[0025]本開示のいくつかの例示的な実施態様が記載される前に、本開示が以下の記載において提示される構成又は処理ステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施態様が可能であり、様々な方法で実施又は実行されうる。
[0026]ここで使用される「水平」という用語は、その配向に関係なく、マスクブランクの平面又は表面に平行な平面と定義される。用語「垂直」は、直前に定義された水平に直交する方向を指す。「上方」、「下方」、「底部」、「頂」、「側」(「側壁」など)、「より高い」、「より低い」、「上側」、「上」、及び「下」などの用語は、図に示される水平面に対して定義される。
[0027]「の上(on)」という語は、要素間に直接の接触があることを示す。「のすぐ上、真上(directly on)」という語は、介在する要素なしで要素間に直接の接触が存在することを示す。
[0028]当業者であれば、プロセス領域を説明する「第1」及び「第2」といった序数の使用が、処理チャンバ内部の特定の位置も、処理チャンバ内部での曝露の順序も意味しないことを理解するであろう。
[0029]本開示の実施態様は、堆積システム、例えば、少なくとも1つのカソードアセンブリを備える物理的気相堆積(「PVD」)チャンバに関し、特定の実施態様では、複数のカソードアセンブリを備えるPVDチャンバ(ここでは「マルチカソードチャンバ」と呼ぶ)のための磁石設計に関する。
[0030]図1を参照すると、PVDチャンバ100の形態の堆積システムの一部分の側面図が示されている。いくつかの実施態様におけるPVDチャンバの形態の堆積システムは、複数のカソードアセンブリ102を含むマルチカソードPVDチャンバ100である。いくつかの実施態様におけるマルチカソードPVDチャンバ100は、MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)を製造するように構成されたマルチターゲットPVD源、又は極紫外(EUV)マスクブランクを製造するように構成されたマルチターゲットPVD源を含む。
[0031]マルチカソードPVDチャンバはチャンバ本体101を備え、複数のカソードアセンブリ102を間隔を空けて配置された関係で適所に保持するように構成されたソースアダプタ107を含む。図示されているチャンバ本体101は、ほぼ円筒形で、隆起ドームを提供するように角度付けされたドーム部分109を有するソースアダプタ107を有しているが、本開示のPVDチャンバ100は、示された構成に限定されない。例えば、ドーム部分109は角度付けされる必要はなく、いくつかの実施態様のドーム部分はほぼ平坦な輪郭を有する。さらに、チャンバ本体は、楕円形、正方形、又は長方形を含む、円筒形以外の形状であってもよい。ソースアダプタ107は、任意の数のカソードアセンブリ102を保持することができる。特定の一実施例として、いくつかの実施態様のソースアダプタ107は、12個のカソードアセンブリ102を支持する。しかしながら、いくつかの実施態様では、ソースアダプタ107は、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、又は20個のカソードアセンブリ102を支持する。
[0032]ソースアダプタ107は、いくつかの実施態様では、円錐形、円筒形、又は正方形若しくは長方形などの任意の他の形状とすることができるベースアダプタ111上に取り付けられる。ソースアダプタ107及びベースアダプタ111の両方は、1つ又は複数の実施態様に従って基板又はキャリア108が処理されるエリアである内部容積119(図3に示す)を封入する。
[0033]マルチカソードPVDチャンバ100は、PVD及びスパッタリング用の複数のカソードアセンブリ102を含むことができる。カソードアセンブリ102の各々は、直流電流(DC)又は高周波(RF)を含む電源112(図3に示す)に接続される。カソードアセンブリ102は、任意の数の異なる直径を有することができる。いくつかの実施態様においては、カソードアセンブリ102は、すべて同じ直径を有する。他の実施態様では、カソードアセンブリ102は、2つ、3つ、4つ、5つ、6つ、又はそれより多い異なる直径を有する。
[0034]図1及び2に示されるように、いくつかの実施態様のカソードアセンブリ102は、内側リング113と外側リング115に配置される。これらのリング(内側リング113及び外側リング115)は、レースとも呼ばれる。いくつかの実施態様において、カソードアセンブリ102のすべては、図示の内側リング113及び外側リング115の代わりに、単一のリングに配置される。1つ又は複数の実施態様では、中に内側リング113及び外側リング115を有する構成は、図3に示されるキャリア108を回転させることなく、より高い堆積均一性を達成する。
