JPH0574127B2 - - Google Patents

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JPH0574127B2
JPH0574127B2 JP63220032A JP22003288A JPH0574127B2 JP H0574127 B2 JPH0574127 B2 JP H0574127B2 JP 63220032 A JP63220032 A JP 63220032A JP 22003288 A JP22003288 A JP 22003288A JP H0574127 B2 JPH0574127 B2 JP H0574127B2
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JP
Japan
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core
protective film
forming
lower core
pole
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    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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    • Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、磁気デイスク装置等に適用される
薄膜ヘツドの製造方法に関する。
［従来技術］ 第４図は従来の薄膜ヘツドの外観を示す平面図
である。この図において、１はウエハ、２は上コ
アである。上コア２の先端部には上ポール２ａが
形成されている。３はコイルであり、各端にはパ
ツド部４，４が接続されている。
次に、第５図は上記薄膜ヘツドの製造工程を示
す工程図である。なお、この工程図は第４図に示
す上下ポールの媒体（デイスク）と対向する面を
見たものである。以下、順次その製造工程につい
て説明する。
まず、ウエハ１面上にパーマロイ（NiFe）
をスパツタリング法または真空蒸着法またはメ
ツキ法等によつて断面長方形に形成して下コア
５を作成する（第５図イ参照）。なお、この図
において符号５ａは下ポールを示す。
次いで、下コア５を形成した後、スパツタリ
ング法等によつて、この下コア５を覆うように
アルミナ（Al2O3）を積層してギヤツプ層６を
形成する（第５図ロ参照）。
そして、ギヤツプ層６を形成した後、下コア
５上にコイル３（第４図参照）を形成する。こ
の場合、コイル３がこの下コア５および後の工
程で形成される上コア２に接触しないように同
コイルを絶縁層（図示略）で覆う。
次いで、コイル３およびこれを覆う絶縁層を
形成した後、スパツタリング等によつてギヤツ
プ層６の表面にパーマロイを積層してメツキ下
地７を形成する（第５図ハ参照）。
メツキ下地７を形成した後、下コア５の図面
両側部分に断面略長方形状の上コアメツキ用の
レジストフレーム８，９を形成する（第５図ニ
参照）。
続いて、レジストフレーム８，９を形成した
後、電気メツキ法等によつて、メツキ下地７の
表面にパーマロイを積層する（第５図ホ参照）。
これによつて、レジストフレーム８，９内に上
コア２が形成される。また、この図において、
符号２ａが形成される。また、下コア５と上コ
ア２がギヤツプ層６を介して対峙している部分
の幅がトラツク幅（すなわち、ポール２ａ，５
ａの幅）Twになる。
上コア２を形成した後、剥離液等によつてレ
ジストフレーム８，９を除去する。（第５図ヘ
参照）。
次いで、レジストフレーム８，９を除去した
後、これらを除去した部分から露出するメツキ
下地７をイオンミーリングによつて除去する
（第５図ト参照）。これによつて、ヘツドの該略
が形成される。
上記工程が終了した後、フオトリソグラフイ
によつて、上コア２を覆うようにコア部レジス
トマスク１０を形成する（第５図チ参照）。
次いで、コア部レジストマスク１０を形成し
た後、エツチング液によつて、ヘツドを形成す
る部分以外を除去する（第５図リ参照）。
最後に、ヘツド形成部分以外を除去した後、
剥離液等によつてコア部レジストマスク１０を
除去する（第５図ヌ参照）。
以上の工程により薄膜ヘツドが形成される。
［発明が解決しようとする課題］ ところで、上述した従来の薄膜ヘツドの製造方
法にあつては、上コアメツキ用レジストフレーム
８，９（第５図ニ参照）を形成する際にアライメ
ントずれが生じ易いという問題がある。例えば、
第６図に示すように、フレーム９が下コア５から
右側へ離れた位置に形成されると、上コア８は第
７図に示すように図面右側にはみ出した形に形成
される。
また、アライメントを行う際には、既にウエハ
１面上にコイル部やパツド部等の凹凸部分が多数
形成されているために、露光機のピントずれが生
じ易いという問題もある。例えば、設定したトラ
ツク幅よりも幅広に露光させてしまつた場合に
は、第８図に示すように、下コアの図面両側部分
から離れた位置に上コアメツキ用レジストフレー
