過整個PCB 418或僅穿過PCB 418之一部分。在一些實施例中，PCB 418可包含基底422、由基底422支撐之基板424，以及罩蓋426。罩蓋426可覆蓋基板424，且將基板424保持於基底422與罩蓋426之間。若干開口可提供於罩蓋426中，以促進進行至導體234、236、端子420及/或在基板424中或基板420上或通過基板424的任何電跡線的電連接。
在一些實施例中，接地箱400可經提供以將對稱供電結構150之下部部分實質上圍封於(例如)將RF能量耦接至內部導體210之區域中。接地箱400可包括開口401，經由該開口401，可安置對稱供電結構150之一或多個組件，諸如，外部介電層216、內部導體210、內部介電層228、第二導體236，及複數個第三導體234。在一些實施例中，且如第4圖所示，波紋管152之末端及外部導體212之末端可接近於開口401而耦接至接地箱400。在一些實施例中，接地箱400可提供用於外部導體212之電接地。
接地箱400亦可具有開口403以促進將第二導體236及該等複數個第三導體234導引至各別DC功率源及AC功率源。如圖所示，內部介電層228及/或介電端蓋416可使第二導體236及第三導體234與接地箱400電隔離。在一些實施例中，額外導體可經提供以將第二導體236及該等複數個第三導體234分別耦接至DC電源供應器402及AC電源供應器404。
返回至第1圖，控制器140包含中央處理單元(CPU)144、記憶體142，及用於CPU 144之支援電路146，且促進對腔室110之組件的控制。為如上所述促進對處理腔室110之控制，控制器140可為任何形式的通用電腦處理器(其可於用於控制各種腔室的工業設定中使用)及子處理器中之一者。CPU 144之記憶體142或電腦可讀媒體可為易獲得之記憶體中之一或多者，諸如隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、軟碟、硬碟，或任何其他形式之數位儲存器(本端或遠端)。支援電路146耦接至CPU 144以用於以習知方式支援處理器。此等電路包括快取記憶體、電源供應器、時鐘電路、輸入/輸出電路及子系統，及其類似者。用於處理基板114之方法(諸如蝕刻製程配方或其類似者)可大體上作為軟體常式儲存於記憶體142中。該軟體常式亦可由位於由CPU 144控制之硬體遠端的第二CPU(未圖示)來儲存及/或執行。
在操作中，將基板114置放於基板支架116上，且將處理氣體自氣體分配盤138經由進入口126供應，且形成氣體混合物。藉由將來自電漿源118及RF功率源406之功率分別施加至感應線圈元件112及第一電極206，將該氣體混合物在腔室110中激發為電漿155。使用節流閥127及真空泵136來控制腔室110之內部空間內的壓力。通常，腔室壁130耦接至電接地134。使用延行穿過壁130的含有液體的管道(未圖示)來控制壁130之溫度。
可藉由使基板支架116的溫度穩定來控制基板114之溫度。在一實施例(未圖示)中，可經由氣體管道將來自氣體源的氦氣提供至在基板114之下形成於基板支架116表面中的通道(未圖示)。可使用氦氣來促進基板支架116與基板114之間的熱傳遞。在處理期間，可藉由諸如上文論述之複數個AC端子224之電阻性加熱器來將基板支架116加熱至穩態溫度，且接著氦氣促進對基板114之均勻加熱。使用此種熱控制，基板114可得以維持在約攝氏0度至約攝氏150度之溫度下。
儘管關於感應耦合電漿蝕刻腔室來進行描述，但其他蝕刻腔室亦可用以實踐本發明，該等其他蝕刻腔室包括具有遠端電漿源之腔室、電子迴旋共振(ECR)電漿腔室及其類似者。此外，將RF能量提供至安置於基板支架中的電極之其他非蝕刻腔室亦可根據本文提供之教示加以修改。
因此，本文已揭示用於處理基板之設備。本發明設備之至少一些實施例可包括可有利地改良基板處理(諸如蝕刻速度及/或蝕刻尺寸均勻性)之對稱供電結構。本發明對稱供電結構及併有該對稱供電結構的基板支架可藉由以下操作來有利地減小沿基板表面之電磁偏斜：藉由將電功率經由相對於基板支架的中心軸線對稱地佈置之一或多個導體傳導至基板支架之各組件，及/或藉由提供用於限定或均勻地分佈電場及/或磁場的一或多個元件。
儘管上文係針對本發明之實施例，但可在不脫離本發明之基本範疇的情況下設計本發明之其他及進一步之實施例。
100．．．蝕刻反應器
110．．．處理腔室
112．．．感應線圈元件
114．．．基板
115．．．開口
116．．．基板支架
117．．．處理容積
118．．．電漿功率源
119．．．第一匹配網路
120．．．介電頂板
126．．．進入口
127．．．節流閥
130．．．導電主體(壁)
134．．．電接地
136．．．真空泵
138．．．氣體分配盤
140．．．控制器
142．．．記憶體
