KR102480180B1 - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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신지 히모리
미츠노리 오하타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 피처리체에 도달하는 이온과 라디칼의 비율을 적절하게 제어하는 것을 과제로 한다.
플라즈마 처리 장치는, 처리 용기와, 처리 용기 내에 설치되며, 피처리체가 배치되는 배치대와, 배치대에 대향하는 대향면을 갖는 유전체와, 유전체의 대향면과는 반대측의 면에 설치되며, 유전체를 통해 플라즈마 여기용의 유도 전계를 처리 용기 내에 도입하는 평면형의 안테나와, 처리 용기의 외주를 따라 배치되며, 유도 전계에 기초한 플라즈마 내의 이온을 유전체의 대향면을 따라 이동시키는 자장을 처리 용기 내에 형성하는 전자석군을 갖는다.

Description

플라즈마 처리 장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 여러 가지의 측면 및 실시형태는, 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
유도 전계에 의한 플라즈마의 여기를 이용한 플라즈마 처리 장치가 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치는, 유도 결합형 플라즈마 처리 장치라고 불린다. 유도 결합형 플라즈마 처리 장치는, 예컨대, 처리 용기, 배치대, 유전체 및 안테나 등을 구비한다. 배치대는, 처리 용기 내에 설치되며, 피처리체가 배치되는 것이다. 유전체는, 배치대의 상방에 설치된다. 안테나는, 유전체 상에 설치된 평면형의 안테나이며, 유전체를 통해 플라즈마 여기용의 유도 전계를 처리 용기 내에 도입한다.
유도 결합형 플라즈마 처리 장치에서는, 안테나로부터 처리 용기 내에 도입된 유도 전계에 의해 처리 용기 내의 가스가 해리되어 플라즈마가 생성된다. 플라즈마에는, 이온 및 라디칼 등의 활성종이 포함되어 있다. 플라즈마에 포함되는 이온 및 라디칼이 배치대에 배치된 피처리체에 도달하여 피처리체의 표면과 반응함으로써, 에칭이나 성막 등의 플라즈마 처리가 행해진다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2010-153274호 공보
그러나, 종래 기술에서는, 피처리체에 도달하는 이온과 라디칼의 비율을 적절히 제어하는 것까지는 고려되어 있지 않다.
개시하는 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시양태에 있어서, 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에 설치되며, 피처리체가 배치되는 배치대와, 상기 배치대에 대향하는 대향면을 갖는 유전체와, 상기 유전체의 상기 대향면과는 반대측의 면에 설치되며, 상기 유전체를 통해 플라즈마 여기용의 유도 전계를 상기 처리 용기 내에 도입하는 평면형의 안테나와, 상기 처리 용기의 외주를 따라 배치되며, 상기 유도 전계에 기초한 플라즈마 내의 이온을 상기 유전체의 상기 대향면을 따라 이동시키는 자장을 상기 처리 용기 내에 형성하는 전자석군을 갖는다.
개시하는 플라즈마 처리 장치의 하나의 양태에 따르면, 피처리체에 도달하는 이온과 라디칼의 비율을 적절하게 제어할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 고주파 안테나의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 용기의 외주를 따라 배치된 전자석군의 일례를 모식적으로 나타내는 수평 단면도이다.
도 4는 전자석군에 의해 형성되는 수평 자장의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 용기의 외주를 따라 배치된 전자석군의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 수평 단면도이다.
도 6은 전자석군에 의해 형성되는 커스프 자장의 작용을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 자장 강도의 구배를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본원이 개시하는 플라즈마 처리 장치의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이는 것으로 한다.
(플라즈마 처리 장치의 구성예)
먼저, 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(100)의 구성예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 여기서는, 평면형의 고주파 안테나에 고주파 전력을 인가하여 처리 용기 내에 여기한 처리 가스의 플라즈마에 의해, 피처리체인 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 칭함)(W)에 미리 정해진 플라즈마 처리를 실시하는 유도 결합형 플라즈마 처리 장치를 예로 든다. 도 1은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(100)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1에 나타내는 고주파 안테나(140)의 구성예를 나타내는 평면도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치(100)는, 금속제(예컨대 알루미늄제)의 통형(예컨대 원통형)으로 형성된 처리 용기(챔버)(102)를 구비한다. 또한, 처리 용기(102)의 형상은 원통형에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 각통형(예컨대 상자형)이어도 좋다.