ム８ａ，９ａが形成される。この結果、第９図に
示すように下コアの両端からはみ出し上コアが形
成される。この場合、ピントずれが生じても良い
ように予め幅狭に露光すると良いが、ピントの状
態によつては第１０図に示すように、下コア両端
部分から内側へ入り込んだ上コアメツキ用レジス
トフレーム８ｂ，９ｂが形成されてしまう。この
結果、第１１図に示すように下コアよりも幅の狭
い上コアが形成される。
以上にように、従来の薄膜ヘツドの製造方法に
あつては、アライメントずれやピントずれが生じ
易く、第７図、第９図および第１１図に示したよ
うに上下コアの幅がそれぞれ異なつて形成され易
い。この場合、上下コアの上下ポール部の幅が異
なり、トラツク幅Twが幅狭に形成された場合に
は、記録再生出力レベルが小さくなつてしまう。
さらに、トラツク幅Tw以外のはみ出した部分が
隣接するトラツクにかかつてクロストークの原因
になる。
一方、上述した従来の方法とは別の方法、すな
わち、第１２図に示すように、ギヤツプ層１２を
介して下コア１３よりも幅狭に上コア１４を形成
した後、イオンミーリングを行つてヘツドを形成
する方法（特開昭63−55711号公報参照）にあつ
ては、イオンミーリングを行つた際に、第１３図
に示すようにイオンビーム（例えば、陽イオンの
アルゴンAr）が下コア１３に当たつて飛び散る
磁性材が上コア１４の側面に付着するという現象
が生じ、このため第１４図に示すように上下コア
１３，１４を磁気的に短絡してしまうという問題
がある。この場合、上下コア１３，１４を磁気的
に短絡させてしまうと、記録再生効率が大きく低
下してしまう。
この発明は上述した事情に鑑みてなされたもの
で、トラツク幅を一定に形成することができ、ま
た、隣接トラツクとの間にクロストークが発生せ
ず、さらに、イオンミーリングの際に飛び散る磁
性材によつて上下コアが磁気的に短落されること
がない薄膜ヘツドの製造方法を提供することを目
的としている。
［課題を解決するための手段］ 上述した目的を達成するためにこの発明の方法
によれば、ウエハ面上に下コアを形成した後、こ
の下コアの材質よりもミーリングレートの小さい
材質からなる保護膜を下コアを覆うように形成
し、次いで、保護膜の形成後、この保護膜を研磨
して下コアの少なくともポール部を露出させると
ともに該保護膜および該下ポールの表面を平坦に
仕上げ、次いで、イオンビームを放射して保護膜
および下ポールを同時にミーリングを行つて該下
ポール部に凹部を形成し、次いで、保護膜および
下ポール各々の表面にギヤツプ層を形成し、次い
で、ギヤツプ層を介して下ポールの凹部に上ポー
ルを形成することを特徴とする。
［作用］ 上述したように、下コアよりもミーリングレー
トの小さな材質からなる保護膜を該下コアと同時
にミーリングを行うことにより、下コアの方が先
に削り取られ、保護膜と下コアとの間に段差が生
じる。さらに、この時に形成される保護膜と下コ
アとの段差部分は、ミーリングの経過とともにテ
ーパ状に整形されて行く。この場合、ミーリング
の経過とともに段差部分がテーパ状に整形される
のは、角部が特に削れ易いことからミーリングの
初期にテーパが生じることと、同一材料でも平面
部より傾斜した部分の方が一般的にミーリングレ
ートが高いからである。そして、テーパ状に形成
された凹部上にギヤツプ層を介して下コアを形成
することによつて、上コアの斜めに形成された部
分がアジマスロスにより、実質的には記憶再生に
無関係になる。すなわち、上コアメツキ用のレジ
ストフレームを形成する際のアライメントずれや
ピントぼけが生じて同フレームが正しく形成され
なくても上コアの斜め形成された部分が磁気的に
有効とはならない。
しかして、上コアのポールと下コアのポールと
が平行に対峙する部分のみが磁気的に有効な部分
になるので、量産した場合にあつても、下コアを
設計通りに形成しさえすれば、トラツク幅を揃え
ることができる。この場合、下コアは設計通りに
形成することが可能である。
また、上コアのはみ出した部分が実質的には記
録再生に寄与しないので、隣接トラツクとの間に
クロストークがほとんど生じない。また、上コア
を形成する前にミーリングを行うので、上コアと
下コアとが磁気的に短絡されることが無い。
［実施例］ 以下、図面を参照してこの発明の実施例につい
て説明する。
第１図はこの発明の一実施例である薄膜ヘツド
の製造工程を示す工程図である。なお、この図は
前述した第５図と同様に上下ポールの媒体と対向
する面を見たものである。以下、順次その製造工
程について説明する。
まず、ウエハ２０面上にパーマロイをスパツ
タリング法、真空蒸着法またはメツキ法等によ
つて断面長方形状の下コア２１を形成する（第
１図イ参照）。この場合、下コア２１の厚みを
5μｍする。また、この工程の段階ではパツド
部およびコイル部等を形成していないのでウエ
ハ２０面上に段差（凹凸）が無い。このため、
アライメントの際のピント合わせが正確にでき
るので、トラツク幅を設計通りに決めることが
できる。なお、この図において符号２１ａは下
ポールを示している。
次いで、下コア２１を形成した後、この下コ
ア２１の材質よりもミーリングレートの小さな
