KR101754561B1 - 플라즈마 발생 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

플라즈마 발생 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 공정이 수행되는 처리공간을 제공하는 챔버와 상기 처리공간에서 기판을 지지하도록 제공되는 기판 지지 유닛과 상기 처리공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과 상기 처리공간으로 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하되, 상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 챔버의 상부에 제공된 안테나 부재와 상기 안테나 부재의 상부에 위치하는 조절 패드 및 상기 조절 패드를 상하로 이동시키는 구동 부재를 가지며 상기 조절 패드는 접지되어 제공된다.

Description

플라즈마 발생 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{UNIT FOR GENERATING PLASMA AND APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정 중 식각, 증착, 그리고 세정 공정 등은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리한다. 플라즈마를 이용한 공정은 챔버 내부에 공정 가스를 분사하고, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시켜 기판으로 제공한다.
일반적으로 기판 처리 장치는 플라즈마 발생 장치를 포함한다. 플라즈마 발생 장치는 안테나 부재를 포함한다. 안테나 부재는 전자기장을 발생시킨다. 발생된 전자기장은 방사상으로 형성된다. 전자기장은 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 그러나 발생된 플라즈마의 밀도는 일반적으로 처리 공간의 중앙 영역과 엣지 영역에서 차이가 발생된다. 이러한 플라즈마의 밀도 차이는 균일한 기판 처리 공정을 저해하고, 기판 처리 공정의 신뢰성을 저하시킬 수 있다.
플라즈마는 전자기장으로 인하여 발생되므로, 전자기장을 조절한다면 플라즈마의 양을 조절할 수 있다. 그러나, 전자기장은 안테나 부재로부터 방사상으로 형성되고 이를 제어하는 것이 용이하지 않다. 이로 인하여, 전자기장을 조절하여 플라즈마의 양을 제어하기가 용이하지 않다.
본 발명의 일 목적은, 챔버 내부에서 생성되는 플라즈마 밀도를 조절할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 공정이 수행되는 처리공간을 제공하는 챔버와 상기 처리공간에서 기판을 지지하도록 제공되는 기판 지지 유닛과 상기 처리공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과 상기 처리공간으로 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하되, 상기 플라즈마 발생 유닛은, 상기 챔버의 상부에 제공된 안테나 부재와 상기 안테나 부재의 상부에 위치하는 조절 패드 및 상기 조절 패드를 상하로 이동시키는 구동부재를 가진다.
상기 조절 패드는 접지되어 제공될 수 있다.
상기 조절 패드는 링 형상으로 제공되는 제1 패드를 포함할 수 있다.
상기 제1 패드는 상기 안테나 부재의 엣지 영역에 대향하는 위치에 제공될 수 있다.
상기 조절 패드는 상기 안테나 부재의 중앙 영역에 대향하는 위치에 제공되는 제2 패드를 포함할 수 있다.
상기 제1 패드는 그 단면적이 상기 제2 패드의 단면적보다 크게 제공될 수 있다.
상기 안테나 부재는 분리된 제1 안테나와 제2 안테나를 포함하되, 상기 제2 안테나는 중앙 영역에 위치하고, 상기 제1 안테나는 상기 제2 안테나를 둘러싸는 위치에 제공될 수 있다.
상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 조절 패드의 상부에 고정 설치되고, 상기 조절 패드보다 단면적이 크게 제공되며, 접지된 접지 플레이트를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 발생 유닛을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 유닛은, 전자기장을 발생하는 안테나 부재와 상기 안테나 부재의 상부에 위치하는 조절 패드 및 상기 조절 패드를 상하로 이동시키는 구동부재를 포함한다.
상기 조절 패드는 접지되어 제공될 수 있다.
상기 조절 패드는 상기 안테나 부재의 엣지 영역에 대향하는 위치에 제공되고, 링 형상으로 제공되는 제1 패드를 포함할 수 있다.
상기 조절 패드는 상기 안테나 부재의 중앙 영역에 대향하는 위치에 제공되는 제2 패드를 포함할 수 있다.