144．．．中央處理單元
146．．．支援電路
148．．．機構
150．．．對稱供電結構
152．．．波紋管
154．．．提昇機構
155．．．電漿
200．．．基底
202．．．中心開口
206．．．第一電極
208．．．中心軸線
210．．．內部導體
212．．．外部導體
214．．．導電平板
216．．．外部介電層
218．．．介電層
220．．．靜電卡盤
222．．．第二電極
224．．．AC端子
226．．．基底層
228．．．內部介電層
230．．．第一部分
232．．．第二部分
234．．．第三導體
236．．．第二導體
238．．．加熱器電極
240．．．電力分配平板
242．．．印刷電路板
244．．．AC端子絕緣平板
246．．．導體
248．．．介電層
400．．．接地箱
401．．．開口
402．．．DC電源供應器
403．．．開口
404．．．AC電源供應器
406．．．RF功率源
408．．．第一導體
410．．．匹配網路
414．．．第二介電層
416．．．介電端蓋
418．．．印刷電路板
420．．．端子
422．．．基底
424．．．基板
426．．．罩蓋
第1圖描繪根據本發明之一些實施例的處理腔室之示意性側視圖。
第2圖描繪根據本發明之一些實施例的基板支架之示意性側視圖。
第3圖描繪根據本發明之一些實施例的圍繞中心軸線佈置的複數個導體之俯視橫截面圖。
第4圖描繪根據本發明之一些實施例的耦接至基板支架之機構的示意性側視圖。
為促進理解，已儘可能使用相同參考數字來標示諸圖中共同的相同元件。諸圖並非係按比例繪製，且可能為清晰起見而加以簡化。可預期，一個實施例之元件及特徵結構可有益地併入於其他實施例中而無需進一步講述。
100．．．蝕刻反應器
110．．．處理腔室
112．．．感應線圈元件
114．．．基板
115．．．開口
116．．．基板支架
117．．．處理容積
118．．．電漿功率源
119．．．第一匹配網路
120．．．介電頂板
126．．．進入口
127．．．節流閥
130．．．導電主體(壁)
134．．．電接地
136．．．真空泵
138．．．氣體分配盤
140．．．控制器
142．．．記憶體
144．．．中央處理單元
146．．．支援電路
148．．．機構
150．．．對稱供電結構
152．．．波紋管
154．．．提昇機構
155．．．電漿
400．．．接地箱
406．．．RF功率源
410．．．匹配網路

Claims (20)

  1. 一種基板支架，該基板支架包含：一基板支架，該基板支架具有用於支撐一基板之一支撐表面，該基板支架具有一中心軸線；以及一對稱供電結構，該對稱供電結構包含：一第一電極，該第一電極安置於該基板支架內以在將一基板安置於該支撐表面上時將RF功率提供至該基板；一內部導體，該內部導體圍繞該第一電極之與該支撐表面相對的一表面之一中心而耦接至該第一電極，其中該內部導體為管狀，且在遠離該基板支架的該支撐表面之一方向上平行於該中心軸線且圍繞該中心軸線自該第一電極延伸；複數個導體，該複數個導體置於該內部導體的一軸向開口中；一外部導體，該外部導體圍繞該內部導體而安置；以及一外部介電層，該外部介電層安置於該內部導體與該外部導體之間，該外部介電層使該外部導體與該內部導體電隔離。
  2. 如請求項1所述之基板支架，其中該外部導體耦接至一電接地。
  3. 如請求項2所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一導電平板，該導電平板耦接至該外部導體。
  4. 如請求項3所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一介電層，該介電層安置於該第一電極與該導電平板之間。
  5. 如請求項4所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一第一導體，該第一導體在該第一電極下方耦接至該內部導體，該第一導體自該內部導體側向延伸至自該中心軸線離軸安置之一RF功率源，該RF功率源用以將RF功率提供至該第一電極，其中該導電平板安置於該第一電極與該第一導體之間。
  6. 如請求項5所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一匹配網路，該匹配網路耦接於該RF功率源與該第一導體之間。
  7. 如請求項5所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一接地箱，該接地箱圍繞該第一導體而安置；以及一第二介電層，該第二介電層安置於該第一導體與該接地箱之間以使該接地箱與該第一導體電隔離。