[0035]ここで図3を参照すると、本開示の一実施態様による、図2の線3-3に沿って切り取られた、PVDチャンバ100の形態の堆積システムの断面図が示されている。この断面図は、基板又はキャリアが処理される内部容積119を画定するチャンバ本体101を含む、PVDチャンバ100の一実施例を示す。
[0036]図1-3に示される実施態様のカソードアセンブリ102は、材料層103としての異なる材料をスパッタリングするために使用することができる。カソードアセンブリ102は、回転ペデスタル110上の基板又はキャリア108の上に位置させることのできる、回転シールド106のシールド孔104を通して露出している。回転ペデスタル110の上方又は上にあるキャリア108は1つだけであってよい。
[0037]基板又はキャリア108は、一実施態様では、集積回路の製造に使用される半導体材料を有する構造である。例えば、いくつかの実施態様による基板又はキャリア108は、ウエハを含む半導体構造を含む。代替的に、キャリアは、EUVマスクブランクを形成するために使用される超低膨張ガラス基板などの別の材料であってもよい。基板又はキャリア108は、円形、正方形、長方形、又は任意の他の多角形など、任意の適切な形状とすることができる。回転シールド106は、シールド孔104を有するように形成され、カソードアセンブリ102を使用してシールド孔104を通して材料層103を堆積させることができる。
[0038]電源112がカソードアセンブリ102に適用される。いくつかの実施態様における電源112は、直流電流(DC)又は高周波(RF)電源を含む。いくつかの実施態様、例えば、図1-3に示される実施態様では、カソードアセンブリ102の角度位置は、任意の角度に変更することができる。このような設計は、電源112などの電力の、カソードアセンブリ102への同軸給電を可能にする。
[0039]いくつかの実施態様における回転シールド106は、一度にカソードアセンブリ102のうちの1つを露出させ、他のカソードアセンブリ102を相互汚染から保護する。相互汚染は、カソードアセンブリ102のうちの1つからカソードアセンブリ102のうちの別の1つへの堆積材料の物理的な移動又は転移である。カソードアセンブリ102はターゲット114の上に配置される。チャンバの設計は、コンパクトにすることができる。ターゲット114は、任意の適切なサイズとすることができる。例えば、いくつかの実施態様におけるターゲット114の各々は、約4インチから約20インチ、又は約4インチから約15インチ、又は約4インチから約10インチ、又は約4インチから約8インチ、又は約4インチから約6インチの範囲の直径である。
[0040]いくつかの実施態様によれば、回転ペデスタル110は、1つのチャンバ内で様々な材料の使用を可能にする。マルチカソードPVDチャンバ100の特徴は、回転シールド106などの単一の回転式シールドを含み、回転シールド106の背後に回転構成要素が隠されることはない。いくつかの実施態様では、回転シールド106は、粒子性能を改善するという利点を提供する。
[0041]図3では、いくつかの実施態様における基板又はキャリア108は、垂直に上下する回転ペデスタル110上にある。基板又はキャリア108がチャンバの外に移動する前に、いくつかの実施態様における基板又はキャリア108は、下側シールド118の下に移動する。伸縮式カバーリング120は、下側シールド118に接する構造として示されている。次いで、回転ペデスタル110が下降し、次いで、キャリア108が、チャンバの外に移動する前にロボットアームで持ち上げられる。
[0042]材料層103がスパッタされるとき、いくつかの実施態様では、ターゲット114からスパッタされた材料は、下側シールド118の、外側でなく内側に保持される。いくつかの実施態様における伸縮式カバーリング120は、上方に湾曲して所定の厚さを有する隆起したリング部分122を含む。いくつかの実施態様における伸縮式カバーリング120はまた、下側シールド118に対して所定の間隙124及び所定の長さを含む。したがって、材料層103を形成する材料は、回転ペデスタル110の下にはなく、よって汚染物質がキャリア108に広がることはない。