상기 제1 패드는 그 단면적이 상기 제2 패드의 단면적보다 크게 제공될 수 있다.
상기 안테나 부재는 분리된 제1 안테나와 제2 안테나를 포함하되, 상기 제2 안테나는 중앙 영역에 위치하고, 상기 제1 안테나는 상기 제2 안테나를 둘러싸는 위치에 제공될 수 있다.
상기 플라즈마 발생 유닛은 상기 조절 패드의 상부에 고정 설치되고, 상기 조절 패드보다 단면적이 크게 제공되며, 접지된 접지 플레이트를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 방법은, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 전자기장을 발생시키는 안테나 부재와 상기 안테나 부재의 상부에 위치하는 조절 패드의 상대적인 위치를 변경하여 발생되는 플라즈마의 양을 조절한다.
상기 조절 패드는 링 형상으로 제공되는 제1 패드를 포함하되, 상기 제1 패드를 상하로 이동시켜 상기 안테나 부재와 상기 제1 패드의 상대적인 위치를 변경할 수 있다.
상기 조절 패드는 상부에서 바라볼 때 상기 제1 패드와 겹쳐지지 않는 위치에 제공되는 제2 패드를 더 포함하되, 상기 제2 패드는 상기 제1 패드와는 별도로 상하로 이동되면서 상기 안테나 부재와의 상대적인 위치를 변경할 수 있다.
상기 제1 패드는 그 단면적이 상기 제2 패드의 단면적보다 크게 제공될 수 있다.
상기 조절 패드는 접지되어 제공될 수 있다.
상기 안테나 부재는 중앙 영역에 위치하는 제1 안테나 및 상기 제1 안테나를 둘러싸는 위치에 제공되는 제2 안테나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 챔버 내부에서 생성되는 플라즈마 밀도를 조절할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 조절 유닛을 보여주는 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 3의 플라즈마 조절 유닛을 보여주는 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 7 및 도 8은 도 1의 기판 처리 장치가 플라즈마의 양을 조절하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 9 내지 도 12는 도 3의 기판 처리 장치가 플라즈마의 양을 조절하는 과정을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 대하여 식각 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(400) 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다.
챔버(100)는 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 하우징(110), 밀폐 커버(120), 그리고 라이너(130)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 상면이 개방된 공간을 가진다. 하우징(110)의 내부 공간은 기판 처리 공정이 수행되는 처리공간으로 제공된다. 하우징(110)은 금속 재질로 제공된다. 하우징(110)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 하우징(110)은 접지될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배기홀(102)이 형성된다. 배기홀(102)은 배기 라인(151)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 하우징의 내부 공간에 머무르는 가스는 배기 라인(151)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 하우징(110) 내부는 소정 압력으로 감압된다.
밀폐 커버(120)는 하우징(110)의 개방된 상면을 덮는다. 밀폐 커버(120)는 판 형상으로 제공되며, 하우징(110)의 내부공간을 밀폐시킨다. 밀폐 커버(120)는 유전체(dielectric substance) 창을 포함할 수 있다.
라이너(130)는 하우징(110) 내부에 제공된다. 라이너(130)는 상면 및 하면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 라이너(130)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 따라 제공된다. 라이너(130)의 상단에는 지지 링(131)이 형성된다. 지지 링(131)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(130)의 둘레를 따라 라이너(130)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(131)은 하우징(110)의 상단에 놓이며, 라이너(130)를 지지한다. 라이너(130)는 하우징(110)과 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(130)는 하우징(110) 내측면을 보호한다. 공정 가스가 여기되는 과정에서 챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(130)는 하우징(110)의 내측면을 보호하여 하우징(110)의 내측면이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 불순물이 하우징(110)의 내측벽에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(130)는 하우징(110)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(130)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(130)로 교체할 수 있다.
하우징(110)의 내부에는 기판 지지 유닛(200)가 위치한다. 기판 지지 유닛(200)는 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)는 정전기력을 이용하여 기판(W)을 흡착하는 정전 척(210)을 포함할 수 있다. 이와 달리, 기판 지지 유닛(200)는 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수도 있다. 이하에서는 정전 척(210)을 포함하는 기판 지지 유닛(200)에 대하여 설명한다.