처리 용기(102)의 바닥부에는, 웨이퍼(W)를 배치하기 위한 배치대(110)가 설치되어 있다. 배치대(110)는, 알루미늄 등이며 대략 기둥형(예컨대 원기둥형)으로 성형되어 있다. 또한, 배치대(110)의 형상에 대해서도 원기둥형에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 각기둥형(예컨대 다각 기둥형)이어도 좋다. 또한, 도시는 하지 않지만, 배치대(110)에는 웨이퍼(W)를 쿨롱력에 의해 흡착 유지하는 정전 척, 히터나 냉매 유로 등의 온도 조정 기구 등, 필요에 따라 여러 가지 기능을 설치할 수 있다.
처리 용기(102)의 천장부에는, 예컨대 석영 유리나 세라믹 등으로 구성된 판형의 유전체(104)가 배치대(110)에 대향하도록 설치되어 있다. 구체적으로는 유전체(104)는 예컨대 원판형으로 형성되며, 처리 용기(102)의 천장부에 형성된 개구를 막도록 기밀하게 부착되어 있다. 유전체(104)는, 배치대(110)에 대향하는 대향면(104a)을 갖는다.
처리 용기(102)에는, 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 가스 등을 공급하는 가스 공급부(120)가 설치되어 있다. 가스 공급부(120)는 예컨대 도 1에 나타내는 바와 같이 구성된다. 즉, 처리 용기(102)의 측벽부에는 가스 도입구(121)가 형성되어 있고, 가스 도입구(121)에는 가스 공급 배관(123)을 통해 가스 공급원(122)이 접속되어 있다. 가스 공급 배관(123)의 도중에는 처리 가스의 유량을 제어하는 유량 제어기, 예컨대 매스 플로우 컨트롤러(124), 개폐 밸브(126)가 개재되어 있다. 이러한 가스 공급부(120)에 의하면, 가스 공급원(122)으로부터의 처리 가스는, 매스 플로우 컨트롤러(MFC)(124)에 의해 미리 정해진 유량으로 제어되어, 가스 도입구(121)로부터 처리 용기(102) 내에 공급된다.
도 1에서는 설명을 간단하게 하기 위해, 가스 공급부(120)를 일계통의 가스 라인으로 표현하고 있지만, 가스 공급부(120)는 단일의 가스종의 처리 가스를 공급하는 경우에 한정되는 것이 아니며, 복수의 가스종을 처리 가스로서 공급하는 것이어도 좋다. 이 경우에는, 복수의 가스 공급원을 설치하여 복수 계통의 가스 라인으로 구성하고, 각 가스 라인에 매스 플로우 컨트롤러를 설치하여도 좋다. 또한, 도 1에서는 가스 공급부(120)를 처리 용기(102)의 측벽부로부터 가스를 공급하도록 구성한 경우를 예로 들고 있지만, 반드시 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 처리 용기(102)의 천장부로부터 가스를 공급하도록 구성하여도 좋다. 이 경우에는, 예컨대 유전체(104)의 예컨대 중앙에 가스 도입구를 형성하고, 그곳으로부터 가스를 공급하도록 하여도 좋다.
이러한 가스 공급부(120)에 의해 처리 용기(102) 내에 공급하는 처리 가스로서는, 예컨대 산화막의 에칭에서는, Cl 등을 포함하는 할로겐계 가스가 이용된다. 구체적으로는 SiO2막 등의 실리콘 산화막을 에칭하는 경우에는, CHF3 가스 등이 처리 가스로서 이용된다. 또한, HfO2, HfSiO2, ZrO2, ZrSiO4 등의 고유전체 박막을 에칭하는 경우에는, BCl3 가스를 처리 가스로 하거나, BCl3 가스와 O2 가스의 혼합 가스를 처리 가스로서 이용한다.
처리 용기(102)의 바닥부에는, 처리 용기(102) 내의 분위기를 배출하는 배기부(130)가 배기관(132)을 통해 접속되어 있다. 배기부(130)는 예컨대 진공 펌프에 의해 구성되며, 처리 용기(102) 내를 미리 정해진 압력까지 감압할 수 있게 되어 있다. 처리 용기(102)의 측벽부에는 웨이퍼 반출입구(134)가 형성되고, 웨이퍼 반출입구(134)에는 게이트 밸브(136)가 설치되어 있다. 예컨대 웨이퍼(W)의 반입 시에는, 게이트 밸브(136)를 개방하여 도시하지 않는 반송 아암 등의 반송 기구에 의해 웨이퍼(W)를 처리 용기(102) 내의 배치대(110) 상에 배치하고, 게이트 밸브(136)를 폐쇄하여 웨이퍼(W)의 처리를 행한다.