[0043]図3は、個々のシュラウド126を示す。いくつかの実施態様におけるシュラウド126は、キャリア108上に堆積しないターゲット114からの材料の大部分がシュラウド126内に含まれるように設計され、よって材料の再生及び保存を容易にする。これはまた、ターゲット114の各々のシュラウド126のうちの1つが、そのターゲットに対して最適化することができ、より良好な接着及び欠陥の低減を可能にする。例えば、いくつかの実施態様における大部分は、材料のうちの1つの少なくとも80%を含む。
[0044]いくつかの実施態様において、シュラウド126は、カソードアセンブリ102間のクロストーク又はクロスターゲット汚染を最小化し、カソードアセンブリ102の各々について捕捉される材料を最大化するように設計される。したがって、カソードアセンブリ102の各々からの材料は、上にカソードアセンブリ102が位置決めされるシュラウド126の1つによってちょうどよく個々に捕捉されるであろう。捕捉される材料は、基板又はキャリア108上に着地しなくてもよい。
[0045]いくつかの実施態様の基板又はキャリア108は、シュラウド126上のターゲット114からの金属を含む堆積材料を使用して、基板又はキャリア108の表面上に堆積された均一な材料層103でコーティングされる。その後、シュラウド126は、回収プロセスに供される。回収プロセスは、シュラウド126を洗浄するだけでなく、シュラウド126上又はシュラウド内に残留した堆積材料の残留量を回収する。材料層103の均一性は、基板又はキャリア108の表面上の所定の数の位置に材料がどれだけ均一に又は滑らかに堆積されるかに関係する。
[0046]例えば、シュラウド126のうちの1つに白金が存在してよく、この場合シュラウド126のうちの別の1つに鉄が存在してもよい。白金は、鉄よりも価値のある貴金属であるので、白金を有するシュラウド126は、回収プロセスのために送り出される。1つ又は複数の実施態様では、回転シールド106を回転させてシュラウド126とシールド孔104の1つとを通してカソードアセンブリ102の各々を露出させ、カソードアセンブリ102間の相互汚染なしに信頼性を向上させる。いくつかの実施態様では、回転ペデスタル110を回転させることによって、ターゲット114から堆積される材料層103の均一性が改善される。
[0047]1つ又は複数の実施態様によれば、カソードアセンブリ102への電力を変化させることによって、堆積される材料の量及び材料層103の厚さを変化させることができる。いくつかの実施態様では、電力を変化させることにより、材料層103の均一性が制御される。いくつかの実施態様では、回転ペデスタル110を制御することによって、より良好な均一性をさらに達成することができる。カソードアセンブリ102の各々は、異なる材料を適用して、異なる組成を有する材料層103を形成する。例えば、いくつかの実施態様では、第1のカソードアセンブリ及び第2のカソードアセンブリは、極紫外マスクブランクの形成において、例えば、第1のターゲット及びカソードアセンブリ102から堆積されたシリコンと、第2のターゲット及びカソードアセンブリ102からのモリブデンとの交互層といった、異なる材料の交互層を適用する。
[0048]次に図4を参照すると、図1のマルチカソードPVDチャンバ100の形態の堆積システムのカソードアセンブリ102のうちの1つの上から見た等角図が示されている。いくつかの実施態様では、角度調整機構132が、カソードアセンブリ102の角度位置を変更するための角度移動を提供する。いくつかの実施態様における角度調整機構132は、カソードアセンブリ102の各々のスイングアーム134をピボット点136に対して又はピボット点136を基準に回転させることによって、角度位置を提供する。ピボット点136は、スイングアーム134の底端部に位置しており、スイングアーム134は下部フランジ138に取り付けられている。いくつかの実施態様では、水アダプタブロック140が頂部プレート142に取り付けられる。いくつかの実施態様の頂部プレート142は、上側フランジ144の上にあり、下側フランジ138と共に、外側ベローアセンブリ146のための上側支持構造及び下側支持構造を提供する。
[0049]図5は、図4の線5-5に沿って切り取られたカソードアセンブリ102のうちの1つの断面図である。この断面図は、個々のターゲットソース又はカソードアセンブリ102のうちの1つを示している。図5は、堆積処理の間に磁石対ターゲット間隔148が調整される、カソードアセンブリ102のうちの1つのアセンブリを示す。磁石対ターゲット間隔148は、カソードアセンブリ102のうちの1つの磁石150とターゲット114のうちの1つとの間の距離である。カソードアセンブリ102は、手動又は自動で調整される。ターゲット114の各々は、容器形状を有する構造に類似のバッキング板152に結合されるか又は取り付けられており、外側ベローズアセンブリ146は、下側フランジ138と上側フランジ144とを有する。例えば、下側フランジ138及び上側フランジ144の両方は、ステンレス鋼(SST)を含む導電性材料を含む可撓性ベローズを用いて互いに溶接されている。