기판 지지 유닛(200)은 정전 척(210), 절연 플레이트(250) 그리고 하부 커버(270)를 포함한다. 기판 지지 유닛(200)은 챔버(100) 내부에서 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치될 수 있다.
정전 척(210)은 유전판(220), 전극(223), 히터(225), 지지판(230), 그리고 포커스 링(240)을 포함한다.
유전판(220)은 정전 척(210)의 상단부에 위치한다. 유전판(220)은 원판 형상의 유전체(dielectric substance)로 제공된다. 유전판(220)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 유전판(220)의 상면은 기판(W)보다 작은 반경을 갖는다. 때문에, 기판(W) 가장자리 영역은 유전판(220)의 외측에 위치한다. 유전판(220)에는 제1 공급 유로(221)가 형성된다. 제1 공급 유로(221)는 유전판(210)의 상면으로부터 저면으로 제공된다. 제1 공급 유로(221)는 서로 이격하여 복수개 형성되며, 기판(W)의 저면으로 열전달 매체가 공급되는 통로로 제공된다.
유전판(220)의 내부에는 하부 전극(223)과 히터(225)가 매설된다. 하부 전극(223)은 히터(225)의 상부에 위치한다. 하부 전극(223)은 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결된다. 제1 하부 전원(223a)은 직류 전원을 포함한다. 하부 전극(223)과 제1 하부 전원(223a) 사이에는 스위치(223b)가 설치된다. 하부 전극(223)은 스위치(223b)의 온/오프(ON/OFF)에 의해 제1 하부 전원(223a)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위치(223b)가 온(ON) 되면, 하부 전극(223)에는 직류 전류가 인가된다. 하부 전극(223)에 인가된 전류에 의해 하부 전극(223)과 기판(W) 사이에는 정전기력이 작용하며, 정전기력에 의해 기판(W)은 유전판(220)에 흡착된다.
히터(225)는 제2 하부 전원(225a)과 전기적으로 연결된다. 히터(225)는 제2 하부 전원(225a)에서 인가된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 유전판(220)을 통해 기판(W)으로 전달된다. 히터(225)에서 발생된 열에 의해 기판(W)은 소정 온도로 유지된다. 히터(225)는 나선 형상의 코일을 포함한다.
유전판(220)의 하부에는 지지판(230)이 위치한다. 유전판(220)의 저면과 지지판(230)의 상면은 접착제(236)에 의해 접착될 수 있다. 지지판(230)은 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 지지판(230)의 상면은 중심 영역이 가장자리 영역보다 높게 위치되도록 단차질 수 있다. 지지판(230)의 상면 중심 영역은 유전판(220)의 저면에 상응하는 면적을 가지며, 유전판(220)의 저면과 접착된다. 지지판(230)에는 제1 순환 유로(231), 제2 순환 유로(232), 그리고 제2 공급 유로(233)가 형성된다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체가 순환하는 통로로 제공된다. 제1 순환 유로(231)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 순환 유로(231)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제1 순환 유로(231)들은 서로 연통될 수 있다. 제1 순환 유로(231)들은 동일한 높이에 형성된다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 제2 순환 유로(232)는 지지판(230) 내부에 나선 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제2 순환 유로(232)는 서로 상이한 반경을 갖는 링 형상의 유로들이 동일한 중심을 갖도록 배치될 수 있다. 각각의 제2 순환 유로(232)들은 서로 연통될 수 있다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 제2 순환 유로(232)들은 동일한 높이에 형성된다. 제2 순환 유로(232)는 제1 순환 유로(231)의 하부에 위치될 수 있다.
제2 공급 유로(233)는 제1 순환 유로(231)부터 상부로 연장되며, 지지판(230)의 상면으로 제공된다. 제2 공급 유로(243)는 제1 공급 유로(221)에 대응하는 개수로 제공되며, 제1 순환 유로(231)와 제1 공급 유로(221)를 연결한다.