유전체(104)의 대향면(104a)의 반대측의 면(104b)에는, 평면형의 고주파 안테나(140)가 배치된다. 고주파 안테나(140)는, 유전체(104)를 통해 플라즈마 여기용의 유도 전계를 처리 용기(102) 내에 도입한다. 고주파 안테나(140)는, 예컨대 구리, 알루미늄, 스테인레스 등의 도체로 구성된 소용돌이형의 안테나 소자(142)를 복수의 협지체(144)로 협지하여 이루어진다. 협지체(144)는 예컨대 도 2에 나타내는 바와 같이 봉형으로 형성하고, 3개의 협지체(144)를 안테나 소자(142)의 중앙 부근으로부터 그 외측으로 방사선형으로 배치한다.
안테나 소자(142)에는, 고주파 전원(150)이 접속되어 있다. 고주파 전원(150)은, 미리 정해진 주파수(예컨대 27.12 ㎒)의 고주파 전력을 안테나 소자(142)에 공급한다. 그리고, 고주파 전력이 공급된 안테나 소자(142)에 의해, 유전체(104)를 통해 처리 용기(102) 내에 플라즈마 여기용의 유도 전계가 도입된다. 그리고, 처리 용기(102) 내에 도입된 유도 전계에 의해, 처리 용기(102) 내에 도입된 가스가 여기되어 플라즈마가 생성되고, 애싱 처리, 에칭 처리, 성막 처리 등 웨이퍼(W)에 대한 미리 정해진 플라즈마 처리가 실행된다. 고주파 전원(150)으로부터 출력되는 고주파 전력은, 27.12 ㎒에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 13.56 ㎒, 60 ㎒ 등이어도 좋다. 단, 고주파 전원(150)으로부터 출력되는 고주파 전력에 따라 안테나 소자(142)의 전기적 길이를 조정할 필요가 있다.
또한, 고주파 안테나(140)는, 액츄에이터(148)에 의해 높이 조정을 할 수 있게 되어 있다.
처리 용기(102)의 천장부에는, 고주파 안테나(140)를 덮도록 대략 통형(예컨대 원통형)의 실드 부재(160)가 설치되어 있다. 또한, 실드 부재(160)의 형상은, 원통형에 한정되는 것이 아니다. 실드 부재(160)의 형상을 예컨대 각통형 등 다른 형상으로 하여도 좋지만, 처리 용기(102)의 형상에 맞추는 것이 바람직하다. 여기서는, 예컨대 처리 용기(102)를 대략 원통형으로 하고 있기 때문에, 그에 맞추어 실드 부재(160)도 대략 원통형으로 형성하고 있다. 또한, 처리 용기(102)가 대략 각통형이면, 실드 부재(160)도 대략 각통형으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 실드 부재(160)는, 액츄에이터(168)에 의해 높이 조정을 할 수 있게 되어 있다.
또한, 처리 용기(102)의 외주에는, 처리 용기(102)의 외주를 따라 전자석군(171)이 배치되어 있다. 전자석군(171)은, 고주파 안테나(140)로부터 처리 용기(102) 내에 도입되는 유도 전계에 기초하는 플라즈마 내의 이온을 유전체(104)의 대향면(104a)을 따라 이동시키는 자장을 처리 용기(102) 내에 형성한다. 전자석군(171)은, 후술하는 제어부(200)의 제어에 따라, 전자석군(171)의 자극을 설정한다.
