JP6948788B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
まず、本実施形態にかかるプラズマ処理装置100の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは、平面状の高周波アンテナに高周波電力を印加して処理容器内に励起した処理ガスのプラズマによって、被処理体である半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」とも称する)Wに所定のプラズマ処理を施す誘導結合型プラズマ処理装置を例に挙げる。図1は、本実施形態にかかるプラズマ処理装置100の概略構成を示す断面図である。図2は、図1に示す高周波アンテナ140の構成例を示す平面図である。
102 処理容器
104 誘電体
104a 対向面
104b 面
110 載置台
120 ガス供給部
121 ガス導入口
122 ガス供給源
123 ガス供給配管
124 マスフローコントローラ
126 開閉バルブ
130 排気部
132 排気管
134 ウエハ搬出入口
136 ゲートバルブ
140 高周波アンテナ
142 アンテナ素子
144 挟持体
148 アクチュエータ
150 高周波電源
160 シールド部材
168 アクチュエータ
171 電磁石群
172 電磁石
200 制御部
210 操作部
220 記憶部
W ウエハ
Claims (5)
- 処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、被処理体が載置される載置台と、
前記載置台に対向する対向面を有する誘電体と、
前記誘電体の前記対向面とは反対側の面に設けられ、前記誘電体を介してプラズマ励起用の誘導電界を前記処理容器内に導入する平面状のアンテナであって、前記処理容器の外周に沿った方向に巻かれた渦巻き状のアンテナ素子を含むアンテナと、
前記処理容器の外周に沿って配置され、前記誘導電界に基づくプラズマ中のイオンを前記誘電体の前記対向面に沿って前記処理容器内の外周空間を移動させるカスプ磁場を前記処理容器内に形成する電磁石群と、
前記電磁石群の各電磁石の磁極を制御することにより、前記電磁石群によって形成される前記カスプ磁場の磁場強度に、前記処理容器の外周に沿った方向に区分された所定範囲ごとの前記アンテナ素子の巻き数に応じて前記処理容器の外周に沿った勾配を生成する制御部と
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記制御部は、さらに、前記電磁石群の各電磁石に流れる電流の大きさを制御することにより、前記電磁石群によって形成される前記カスプ磁場の磁場強度に、前記処理容器の外周に沿った方向に区分された所定範囲ごとの前記アンテナ素子の巻き数に応じて前記処理容器の外周に沿った勾配を生成することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、さらに、前記電磁石群の各電磁石の磁極を制御することにより、前記電磁石群によって形成される磁場を、前記処理容器内の中央空間及び該中央空間を囲む外周空間を横断する水平磁場、又は、前記処理容器内の前記外周空間のみに存在し且つ磁場強度に前記処理容器の外周に沿った勾配を有する前記カスプ磁場に切り替えることを特徴とする請求項1又は2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記制御部は、前記プラズマ処理装置によって実行されるプラズマ処理プロセスの切り替えのタイミングに応じて、前記電磁石群によって形成される磁場を前記水平磁場又は前記カスプ磁場に切り替えることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理容器の中心軸を中心として前記電磁石群を回転自在に支持する支持部材をさらに有し、
前記制御部は、さらに、前記支持部材を制御して、前記電磁石群によって形成される磁場を前記処理容器の中心軸を中心として回転させることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016243451A JP6948788B2 (ja) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | プラズマ処理装置 |
TW106142345A TWI757384B (zh) | 2016-12-15 | 2017-12-04 | 電漿處理裝置 |
US15/840,636 US10825663B2 (en) | 2016-12-15 | 2017-12-13 | Plasma processing apparatus |
KR1020170171244A KR102480180B1 (ko) | 2016-12-15 | 2017-12-13 | 플라즈마 처리 장치 |
US17/030,522 US11450515B2 (en) | 2016-12-15 | 2020-09-24 | Plasma processing apparatus |
KR1020220176332A KR102585507B1 (ko) | 2016-12-15 | 2022-12-15 | 플라즈마 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016243451A JP6948788B2 (ja) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018098094A JP2018098094A (ja) | 2018-06-21 |
JP6948788B2 true JP6948788B2 (ja) | 2021-10-13 |
Family
ID=62561944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016243451A Active JP6948788B2 (ja) | 2016-12-15 | 2016-12-15 | プラズマ処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10825663B2 (ja) |
JP (1) | JP6948788B2 (ja) |
KR (2) | KR102480180B1 (ja) |
TW (1) | TWI757384B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220102119A1 (en) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US11984302B2 (en) | 2020-11-03 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Magnetic-material shield around plasma chambers near pedestal |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3165941B2 (ja) * | 1993-10-04 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びその方法 |
JPH0822979A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Nec Corp | 基板処理方法および基板処理装置 |
JPH11340202A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-10 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP4285853B2 (ja) * | 1999-09-08 | 2009-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
US20030010454A1 (en) * | 2000-03-27 | 2003-01-16 | Bailey Andrew D. | Method and apparatus for varying a magnetic field to control a volume of a plasma |
CN100568461C (zh) | 2000-09-01 | 2009-12-09 | 信越化学工业株式会社 | 产生磁等离子体的磁场发生装置 |
WO2004019398A1 (ja) * | 2002-08-21 | 2004-03-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | マグネトロンプラズマ用磁場発生装置 |
EP1860680A1 (en) * | 2006-05-22 | 2007-11-28 | New Power Plasma Co., Ltd. | Inductively coupled plasma reactor |
KR101426225B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2014-08-06 | 위순임 | 기판 처리 시스템 및 방법 |
JP5584412B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2014-09-03 | 株式会社メイコー | プラズマ処理装置 |
JP6009171B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN105448635B (zh) * | 2014-08-28 | 2018-01-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法 |
-
2016
- 2016-12-15 JP JP2016243451A patent/JP6948788B2/ja active Active
-
2017
- 2017-12-04 TW TW106142345A patent/TWI757384B/zh active
- 2017-12-13 KR KR1020170171244A patent/KR102480180B1/ko active IP Right Grant
- 2017-12-13 US US15/840,636 patent/US10825663B2/en active Active
-
2020
- 2020-09-24 US US17/030,522 patent/US11450515B2/en active Active
-
2022
- 2022-12-15 KR KR1020220176332A patent/KR102585507B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11450515B2 (en) | 2022-09-20 |
US20180174806A1 (en) | 2018-06-21 |
US10825663B2 (en) | 2020-11-03 |
JP2018098094A (ja) | 2018-06-21 |
KR102480180B1 (ko) | 2022-12-21 |
KR20180069719A (ko) | 2018-06-25 |
KR102585507B1 (ko) | 2023-10-05 |
KR20230006779A (ko) | 2023-01-11 |
TWI757384B (zh) | 2022-03-11 |
TW201831057A (zh) | 2018-08-16 |
US20210013015A1 (en) | 2021-01-14 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200304 |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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