[0050]ターゲット114の各々は、上側フランジ144の内側に取り付けられている。下側フランジ138及び上側フランジ144が接地された状態で、接地シールドが形成される。非導電性リング154は、接地シールドをターゲット114から電気的に分離することに役立ち、ターゲット114は、電源112との接続により通電させることができる。
[0051]例えば、非導電性リング154は、セラミック又は粘土などの絶縁材料を含む。接地シールドは、下側シールド118の内側に取り付けられる部品である。
[0052]頂部プレート142は、非導電性リング154を含むすべてのOリングを圧縮してターゲット114を所定の位置に保持するために、頂部プレート142の最上面からボルト止めされる。このようにして、真空と水漏れシールとが達成される。各ソース又はカソードアセンブリ102の各々は、材料層103の均一性を改善するために、後述する多数の手動式運動機構を含む。例えば、いくつかの実施態様におけるボルト止めされたプレートは、ガラス繊維に類似した一種の絶縁体材料などの絶縁体を含む。
[0053]いくつかの実施態様における手動式運動機構は、下側フランジ138の周囲で旋回するスイングアーム134を使用した角度調整機構132を含む。スイングアーム134は、スイングアーム134の上方及びカソードアセンブリ102の各々の頂部に線形スライド156を保持する。スイングアーム134は、キャリア108に対して+/-5度にわたりターゲット114を調整する。手動式運動機構は、カソードアセンブリ102の各々の頂部に線形スライド156を保持するスイングアーム134を有するソースリフト機構158を含む。線形スライド156は、中空シャフト160でソース又は材料を保持する。線形スライド156は、双方向垂直矢印によって示されるように、中空シャフト160に沿った材料のソースの移動を提供する。
[0054]手動式運動機構は、手動式調整ノブを備えたノブ調整機構162又はノブ130をカソードアセンブリ102の各々の頂部に含み、線形作動を提供する。ノブ調整機構162は、総ストローク長を達成するように設計される。総ストローク長は、任意の数値を含む。例えば、総ストローク長は2.5インチである。
[0055]手動式運動機構は、磁石対ターゲット間隔148を調整する磁石対ターゲット調整機構164を含む。いくつかの実施態様では、永久磁石がソースの内側に配置される。内側シャフト166は、中空シャフト160の内部に磁石150を保持する。内側シャフト166は、磁石150を保持するための任意の構造を含む。特定の一実施例として、内側シャフト166は、Delrin(登録商標)シャフトを含む。
[0056]カソードアセンブリ102の各々の頂部に設けられた調整ネジ168は、磁石対ターゲット間隔148の線形調整を提供する。所定の値の磁石対ターゲット間隔148が達成された後、側面係止ねじ170が磁石150を所定位置に保持する。例えば、磁石対ターゲット間隔148のために調節可能な総ストローク長は、1インチである。
[0057]ここで図6-9を参照すると、本開示の一実施態様による堆積システムの代替実施態様が示されている。図1に示される実施態様と同様に、PVDチャンバの形態の堆積システムは、複数のカソードアセンブリ202を含むマルチカソードPVDチャンバ200である。マルチカソードPVDチャンバ200は、MRAM(磁気抵抗ランダムアクセスメモリ)を製造するように構成されたマルチターゲットPVD源、又は極紫外(EUV)マスクブランクを製造するように構成されたマルチターゲットPVD源を含む。
[0058]マルチカソードPVDチャンバ200はチャンバ本体201を備え、複数のカソードアセンブリ102を、間隔を空けて配置された関係で適所に保持するように構成されたソースアダプタ207を含む。図6及び図7に示されるように、チャンバ本体201は、ほぼ円筒形であり、図1に示されるマルチカソードPVDチャンバ100のドーム109よりも平坦なドーム部分209を有するソースアダプタ207を有している。ソースアダプタ207は、任意の数のカソードアセンブリ202を保持することができる。特定の一実施例として、ソースアダプタ207は、12個のカソードアセンブリ202を支持する。しかしながら、いくつかの実施態様では、ソースアダプタ207は、1、2、3、4、5、6、7、8、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、21、21、22、23、24又は25個のカソードアセンブリ202を支持する。