도 3은 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(100)의 처리 용기(102)의 외주를 따라 배치된 전자석군(171)의 일례를 모식적으로 나타내는 수평단면도이다. 전자석군(171)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수의 전자석(172)이 링형으로 배치되어 구성된다. 도 3의 예에서는, 16개의 전자석(172)이 링형으로 배치되어 있다. 전자석군(171)에서는, 제어부(200)로부터의 「제1 전환 제어 신호」를 수취하면, 전자석군(171)의 둘레 방향에 있어서 구분된 2개의 구간 중 한쪽의 구간에 배치된 전자석(172)의 자극의 방향과, 다른쪽의 구간에 배치된 전자석(172)의 자극의 방향이 서로 반대 방향이 되도록, 각 전자석(172)의 자극이 설정된다. 도 3의 예에서는, 전자석군(171)의 둘레 방향에 있어서 좌측의 구간과 우측의 구간이 구분되고, 좌측의 구간에 배치된 8개의 전자석(172)의 자극의 방향과, 우측의 구간에 배치된 8개의 전자석(172)의 방향이 반대 방향으로 되어 있다. 전자석군(171)은, 도 3과 같이 설정된 각 전자석(172)의 자극에 기초하여, 처리 용기(102) 내의 중앙 공간 및 그 중앙 공간을 둘러싸는 외주 공간을 횡단하는 자장을 형성한다. 처리 용기(102) 내의 중앙 공간 및 그 중앙 공간을 둘러싸는 외주 공간을 횡단하는 자장은, 「수평 자장」이라고도 불린다. 여기서, 처리 용기(102) 내의 중앙 공간은, 예컨대, 처리 용기(102) 내의, 웨이퍼(W)의 영역에 대응하는 공간이다. 또한, 처리 용기(102) 내의 외주 공간은, 예컨대, 처리 용기(102) 내의, 웨이퍼(W)를 둘러싸는 영역에 대응하는 공간이다.
도 4는 전자석군(171)에 의해 형성되는 수평 자장의 작용을 설명하기 위한 도면이다. 고주파 안테나(140)로부터의 유도 전계에 기초한 플라즈마가 생성된 상태로, 전자석군(171)에 의해 처리 용기(102) 내에 수평 자장(M1)이 생성되면, 플라즈마 내의 전자는, 수평 자장(M1)의 자력선에 휘감겨 자속선을 따라 왕복 운동을 한다. 또한, 자속 밀도가 높을수록 라머 반경이 작아지기 때문에, 자속 밀도가 높은 자석의 높이의 위치의 전자 밀도는 높아지고, 주변(자석 중심으로부터 상하)의 전자 밀도는 낮아진다. 또한, 플라즈마 내의 양이온은, 전기적 중성을 유지하기 위해 전자에 끌어 당겨지기 때문에, 양이온의 높이 방향의 밀도도 자석 중심 높이에서 가장 높아진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 중앙 부분 및 엣지 부분의 양방에 있어서, 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 억제된다. 한편으로, 전기적으로 중성인 플라즈마 내의 라디칼은, 수평 자장(M1)으로부터 힘을 받는 일없이, 웨이퍼(W)를 향하여 강하한다. 결과로서, 웨이퍼(W)에 도달하는 이온과 라디칼의 비율이 적절하게 제어된다.
도 5는 본 실시형태에 따른 플라즈마 처리 장치(100)의 처리 용기(102)의 외주를 따라 배치된 전자석군(171)의 다른 일례를 모식적으로 나타내는 수평 단면도이다. 전자석군(171)은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 복수의 전자석(172)이 링형으로 배치되어 구성된다. 도 5의 예에서는, 16개의 전자석(172)이 링형으로 배치되어 있다. 전자석군(171)에서는, 제어부(200)로부터의 「제2 전환 제어 신호」를 수취하면, 전자석군(171)의 둘레 방향에 있어서 구분된 복수의 구간 중 서로 인접하는 구간에 배치된 전자석(172)의 자극의 방향이 서로 반대 방향이 되도록, 각 전자석(172)의 자극이 설정된다. 도 5의 예에서는, 전자석군(171)의 둘레 방향에 있어서 16개의 구간이 구분되고, 서로 인접하는 구간에 배치된 전자석(172)의 자극의 방향이 서로 반대 방향으로 되어 있다. 전자석군(171)은, 도 5와 같이 설정된 각 전자석(172)의 자극에 기초하여, 처리 용기(102) 내의 중앙 공간 및 그 중앙 공간을 둘러싸는 외주 공간 중, 처리 용기(102) 내의 외주 공간에만 존재하는 자장을 형성한다. 처리 용기(102) 내의 외주 공간에만 존재하는 자장은, 「커스프 자장」이라고도 불린다. 여기서, 처리 용기(102) 내의 중앙 공간은, 예컨대, 처리 용기(102) 내의, 웨이퍼(W)의 영역에 대응하는 공간이다. 또한, 처리 용기(102) 내의 외주 공간은, 예컨대, 처리 용기(102) 내의, 웨이퍼(W)를 둘러싸는 영역에 대응하는 공간이다.
