JPWO2003083837A1 - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

上部磁極と下部磁極との間で生じる漏れ磁界を抑えて高度の書き込み精度を備える薄膜磁気ヘッドを容易に生産可能とする。 薄膜磁気ヘッドの基体上に磁気抵抗効果素子１４、下部磁極２０、ライトギャップ層２４、上部磁極２６をこの順に積層して薄膜磁気ヘッドを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部磁極を形成した後、ライト磁極における上部磁極２６の幅寸法よりも幅広に下部磁極２０をパターン形成し、次いで、下部磁極２０と同一層に非磁性体からなる絶縁層３０を下部磁極とともに平坦化して形成し、下部磁極２０と絶縁層３０の表面にライトギャップ層２４を形成した後、ライトギャップ層２４の表面に上部磁極２４を形成し、最後に、ＦＩＢトリミングを施して下部磁極の側面部の張り出し部を除去する。

Description

技術分野
本発明は薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、より詳細にはライト磁極の構成を特徴とする薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
背景技術
図７〜１０は薄膜磁気ヘッドのライト磁極を形成する従来方法を示す説明図である。図７は、薄膜磁気ヘッドの浮上面の近傍の断面図を示す。１０はアルチック基板からなる薄膜磁気ヘッドの基体であり、基体１０の上に、下部シールド層１２、磁気抵抗効果素子１４、上部シールド層１６、リード／ライト間分離層１８、下部磁極２０がこの順に設けられている。
図８Ｂは、下部磁極２０の上に上部磁極２６を形成した状態を、薄膜磁気ヘッドの浮上面の近傍の断面図で示す。最終的に浮上面となる位置を破線Ａで示す。図８Ａは、上部磁極２６を形成した状態の平面図である。上部磁極２６はライト幅を狭くするため、浮上面の近傍部分で細幅に形成されている。下部磁極２０と上部磁極２６との間にはアルミナ等の非磁性材からなるライトギャップ層２４が設けられる。
上部磁極２６を形成した後、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）トリミングによって、図１０Ａ、１０Ｂに示すように、上部磁極２６の両側面の基部位置を下部磁極２０に向けて彫り込む。図１０Ａで、Ｂ部分がＦＩＢトリミングによって下部磁極２０が彫り込まれた部位である。
ＦＩＢトリミングは、上部磁極２６の両側面をトリミングすることによってライト幅を狭くし、ライト磁極による書き込み精度を向上させることと、上部磁極２６と下部磁極２０との間で生じる漏れ磁界を抑えることを目的としている。ＦＩＢトリミングによれば、下部磁極２０の側方に溝が形成され、上部磁極２６と下部磁極２０の側方の残留磁性体との間隔が広がって漏れ磁界を抑えることが可能になる。上部磁極２６と下部磁極２０との間で生じる漏れ磁界は、記録媒体に記録されている信号を消すように作用し、書き込み精度を低下させる。したがって、薄膜磁気ヘッドの特性を向上させるためには、上部磁極２６と下部磁極２０との間で生じる漏れ磁界をできるだけ抑えなければならない。
しかしながら、ＦＩＢトリミングを行っても、ライト磁極にＨｉＢｓ材層２２を設けたような場合は、上部磁極２６と下部磁極２０との間で漏れ磁界が生じやすくなる。そのため、このような場合には、図８Ｂに示すように、下部磁極２０の表面にＨｉＢｓ材層２２とライトギャップ層２４を形成し、上部磁極２６を形成した後、イオンミリングを施して磁性体であるＨｉＢｓ材層２２を除去するようにする。図１０Ａ、１０Ｂは、イオンミリングを行った後に、ＦＩＢトリミングを行った状態を示す。
しかしながら、図９Ａ、９Ｂに示すように、イオンミリングによってＨｉＢｓ材層２２を除去し、さらに下部磁極２０の厚さを薄くして、下部磁極２０の側方に残る磁性体と上部磁極２６との間隔を広げ、上部磁極２６と下部磁極２０との間の漏れ磁界を抑えるようにすると、同時に上部磁極２６もイオンミリングされるから、上部磁極２６の厚さが薄くなり、ライト磁極の書き込み能力が低下するという問題がある。
また、上部磁極２６と下部磁極２０との漏れ磁界をさらに抑えるために、下部磁極２０をＦＩＢトリミングする際の彫り込み量を大きくしたり、彫り込む領域を広げるようにすることも考えられる。しかしながら、ＦＩＢトリミングによって広い面積を処理するには処理時間が長くかかるし、ＦＩＢトリミングではトリミング位置を精度よく位置合わせして加工しなければならないから、生産性が著しく低下するという問題がある。
そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、上部磁極と下部磁極との間の漏れ磁界の問題を解消して高精度の書き込み精度を有する薄膜磁気ヘッドを提供し、また、この薄膜磁気ヘッドを製造する好適な製造方法を提供するにある。
