JP2002208531A - 薄膜構造体の製造方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置 - Google Patents
薄膜構造体の製造方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置Info
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- JP2002208531A JP2002208531A JP2001003921A JP2001003921A JP2002208531A JP 2002208531 A JP2002208531 A JP 2002208531A JP 2001003921 A JP2001003921 A JP 2001003921A JP 2001003921 A JP2001003921 A JP 2001003921A JP 2002208531 A JP2002208531 A JP 2002208531A
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高アスペクト比で0.2μm以下のトラック
幅に対応すること。 【解決手段】 ギャップ膜20上にレジストパターン2
2を形成し、レジストパターン22の側面23aを成膜
対象として、磁性体ターゲット42をスパッタリング
し、磁性体ターゲット42から放出された成膜粒子48
を側面23aに向けて飛行させてレジストパターン22
に成膜粒子48を付着させ、その後、レジストパターン
22上の薄膜30bに向けてエッチング粒子49を照射
し、レジストパターン22から薄膜30b、30cを除
去し、側面23aに成膜された薄膜30aのみを残し、
この後レジストパターン22を除去し、幅0.2μm、
高さ1.5μmの薄膜30aを上部磁気コア先端部21
として形成する。
幅に対応すること。 【解決手段】 ギャップ膜20上にレジストパターン2
2を形成し、レジストパターン22の側面23aを成膜
対象として、磁性体ターゲット42をスパッタリング
し、磁性体ターゲット42から放出された成膜粒子48
を側面23aに向けて飛行させてレジストパターン22
に成膜粒子48を付着させ、その後、レジストパターン
22上の薄膜30bに向けてエッチング粒子49を照射
し、レジストパターン22から薄膜30b、30cを除
去し、側面23aに成膜された薄膜30aのみを残し、
この後レジストパターン22を除去し、幅0.2μm、
高さ1.5μmの薄膜30aを上部磁気コア先端部21
として形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜構造体の製造
方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置に係り、特
に、磁気データの記録・再生に用いられる磁気ヘッドを
製造するに好適な薄膜構造体の製造方法と磁気ヘッドの
製造方法およびその装置に関する。
方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置に係り、特
に、磁気データの記録・再生に用いられる磁気ヘッドを
製造するに好適な薄膜構造体の製造方法と磁気ヘッドの
製造方法およびその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク装置においては、記録媒体
上のデータは磁気ヘッドによって読み書き(記録・再
生)されるようになっており、この種の磁気ヘッドは、
一般に、磁気データを書き込む記録ヘッドと磁気データ
を読み出す再生ヘッドから構成されている。磁気ディス
クの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面
記録密度を高密度化する必要がある。この面記録密度の
向上を図るに際しては、トラック密度(半径方向の密
度)と、線記録密度(面記録密度=トラック密度×線密
度)を向上させることが必要である。このうちトラック
密度を向上させるためには、磁気ヘッドのトラック幅を
微細、高精度化する必要がある。この場合、記録ヘッド
に関しては、トラック幅を決定する上部磁気コア先端部
の幅を微細、高精度化する必要がある。
上のデータは磁気ヘッドによって読み書き(記録・再
生)されるようになっており、この種の磁気ヘッドは、
一般に、磁気データを書き込む記録ヘッドと磁気データ
を読み出す再生ヘッドから構成されている。磁気ディス
クの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面
記録密度を高密度化する必要がある。この面記録密度の
向上を図るに際しては、トラック密度(半径方向の密
度)と、線記録密度(面記録密度=トラック密度×線密
度)を向上させることが必要である。このうちトラック
密度を向上させるためには、磁気ヘッドのトラック幅を
微細、高精度化する必要がある。この場合、記録ヘッド
に関しては、トラック幅を決定する上部磁気コア先端部
の幅を微細、高精度化する必要がある。
【0003】記録ヘッドの上部磁気コアを形成するに際
しては、従来、イオンミリングなどのドライエッチング
を用いる方法およびフレームめっき法を用いる方法が広
く知られている。
しては、従来、イオンミリングなどのドライエッチング
を用いる方法およびフレームめっき法を用いる方法が広
く知られている。
【0004】イオンミリングなどのドライエッチングを
用いて上部磁気コアを形成するに際しては、パーマロイ
などの磁性膜をスパッタリング成膜などで形成した後、
この磁性膜上に、上部磁気コアに対応した形状のレジス
トパターンをリソグラフィにより形成し、次に、レジス
トパターンをマスクとして磁性膜にイオンミリングなど
のドライエッチングを施す手法が採用されている。
用いて上部磁気コアを形成するに際しては、パーマロイ
などの磁性膜をスパッタリング成膜などで形成した後、
この磁性膜上に、上部磁気コアに対応した形状のレジス
トパターンをリソグラフィにより形成し、次に、レジス
トパターンをマスクとして磁性膜にイオンミリングなど
のドライエッチングを施す手法が採用されている。
【0005】一方、フレームめっき法を用いて上部磁気
コアを形成するに際しては、めっき用の磁性膜シード層
を基板上にスパッタリング成膜などで形成した後、シー
ド層上に、上部磁気コアに対応した形状のレジストフレ
ームをリソグラフィにより形成し、レジストフレームで
囲まれた領域(凹部)にパーマロイなどの磁性膜をめっ
きし、しかる後に、レジストフレームを除去し、さらに
ドライエッチングなどにより、レジストフレームに対応
した形状のシード層を除去する手法が採用されている。
コアを形成するに際しては、めっき用の磁性膜シード層
を基板上にスパッタリング成膜などで形成した後、シー
ド層上に、上部磁気コアに対応した形状のレジストフレ
ームをリソグラフィにより形成し、レジストフレームで
囲まれた領域(凹部)にパーマロイなどの磁性膜をめっ
きし、しかる後に、レジストフレームを除去し、さらに
ドライエッチングなどにより、レジストフレームに対応