도 6은 전자석군(171)에 의해 형성되는 커스프 자장의 작용을 설명하기 위한 도면이다. 고주파 안테나(140)로부터의 유도 전계에 기초한 플라즈마가 생성된 상태로, 전자석군(171)에 의해 처리 용기(102) 내에 커스프 자장(M2)이 생성되면, 플라즈마 내의 전자 중 처리 용기(102) 내의 외주 공간에 존재하는 전자는, 커스프 자장(M2)으로부터 받는 힘에 의해, 유전체(104)의 대향면(104a)을 따라 처리 용기(102) 내의 외주 공간을 이동한다. 그렇게 하면, 플라즈마 내의 양이온 중 처리 용기(102) 내의 외주 공간에 존재하는 양이온은, 전자에 끌어 당겨져, 유전체(104)의 대향면(104a)을 따라 처리 용기(102) 내의 외주 공간을 이동한다. 한편으로, 전기적으로 중성인 플라즈마 내의 라디칼과, 플라즈마 내의 양이온 중 처리 용기(102) 내의 중앙 공간에 존재하는 양이온은, 커스프 자장(M2)으로부터 힘을 받는 일없이, 웨이퍼(W)를 향하여 강하한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 엣지 부분에 있어서만 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 억제되는 한편, 웨이퍼(W)의 중앙 부분에 있어서 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 유지된다. 결과로서, 웨이퍼(W)에 도달하는 이온과 라디칼의 비율이 적절하게 제어된다.
도 1의 설명으로 되돌아간다. 플라즈마 처리 장치(100)에는, 제어부(전체 제어 장치)(200)가 접속되어 있고, 이 제어부(200)에 의해 플라즈마 처리 장치(100)의 각 부가 제어되도록 되어 있다. 또한, 제어부(200)에는, 오퍼레이터가 플라즈마 처리 장치(100)를 관리하기 위해 커맨드의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 플라즈마 처리 장치(100)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 조작부(210)가 접속되어 있다.
또한, 제어부(200)에는, 플라즈마 처리 장치(100)에서 실행되는 각종 처리를 제어부(200)의 제어로 실현하기 위한 프로그램이나 프로그램을 실행하기 위해 필요한 레시피 데이터 등이 기억된 기억부(220)가 접속되어 있다.
기억부(220)에는, 예컨대 웨이퍼(W)의 프로세스 처리를 실행시키기 위한 복수의 프로세스 처리 레시피 외에, 처리 용기(102) 내의 클리닝 처리 등 필요한 처리를 행하기 위한 레시피 등이 기억되어 있다. 이들 레시피는, 플라즈마 처리 장치(100)의 각 부를 제어하는 제어 파라미터, 설정 파라미터 등의 복수의 파라미터값을 통합한 것이다. 예컨대 프로세스 처리 레시피는, 예컨대 처리 가스의 유량비, 처리 용기 내압력, 고주파 전력 등의 파라미터값을 갖는다.
또한, 이들 레시피는 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되어 있어도 좋고, 또한 CD-ROM, DVD 등의 가반성의 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태로 기억부(220)의 미리 정해진 위치에 셋트하도록 되어 있어도 좋다.
제어부(200)는, 조작부(210)로부터의 지시 등에 기초하여 원하는 프로세스 처리 레시피를 기억부(220)로부터 읽어내어 각 부를 제어함으로써, 플라즈마 처리 장치(100)에서의 원하는 처리를 실행한다. 또한, 조작부(210)로부터의 조작에 의해 레시피를 편집할 수 있게 되어 있다.
제어부(200)는, 전자석군(171)의 각 전자석(172)의 자극을 제어함으로써, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 수평 자장 또는 커스프 자장으로 전환한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 플라즈마 처리 장치(100)에 의해 실행되는 플라즈마 처리 프로세스의 전환의 타이밍에 따라, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 수평 자장 또는 커스프 자장으로 전환한다. 이하에서는, 제어부(200)에 의한 자장의 전환 제어의 상세에 대해서 설명한다.