材質であるアルミナ等をスパツタリング法等に
よつて、この下コア２１を覆うようにウエハ２
０面上に積層し、埋設保護膜２２を形成する
（第１図ロ参照）。この場合、埋設保護膜２２の
厚みが7μｍになるまで行う。
そして、埋設保護膜２２を形成した後、この
埋設保護膜２２および下コア２１を共に研磨し
て平坦化する（第１図ハ参照）。この場合、下
コア２１および埋設保護膜２２の厚みが4.3μｍ
になるまで行う。
上記研磨工程が終了した後、下コア２１およ
び保護膜２２に向けてアルゴン（Ar）等のイ
オンビームを放射してミーリングを行う（第１
図ニ参照）。この場合、下コア２１のミーリン
グレートを埋設保護膜２２よりも大きくするこ
とによつて、下コア２１の方が埋設保護膜２２
より先にミーリングが進むので、埋設保護膜２
２に対して凹部が形成される。この場合、ミー
リングの性質として、対象物に対してイオンビ
ームの入射角度を40゜〜60゜にしたときにミーリ
ングレートが最大になることが知られている。
しかして、埋設保護膜２２の角部が優先的に削
られて、イオンビームに対して40゜〜60゜の角度
になり、このため、第２図に示すように、埋設
保護膜２２の下コア２１と接する部分が斜めに
削られる。
また上述したように、埋設保護膜２２の下コ
ア２１と接する部分が斜めに形成されることか
ら、このミーリングの際に飛び散つた磁性材の
付着堆積が起こらない。
なお、上記ミーリングは、下コア２１の厚み
が1.5μｍになるまで行う。
また、このミーリングに使用されるガスはア
ルゴン（Ar）に他に、ネオン（Ne）、クリプ
トン（Kr）、窒素（N2）または酸素（O2）等
のガスが使用できる。また、これらのガス以外
にも下コア２１の材質に対して埋設保護膜２２
のミーリングレートが、下コア２１＞埋設保護
膜２２となるものであればその種類を問わな
い。
次に、イオンミーリングを行つた後、スパツ
タリング法等によつて、下コア２１および埋設
保護膜２２各々を覆うようにこれらの表面にア
ルミナを積層し、ギヤツプ層２３を形成する。
（第１図ホ参照）。
そして、ギヤツプ層２３を形成した後、下コ
ア２１に図示せぬコイルおよびこれを覆う絶縁
層を形成する。
上記工程が終了した後、メツキ下地層となる
パーマロイをスパツタし埋設保護膜２２の傾斜
部分の両側に、上コアを形成するための上コア
メツキ用のレジストフレーム２４，２５を形成
する（第１図ヘ参照）。
次に、レジストフレーム２４，２５を形成し
た後、電気メツキ法等によつてギヤツプ層２３
の表面にパーマロイを積層する（第１図ト参
照）。これにより、レジストフレーム２４，２
５内に上コア２６が形成される。この場合、こ
の図において、符号２６ａは上ポールを示す。
また、下コア２１のポール２１ａと上コア２６
のポール２６ａがギヤツプ層２３を介して平行
に対峙している部分の幅がトラツク幅Twにな
る。また、上ポール２６ａと下ポール２１ａと
が平行に対峙していない部分（はみ出した部
分）が斜めに形成されているので、アジマスロ
スにより実質的には記録再生に無関係になる。
このことは、下コア２１を設計通りに形成しさ
えすれば、レジストフレーム２４，２５を形成
する際のアライメントずれや、ピントずれによ
つて正確な位置に同レジストフレーム２４，２
５が形成されなくても（第３図参照）、下コア
２１と全く同一の幅の上コア２６を形成するこ
とができるのである。そして、上ポール２６ａ
のはみ出した部分が記録再生に無関係になるこ
とから隣接するトラツクとの間にクロストーク
がほとんど生じない。
次に、上コア２６を形成した後、剥離液等に
よつてレジストフレーム２４，２５を除去し、
さらにこれらを除去した部分に露出するメツキ
下地層をイオンミーリングによつて除去（第１
図チ参照）。
上記工程が終了した後、フオトリングラフイ
によつて、上コア２６を覆うようにコア部レジ
ストマスク２７を形成する（第１図リ参照）。
次いで、コア部レジストマスク２７を形成し
た後、エツチング液によつて、ヘツドを形成す
る部分以外を除去する（第１図ヌ参照）。
最後に、ヘツド形成部分以外を除去した後、
剥離液等によつてコア部レジストマスク２７を
除去する（第５図ル参照）。
以上の工程により本案の薄膜ヘツドが形成され
る。
なお、上記第２工程（第１図ロ参照）におい
て、アルミナをスパツタリングして埋設保護膜２
２を形成したが、この埋設保護膜の材質として
は、下コア２１の材質よりもミーリングレートの
小さなものであればその種類は問わない。例え
ば、酸化シリコン（SiO2）、窒化シリコン
（Si3N4）、酸化チタン（TiO2）およびカーボン等
が使用できる。
また、上記実施例において、上コア２６が下コ
ア２１より幅広で、下コア２１両端の斜面にまた
がるように形成しても良い。
また、上記実施例において、下コア２１および
埋設保護膜２２の厚みを数値限定したが、必ずし
もこの数値に限定されるものではない。
［発明の効果］ この発明は、上述した製造方法によつて薄膜ヘ
ツドを製造するので、次に、記載する効果を奏で
る。
保護膜の下コアと接する部分が斜めに形成され
るので、上コアをギヤツプ層を介して下コア上に
形成したときに、上コアの斜めに形成された部分