した形状のシード層を除去する手法が採用されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、磁気
ディスク装置の高記録密度化を達成するためには、磁気
ヘッドの狭トラック化および高精度化を図る必要があ
る。特に、記録ヘッドに関しては、磁気ディスクのトラ
ック部分に対応した上部磁気コア先端部での磁気的飽和
を避けるためには、上部磁気コア先端部の膜厚を厚くす
る必要があり、その膜厚は、1〜数μmが必要である。
しかし、このような厚い膜をイオンミリングなどのドラ
イエッチングで加工する方法では、加工時間が長くな
り、さらに、リソグラフィによって形成されたレジスト
パターンの寸法バラツキに、レジストパターンをマスク
として磁性膜をドライエッチングする際の寸法バラツキ
が重畳されるため、上部磁気コア先端部を高精度に形成
することが難しい。
ディスク装置の高記録密度化を達成するためには、磁気
ヘッドの狭トラック化および高精度化を図る必要があ
る。特に、記録ヘッドに関しては、磁気ディスクのトラ
ック部分に対応した上部磁気コア先端部での磁気的飽和
を避けるためには、上部磁気コア先端部の膜厚を厚くす
る必要があり、その膜厚は、1〜数μmが必要である。
しかし、このような厚い膜をイオンミリングなどのドラ
イエッチングで加工する方法では、加工時間が長くな
り、さらに、リソグラフィによって形成されたレジスト
パターンの寸法バラツキに、レジストパターンをマスク
として磁性膜をドライエッチングする際の寸法バラツキ
が重畳されるため、上部磁気コア先端部を高精度に形成
することが難しい。
【0007】一方、フレームめっき法では、レジストフ
レームの寸法精度がそのまま上部磁気コアの寸法精度の
バラツキになるので、寸法精度の点で、イオンミリング
などのドライエッチングを用いる方法に比べて有利であ
る。
レームの寸法精度がそのまま上部磁気コアの寸法精度の
バラツキになるので、寸法精度の点で、イオンミリング
などのドライエッチングを用いる方法に比べて有利であ
る。
【0008】しかし、レジストフレームに用いるレジス
トはめっき膜厚以上必要であるため、レジスト膜厚は、
2μm乃至10μmもの膜厚が必要であり、トラック幅
が0.2μm以下の上部磁気コア先端部を形成するに
は、レジストフレームに形成される溝部のアスペクト比
は10以上にもなる。このように、トラック幅が0.2
μm以下の上部磁気コア先端部の形成において、フレー
ムめっき法では、成膜時にレジストフレームの溝部の底
辺部から上部までめっき液の組成を均一に保つことが難
しく、磁性膜の膜質を均一に成膜することは困難であ
る。また、めっき液の組成に関しては、めっき成膜の容
易性と、成膜された磁性膜の磁気特性を独立して最適化
することができない。
トはめっき膜厚以上必要であるため、レジスト膜厚は、
2μm乃至10μmもの膜厚が必要であり、トラック幅
が0.2μm以下の上部磁気コア先端部を形成するに
は、レジストフレームに形成される溝部のアスペクト比
は10以上にもなる。このように、トラック幅が0.2
μm以下の上部磁気コア先端部の形成において、フレー
ムめっき法では、成膜時にレジストフレームの溝部の底
辺部から上部までめっき液の組成を均一に保つことが難
しく、磁性膜の膜質を均一に成膜することは困難であ
る。また、めっき液の組成に関しては、めっき成膜の容
易性と、成膜された磁性膜の磁気特性を独立して最適化
することができない。
【0009】また、磁気ディスク装置においては、通
常、高記録密度化と同時にデータの転送速度の向上が要
求される。このデータの転送速度の向上のためには、記
録ヘッドの記録速度の向上が不可欠であり、この記録速
度向上のためには、上部磁気コアの高周波特性の改善が
重要である。しかし、前記二つの従来技術による上部磁
気コア形成方法では、コア材として、高抵抗・高飽和密
度の材質のものを選ぶことができず、上部磁気コア先端
部の高周波特性を改善するにも限度があり、200MH
z以上の記録速度に対応するのは困難である。
常、高記録密度化と同時にデータの転送速度の向上が要
求される。このデータの転送速度の向上のためには、記
録ヘッドの記録速度の向上が不可欠であり、この記録速
度向上のためには、上部磁気コアの高周波特性の改善が
重要である。しかし、前記二つの従来技術による上部磁
気コア形成方法では、コア材として、高抵抗・高飽和密
度の材質のものを選ぶことができず、上部磁気コア先端
部の高周波特性を改善するにも限度があり、200MH
z以上の記録速度に対応するのは困難である。
【0010】本発明の課題は、高アスペクト比で0.2
μm以下のトラック幅に対応することができる薄膜構造
体の製造方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置を
提供することにある。
μm以下のトラック幅に対応することができる薄膜構造
体の製造方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置を
提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、基板上にパターンを形成するパターン形
成工程と、前記パターンの側面を成膜対象として前記パ
ターンに薄膜を成膜する成膜工程と、前記パターンに成
膜された薄膜のうち前記パターンの側面以外に成膜され
た薄膜を除去する薄膜除去工程とを含む薄膜構造体の製
造方法を採用したものである。
に、本発明は、基板上にパターンを形成するパターン形
成工程と、前記パターンの側面を成膜対象として前記パ
ターンに薄膜を成膜する成膜工程と、前記パターンに成
膜された薄膜のうち前記パターンの側面以外に成膜され
た薄膜を除去する薄膜除去工程とを含む薄膜構造体の製
造方法を採用したものである。
【0012】前記薄膜構造体の製造方法を採用するに際
しては、パターンとしてレジストパターンを用いること
ができるとともに、パターン形成工程においては、基板
上にリソグラフィによりレジストパターンを形成し、成
膜工程においては、レジストパターンの側面に向けて成
膜粒子を飛行させてレジストパターンに薄膜を成膜し、
薄膜除去工程の後は、レジストパターンの側面に成膜さ
れた薄膜からレジストパターンを除去するレジストパタ
ーン除去工程を付加することができる。
しては、パターンとしてレジストパターンを用いること
ができるとともに、パターン形成工程においては、基板
上にリソグラフィによりレジストパターンを形成し、成
膜工程においては、レジストパターンの側面に向けて成
膜粒子を飛行させてレジストパターンに薄膜を成膜し、
薄膜除去工程の後は、レジストパターンの側面に成膜さ
れた薄膜からレジストパターンを除去するレジストパタ
ーン除去工程を付加することができる。
【0013】前記各薄膜構造体の製造方法を採用するに
際しては、以下の要素を付加することができる。
際しては、以下の要素を付加することができる。
【0014】(1)前記パターン形成工程の後、前記成
膜工程と前記薄膜除去工程とを交互に複数回繰り返す。
膜工程と前記薄膜除去工程とを交互に複数回繰り返す。