発明の開示
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、リードヘッドに磁気抵抗効果素子、ライト磁極にインダクティブヘッドを積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁極が前記上部磁極に対向して上部磁極の下方にのみ設けられていることを特徴とする。
また、前記下部磁極の両側方に彫り込み溝が設けられ、彫り込み溝を挟んで下部磁極の両側に非磁性体からなる絶縁層が設けられていることを特徴とする。
また、前記ライトギャップ層と下部磁極との間にＨｉＢｓ材層が設けられていることを特徴とする。
また、薄膜磁気ヘッドの基体上に、磁気抵抗効果素子、下部磁極、ライトギャップ層、上部磁極をこの順に積層して薄膜磁気ヘッドを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記下部磁極を積層した後、ライト磁極における上部磁極の幅寸法よりも幅広に下部磁極をパターン形成し、次いで、所定のパターンに形成した下部磁極と同一層に非磁性体からなる絶縁層を下部磁極とともに平坦化して形成し、下部磁極と絶縁層の表面にライトギャップ層を形成した後、ライトギャップ層の表面に上部磁極を形成し、最後に、ＦＩＢトリミングを施して下部磁極の側面部の張り出し部を除去することを特徴とする。
また、前記下部磁極と同一層に絶縁層を形成した後、下部磁極と絶縁層の表面にＨｉＢｓ材層を形成し、該ＨｉＢｓ材層の表面にライトギャップ層を形成し、上部磁極を形成した後、イオンミリングを施して、上部磁極の側方に露出するライトギャップ層とＨｉＢｓ材層とを除去し、最後に、ＦＩＢトリミングを施して上部磁極と下部磁極の両側面をトリミングすることを特徴とする。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面とともに詳細に説明する。図１〜５は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明図である。
図１Ａ、１Ｂは薄膜磁気ヘッドの基体１０の上に、下部シールド層１２、磁気抵抗効果素子１４、上部シールド層１６、リード／ライト間分離層１８、下部磁極２０をこの順に形成した状態を示す。下部シールド層１２、上部シールド層１６、下部磁極２０はＮｉＦｅ等の磁性材料によって形成される。リード／ライト間分離層１８は非磁性材料、本実施形態ではアルミナによって形成している。
図１Ａ、１Ｂに示す製造方法は、本実施形態において特徴的な製造工程である。すなわち、基体１０の上に、下部シールド層１２、磁気抵抗効果素子１４、上部シールド層１６およびリード／ライト間分離層１８を形成することは従来方法と同様である。一方、下部磁極２０については、従来方法では、図７に示すように、リード／ライト間分離層１８の表面の全面にわたって形成しているのに対し、本実施形態においては、上部磁極２６のライト磁極の平面形状に合わせて下部磁極２０を形成する。図１Ａに、下部磁極２０の平面形状を示す。破線Ａはスライダーの浮上面を示す。
なお、下部磁極２０をパターン形成する場合、実際には、下部磁極２０の幅寸法をライト磁極での上部磁極２６の幅寸法よりも若干広く、かつ、下部磁極２０の側面部の張り出し部分が、ＦＩＢトリミングによって下部磁極２０の両側面を除去する加工範囲内にあるようにする。
下部磁極２０を所定のパターンに形成するには次の方法によればよい。まず、リード／ライト間分離層１８の表面にスパッタリングによりめっき給電層を形成し、次に、めっき給電層の表面をレジストにより被覆する。レジストを露光および現像して下部磁極２０を形成する部位を露出させた後、電解めっきによりめっき給電層の露出部分に下部磁極２０を盛り上げて形成する。最後に、めっき給電層の表面に被着しているレジストを除去し、めっき給電層の露出部分をエッチングして除去することにより、リード／ライト間分離層１８の表面に所定のパターンの下部磁極２０が形成される。
図２Ａ、２Ｂは、リード／ライト間分離層１８の表面を、下部磁極２０と非磁性体からなる絶縁層３０によって被覆した状態を示す。本実施形態では、リード／ライト間分離層１８の表面に下部磁極２０を形成した後、下部磁極２０を覆うようにリード／ライト間分離層１８の表面にアルミナをスパッタリングして被覆し、アルミナと下部磁極２０の頂部側とを研削して、下部磁極２０の表面とアルミナからなる絶縁層３０の表面を同一高さ面の平坦面になるように加工した。この研削加工の際には下部磁極２０の頂部側を研削して下部磁極２０を薄くするから、リード／ライト間分離層１８の表面に下部磁極２０を形成する際には、この研削加工の際の研削量を考慮して下部磁極２０の厚さを設定しておく必要がある。