예컨대, 플라즈마 처리 장치(100)가, 제1 플라즈마 처리 프로세스, 제2 플라즈마 처리 프로세스 및 제3 플라즈마 처리 프로세스를 연속하여 실행하는 경우를 상정한다. 제1 플라즈마 처리 프로세스 및 제3 플라즈마 처리 프로세스에서는, 웨이퍼(W)에 도달하는 라디칼에 대한 이온의 비를 비교적 낮은 비로 유지함으로써 원하는 플라즈마 처리를 행할 수 있는 것으로 한다. 한편, 제2 플라즈마 처리 프로세스에서는, 웨이퍼(W)에 도달하는 라디칼에 대한 이온의 비를 비교적 높은 비로 유지함으로써 원하는 플라즈마 처리를 행할 수 있는 것으로 한다.
이 경우, 제어부(200)는, 제1 플라즈마 처리 프로세스가 실행되고 있는 기간에는, 상기 「제1 전환 제어 신호」를 이용하여, 전자석군(171)의 각 전자석(172)의 자극을 제어하여, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 수평 자장으로 전환한다. 이에 의해, 제1 플라즈마 처리 프로세스가 실행되고 있는 기간에는, 웨이퍼(W)의 중앙 부분 및 엣지 부분의 양방에 있어서, 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 억제된다. 결과로서, 웨이퍼(W)에 도달하는 라디칼에 대한 이온의 비가 비교적으로 낮은 비로 유지된다.
한편, 제어부(200)는, 제1 플라즈마 처리 프로세스로부터 제2 플라즈마 처리 프로세스로 전환되는 타이밍에, 상기 「제2 전환 제어 신호」를 이용하여, 전자석군(171)의 각 전자석(172)의 자극을 제어하여, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 커스프 자장으로 전환한다. 이에 의해, 제2 플라즈마 처리 프로세스가 실행되고 있는 기간에는, 웨이퍼(W)의 엣지 부분에 있어서만 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 억제되는 한편, 웨이퍼(W)의 중앙 부분에 있어서 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 유지된다. 결과로서, 웨이퍼(W)에 도달하는 라디칼에 대한 이온의 비가 비교적 높은 비로 유지된다.
그리고, 제어부(200)는, 제2 플라즈마 처리 프로세스로부터 제3 플라즈마 처리 프로세스로 전환되는 타이밍에, 상기 「제1 전환 제어 신호」를 이용하여, 전자석군(171)의 각 전자석(172)의 자극을 제어하여, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 수평 자장으로 재차 전환한다. 이에 의해, 제3 플라즈마 처리 프로세스가 실행되고 있는 기간에는, 웨이퍼(W)의 중앙 부분 및 엣지 부분의 양방에 있어서, 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 억제된다. 결과로서, 웨이퍼(W)에 도달하는 라디칼에 대한 이온의 비가 비교적 낮은 비로 유지된다.
또한, 제어부(200)는, 전자석군(171)의 각 전자석(172)에 흐르는 전류의 크기를 제어함으로써, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장의 자장 강도에 구배를 생성할 수 있다.
도 7은 자장 강도의 구배를 설명하기 위한 도면이다. 도 7에 있어서, 전자석군(171)에 의해 처리 용기(102) 내에 형성되는 자장은, 커스프 자장인 것으로 한다. 고주파 안테나(140)의 안테나 소자(142)는, 소용돌이형으로 배치되기 때문에, 처리 용기(102)에 있어서, 대응하는 안테나 소자(142)의 소용돌이형부의 수가 상대적으로 많은 공간(A1)과, 대응하는 안테나 소자(142)의 소용돌이형부의 수가 상대적으로 적은 공간(A2)이 존재한다. 공간(A1)에 대응하는 안테나 소자(142)의 소용돌이형부의 수는, 3개이고, 공간(A2)에 대응하는 안테나 소자(142)의 소용돌이형부의 수는, 2개이다. 고주파 안테나(140)로부터 처리 용기(102) 내에 도입되는 유도 전계의 전계 강도는, 안테나 소자(142)의 소용돌이형부의 수에 따라 변동된다. 도 7의 예에서는, 공간(A1)에 대응하는 안테나 소자(142)의 소용돌이형부의 수는, 공간(A2)에 대응하는 안테나 소자(142)의 소용돌이형부의 수보다 많기 때문에, 공간(A1)에 도입되는 유도 전계의 전계 강도는, 공간(A2)에 도입되는 유도 전계의 전계 강도보다 커진다. 그리고, 유도 전계의 전계 강도가 변동되면, 고주파 안테나(140)로부터 처리 용기(102) 내에 도입되는 유도 전계에 기초한 플라즈마의 플라즈마 밀도의 분포가 처리 용기(102) 내에서 불균일해진다. 도 7의 예에서는, 공간(A1)에 도입되는 유도 전계의 전계 강도가, 공간(A2)에 도입되는 유도 전계의 전계 강도보다 크기 때문에, 공간(A1)의 플라즈마 밀도가, 공간(A2)의 플라즈마 밀도보다 커진다.