제1 순환 유로(231)는 열전달 매체 공급라인(231b)을 통해 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된다. 열전달 매체 저장부(231a)에는 열전달 매체가 저장된다. 열전달 매체는 불활성 가스를 포함한다. 실시예에 의하면, 열전달 매체는 헬륨(He) 가스를 포함한다. 헬륨 가스는 공급 라인(231b)을 통해 제1 순환 유로(231)에 공급되며, 제2 공급 유로(233)와 제1 공급 유로(221)를 순차적으로 거쳐 기판(W) 저면으로 공급된다. 헬륨 가스는 플라즈마에서 기판(W)으로 전달된 열이 정전 척(210)으로 전달되는 매개체 역할을 한다.
제2 순환 유로(232)는 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된다. 냉각 유체 저장부(232a)에는 냉각 유체가 저장된다. 냉각 유체 저장부(232a) 내에는 냉각기(232b)가 제공될 수 있다. 냉각기(232b)는 냉각 유체를 소정 온도로 냉각시킨다. 이와 달리, 냉각기(232b)는 냉각 유체 공급 라인(232c) 상에 설치될 수 있다. 냉각 유체 공급 라인(232c)을 통해 제2 순환 유로(232)에 공급된 냉각 유체는 제2 순환 유로(232)를 따라 순환하며 지지판(230)을 냉각한다. 지지판(230)은 냉각되면서 유전판(220)과 기판(W)을 함께 냉각시켜 기판(W)을 소정 온도로 유지시킨다.
포커스 링(240)은 정전 척(210)의 가장자리 영역에 배치된다. 포커스 링(240)은 링 형상을 가지며, 유전판(220)의 둘레를 따라 배치된다. 포커스 링(240)의 상면은 외측부(240a)가 내측부(240b)보다 높도록 단차질 수 있다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 상면과 동일 높이에 위치된다. 포커스 링(240)의 상면 내측부(240b)는 유전판(220)의 외측에 위치된 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 포커스 링(240)의 외측부(240a)는 기판(W)의 가장자리 영역을 둘러싸도록 제공된다. 포커스 링(240)은 챔버(100) 내에서 플라즈마가 기판(W)과 마주하는 영역으로 집중되도록 한다.
지지판(230)의 하부에는 절연 플레이트(250)가 위치한다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)에 상응하는 단면적으로 제공된다. 절연 플레이트(250)는 지지판(230)과 하부 커버(270) 사이에 위치한다. 절연 플레이트(250)는 절연 재질로 제공되며, 지지판(230)과 하부 커버(270)를 전기적으로 절연시킨다.
하부 커버(270)는 기판 지지 유닛(200)의 하단부에 위치한다. 하부 커버(270)는 하우징(110)의 바닥면에서 상부로 이격되어 위치한다. 하부 커버(270)는 상면이 개방된 공간이 내부에 형성된다. 하부 커버(270)의 상면은 절연 플레이트(250)에 의해 덮어진다. 따라서 하부 커버(270)의 단면의 외부 반경은 절연 플레이트(250)의 외부 반경과 동일한 길이로 제공될 수 있다. 하부 커버(270)의 내부 공간에는 반송되는 기판(W)을 외부의 반송 부재로부터 정전 척(210)으로 이동시키는 리프트 핀 모듈(미도시) 등이 위치할 수 있다.
하부 커버(270)는 연결 부재(273)를 갖는다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면과 하우징(110)의 내측벽을 연결한다. 연결 부재(273)는 하부 커버(270)의 외측면에 일정한 간격으로 복수개 제공될 수 있다. 연결 부재(273)는 기판 지지 유닛(200)를 챔버(100) 내부에서 지지한다. 또한, 연결 부재(273)는 하우징(110)의 내측벽과 연결됨으로써 하부 커버(270)가 전기적으로 접지(grounding)되도록 한다. 제1 하부 전원(223a)과 연결되는 제1 전원라인(223c), 제2 하부 전원(225a)과 연결되는 제2 전원라인(225c), 열전달 매체 저장부(231a)와 연결된 열전달 매체 공급라인(231b) 그리고 냉각 유체 저장부(232a)와 연결된 냉각 유체 공급 라인(232c)등은 연결 부재(273)의 내부 공간을 통해 하부 커버(270) 내부로 연장된다.