【0015】(2)前記複数回繰り返される成膜工程の
うち相前後する成膜工程では材質の異なる薄膜を成膜す
る。
うち相前後する成膜工程では材質の異なる薄膜を成膜す
る。
【0016】(3)前記パターン形成工程では多角形の
パターンを形成し、前記成膜工程では前記多角形のパタ
ーンのうち特定の側面に向けてスパッタリングによる成
膜粒子を飛行させる。
パターンを形成し、前記成膜工程では前記多角形のパタ
ーンのうち特定の側面に向けてスパッタリングによる成
膜粒子を飛行させる。
【0017】(4)前記パターン形成工程では多角形の
パターンのうち成膜対象となる特定の側面と、この側面
と相隣接する側面との成す角を鋭角にして多角形のパタ
ーンを形成する。
パターンのうち成膜対象となる特定の側面と、この側面
と相隣接する側面との成す角を鋭角にして多角形のパタ
ーンを形成する。
【0018】前記いずれかの薄膜構造体の製造方法を磁
気ヘッドの製造方法に適用し、成膜工程における成膜粒
子として磁気ヘッドの一構成要素となる材質のものを用
いて磁気ヘッドを製造することができる。
気ヘッドの製造方法に適用し、成膜工程における成膜粒
子として磁気ヘッドの一構成要素となる材質のものを用
いて磁気ヘッドを製造することができる。
【0019】また、磁気ヘッドを製造するに際しては、
ギャップ膜上にリソグラフィによりレジストパターンを
形成するパターン形成工程と、前記レジストパターンの
側面に向けて成膜粒子を飛行させて前記レジストパター
ンに薄膜を成膜する成膜工程と、前記レジストパターン
に成膜された薄膜のうち前記レジストパターンの側面以
外に成膜された薄膜を除去する薄膜除去工程と、前記レ
ジストパターンの側面に成膜された薄膜から前記レジス
トパターンを除去するレジストパターン除去工程とを含
み、前記レジストパターンが除去された薄膜により記録
ヘッドの上部磁気コア先端部を形成することができる。
ギャップ膜上にリソグラフィによりレジストパターンを
形成するパターン形成工程と、前記レジストパターンの
側面に向けて成膜粒子を飛行させて前記レジストパター
ンに薄膜を成膜する成膜工程と、前記レジストパターン
に成膜された薄膜のうち前記レジストパターンの側面以
外に成膜された薄膜を除去する薄膜除去工程と、前記レ
ジストパターンの側面に成膜された薄膜から前記レジス
トパターンを除去するレジストパターン除去工程とを含
み、前記レジストパターンが除去された薄膜により記録
ヘッドの上部磁気コア先端部を形成することができる。
【0020】また、前記いずれかの磁気ヘッドの製造方
法によって製造された磁気ヘッドを構成することができ
るとともに、磁気ヘッドとして、記録ヘッドの上部磁気
コア先端部をトラック幅方向に沿って組成または磁化容
易方向が相異なる複数の膜で形成してなる磁気ヘッドを
構成することができる。
法によって製造された磁気ヘッドを構成することができ
るとともに、磁気ヘッドとして、記録ヘッドの上部磁気
コア先端部をトラック幅方向に沿って組成または磁化容
易方向が相異なる複数の膜で形成してなる磁気ヘッドを
構成することができる。
【0021】また、本発明は、製造装置として、パター
ンが形成された基板を保持する基板保持手段と、成膜粒
子を含むターゲットにスパッタ粒子を照射して前記ター
ゲットから前記基板上のパターンの側面に向けて成膜粒
子を放出させて前記パターンに薄膜を成膜する成膜手段
と、前記基板上のパターンの側面のうち成膜対象となる
側面と交差する方向から前記基板上のパターンに向けて
エッチング粒子を照射して前記パターンに成膜された薄
膜のうち前記成膜対象となるパターン側面以外に成膜さ
れた薄膜を除去するエッチング手段とを備え、前記成膜
手段は、前記ターゲットに対する前記スパッタ粒子の入
射角を前記基板の法線に対して70乃至90度に設定
し、前記基板上のパターンに対する前記エッチング粒子
の入射角を前記基板の法線に対して0乃至20度に設定
してなる磁気ヘッドの製造装置を構成したものである。
ンが形成された基板を保持する基板保持手段と、成膜粒
子を含むターゲットにスパッタ粒子を照射して前記ター
ゲットから前記基板上のパターンの側面に向けて成膜粒
子を放出させて前記パターンに薄膜を成膜する成膜手段
と、前記基板上のパターンの側面のうち成膜対象となる
側面と交差する方向から前記基板上のパターンに向けて
エッチング粒子を照射して前記パターンに成膜された薄
膜のうち前記成膜対象となるパターン側面以外に成膜さ
れた薄膜を除去するエッチング手段とを備え、前記成膜
手段は、前記ターゲットに対する前記スパッタ粒子の入
射角を前記基板の法線に対して70乃至90度に設定
し、前記基板上のパターンに対する前記エッチング粒子
の入射角を前記基板の法線に対して0乃至20度に設定
してなる磁気ヘッドの製造装置を構成したものである。
【0022】前記磁気ヘッドの製造装置を構成するに際
して、前記基板保持手段としては、スパッタリング成膜
時に、前記基板をその法線方法に沿って往復移動させて
なる機能を有するもので構成することができる。
して、前記基板保持手段としては、スパッタリング成膜
時に、前記基板をその法線方法に沿って往復移動させて
なる機能を有するもので構成することができる。
【0023】前記した手段によれば、パターンの側面を
成膜対象としてパターンに薄膜を成膜して薄膜構造体あ
るいは磁気ヘッドを形成するようにしているため、薄膜
構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気コア先端部の幅
(トラック幅に対応した幅)を任意に調整することがで
き、0.2μm以下のトラック幅に対応したものを製造
することができる。さらに、パターンの厚さによって薄
膜構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気コア先端部の高
さ(厚さ)を設定することができ、高アスペクト比のも
のを容易に製造することができる。
成膜対象としてパターンに薄膜を成膜して薄膜構造体あ
るいは磁気ヘッドを形成するようにしているため、薄膜
構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気コア先端部の幅
(トラック幅に対応した幅)を任意に調整することがで
き、0.2μm以下のトラック幅に対応したものを製造
することができる。さらに、パターンの厚さによって薄
膜構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気コア先端部の高
さ(厚さ)を設定することができ、高アスペクト比のも
のを容易に製造することができる。
【0024】また、成膜工程と薄膜除去工程とを交互に
複数回繰り返し、相前後する成膜工程では材質の異なる
薄膜を成膜することで、例えば、磁性体膜の間に絶縁膜
を形成することができ、絶縁膜によって渦電流が遮断さ
れるため、高周波記録時の渦電流損失が抑制され、20
0MHz以上の記録速度に対応することができる。
複数回繰り返し、相前後する成膜工程では材質の異なる
薄膜を成膜することで、例えば、磁性体膜の間に絶縁膜
を形成することができ、絶縁膜によって渦電流が遮断さ