[0059]ソースアダプタ207は、円錐形、円筒形、又は正方形若しくは長方形などの任意の他の形状とすることができるベースアダプタ211上に取り付けられる。ソースアダプタ207及びベースアダプタ211の両方は、1つ又は複数の実施態様に従って基板又はキャリア108が処理されるエリアである内部容積を封入する。
[0060]マルチカソードPVDチャンバ200は、PVD及びスパッタリング用の複数のカソードアセンブリ202を含む。カソードアセンブリ202の各々は、直流電流(DC)又は無線周波数(RF)を含む電源(図示せず)に接続される。カソードアセンブリ202は、任意の数の異なる直径を有する。いくつかの実施態様において、カソードアセンブリ202は、すべて同じ直径を有する。他の実施態様では、カソードアセンブリ202は、2、3、4、5、6個、又はそれより多い異なる直径を有する。図1及び2に示される実施態様と同様に、カソードアセンブリ202は、内側リング213及び外側リング215に配置される。カソードアセンブリ202のすべては、内側リングと外側リングの代わりに単一のリングに配置されている。
[0061]図7は、カソードアセンブリ202、チャンバ本体201、及びシールド206を示す、本開示の一実施態様によるマルチカソードPVDチャンバの一部分の断面図である。図8は、図7に示されるカソードアセンブリ202のうちの1つの断面図である。図8に示される1つ又は複数の実施態様によるカソードアセンブリ202は、モータ272を備え、このモータは、磁石アセンブリ290を矢印295により示される方向に回転させるモータシャフト276を駆動する。カプラ274は、モータ272をモータシャフト276に連結する。軸受278は、モータシャフトを取り囲み、矢印295の方向への回転運動を促す。カソードアセンブリ202は、絶縁体282を取り囲む上側ハウジング280と下側ハウジング288とをさらに備え、絶縁体は、処理中にカソードアセンブリ202を冷却するための冷却剤チャネル286が通っている導体284を取り囲んでいる。上側ハウジング280及び下側ハウジング288は、機械ネジ又はボルトなどの任意の適切なファスナ又は締結システムを用いて一緒に組み立てることができる。カソードは、導体284の基部に絶縁体リング292及びOリング294をさらに備える。カソードアセンブリ202の底部には、堆積バリア296が設けられている。モータシャフト276には、絶縁体プレート297と、磁石アセンブリをモータシャフト297に固定するための取付板299とが組み付けられている。スパッタリングされる材料(例えば、シリコン又はモリブデンなど)を含むターゲット298は、カソードアセンブリ202の底部にある。
[0062]図9及び10は、1つ又は複数の実施態様による磁石アセンブリの拡大図である。磁石アセンブリ290は、第1の極性(例えば、北)の複数の外周磁石301を含み、これらの複数の外周磁石は、第1の極性と反対の第2の極性(例えば、南)の内側磁石302を取り囲んでいる。1つ又は複数の実施態様では、取付板299は取付スロット306を有し、この取付スロットにより、磁石アセンブリ290は、取付板299の周縁299aに対して複数の位置に摺動可能に取り付けられる。図10に示される位置では、磁石アセンブリ290の外周磁石301は、外周磁石301が取付板299の周縁299aに接するように位置決めされている。磁石アセンブリファスナ308(例えば、ボルト又は機械ねじ)を解放することによって、取付磁石アセンブリ290は、磁石アセンブリ290が周縁299aから離れ、取付板299の中心299bに近づくように、摺動可能に移動される。釣合い重り304が、磁石アセンブリ290の反対側に取り付けられ、磁石アセンブリ290が使用中に回転すると、取付板299及び磁石301、302の回転を均衡させる。図示の実施態様では、内側磁石302を取り囲む7個の外周磁石301が存在する。1つ又は複数の実施態様では、中央磁石302を取り囲む3、4、5、6、7、8、9、10、11、12個以上の外周磁石301が存在する。図示の実施態様では、周磁石301の各々は内側磁石302に接触し、隣接する外周磁石301は互いに接触している。