가스 공급 유닛(300)은 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다. 가스 공급 노즐(310)은 밀폐 커버(120)의 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 밀폐 커버(120)의 하부에 위치하며, 챔버(100) 내부의 처리공간으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
도 2는 도 1의 플라즈마 발생 유닛을 보여주는 분해 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 플라즈마 발생 유닛(400)은 처리공간에 제공되는 공정 가스로부터 플라즈마를 생성한다. 플라즈마 발생 유닛(400)은 안테나 부재(410), 전원(420), 상부 커버(430), 접지 플레이트(450), 조절 패드(470), 그리고 구동 부재(480)를 포함한다.
안테나 부재(410)는 챔버(100)의 상부에 제공된다. 안테나 부재(410)는 각각 상이한 직경을 가지는 링 형상의 안테나가 복수개 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 안테나 부재(410)는 제1 안테나(411)와 제2 안테나(413)를 포함할 수 있다. 제2 안테나(413)는 중앙 영역에 위치하고, 제1 안테나(411)는 제2 안테나(413)를 둘러싸는 위치에 제공될 수 있다. 제1 안테나(411)와 제2 안테나(413)는 각각 분리되어 제공될 수 있다. 제1 안테나(411)와 제2 안테나(413)는 각각 별도의 전원과 연결될 수 있다.
전원(420)은 안테나 부재(410)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(420)은 제1 전원(421)과 제2 전원(423)을 포함한다. 제1 전원(421)은 제1 안테나(411)에 연결되고, 제2 전원(423)은 제2 안테나(413)에 연결될 수 있다. 전원(420)은 고주파 전력을 안테나 부재(410)에 인가할 수 있다. 일 예에 의하면, 제1 전원(421)과 제2 전원(423)은 각각 상이한 전력을 제1 안테나(411)와 제2 안테나(413)에 전달할 수 있다. 이로 인하여 제1 안테나(411)와 제2 안테나(413)에서 각각 상이한 전자기파가 발생될 수 있다. 전자기파는 안테나 부재(410)를 중심으로 방사상으로 발생한다. 전자기파 중 일부는 챔버(100) 내부로 제공되고, 나머지 일부는 챔버(100)의 외부로 제공된다. 챔버(100) 내부로 제공된 전자기파는 챔버(100) 내부 처리공간에 유도 전기장을 형성한다. 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 여기된다. 플라즈마는 기판(W)에 제공되며, 에칭 공정 등 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.
상부 커버(430)는 하면이 개방된 원통형상으로 제공될 수 있다. 상부 커버(430)는 유전체 커버(120)의 상부에 위치할 수 있다. 상부 커버(430)는 유전체 커버(120)를 덮음으로써 플라즈마 발생 유닛(400)이 위치하는 공간을 제공한다.
접지 플레이트(450)는 일정한 두께를 가지는 평판 형상으로 제공될 수 있다. 접지 플레이트(450)는 상부 커버(430)와 유전체 커버(120)의 사이 공간에 위치한다. 일 예에 의하면, 접지 플레이트(450)는 안테나 부재(410)의 상부에 고정 설치될 수 있다. 접지 플레이트(450)는 접지(grounding)되어 제공될 수 있다. 접지 플레이트(450)는 조절 패드(470)보다 단면적이 크게 제공될 수 있다. 선택적으로, 접지 플레이트(450)는 제공되지 않을 수도 있다.
조절 패드(470)는 안테나 부재(410) 상부에 위치한다. 조절 패드(470)는 안테나 부재(410)와 접지 플레이트(450) 사이에 위치할 수 있다. 일 예에 의하면, 조절 패드(470)는 접지된 상태로 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 조절 패드(470)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 조절 패드(470)는 안테나 부재(410)의 엣지 영역에 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 조절 패드(470)는 제1 안테나(411)와 대향하는 위치에 제공될 수 있다.