れるため、高周波記録時の渦電流損失が抑制され、20
0MHz以上の記録速度に対応することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態を示す
磁気ヘッドの製造過程を説明するための図であって、
(a)は上部磁気コア先端部近傍の平面図、(b)は磁
気コア先端部近傍の縦断面図、図2は本実施形態におけ
る成膜工程と薄膜除去工程を説明するための図、図3は
本発明に係る磁気ヘッドの製造装置のブロック構成図、
図4は本発明に係る記録再生分離型磁気ヘッドの要部断
面斜視図である。
に基づいて説明する。図1は本発明の一実施形態を示す
磁気ヘッドの製造過程を説明するための図であって、
(a)は上部磁気コア先端部近傍の平面図、(b)は磁
気コア先端部近傍の縦断面図、図2は本実施形態におけ
る成膜工程と薄膜除去工程を説明するための図、図3は
本発明に係る磁気ヘッドの製造装置のブロック構成図、
図4は本発明に係る記録再生分離型磁気ヘッドの要部断
面斜視図である。
【0026】記録再生分離型磁気ヘッドは、図4に示す
ように、下部シールド18上に磁気抵抗効果膜15を間
にして積層されたハードバイアス膜17と、ハードバイ
アス膜17上に積層された電極16、電極16上に積層
された上部シールド19とを有する再生ヘッド上に、上
部シールド19を下部磁極として共有し、上部シールド
19上に積層されたギャップ膜20と、ギャップ膜20
上に積層されたコイル絶縁膜2中に形成された、導体コ
イル1と上部磁気コア先端部21および上部磁気コア後
部23とを有する記録ヘッドが積層された構造となって
いる。
ように、下部シールド18上に磁気抵抗効果膜15を間
にして積層されたハードバイアス膜17と、ハードバイ
アス膜17上に積層された電極16、電極16上に積層
された上部シールド19とを有する再生ヘッド上に、上
部シールド19を下部磁極として共有し、上部シールド
19上に積層されたギャップ膜20と、ギャップ膜20
上に積層されたコイル絶縁膜2中に形成された、導体コ
イル1と上部磁気コア先端部21および上部磁気コア後
部23とを有する記録ヘッドが積層された構造となって
いる。
【0027】上記記録再生分離型磁気ヘッドのうち上部
磁気コア先端部21を製造の対象とし、上部磁気コア先
端部21を製造するための製造装置は、図3に示すよう
に、パターン形成工程でレジストパターンが形成された
基板43を保持する基板保持手段としての基板ホルダ4
4と、スパッタ粒子47を生成するスパッタリング成膜
用イオン源41と、成膜粒子48を含む磁性体ターゲッ
ト42と、基板43に向けてエッチング粒子として、例
えばアルゴンイオンを照射するエッチング用イオン源4
5と、基板43表面に磁場を形成し、基板43に成膜さ
れる薄膜の磁化容易方向を制御するための磁石46を備
えて構成されている。
磁気コア先端部21を製造の対象とし、上部磁気コア先
端部21を製造するための製造装置は、図3に示すよう
に、パターン形成工程でレジストパターンが形成された
基板43を保持する基板保持手段としての基板ホルダ4
4と、スパッタ粒子47を生成するスパッタリング成膜
用イオン源41と、成膜粒子48を含む磁性体ターゲッ
ト42と、基板43に向けてエッチング粒子として、例
えばアルゴンイオンを照射するエッチング用イオン源4
5と、基板43表面に磁場を形成し、基板43に成膜さ
れる薄膜の磁化容易方向を制御するための磁石46を備
えて構成されている。
【0028】イオン源41は、磁性体ターゲット42に
スパッタ粒子47を照射して磁性体ターゲット42から
成膜粒子48を放出させて基板43上のレジストパター
ンに薄膜を成膜する成膜手段として構成されている。エ
ッチング用イオン源45は、基板43上のレジストパタ
ーンに向けてエッチング粒子49を照射して基板43上
のレジストパターンに成膜された薄膜のうち成膜対象と
なるレジストパターン側面以外に成膜された薄膜を除去
するエッチング手段として構成されている。
スパッタ粒子47を照射して磁性体ターゲット42から
成膜粒子48を放出させて基板43上のレジストパター
ンに薄膜を成膜する成膜手段として構成されている。エ
ッチング用イオン源45は、基板43上のレジストパタ
ーンに向けてエッチング粒子49を照射して基板43上
のレジストパターンに成膜された薄膜のうち成膜対象と
なるレジストパターン側面以外に成膜された薄膜を除去
するエッチング手段として構成されている。
【0029】そして、本実施形態においては、例えば、
基板43上に1mm間隔で配置された磁気ヘッド数万個
に対し一度に成膜することを考慮し、磁性体ターゲット
42に対するスパッタ粒子47の入射角が基板43の法
線方向に対して70乃至90度、より好ましくは75乃
至85度の見込み角となる位置関係を保って基板43、
ターゲット42、イオン源41が配置されている。さら
に、イオン源45は、基板43上のレジストパタンに対
するエッチング粒子49の入射角が基板43の法線に対
して0乃至20度となる位置関係を保って配置されてい
る。
基板43上に1mm間隔で配置された磁気ヘッド数万個
に対し一度に成膜することを考慮し、磁性体ターゲット
42に対するスパッタ粒子47の入射角が基板43の法
線方向に対して70乃至90度、より好ましくは75乃
至85度の見込み角となる位置関係を保って基板43、
ターゲット42、イオン源41が配置されている。さら
に、イオン源45は、基板43上のレジストパタンに対
するエッチング粒子49の入射角が基板43の法線に対
して0乃至20度となる位置関係を保って配置されてい
る。
【0030】また、本実施形態においては、スパッタリ
ング成膜時には、基板43をその法線方向に沿って往復
移動させる駆動機構(図示省略)を基板ホルダ44に連
結する構成を採用している。
ング成膜時には、基板43をその法線方向に沿って往復
移動させる駆動機構(図示省略)を基板ホルダ44に連
結する構成を採用している。
【0031】次に、記録再生分離型磁気ヘッドのうち記
録ヘッドの上部磁気コア先端部21を製造するに際して
は、ギャップ膜20およびコイル絶縁膜2が形成された
状態で、レジスト塗布、露光、現像の各工程を経て、図
1(a)に示すように、ギャップ膜20上に多角形(台
形形状)のレジストパターン22を形成する。この場
合、本実施形態においては、レジストパターン22のう
ち側面23aを成膜対象となる特定の側面として、特定
の側面23aと相隣接する他の側面23b、23cとが
それぞれ鋭角を成すようにレジストパターン22が形成
されている。またレジストパターン22の高さは上部磁
気コア先端部21の厚さに対応させて1.5μmであ
る。
録ヘッドの上部磁気コア先端部21を製造するに際して
は、ギャップ膜20およびコイル絶縁膜2が形成された
状態で、レジスト塗布、露光、現像の各工程を経て、図
1(a)に示すように、ギャップ膜20上に多角形(台
形形状)のレジストパターン22を形成する。この場
合、本実施形態においては、レジストパターン22のう
ち側面23aを成膜対象となる特定の側面として、特定
の側面23aと相隣接する他の側面23b、23cとが