[0063]図11は、磁石アセンブリ390の別の実施態様による磁石システムを上から見た斜視図である。図11において、取付板は、複数の外周磁石401によって取り囲まれた内側磁石402を保持する。複数の外周磁石401は第1の極性(例えば、北)を有し、第1の極性と反対の第2の極性(例えば、南)の内側磁石402を取り囲む。釣合い重り404が、磁石アセンブリ390の反対側で取付板399に取り付けられて、磁石アセンブリ390が使用時に回転するとき、取付板399と磁石401、402との回転を均衡させる。周リング410は、外周磁石401に固定される。図示の実施態様における外周磁石401は、略円筒形であり、外周磁石401と内側磁石402との間に間隙を有する状態で内側磁石402を取り囲んでいる。一般に、内側磁石402の周りには、少なくとも8、9、10、11、15、16、18、19、21、21、21、21、2、23、24、25、26、27、28、29又は30個の外周磁石401があってリング又はレースを形成している。
[0064]図12は、1つ又は複数の実施態様によるターゲット450の面の全面侵食を示す。一般に、マルチカソードシステムの既存のカソードアセンブリは、水中に沈められた静的磁石を有し、このような配置は、侵食トラック、非スパッタリングエリアへの再堆積、より高い欠陥及び低いターゲット利用につながる傾向がある。本開示の構成は、回転磁石アセンブリ(シャフト、モータ、磁石ホルダ、磁石)を収容し、ターゲットからの均一な全面侵食を提供する再設計によりもたらされた。図13Aは、1つ又は複数の実施態様による、1つの内側磁石を取り囲む複数の外周磁石を含む回転磁石アセンブリを備えたPVDチャンバからのモデリングデータを使用して得られた磁束対半径のグラフである。図13Bは、1つ又は複数の実施態様による、1つの内周磁石を取り囲む複数の外周磁石を含む回転磁石アセンブリを備えるPVDチャンバからのモデリングデータを使用するターゲットの侵食対半径のグラフである。
[0065]ここに記載される1つ又は複数の実施態様は、回転磁石を有するマルチカソードPVDシステムにおいて特に有用である。大きな冷却用空洞を有する従来の設計では、回転磁石を利用する能力に限界あった。加えて、準備段階のモデル化データは、マルチカソードPVDリアクタの回転磁石設計により、既存の設計と比較して原料のより均一な侵食プロファイルを示している。
[0066]ここに記載されるターゲットアセンブリは、極紫外(EUV)マスクブランクの製造に特に有用でありうる。EUVマスクブランクは、マスクパターンを有する反射マスクを形成するために使用される光学的に平坦な構造である。1つ又は複数の実施態様では、EUVマスクブランクの反射面が、極紫外光などの入射光を反射させるための平坦な焦点面を形成する。EUVマスクブランクは、EUVレチクルなど極紫外線反射素子に構造支持体を提供する基板を含む。1つ又は複数の実施態様では、基板は、温度が変化する間の安定性を付与するために、低い熱膨張係数(CTE)を有する材料から作製される。1つ又は複数の実施態様による基板は、ケイ素、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はこれらの組み合わせなどの材料から形成される。
[0067]EUVマスクブランクは、極紫外光に反射性の構造である多層スタックを含む。多層スタックは、第1の反射層と第2の反射層の交互反射層を含む。第1の反射層及び第2の反射層は、反射対を形成する。非限定的な実施態様では、多層スタックは、最大で合計120個の反射層に対して20~60個の範囲の反射対を含む。
[0068]第1の反射層と第2の反射層は、様々な材料から形成される。一実施態様では、第1の反射層と第2の反射層はそれぞれ、ケイ素とモリブデンから形成される。多層スタックは、ブラッグリフレクタ又はミラーを作るために異なる光学特性を有する材料の薄層を交互に有することによって、反射性構造を形成する。例えばモリブデン及びケイ素の交互層は、例えばマルチカソードPVDチャンバ内で物理的気相堆積によって形成される。
[0069]本開示の第1の実施態様は、複数のカソードアセンブリと、複数のカソードアセンブリの下のシュラウドとを備える物理的気相堆積(PVD)チャンバに関する。実施態様では、各カソードアセンブリは、1つの内側磁石を取り囲む複数の外周磁石を含む磁石アセンブリを備え、外周磁石と内側磁石は、物理的気相堆積プロセス中に回転するように構成された取付板に取り付けられている。