구동 부재(480)는 조절 패드(470)와 연결된다. 구동 부재(480)는 조절 패드(470)를 상하 방향으로 이동시킨다. 구동 부재(480)는 조절 패드(470)가 안테나 부재(410)와 근접한 위치로부터 접지 플레이트(450)와 근접한 위치까지 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 4는 도 3의 플라즈마 조절 유닛을 보여주는 분해 사시도이다.
도 3과 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(11)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(4100) 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다. 기판 처리 장치(11)는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 비교할 때 플라즈마 발생 유닛(4100)의 조절 패드(4170)만이 상이하고, 다른 구성은 모두 동일하다. 이하에서는 플라즈마 발생 유닛(4100)의 조절 패드(4170)에 대하여 설명한다.
조절 패드(4170)는 안테나 부재(4110) 상부에 위치한다. 조절 패드(4170)는 안테나 부재(4110)와 접지 플레이트(4150) 사이에 위치할 수 있다. 일 예에 의하면, 조절 패드(4170)는 접지된 상태로 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 조절 패드(4170)는 제1 패드(4171)와 제2 패드(4173)를 포함할 수 있다. 제1 패드(4171)와 제2 패드(4173)는 서로 분리되어 제공될 수 있다. 제1 패드(4171)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 패드(4171)는 안테나 부재(4110)의 엣지 영역에 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 제1 패드(4171)는 제1 안테나(4111)와 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 제2 패드(4173)는 원판 형상으로 제공될 수 있다. 제2 패드(4173)는 안테나 부재(4110)의 중앙 영역에 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 제2 패드(4173)는 제2 안테나(4173)와 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 제1 패드(4171)는 제2 패드(4173)를 둘러싸는 형상으로 제공될 수 있다. 제1 패드(4171)는 그 단면적이 제2 패드(4173)의 단면적보다 크게 제공될 수 있다.
구동 부재(4180)는 조절 패드(4170)와 연결된다. 구동 부재(4180)는 조절 패드(4170)를 상하 방향으로 이동시킨다. 일 예에 의하면, 구동 부재(4180)는 제1 구동 부재(4181)와 제2 구동 부재(4183)를 포함할 수 있다. 제1 구동 부재(4181)는 제1 패드(4171)를 상하 방향으로 이동시키고, 제2 구동 부재(4183)는 제2 패드(4173)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 구동 부재(4180)는 조절 패드(4170)가 안테나 부재(4110)와 근접한 위치로부터 접지 플레이트(4150)와 근접한 위치까지 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
기판 처리 장치(12)는 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 발생 유닛(4200) 그리고 배플 유닛(500)을 포함한다. 기판 처리 장치(11)는 도 1의 기판 처리 장치(10)와 비교할 때 플라즈마 발생 유닛(4200)의 조절 패드(4270)만이 상이하고, 다른 구성은 모두 동일하다. 이하에서는 플라즈마 발생 유닛(4200)의 조절 패드(4270)에 대하여 설명한다.
조절 패드(4270)는 안테나 부재(4210) 상부에 위치한다. 조절 패드(4270)는 안테나 부재(4210)와 접지 플레이트(4250) 사이에 위치할 수 있다. 일 예에 의하면, 조절 패드(4270)는 접지된 상태로 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 조절 패드(4270)는 안테나 부재(4210)의 중앙 영역에 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 조절 패드(4270)는 제2 안테나(4213)와 대향하는 위치에 제공될 수 있다. 조절 패드(4270)는 원판 형상으로 제공될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 배플 유닛(500)은 하우징(110)의 내측벽과 지지부재(400)의 사이에 위치된다. 배플 유닛(500)은 관통홀(511)이 형성된 배플(510)을 포함한다. 배플(510)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 하우징(110) 내에 제공된 공정가스는 배플(510)의 관통홀(511)들을 통과하여 배기홀(102)로 배기된다. 배플(510)의 형상 및 관통홀(511)들의 형상에 따라 공정가스의 흐름이 제어될 수 있다.
이하에서는, 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 관하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 순서도이다.