그래서, 플라즈마 밀도의 분포의 불균일을 개선하기 위해, 제어부(200)는, 전자석군(171)의 각 전자석(172)에 흐르는 전류의 크기를 제어함으로써, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장의 자장 강도에 구배를 생성한다. 구체적으로는, 제어부(200)는, 공간(A2)에 형성되는 자장의 자장 강도가, 공간(A1)에 형성되는 자장의 자장 강도보다 커지도록, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장의 자장 강도에 구배를 생성한다. 이에 의해, 공간(A2)에 끌어 당겨지는 전자 및 양이온이, 공간(A1)에 끌어 당겨지는 전자 및 양이온보다 많아져, 결과로서, 플라즈마 밀도의 분포를 균일화할 수 있다.
이상, 본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(100)에 의하면, 전자석군(171)을 처리 용기(102)의 외주를 따라 배치하기 때문에, 평면형의 고주파 안테나(140)로부터 도입되는 유도 전계에 기초한 플라즈마 내의 이온을 유전체(104)의 대향면(104a)을 따라 이동되는 자장을 형성할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 도달하는 양이온의 양이 억제된다. 결과로서, 웨이퍼(W)에 도달하는 이온과 라디칼의 비율을 적절하게 제어할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(100)에 의하면, 플라즈마 처리 장치(100)에 의해 실행되는 플라즈마 처리 프로세스의 전환의 타이밍에 따라, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 수평 자장 또는 커스프 자장으로 전환한다. 이에 의해, 복수의 플라즈마 처리 프로세스를 실행하는 경우에, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 각 플라즈마 처리 프로세스에 알맞은 자장으로 전환할 수 있다.
또한, 본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(100)에 의하면, 전자석군(171)의 각 전자석(172)에 흐르는 전류의 크기를 제어함으로써, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장의 자장 강도에 구배를 생성한다. 이에 의해, 플라즈마 밀도의 분포를 균일화할 수 있다.
또한, 개시된 기술은, 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지의 범위 내에서 수많은 변형이 가능하다.
예컨대, 상기한 실시형태에서는, 처리 용기(102)의 외주를 따라 전자석군(171)이 배치되는 예를 나타내었지만, 플라즈마 처리 장치(100)는, 처리 용기(102)의 중심축을 중심으로 하여 전자석군(171)을 회전 가능하게 지지하는 지지 부재를 더 가져도 좋다. 이 경우, 제어부(200)는 또한, 지지 부재를 제어하여, 전자석군(171)에 의해 형성되는 자장을 처리 용기(102)의 중심축을 중심으로 하여 회전시켜도 좋다. 이에 의해, 플라즈마 밀도의 분포를 보다 효율적으로 균일화할 수 있다.
100: 플라즈마 처리 장치 102: 처리 용기
104: 유전체 104a: 대향면
104b: 면 110: 배치대
120: 가스 공급부 121: 가스 도입구
122: 가스 공급원 123: 가스 공급 배관
124: 매스 플로우 컨트롤러 126: 개폐 밸브
130: 배기부 132: 배기관
134: 웨이퍼 반출입구 136: 게이트 밸브
140: 고주파 안테나 142: 안테나 소자
144: 협지체 148: 액츄에이터
150: 고주파 전원 160: 실드 부재
168: 액츄에이터 171: 전자석군
172: 전자석 200: 제어부
210: 조작부 220: 기억부
W: 웨이퍼

Claims (7)

  1. 제1 공간 및 제2 공간을 포함하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 설치되며, 피처리체가 배치되는 배치대와,
    상기 배치대에 대향하는 대향면을 포함하는 유전체와,
    복수의 협지체에 의해 협지된 도체로 구성된 소용돌이형의 안테나 소자를 갖고, 상기 유전체의 상기 대향면과는 반대측의 면에 설치되며, 상기 유전체를 통해 플라즈마 여기용의 유도 전계를 상기 처리 용기 내에 도입하는 평면형의 안테나와,
    상기 처리 용기의 외주를 따라서 배치되며, 상기 유도 전계에 기초한 플라즈마 내의 이온을 상기 유전체의 상기 대향면을 따라 이동시키는 수평 자장을 상기 처리 용기 내에 형성하는 전자석군과,
    상기 전자석군의 각 전자석에 흐르는 전류의 크기를 서로 다르게 제어하여, 상기 전자석군에 의해 형성되는 상기 수평 자장의 자장 강도에 구배를 생성하는 제어부를 포함하고,
    상기 처리 용기의 상기 제2 공간은 상기 처리 용기의 상기 제1 공간보다 상기 소용돌이형의 안테나 소자의 더 적은 수의 소용돌이형부를 갖고,
    상기 제2 공간에 형성된 상기 수평 자장의 자장 강도가 상기 제1 공간에 형성된 상기 수평 자장의 자장 강도와 상이하도록, 상기 제어부는 상기 피처리체의 둘레를 따라 상기 수평 자장의 자장 강도에 구배를 생성하고,