[0070]第2の実施態様では、第1の実施態様のPVDチャンバは、複数のカソードアセンブリのうちの1つを、シュラウドを通して及び回転シールドのシールド孔を通して露出させる複数のカソードアセンブリの下の回転シールドと、複数のカソードアセンブリの各々の下のターゲットと、その上にキャリアを形成する材料を生成する回転ペデスタルとをさらに備える。第3の実施態様では、第1又は第2の実施態様のPVDチャンバは、複数の外周磁石が、内側磁石を取り囲む少なくとも3つの外周磁石を含むという特徴をさらに含む。第4の実施態様では、第1から第3の実施態様は、複数の外周磁石が、内側磁石を取り囲む少なくとも7個の外周磁石を含むという特徴を含む。第5の実施態様では、第1から第4の実施態様は、外周磁石が内側磁石に接触しているという特徴を含む。第6の実施態様では、第1の実施態様は、複数の外周磁石が23個の磁石を含むという特徴を含む。
[0071]第7の実施態様では、第1から第6の実施態様は、複数の外周磁石が第1極性であり、内側磁石が第1極性とは逆の第2極性であるという特徴を含む。第8の実施態様では、第1から第7の実施態様は、磁石アセンブリの反対側で取付板に取り付けられた釣合い重りをさらに備える。第9の実施態様では、第1から第8の実施態様は、取付スロットを含む取付板をさらに備え、磁石アセンブリは、取付板に摺動可能に取り付けられて、取付板の周縁部に向かって及び同周縁部から離れる方向に移動することができる。第10の実施態様では、第1の実施態様は、複数の外周磁石が少なくとも20個の磁石を含むという特徴を含む。第11の実施態様では、第1から第10の実施態様は、複数のカソードアセンブリが少なくとも12個のカソードアセンブリを含むという特徴を含む。
[0072]第12の実施態様は、回転カソードアセンブリと、カソードアセンブリの下のシュラウドとを備える物理的気相堆積(PVD)チャンバに関し、カソードアセンブリは、1つの内側磁石を取り囲む複数の外周磁石を含む磁石アセンブリであって、外周磁石及び内側磁石が、物理的気相堆積プロセス中に回転するように構成された取付板に取り付けられている、磁石アセンブリと、磁石アセンブリの反対側で取付板に取り付けられた釣合い重りとを含む。
[0073]第13の実施態様では、第12の実施態様は、複数のカソードアセンブリをさらに備える。第14の実施態様では、第12及び第13の実施態様は、磁石アセンブリが、内側磁石と接触する7個の外周磁石を備えるという特徴を含む。第15の実施態様では、第12及び第13の実施態様は、磁石アセンブリが少なくとも20個の周磁石を備えるという特徴を含む。
[0074]第16の実施態様は材料層を堆積させる方法に関し、この方法は、PVDチャンバ内に基板を配置することと、1つの内側磁石を取り囲む複数の外周磁石を含む磁石アセンブリを備えるカソードアセンブリを回転させることであって、外周磁石及び内側磁石が取付板に取り付けられている、回転させることと、材料層を基板上に堆積させることとを含む。第17の実施態様では、第16の実施態様は、取付板が、磁石アセンブリの反対側で取付板に取り付けられた釣合い重りを含むという特徴を含む。第18の実施態様では、第16及び第17の実施態様は、PVDチャンバが複数のカソードアセンブリを備えるという特徴を含む。第19の実施態様では、第16から第18の実施態様は、基板が極紫外マスクブランクを含むという特徴を含む。第20の実施態様では、第16から第19の実施態様は、モリブデンを含む第1の層とシリコンを含む第2の層とを含む複数の交互材料層を堆積させることをさらに含む。
[0075]この明細書を通して、「一実施態様」、「特定の実施態様」、「1つ又は複数の実施態様」、又は「実施態様」に対する言及は、実施態様に関連して記載された特定の特徴、構造、材料、又は特性が、本開示の少なくとも1つの実施態様に含まれることを意味する。したがって、この明細書の様々な箇所での「1つ又は複数の実施態様において」、「特定の実施態様において」、「1つの実施態様において」、又は「実施態様において」などの語句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施態様を指すものではない。さらに、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、1つ又は複数の実施態様において任意の適切な方式で組み合わせることができる。
[0076]ここでの開示は、特定の実施態様を参照して記載されたが、これらの実施態様が、本開示の原理及び用途の単なる例示であることを理解されたい。本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に対して様々な修正及び変形を行いうることが、当業者には自明であろう。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある修正例及び変形例を含むことが意図される。