それぞれ鋭角を成すようにレジストパターン22が形成
されている。またレジストパターン22の高さは上部磁
気コア先端部21の厚さに対応させて1.5μmであ
る。
【0032】レジストパターン22を形成した後は、後
で上部磁気コア先端部21を成すところの薄膜を生成す
る。この薄膜の成膜工程においては、図1(b)、図2
(a)、図3に示すように、まず、図3に示すイオン源
41からアルゴンイオンなどで構成されるスパッタ粒子
47を磁性体ターゲット42に向けて照射する。磁性体
ターゲット42は、例えば、パーマロイなどの所定の組
成を有するもので構成されており、磁性体ターゲット4
2にスパッタ粒子47が照射されると、磁性体ターゲッ
ト42からは磁性体の成膜粒子48が放出される。この
成膜粒子48は空間を飛行し、成膜粒子48の一部が、
基板ホルダ44に保持された基板43に付着する。これ
により、図2(a)に示すように、基板43表面に形成
されてあるギャップ膜20およびレジストパターン22
の表面上に磁性体の薄膜30(30a、30b、30
c)がスパッタリング成膜される。この成膜時において
は、磁石46によって基板43表面に磁場が形成されて
いるため、磁性体の薄膜30は磁化容易方向が制御され
た状態で成膜されることになる。
で上部磁気コア先端部21を成すところの薄膜を生成す
る。この薄膜の成膜工程においては、図1(b)、図2
(a)、図3に示すように、まず、図3に示すイオン源
41からアルゴンイオンなどで構成されるスパッタ粒子
47を磁性体ターゲット42に向けて照射する。磁性体
ターゲット42は、例えば、パーマロイなどの所定の組
成を有するもので構成されており、磁性体ターゲット4
2にスパッタ粒子47が照射されると、磁性体ターゲッ
ト42からは磁性体の成膜粒子48が放出される。この
成膜粒子48は空間を飛行し、成膜粒子48の一部が、
基板ホルダ44に保持された基板43に付着する。これ
により、図2(a)に示すように、基板43表面に形成
されてあるギャップ膜20およびレジストパターン22
の表面上に磁性体の薄膜30(30a、30b、30
c)がスパッタリング成膜される。この成膜時において
は、磁石46によって基板43表面に磁場が形成されて
いるため、磁性体の薄膜30は磁化容易方向が制御され
た状態で成膜されることになる。
【0033】また、スパッタリング成膜の際に、本実施
形態においては、レジストパターン22の側面のうち特
定の側面23aを成膜対象とし、成膜粒子48の入射角
が70乃至90度に設定されているため、レジストパタ
ーン22の上に成膜される薄膜30bおよびギャップ膜
20の上に成膜される薄膜30cは、レジストパターン
22の特定の側面23aに成膜される薄膜30aに比べ
て、数分の1程度の薄いものとなる。すなわち、薄膜3
0aの紙面左右方向の厚さ(幅)を0.2μmとなるよ
うに成膜すると、薄膜30b、30cの紙面上下方向の
厚さはともに0.04〜0.05μm程度に抑えられ、
成膜後の状態は図1(b)に示したものとなる。
形態においては、レジストパターン22の側面のうち特
定の側面23aを成膜対象とし、成膜粒子48の入射角
が70乃至90度に設定されているため、レジストパタ
ーン22の上に成膜される薄膜30bおよびギャップ膜
20の上に成膜される薄膜30cは、レジストパターン
22の特定の側面23aに成膜される薄膜30aに比べ
て、数分の1程度の薄いものとなる。すなわち、薄膜3
0aの紙面左右方向の厚さ(幅)を0.2μmとなるよ
うに成膜すると、薄膜30b、30cの紙面上下方向の
厚さはともに0.04〜0.05μm程度に抑えられ、
成膜後の状態は図1(b)に示したものとなる。
【0034】また、本実施形態においては、図1に示す
ように、レジストパターン22の特定の側面23aと、
側面23aと相隣接する側面23b、23cとはそれぞ
れ鋭角を成してレジストパターン22が形成されている
ので、基板面および特定の側面23aと垂直に交わる面
内にあって、図2(a)の点線矢印に示すように、入射
する成膜粒子48は、レジストパタン22の側面23
a、23cに付着することはなく、図1(b)に示すよ
うに、成膜対象以外の側面23b、23cに薄膜が成膜
されるのを防止することができる。
ように、レジストパターン22の特定の側面23aと、
側面23aと相隣接する側面23b、23cとはそれぞ
れ鋭角を成してレジストパターン22が形成されている
ので、基板面および特定の側面23aと垂直に交わる面
内にあって、図2(a)の点線矢印に示すように、入射
する成膜粒子48は、レジストパタン22の側面23
a、23cに付着することはなく、図1(b)に示すよ
うに、成膜対象以外の側面23b、23cに薄膜が成膜
されるのを防止することができる。
【0035】またスパッタリング成膜時には、基板ホル
ダ44を、矢印に示すように、駆動機構によって基板4
3の法線方向に沿って往復移動させながら成膜すること
で、基板ホルダ44を基板面方向に移動させた場合に比
べ、数分の1程度の小さい移動ストロークで基板面内方
向の成膜の均一性を向上させることができる。
ダ44を、矢印に示すように、駆動機構によって基板4
3の法線方向に沿って往復移動させながら成膜すること
で、基板ホルダ44を基板面方向に移動させた場合に比
べ、数分の1程度の小さい移動ストロークで基板面内方
向の成膜の均一性を向上させることができる。
【0036】以上説明したスパッタリング成膜法によれ
ば、レジストパターン22の特定の側面23aを成膜対
象として、磁性体ターゲット42をスパッタリングして
得られた成膜粒子48をレジストパターン22の特定の
側面23aに付着させるようにしているので、最適な磁
気特性を有する磁性膜を、組成を均一にした状態で成膜
することができる。またスパッタ粒子47の強度および
成膜時間を制御することで、側面23aに成膜される磁
性膜を所望の厚さに精度良く成膜することができる。
ば、レジストパターン22の特定の側面23aを成膜対
象として、磁性体ターゲット42をスパッタリングして
得られた成膜粒子48をレジストパターン22の特定の
側面23aに付着させるようにしているので、最適な磁
気特性を有する磁性膜を、組成を均一にした状態で成膜
することができる。またスパッタ粒子47の強度および
成膜時間を制御することで、側面23aに成膜される磁
性膜を所望の厚さに精度良く成膜することができる。
【0037】次に、特定の側面23aに薄膜を成膜した
後、イオンミリングなどのドライエッチングなどによっ
て不要な膜を除去する薄膜除去工程を図1(c)、図2
(b)、図3を用いて説明する。まず、図3に示すエッ
チング用イオン源45から、例えばアルゴンイオンなど
のエッチング粒子49を基板43に向けて放射する。こ
のとき、図2(b)に示すように、エッチング粒子49
の入射角を0乃至20度、より好ましくは5乃至15度
とすることにより、側面23aに付着された薄膜30a
をほとんどエッチングすることなく、主に、薄膜30
b、30cをエッチングすることができる。しかも、薄
膜30b、30cは厚さが0.04〜0.05μmとご
く薄いので、従来のドライエッチングによって高さ1.