    상기 제2 공간에 형성된 상기 수평 자장의 자장 강도가 상기 제1 공간에 형성된 상기 수평 자장의 자장 강도보다 크도록, 상기 피처리체의 둘레를 따라 상기 전자석군에 의해 형성되는 상기 수평 자장의 자장 강도에 구배를 생성하기 위하여, 상기 제어부는 상기 전자석군의 각 전자석에 흐르는 전류의 크기를 서로 다르게 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전자석군은, 상기 수평 자장으로서, 상기 처리 용기 내의 중앙 공간 및 상기 중앙 공간을 둘러싸는 외주 공간을 횡단하는 자장을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전자석군은, 상기 수평 자장으로서, 상기 처리 용기 내의 중앙 공간 및 상기 중앙 공간을 둘러싸는 외주 공간 중, 상기 처리 용기 내의 상기 외주 공간에만 존재하는 자장을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 전자석군의 각 전자석의 자극을 제어함으로써, 상기 전자석군에 의해 형성되는 상기 수평 자장을, 상기 처리 용기 내의 중앙 공간 및 상기 중앙 공간을 둘러싸는 외주 공간을 횡단하는 제1 자장, 또는 상기 처리 용기 내의 상기 외주 공간에만 존재하는 제2 자장으로 전환하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 상기 플라즈마 처리 장치에 의해 실행되는 플라즈마 처리 프로세스의 전환의 타이밍에 따라, 상기 전자석군에 의해 형성되는 상기 수평 자장을 상기 제1 자장 또는 상기 제2 자장으로 전환하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 처리 용기의 중심축을 중심으로 하여 상기 전자석군을 회전 가능하게 지지하는 지지 부재를 더 포함하고,
    상기 제어부는 또한, 상기 지지 부재를 제어하여, 상기 전자석군에 의해 형성되는 상기 수평 자장을 상기 처리 용기의 중심축을 중심으로 하여 회전시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220102119A1 (en) * 2020-09-25 2022-03-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US11984302B2 (en) 2020-11-03 2024-05-14 Applied Materials, Inc. Magnetic-material shield around plasma chambers near pedestal

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077095A (ja) 1999-09-08 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
KR100863098B1 (ko) 2000-09-01 2008-10-13 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 마그네트론 플라즈마용 자장 발생 장치, 이 자장 발생장치를 이용한 플라즈마 에칭 장치 및 방법
JP2010153274A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Meiko:Kk プラズマ処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3165941B2 (ja) * 1993-10-04 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びその方法
JPH0822979A (ja) * 1994-07-07 1996-01-23 Nec Corp 基板処理方法および基板処理装置
JPH11340202A (ja) * 1998-05-25 1999-12-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US20030010454A1 (en) * 2000-03-27 2003-01-16 Bailey Andrew D. Method and apparatus for varying a magnetic field to control a volume of a plasma
AU2003257652A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Magnetron plasma-use magnetic field generation device
TWI435663B (zh) * 2006-05-22 2014-04-21 Gen Co Ltd 電漿反應器
KR101426225B1 (ko) * 2007-05-17 2014-08-06 위순임 기판 처리 시스템 및 방법
JP6009171B2 (ja) * 2012-02-14 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN105448635B (zh) * 2014-08-28 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077095A (ja) 1999-09-08 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US6514377B1 (en) * 1999-09-08 2003-02-04 Tokyo Electron Limited Apparatus for and method of processing an object to be processed
JP4285853B2 (ja) 1999-09-08 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 処理方法
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