  8. 如請求項2所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一內部介電層，該內部介電層安置於該內部導體內。
  9. 如請求項8所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一第二電極，該第二電極在該第一電極上方安置於一介電層中，以在將DC能量供應至該第二電極時用靜電保持安置於該基板支架上之一基板。
  10. 如請求項9所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一DC功率源，該DC功率源耦接至該第二電極。
  11. 如請求項10所述之基板支架，其中該複數個導體包括一第二導體，該第二導體沿該中心軸線在中心安置於該內部介電層中，且將該第二電極耦接至該DC功率源。
  12. 如請求項9所述之基板支架，其中該複數個導體包括複數個第三導體，該等複數個第三導體安置於該內部介電層中，其中該等複數個第三導體圍繞該中心軸線對稱地安置。
  13. 如請求項12所述之基板支架，該基板支架進一步包含：複數個加熱器電極，該等複數個加熱器電極安置於該第一電極與該支撐表面之間，以在一基板存在於該基板支架上時回應於將AC能量施加至該等複數個加熱器電極而將熱量提供至該基板。
  14. 如請求項13所述之基板支架，其中該等加熱器電極安置於複數個區中。
  15. 如請求項13所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一電力分配平板，該電力分配平板安置於該第一電極上方，以將該等複數個第三導體中之各別導體耦接至該等複數個加熱器電極中之對應加熱器電極。
  16. 如請求項1所述之基板支架，該基板支架進一步包含：一靜電卡盤，該靜電卡盤安置於該第一電極與該支撐表面之間，其中該靜電卡盤包含：一第二電極，該第二電極在該第一電極上方安置於一第一介電層中，以在將DC能量供應至該第二電極時用靜電保持安置於該基板支架上之一基板；以及複數個加熱器電極，該等複數個加熱器電極安置於該第一電極與該支撐表面之間，以在一基板存在於該基板支架上時回應於將AC能量施加至該等複數個加熱器電極而將熱量提供至該基板；一第二介電層，其中該第一電極安置於該第二介電層與該靜電卡盤之間；以及一導電平板，其中該導電平板安置於該第二介電層之與該第一電極相反之一側上。
  17. 一種電漿處理設備，該電漿處理設備包含：一處理腔室，該處理腔室具有一內部容積，一基板支架安 置於該內部容積中，該基板支架具有一支撐表面及一中心軸線；一對稱供電結構，該對稱供電結構包含：一第一電極，該第一電極安置於該基板支架中以在一基板存在於該基板支架上時將RF功率提供至該基板；一內部導體，該內部導體一第一端圍繞該第一電極之背對該支撐表面的一表面之一中心而耦接至該第一電極，其中該內部導體為管狀，且平行於該中心軸線且圍繞該中心軸線遠離該第一電極而延伸；複數個導體，該複數個導體置於該內部導體的一軸向開口中；一外部導體，該外部導體圍繞該內部導體而安置；一外部介電層，該外部介電層安置於該內部導體與該外部導體之間，該外部介電層使該外部導體與該內部導體電隔離；以及一第一導體，該第一導體接近於該內部導體之與該第一端相反的一第二端而耦接至該內部導體，該第一導體自該中心軸線朝向自該中心軸線離軸安置之一RF功率源側向延伸，該RF功率源用以將RF功率提供至該第一電極。
  18. 如請求項17所述之電漿處理設備，該電漿處理設備進一步包含：一導電平板，該導電平板安置於該第一電極與該第一導體 之間，其中該導電平板耦接至該外部導體，且其中該導電平板及外部導體耦接至電接地；以及一介電層，該介電層安置於該導電平板與該第一電極之間。
  19. 如請求項18所述之電漿處理設備，該電漿處理設備進一步包含：一第二電極，該第二電極在該第一電極上方安置於一介電層中，以在將DC能量供應至該第二電極時用靜電保持安置於該基板支架上之一基板；複數個加熱器電極，該等複數個加熱器電極安置於該第一電極與該支撐表面之間，以在一基板存在於該基板支架上時回應於將AC能量施加至該等複數個加熱器電極而將熱量提供至該基板；一第二導體，該第二導體沿該中心軸線在中心安置於一內部介電層中；一DC功率源，該DC功率源經由該第二導體耦接至該第二電極；複數個第三導體，該等複數個第三導體安置於該內部介電層中，其中該等複數個第三導體圍繞該中心軸線對稱地安置；以及一電力分配平板，該電力分配平板安置於該第一電極上方，以將該等複數個第三導體中之各別導體耦接至該等複數個加熱器電極中之對應加熱器電極。
  20. 如請求項19所述之電漿處理設備，該基板支架進一步包含：一提昇機構，該提昇機構用於在該處理腔室內抬高及降低該基板支架。
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