図２Ａでは、研削加工によって、下部磁極２０とその両側にアルミナによる絶縁層３０が形成されていることを示す。
図３Ａ、３Ｂは、下部磁極２０と絶縁層３０とを形成した表面上に、ＨｉＢｓ材層２２を形成し、さらに非磁性材からなるライトギャップ層２４を形成した後、上部磁極２６を形成した状態を示す。ＨｉＢｓ材層２２は、ライト磁極の書き込み精度を上げるため、とくに飽和磁化の大きな磁性材を用いて形成した層である。
上部磁極２６はＮｉＦｅ等の磁性材によって形成する。上部磁極２６を所定パターンに形成する方法は、下部磁極２０を所定パターンに形成する方法とまったく同様である。
図３Ｂでは、上部磁極２６の磁極端部においては、上部磁極２６の幅寸法にくらべて下部磁極２０の幅寸法が広く、下部磁極２０の両側面が上部磁極２６の側面から張り出していることを示す。
図４Ａ、４Ｂは、イオンミルトリミングにより上部磁極２６の側方に露出するライトギャップ層２４とＨｉＢｓ材層２２とを除去した状態を示す。このイオンミルトリミングはライトギャップ層２４とＨｉＢｓ材層２２とを除去することを目的とするもので、下部磁極２０と絶縁層３０についてはわずかにトリミングしてこれらが露出するようにするだけでよい。イオンミルトリミングによると、ワークの表面全体が均等にトリミングされる。したがって、このイオンミルトリミングによって上部磁極２６もトリミングされて若干薄くなる。本実施形態では、ライトギャップ層２４とＨｉＢｓ材層２２とを除去するのみであるから、上部磁極２６が薄くなる量は従来の下部磁極２０をトリミングする場合（図９）にくらべてはるかに少なくなる。
なお、本実施形態では、イオンミルトリミング処理を施して上部磁極２６の側方に露出するライトギャップ層２４とＨｉＢｓ材層２２とを除去したが、ＨｉＢｓ材層２２に対するイオンミルトリミング処理を省略することは可能である。ただし、イオンミルトリミング処理を行ってＨｉＢｓ材層２２を除去しておくと、ライト磁極の近傍に不要な部材が残らないという利点がある。
図５Ａ、５Ｂは、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）トリミングにより、上部磁極２６の両側面部と下部磁極２０の両側面部をトリミングし、ライト磁極（浮上面近傍における磁極部分を意味する）を所定のライト幅に加工した状態を示す。ＦＩＢトリミングの場合はトリミングする部位をしぼって加工することが可能である。本実施形態では、上部磁極２６の両側面をトリミングするとともに、下部磁極２０については、下部磁極２０の側面から張り出している張り出し部を集中的に彫り込んで、下部磁極２０の側方に彫り込み溝３２を形成する。これによって、下部磁極２０の側方には彫り込み溝３２を挟んで絶縁層３０のみが残り、下部磁極２０等による磁性体が下部磁極２０の側方に残らないようにすることができる。彫り込み溝３２は後のプロセスにおいて絶縁物で埋められる。
ＦＩＢトリミングによれば、図５Ｂに示すように、上部磁極２６、ライトギャップ層２４、ＨｉＢｓ材層２２および下部磁極２０からなるライト磁極の断面形状が、上部磁極２６の頂部が下部磁極２０の底部よりも幅狭となる台形状になる。上部磁極２６と下部磁極２０の両側面はライトギャップ層２４とＨｉＢｓ材層２２を挟んで滑らかな傾斜面となる。
このように、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、ライト磁極を上部磁極２６の下方のみに下部磁極２０を形成した構成とし、下部磁極２０の側方に磁性体が残らない形態とすることにより、上部磁極２６と下部磁極２０との間で生じる漏れ磁界を完全に抑えることが可能となる。これにより、漏れ磁界によって記録媒体への書き込み精度を低下させるという問題を解消することができ、良好な特性を備えた薄膜磁気ヘッドとして提供することができる。図５Ａ、５Ｂのライト磁極の構成と図１０Ａ、１０Ｂに示す従来のライト磁極の構成とを比較すると、ライト磁極の構成の差異が明確である。
また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、リード／ライト間分離層１８の上に下部磁極２０を形成する際に、上部磁極２６のパターンに合わせて下部磁極２０をパターン化して形成する。下部磁極２０を所定のパターンに形成する場合でも、後工程のＦＩＢトリミングによって下部磁極２０の不要部分はトリミングするから、上部磁極２６のパターンと下部磁極２０のパターンとを完全に一致させる必要はなく、下部磁極２０をパターン形成する場合も少々のばらつきがあってもよく、下部磁極２０を作成する作業が容易である。