5μmの上部磁気コア先端部を形成する場合に比べてエ
ッチング時間ははるかに短く、特定の側面23aに形成
されている薄膜30aの幅寸法精度を良好に保ちなが
ら、薄膜30b、30cを除去することができる。これ
により、薄膜除去工程(エッチング工程)後の状態は図
1(c)に示したものとなる。
後、イオンミリングなどのドライエッチングなどによっ
て不要な膜を除去する薄膜除去工程を図1(c)、図2
(b)、図3を用いて説明する。まず、図3に示すエッ
チング用イオン源45から、例えばアルゴンイオンなど
のエッチング粒子49を基板43に向けて放射する。こ
のとき、図2(b)に示すように、エッチング粒子49
の入射角を0乃至20度、より好ましくは5乃至15度
とすることにより、側面23aに付着された薄膜30a
をほとんどエッチングすることなく、主に、薄膜30
b、30cをエッチングすることができる。しかも、薄
膜30b、30cは厚さが0.04〜0.05μmとご
く薄いので、従来のドライエッチングによって高さ1.
5μmの上部磁気コア先端部を形成する場合に比べてエ
ッチング時間ははるかに短く、特定の側面23aに形成
されている薄膜30aの幅寸法精度を良好に保ちなが
ら、薄膜30b、30cを除去することができる。これ
により、薄膜除去工程(エッチング工程)後の状態は図
1(c)に示したものとなる。
【0038】最後に、レジストパターン除去工程に移行
し、レジストパターン22をレジストパターン除去用の
液体に浸して除去することにより、図1(d)に示すよ
うに、ギャップ膜20上には、高さが1.5μm、トラ
ック幅たる横幅が0.2μmの寸法の上部磁気コア先端
部21が薄膜構造体として薄膜30aによって形成され
る。
し、レジストパターン22をレジストパターン除去用の
液体に浸して除去することにより、図1(d)に示すよ
うに、ギャップ膜20上には、高さが1.5μm、トラ
ック幅たる横幅が0.2μmの寸法の上部磁気コア先端
部21が薄膜構造体として薄膜30aによって形成され
る。
【0039】これ以後、上部磁気コア先端部21をマス
クとし、ギャップ膜20および上部シールド19をイオ
ンミリングによりエッチングするポールトリミングと呼
ばれる工程を行うことで、上部シールド19上に、上部
磁気コア先端部21に対応した突起を上部シールド19
およびギャップ膜20に形成し、上部磁気コア先端部2
1からギャップ膜20側に発生する磁力線の広がりを抑
制することができる。しかる後、フレームめっき法など
により、上部磁気コア後部23を形成するとともに上部
磁気コア後部23と上部磁気コア先端部21とを一体に
形成し、またその他アルミナ保護膜の成膜、浮上面の形
成などの工程を経て磁気ヘッドが完成する。
クとし、ギャップ膜20および上部シールド19をイオ
ンミリングによりエッチングするポールトリミングと呼
ばれる工程を行うことで、上部シールド19上に、上部
磁気コア先端部21に対応した突起を上部シールド19
およびギャップ膜20に形成し、上部磁気コア先端部2
1からギャップ膜20側に発生する磁力線の広がりを抑
制することができる。しかる後、フレームめっき法など
により、上部磁気コア後部23を形成するとともに上部
磁気コア後部23と上部磁気コア先端部21とを一体に
形成し、またその他アルミナ保護膜の成膜、浮上面の形
成などの工程を経て磁気ヘッドが完成する。
【0040】以上説明したように、本実施形態の磁気ヘ
ッド製造方法によれば、高さ1.5μm、横幅が0.2
μmの寸法を有する高アスペクト比の上部磁気コア先端
部21を、最適な磁気特性を有する磁性膜によって、組
成を均一且つ寸法を高精度に形成することができる。し
かも、本実施形態によれば、前述した二つの従来技術に
よるものとは異なり、上記磁気コア先端部21の横幅が
小さくなる程、この横幅に比例して成膜時間および不要
膜の除去時間が短くなり、生産性の向上に寄与すること
ができる。
ッド製造方法によれば、高さ1.5μm、横幅が0.2
μmの寸法を有する高アスペクト比の上部磁気コア先端
部21を、最適な磁気特性を有する磁性膜によって、組
成を均一且つ寸法を高精度に形成することができる。し
かも、本実施形態によれば、前述した二つの従来技術に
よるものとは異なり、上記磁気コア先端部21の横幅が
小さくなる程、この横幅に比例して成膜時間および不要
膜の除去時間が短くなり、生産性の向上に寄与すること
ができる。
【0041】次に、本発明の第2実施形態を図5にした
がって説明する。図5は本発明の第2実施形態を示す上
部磁気コア先端部21の縦断面図である。本実施形態に
おける上部磁気コア先端部21は、トラック幅方向に沿
って組成が相異なる三層の膜で形成されている。すなわ
ち、上部磁気コア先端部21は、アルミナなどのごく薄
い絶縁膜30dを間にして、その両側を、パーマロイな
どの磁性体膜30a、30eで挟んだ構造となってい
る。
がって説明する。図5は本発明の第2実施形態を示す上
部磁気コア先端部21の縦断面図である。本実施形態に
おける上部磁気コア先端部21は、トラック幅方向に沿
って組成が相異なる三層の膜で形成されている。すなわ
ち、上部磁気コア先端部21は、アルミナなどのごく薄
い絶縁膜30dを間にして、その両側を、パーマロイな
どの磁性体膜30a、30eで挟んだ構造となってい
る。
【0042】本実施形態における上部磁気コア先端部2
1を製造するに際しては、前記実施形態と同様のパター
ン形成工程と、成膜工程および薄膜除去工程を経て、磁
性体膜30aを形成する。ただし、本実施形態における
薄膜(磁性体膜)30aの横幅は0.08μmである。
しかる後、図3における磁性体ターゲット42をアルミ
ナなどの絶縁物によるターゲットに変更し、図2に示す
ように、絶縁物のターゲットを用いて成膜工程および薄
膜除去工程を同様に実施することで、薄膜30aの片側
(側面)に絶縁膜30dを横幅0.01μm程度に形成
する。この後さらに、図3におけるターゲット42を磁
性体ターゲット42に変更し、図2に示すような成膜工
程および薄膜除去工程を同様に実施することで、絶縁膜
30dの片側(側面)に薄膜(磁性体膜)30eを横幅
0.08μm程度に形成する。最後に、レジストパター
ン22を除去することにより、図5に示すように、ギャ
ップ膜20上には、多層構造の薄膜構造体として、高さ
1.5μm、トラック幅0.17μmの寸法の上部磁気
コア先端部21が形成される。
1を製造するに際しては、前記実施形態と同様のパター
ン形成工程と、成膜工程および薄膜除去工程を経て、磁
性体膜30aを形成する。ただし、本実施形態における
薄膜(磁性体膜)30aの横幅は0.08μmである。
しかる後、図3における磁性体ターゲット42をアルミ
ナなどの絶縁物によるターゲットに変更し、図2に示す
ように、絶縁物のターゲットを用いて成膜工程および薄
膜除去工程を同様に実施することで、薄膜30aの片側
(側面)に絶縁膜30dを横幅0.01μm程度に形成
する。この後さらに、図3におけるターゲット42を磁
性体ターゲット42に変更し、図2に示すような成膜工
程および薄膜除去工程を同様に実施することで、絶縁膜
30dの片側(側面)に薄膜(磁性体膜)30eを横幅
0.08μm程度に形成する。最後に、レジストパター