がアジマスロスにより実施的に記録再生に無関係
になる。このため、上コアの斜めに形成された部
分以外は、下コアと平行に対峙する部分になるの
で、下コアのポールと上コアのポールとが同一幅
になる。したがつて、量産した場合にあつても下
コア（特にポール部分）を正確に形成すれば、ト
ラツク幅を揃えることができる。
また、上コアの斜めに形成された部分は実施的
に記録再生に無関係になることから隣接するトラ
ツクとの間にクロストークが生じない。
また、上コアを形成する前にミーリングを行う
ので、上下コアが磁気的に短絡されることが無
い。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例である薄膜ヘツド
の製造工程を示す工程図、第２図および第３図は
各々同実施例の補足説明図、第４図は従来の薄膜
ヘツドを示す外観図、第５図は同薄膜ヘツドの製
造工程を示す工程図、第６図〜第１４図の各々は
従来の薄膜ヘツドの問題点を説明するための図で
ある。 ２０……ウエハ、２１……下コア、２２……埋
設保護膜（保護膜）、２３……ギヤツプ層、２６
……上コア。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ (a) ウエハ面上に下コアを形成した後、該下
    コアの材質よりもミーリングレートの小さい材
    質からなる保護膜を該下コアを覆うように形成
    する工程と、 (b) 前記保護膜を形成した後、該保護膜を研磨し
    て前記下コアの少なくとも下ポール部（以下、
    下ポールと称する）を露出させるとともに、該
    下ポールおよび該保護膜の表面を平坦に仕上げ
    る工程と、 (c) 前記研磨工程を終了した後、イオンビームを
    放射して前記保護膜および前記下ポールを同時
    にミーリングを行つて該下ポールに凹部を形成
    する工程と、 (d) 前記ミーリングを行つた後、前記保護膜およ
    び前記下ポール各々の表面にギヤツプ層を形成
    する工程と、 (e) 前記ギヤツプ層を形成した後、該ギヤツプ層
    を介して前記下ポールの凹部に上ポールを形成
    する工程と を具備することを特徴とする薄膜ヘツドの製造方
    法。
JP63220032A 1988-09-02 1988-09-02 薄膜ヘッドの製造方法 Granted JPH0268704A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63220032A JPH0268704A (ja) 1988-09-02 1988-09-02 薄膜ヘッドの製造方法
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JPH0268704A JPH0268704A (ja) 1990-03-08
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE145749T1 (de) * 1989-03-28 1996-12-15 Quantum Corp Aufzeichnungskopf zum optimieren der aufzeichnung mit hoher dichte
US5137750A (en) * 1990-11-06 1992-08-11 Seagate Technology, Inc. Method of making a thin film head with contoured pole face edges for undershoot reduction
US5301418A (en) * 1991-04-12 1994-04-12 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing a magnetic head
JPH0673335B2 (ja) * 1991-07-04 1994-09-14 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所 薄膜磁気素子
US5315469A (en) * 1991-07-25 1994-05-24 Applied Magnetics Corporation Magnetic recording head which produces variable erase bands
JP2715808B2 (ja) * 1992-06-09 1998-02-18 株式会社日立製作所 薄膜磁気ヘッドの製造方法
EP0640955B1 (en) * 1993-08-27 1999-05-19 Read-Rite Corporation Magnetic head assembly with write pole/shield structure
FR2716996B1 (fr) * 1994-03-07 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Tête magnétique verticale et son procédé de réalisation.