도 6을 참조하면, 기판 처리 방법은 기판을 챔버 내부로 반송하는 단계(S10), 챔버 내부의 공정가스를 플라즈마로 여기하는 단계(S20), 플라즈마로 기판을 처리하는 단계(S30), 플라즈마의 양을 조절하는 단계(S40), 플라즈마로 기판을 처리하는 단계(S50), 및 기판을 챔버 외부로 반송하는 단계(S60)를 포함한다. 이때 플라즈마의 양을 조절하는 단계(S40)는 조절 패드와 안테나의 상대 거리를 조절하는 단계(S41), 처리공간으로 제공되는 전자기파를 조절하는 단계(S42), 그리고 발생되는 플라즈마의 양을 조절하는 단계(S43)를 포함한다.
플라즈마로 기판을 처리하는 단계(S30, S50)는 플라즈마의 양을 조절하는 단계(S40)를 거치면서 각 단계마다 기판을 처리하는 플라즈마의 양이 상이할 수 있다. 또한, 기판 처리 공정에 따라 플라즈마의 양을 조절하는 단계(S40)가 복수회 제공될 수도 있다. 이와 달리, 플라즈마의 양을 조절하는 단계(S40)가
이하에서는 플라즈마의 양을 조절하는 단계(S40)를 상세하게 설명한다.
도 7 및 도 8은 도 1의 기판 처리 장치가 플라즈마의 양을 조절하는 과정을 보여주는 도면이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(10)의 플라즈마 발생 유닛(400)은 조절 패드(470)를 이용하여 플라즈마의 양을 조절한다. 조절 패드(470)는 접지 플레이트(450)로부터 안테나 부재(410)까지 상하로 이동될 수 있다. 조절 패드(470)는 접지된 상태로 접지 플레이트(450)로부터 안테나 부재(410)까지 상하로 이동될 수 있다. 이로 인하여 조절 패드(470)와 안테나 부재(410) 사이의 상대 거리가 조절된다.
조절 패드(470)와 안테나 부재(410) 사이의 상대 거리가 가까울수록 안테나 부재(410)에서 발생되는 전자기파가 접지된 안테나 부재(410)로 인하여 그 세기가 약해지게 된다. 전자기파의 세기가 약해지면 공정 가스로부터 플라즈마로 여기되는 양이 적어지게 된다. 이때 조절 패드(470)는 안테나 부재(410)에 엣지 영역에 대향하는 위치에 제공되므로, 처리공간의 엣지 영역에 발생되는 플라즈마의 양이 적어지게 된다.
이와 달리, 조절 패드(470)와 안테나 부재(410) 사이의 상대 거리가 멀어질수록 안테나 부재(410)에서 발생되는 전자기파가 접지된 안테나 부재(410)로 인하여 그 세기가 강해지게 된다. 전자기파의 세기가 강해지면 공정 가스로부터 플라즈마로 여기되는 양이 많아지게 된다. 이때 조절 패드(470)는 안테나 부재(410)에 엣지 영역에 대향하는 위치에 제공되므로, 처리공간의 엣지 영역에 발생되는 플라즈마의 양이 많아지게 된다.
상술한 바와 같이, 접지된 조절 패드(470)를 상하 방향으로 이동시키면, 조절 패드(470)와 안테나 부재(410) 사이의 상대 거리가 변하게 된다. 조절 패드(470)와 안테나 부재(410) 사이의 상대 거리를 조절하면 안테나 부재(410)에서 발생되는 전자기파의 양을 조절할 수 있다. 안테나 부재(410)에서 발생되는 전자기파의 양을 조절하면 공정 가스로부터 여기되는 플라즈마의 양을 조절할 수 있다. 이러한 과정으로 인하여 조절 패드(470)를 이동시킴으로써 처리 공간에 발생되는 플라즈마의 양을 조절할 수 있다.
이상에서는 도 1의 기판 처리 장치의 조절 패드(470)를 기준으로 설명하였다. 도 1의 기판 처리 장치(10)의 조절 패드(470)는 기판 처리 장치(10)의 엣지 영역에 위치하여 엣지 영역의 플라즈마 밀도를 조절할 수 있다.