ン22を除去することにより、図5に示すように、ギャ
ップ膜20上には、多層構造の薄膜構造体として、高さ
1.5μm、トラック幅0.17μmの寸法の上部磁気
コア先端部21が形成される。
【0043】上記のように、多層構造からなる上部磁気
コア先端部21を有する記録ヘッドを用いれば、絶縁膜
30dによって渦電流が遮断されるため、高周波記録時
の渦電流損失を抑制することができる。また薄膜(磁性
体膜)30a、30eを形成する結晶粒が小さくなるた
め、結晶の磁化応答が速くなる。この結果、本実施形態
による上部磁気コア先端部21を有する記録ヘッドは、
200MHz以上の記録速度に容易に対応することがで
きる。
コア先端部21を有する記録ヘッドを用いれば、絶縁膜
30dによって渦電流が遮断されるため、高周波記録時
の渦電流損失を抑制することができる。また薄膜(磁性
体膜)30a、30eを形成する結晶粒が小さくなるた
め、結晶の磁化応答が速くなる。この結果、本実施形態
による上部磁気コア先端部21を有する記録ヘッドは、
200MHz以上の記録速度に容易に対応することがで
きる。
【0044】なお、前記各実施形態においては、記録ヘ
ッドの上部磁気コア先端部21を形成するものについて
述べたが、例えば、薄膜構造体である薄膜をダイヤモン
ド状カーボンなどのマスク材として、幅が0.2μm以
下、高さが1.5μm以上のマスクパターンを形成する
ときのにも本発明を適用することができる。すなわち、
レジストパターン22の特定の側面にダイヤモンド状カ
ーボンをスパッタリングによって付着し、幅が0.2μ
m以下で高さが1.5μm以上のカーボンによるマスク
材を成膜し、このカーボン材をマスクパターンとして、
磁気抵抗効果膜上に配置し、磁気抵抗効果膜にドライエ
ッチングを施すことで、再生ヘッドの磁気抵抗効果膜1
5として、加工寸法が0.2μm以下の幅を有するもの
を微細加工することが可能になる。
ッドの上部磁気コア先端部21を形成するものについて
述べたが、例えば、薄膜構造体である薄膜をダイヤモン
ド状カーボンなどのマスク材として、幅が0.2μm以
下、高さが1.5μm以上のマスクパターンを形成する
ときのにも本発明を適用することができる。すなわち、
レジストパターン22の特定の側面にダイヤモンド状カ
ーボンをスパッタリングによって付着し、幅が0.2μ
m以下で高さが1.5μm以上のカーボンによるマスク
材を成膜し、このカーボン材をマスクパターンとして、
磁気抵抗効果膜上に配置し、磁気抵抗効果膜にドライエ
ッチングを施すことで、再生ヘッドの磁気抵抗効果膜1
5として、加工寸法が0.2μm以下の幅を有するもの
を微細加工することが可能になる。
【0045】前記各実施形態においては、薄膜形成後、
その周囲に絶縁膜を形成するために、ギャップ膜20上
のレジストパターン22をレジストパターン除去工程で
除去するものについて述べたが、ギャップ膜20上に、
絶縁膜となる材質のもの、例えば、アルミナによるパー
ンを形成すれば、パターンの特定の側面に薄膜を形成し
た後、パターンを除去する工程は不要となる。
その周囲に絶縁膜を形成するために、ギャップ膜20上
のレジストパターン22をレジストパターン除去工程で
除去するものについて述べたが、ギャップ膜20上に、
絶縁膜となる材質のもの、例えば、アルミナによるパー
ンを形成すれば、パターンの特定の側面に薄膜を形成し
た後、パターンを除去する工程は不要となる。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パターンの側面を成膜対象としてパターンに薄膜を成膜
して薄膜構造体あるいは磁気ヘッドを形成するようにし
ているため、薄膜構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気
コア先端部として、0.2μm以下のトラック幅に対応
したものを製造することができるとともに、パターンの
厚さによって薄膜構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気
コア先端部の高さ(厚さ)を設定することができ、高ア
スペクト比のものを容易に製造することができる。
パターンの側面を成膜対象としてパターンに薄膜を成膜
して薄膜構造体あるいは磁気ヘッドを形成するようにし
ているため、薄膜構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気
コア先端部として、0.2μm以下のトラック幅に対応
したものを製造することができるとともに、パターンの
厚さによって薄膜構造体あるいは磁気ヘッドの上部磁気
コア先端部の高さ(厚さ)を設定することができ、高ア
スペクト比のものを容易に製造することができる。
【図1】本発明の第1実施形態を示す磁気ヘッドの製造
過程を示す図であって、(A)は上部磁気コア先端部近
傍の平面図、(B)は上部磁気コア先端部近傍の縦断面
図である。
過程を示す図であって、(A)は上部磁気コア先端部近
傍の平面図、(B)は上部磁気コア先端部近傍の縦断面
図である。
【図2】(a)は薄膜の成膜工程を説明するための断面
図、(b)は薄膜除去工程を説明するための断面図であ
る。
図、(b)は薄膜除去工程を説明するための断面図であ
る。
【図3】本発明に係る磁気ヘッドの製造装置のブロック
構成図である。
構成図である。
【図4】本発明に係る記録再生分離型磁気ヘッドの要部
断面斜視図である。
断面斜視図である。
【図5】本発明の第2実施形態を示す上部磁気コア先端
部の縦断面図である。
部の縦断面図である。
1 導体 2 コイル絶縁膜 15 磁気抵抗効果膜 16 電極 17 ハードバイアス膜 18 下部シールド 19 上部シールド 20 ギャップ膜 21 上部磁気コア先端部 22 レジストパターン 23 上部磁気コア後部 23a、23b、23c 側面 30、30a、30b、30c、30e 薄膜(磁性体
膜) 30d 絶縁膜 41 スパッタリング成膜用イオン源 42 磁性体ターゲット 43 基板 44 基板ホルダ 45 エッチング用イオン源 46 磁石 47 スパッタ粒子 48 成膜粒子 49 エッチング粒子
膜) 30d 絶縁膜 41 スパッタリング成膜用イオン源 42 磁性体ターゲット 43 基板 44 基板ホルダ 45 エッチング用イオン源 46 磁石 47 スパッタ粒子 48 成膜粒子 49 エッチング粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清野 知之 茨城県日立市大みか町七丁目2番1号 株 式会社日立製作所電力・電機開発研究所内 Fターム(参考) 4K029 BB02 BB03 BC06 BD00 CA05 CA15 GA05 HA07 5D033 DA03 DA08 DA21 DA31 5E049 AA01 AA07 BA12 GC01
Claims (12)
- 【請求項1】 基板上にパターンを形成するパターン形
成工程と、前記パターンの側面を成膜対象として前記パ
ターンに薄膜を成膜する成膜工程と、前記パターンに成
膜された薄膜のうち前記パターンの側面以外に成膜され
た薄膜を除去する薄膜除去工程とを含む薄膜構造体の製
造方法。 - 【請求項2】 基板上にリソグラフィによりレジストパ