JPH0845017A (ja) * 1994-07-13 1996-02-16 Samsung Electron Co Ltd 磁気ヘッドの製造方法
JP3629309B2 (ja) * 1995-09-05 2005-03-16 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド
US5578342A (en) * 1995-07-05 1996-11-26 Read-Rite Corporation Alignment of magnetic poles of thin film transducer
US5768067A (en) 1995-09-19 1998-06-16 Alps Electric Co., Ltd. Magnetoresistive head using exchange anisotropic magnetic field with an antiferromagnetic layer
JP3291208B2 (ja) 1996-10-07 2002-06-10 アルプス電気株式会社 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド
US6305072B1 (en) * 1996-11-28 2001-10-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing thin film magnetic head
US6173486B1 (en) * 1997-03-04 2001-01-16 Read-Rite Corporation Thin film magnetic head with self-aligned pole tips
WO1999041739A1 (fr) * 1998-02-16 1999-08-19 Hitachi, Ltd. Tete magnetique a film mince, procede de fabrication correspondant et lecteur de disque magnetique muni de ce film
KR100264802B1 (ko) * 1998-02-24 2000-09-01 윤종용 플래너구조 박막자기헤드의 갭 형성방법
US6445536B1 (en) * 1998-08-27 2002-09-03 Read-Rite Corporation Dielectric stencil-defined write head for MR, GMR, and spin valve high density recording heads
US6198608B1 (en) 1999-03-18 2001-03-06 Read-Rite Corporation MR sensor with blunt contiguous junction and slow-milling-rate read gap
JP2000285409A (ja) 1999-03-29 2000-10-13 Toshiba Corp 磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッド
US6317290B1 (en) 1999-08-31 2001-11-13 Read-Rite Corporation Advance pole trim writer with moment P1 and low apex angle
US6496334B1 (en) 2000-05-26 2002-12-17 Read-Rite Corportion Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having planarized extra gap and shield layers and method of fabrication thereof
US6801408B1 (en) 2000-11-02 2004-10-05 Western Digital (Fremont), Inc. Data storage and retrieval apparatus with thin film read head having a planar sensor element and an extra gap and method of fabrication thereof
US6683749B2 (en) * 2001-12-19 2004-01-27 Storage Technology Corporation Magnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width
JP2004039090A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Sony Corp 磁気ヘッド装置並びにこれを用いた磁気テープドライブ装置及び磁気ディスクドライブ装置
US7999566B2 (en) 2007-12-31 2011-08-16 Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands B.V. Wafer level testing
US8625234B2 (en) * 2008-04-29 2014-01-07 Headway Technologies, Inc. Graded bevel tapered write pole design for field enhancement

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4218532A (en) * 1977-10-13 1980-08-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Photolithographic technique for depositing thin films
US4238559A (en) * 1978-08-24 1980-12-09 International Business Machines Corporation Two layer resist system
US4224361A (en) * 1978-09-05 1980-09-23 International Business Machines Corporation High temperature lift-off technique
JPS59104717A (ja) * 1982-12-08 1984-06-16 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法

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Publication number Publication date
US4947541A (en) 1990-08-14
JPH0268704A (ja) 1990-03-08

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