이와 달리, 처리 공간의 중앙 영역과 엣지 영역의 플라즈마 밀도를 각각 조절할 수도 있다.
도 9 내지 도 12는 도 3의 기판 처리 장치가 플라즈마의 양을 조절하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 9 내지 도 12를 참조하면, 기판 처리 장치(11)의 조절 패드(4170)는 엣지 영역에 위치하는 제1 패드(4171)와 중앙 영역에 위치하는 제2 패드(4173)를 포함한다. 제1 패드(4171)와 제2 패드(4173)는 각각 상하 방향으로 이동되므로, 처리 공간의 중앙 영역과 엣지 영역의 플라즈마 밀도를 각각 조절할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 플라즈마 처리 장치 100: 챔버
200: 기판 지지 유닛 300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 발생 유닛 410: 안테나 부재
420: 전원 430: 상부 커버
450: 접지 플레이트 470: 조절 패드
480: 구동 부재 500: 배플 유닛

Claims (19)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 공정이 수행되는 처리공간을 제공하는 챔버와;
    상기 처리공간에서 기판을 지지하도록 제공되는 기판 지지 유닛과;
    상기 처리공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리공간으로 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 포함하되,
    상기 플라즈마 발생 유닛은,
    상기 챔버의 상부에 제공된 안테나 부재와;
    상기 안테나 부재의 상부에 위치하는 조절 패드; 및
    상기 조절 패드를 상하로 이동시키는 구동 부재;를 가지며,
    상기 조절 패드는 접지되어 제공되며,
    상기 안테나 부재는 분리된 제1 안테나와 제2 안테나를 포함하고,
    상기 제1 안테나는 상기 제2 안테나를 둘러싸도록 제공되되,
    상기 조절 패드는 상기 제1 안테나에 대향하는 위치에 제공되는 제1 패드를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생 유닛은
    상기 조절 패드의 상부에 고정 설치되고, 상기 조절 패드보다 단면적이 크게 제공되며, 접지된 접지 플레이트를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 전자기장을 발생하는 안테나 부재와;
    상기 안테나 부재의 상부에 위치하는 조절 패드; 및
    상기 조절 패드를 상하로 이동시키는 구동부재;를 포함하고,
    상기 조절 패드는 접지되어 제공되며,
    상기 안테나 부재는 분리된 제1 안테나와 제2 안테나를 포함하고,
    상기 제1 안테나는 상기 제2 안테나를 둘러싸도록 제공되되,
    상기 조절 패드는 상기 제1 안테나에 대향하는 위치에 제공되는 제1 패드를 포함하는 플라즈마 발생 유닛.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    전자기장을 발생시키는 안테나 부재와 상기 안테나 부재의 상부에 위치하는 조절 패드의 상대적인 위치를 변경하여 발생되는 플라즈마의 양을 조절하며,
    상기 조절 패드는 접지되어 제공되며,
    상기 안테나 부재는 분리된 제1 안테나와 제2 안테나를 포함하고,
    상기 제1 안테나는 상기 제2 안테나를 둘러싸도록 제공되되,
    상기 조절 패드는 상기 제1 안테나에 대향하는 위치에 제공되는 제1 패드를 포함하는 기판 처리 방법.
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JP5227245B2 (ja) * 2009-04-28 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9313872B2 (en) * 2009-10-27 2016-04-12 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR101757922B1 (ko) * 2009-10-27 2017-07-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
KR101757921B1 (ko) * 2009-10-27 2017-07-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR101312505B1 (ko) * 2010-12-10 2013-10-01 엘아이지에이디피 주식회사 안테나 높이 조절이 가능한 기판처리장치
KR101256962B1 (ko) * 2011-05-31 2013-04-26 세메스 주식회사 안테나 유닛 및 상기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR101969077B1 (ko) * 2011-08-18 2019-04-15 세메스 주식회사 플라즈마 안테나 및 이를 이용한 기판 처리 장치
KR101885102B1 (ko) * 2011-09-01 2018-09-11 세메스 주식회사 안테나 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

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