ターンを形成するパターン形成工程と、前記レジストパ
ターンの側面に向けて成膜粒子を飛行させて前記レジス
トパターンに薄膜を成膜する成膜工程と、前記レジスト
パターンに成膜された薄膜のうち前記レジストパターン
の側面以外に成膜された薄膜を除去する薄膜除去工程
と、前記レジストパターンの側面に成膜された薄膜から
前記レジストパターンを除去するレジストパターン除去
工程とを含む薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の薄膜構造体の
製造方法において、前記パターン形成工程の後、前記成
膜工程と前記薄膜除去工程とを交互に複数回繰り返すこ
とを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項4】 請求項3に記載の薄膜構造体の製造方法
において、前記複数回繰り返される成膜工程のうち相前
後する成膜工程では材質の異なる薄膜を成膜することを
特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1、2、3または4のうちいずれ
か1項に記載の薄膜構造体の製造方法において、前記パ
ターン形成工程では多角形のパターンを形成し、前記成
膜工程では前記多角形のパターンのうち特定の側面に向
けてスパッタリングによる成膜粒子を飛行させることを
特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項6】 請求項5に記載の薄膜構造体の製造方法
において、前記パターン形成工程では多角形のパターン
のうち成膜対象となる特定の側面と、この側面と相隣接
する側面との成す角を鋭角にして多角形のパターンを形
成することを特徴とする薄膜構造体の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1、2、3、4、5または6のう
ちいずれか1項に記載の薄膜構造体の製造方法におい
て、前記成膜工程における成膜粒子として磁気ヘッドの
一構成要素となる材質のものを用いて磁気ヘッドを製造
することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項8】 ギャップ膜上にリソグラフィによりレジ
ストパターンを形成するパターン形成工程と、前記レジ
ストパターンの側面に向けて成膜粒子を飛行させて前記
レジストパターンに薄膜を成膜する成膜工程と、前記レ
ジストパターンに成膜された薄膜のうち前記レジストパ
ターンの側面以外に成膜された薄膜を除去する薄膜除去
工程と、前記レジストパターンの側面に成膜された薄膜
から前記レジストパターンを除去するレジストパターン
除去工程とを含み、前記レジストパターンが除去された
薄膜により記録ヘッドの上部磁気コア先端部を形成する
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項9】 請求項7または8に記載の磁気ヘッドの
製造方法により製造されたことを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - 【請求項10】 記録ヘッドの上部磁気コア先端部をト
ラック幅方向に沿って組成または磁化容易方向が相異な
る複数の膜で形成してなる磁気ヘッド。 - 【請求項11】 パターンが形成された基板を保持する
基板保持手段と、成膜粒子を含むターゲットにスパッタ
粒子を照射して前記ターゲットから前記基板上のパター
ンの側面に向けて成膜粒子を放出させて前記パターンに
薄膜を成膜する成膜手段と、前記基板上のパターンの側
面のうち成膜対象となる側面と交差する方向から前記基
板上のパターンに向けてエッチング粒子を照射して前記
パターンに成膜された薄膜のうち前記成膜対象となるパ
ターン側面以外に成膜された薄膜を除去するエッチング
手段とを備え、前記成膜手段は、前記ターゲットに対す
る前記スパッタ粒子の入射角を前記基板の法線に対して
70乃至90度に設定し、前記基板上のパターンに対す
る前記エッチング粒子の入射角を前記基板の法線に対し
て0乃至20度に設定してなる磁気ヘッドの製造装置。 - 【請求項12】 請求項11に記載の磁気ヘッドの製造
装置において、前記基板保持手段は、スパッタリング成
膜時に、前記基板をその法線方向に沿って往復移動させ
てなることを特徴とする磁気ヘッドの製造装置。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2001003921A JP2002208531A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 薄膜構造体の製造方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置 |
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JP2001003921A JP2002208531A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 薄膜構造体の製造方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置 |
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JP2001003921A Pending JP2002208531A (ja) | 2001-01-11 | 2001-01-11 | 薄膜構造体の製造方法と磁気ヘッドの製造方法およびその装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2002208531A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200018278A (ko) * | 2018-08-10 | 2020-02-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
US11410837B2 (en) | 2016-11-04 | 2022-08-09 | Tokyo Electron Limited | Film-forming device |
-
2001
- 2001-01-11 JP JP2001003921A patent/JP2002208531A/ja active Pending
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KR102290842B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2021-08-17 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치 및 성막 방법 |
US11512388B2 (en) | 2018-08-10 | 2022-11-29 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
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