また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、下部磁極２０を所定のパターンに形成するといった処理の他は、上部磁極２６を形成すること、イオンミルトリミングを施すこと、ＦＩＢトリミングを施すこと等の処理は従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程と同様まったく同様である。したがって、従来の製造装置がそのまま利用できるという利点がある。また、最終的にライト磁極の形状を決めるＦＩＢトリミングについても、従来と同様に上部磁極２６の側面と下部磁極２０にかけてトリミングを行えば良いから、ＦＩＢトリミングの処理時間が長くなって生産性が低下するといった問題も生じない。
図６Ａ、６Ｂは、薄膜磁気ヘッドの浮上面に対して垂直方向の断面図を示す。ライトヘッド部の構成は従来の薄膜磁気ヘッドの構成と基本的に変わるものではない。図６Ａと６Ｂは、下部磁極２０の上にＨｉＢｓ材層２２を形成する場合に、ＨｉＢｓ材層２２を全面にわたって形成する例と、浮上面の近傍部分に形成した例を示している。
なお、薄膜磁気ヘッドの構成は上記実施形態の構成に限るものではない。たとえば、上記実施形態では上部シールド層１６と下部磁極２０とを別層に形成したが、上部シールド層１６と下部磁極２０とを共通に使用するといった構成も可能である。
発明の効果
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、上述したように、上部磁極と下部磁極との間で生じる漏れ磁界を効果的に抑えることができ、これによって高度の書き込み精度を備える品質の良い薄膜磁気ヘッドとして提供することができる。また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、従来の製造工程を大きく変えることなく、効率的に薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、下部磁極を形成した状態を示す平面図及び断面図、図２Ａ及び図２Ｂは、下部磁極と絶縁層を同一高さ面に形成した状態を示す平面図及び断面図、図３Ａ及び図３Ｂは、上部磁極を形成した状態を示す平面図及び断面図、図４Ａ及び図４Ｂは、イオンミリング工程を示す平面図及び断面図、図５Ａ及び図５Ｂは、ＦＩＢトリミング工程を示す平面図及び断面図、図６Ａ及び図６Ｂは、薄膜磁気ヘッドの断面図、図７は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法において下部磁極を形成した状態を示す断面図、図８Ａ及び図８Ｂは、上部磁極を形成した状態を示す平面図及び断面図、図９Ａ及び図９Ｂは、イオンミリング工程を示す平面図及び断面図、図１０Ａ及び図１０Ｂは、ＦＩＢトリミング工程を示す平面図及び断面図である。。

Claims (4)

1. リードヘッドに磁気抵抗効果素子、ライト磁極にインダクティブヘッドを積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、
   前記下部磁極が前記上部磁極に対向して上部磁極の下方にのみ設けられ、
   前記下部磁極の両側に下部磁極よりも膜厚の薄い非磁性体からなる絶縁層が設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. ライトギャップ層と下部磁極との間にＨｉＢｓ材層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 薄膜磁気ヘッドの基体上に、磁気抵抗効果素子、下部磁極、ライトギャップ層、上部磁極をこの順に積層して薄膜磁気ヘッドを形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
   前記下部磁極を積層した後、ライト磁極における上部磁極の幅寸法よりも幅広に下部磁極をパターン形成し、
   次いで、所定のパターンに形成した下部磁極と同一層に非磁性体からなる絶縁層を下部磁極とともに平坦化して形成し、
   下部磁極と絶縁層の表面にライトギャップ層を形成した後、ライトギャップ層の表面に上部磁極を形成し、
   最後に、ＦＩＢトリミングを施して下部磁極の側面部の張り出し部を除去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. 下部磁極と同一層に絶縁層を形成した後、下部磁極と絶縁層の表面にＨｉＢｓ材層を形成し、
   該ＨｉＢｓ材層の表面にライトギャップ層を形成し、上部磁極を形成した後、イオンミリングを施して、上部磁極の側方に露出するライトギャップ層とＨｉＢｓ材層とを除去し、
   最後に、ＦＩＢトリミングを施して上部磁極と下部磁極の両側面をトリミングすることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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