TWI470103B - 具有警示功能之濺鍍靶材 - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 49
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 10
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 description 9
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001636 atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本發明係關於一種具有警示功能的濺鍍靶材，尤指一種利用警示體發出警示訊號的濺鍍靶材。
物理氣相沉積技術(Physical Vapor Deposition，PVD)透過物理方式將原子或分子沉積於基板表面上，藉此在金屬材料、合金材料、陶瓷材料或晶圓基板表面上形成一薄膜。
於物理氣相沉積技術中，可區分為蒸鍍(evaporation)或濺鍍(sputtering)兩種沉積方式。其中，濺鍍沉積法利用輝光放電(glow discharge)效應，將惰性氣體電離並且轟擊至靶材(target)表面，使靶材的原子或分子彈出而堆積在基板表面，以形成具有良好均勻度的薄膜。因此，物理氣相沉積技術已被廣泛地應用在半導體、光電材料、儲存媒體等產業中，成為最常見的薄膜沉積技術。
於濺鍍製程中，濺鍍靶材成為不可或缺的材料來源。其中，濺鍍靶材由靶胚及承載靶胚的背板所組成。由於背板多半是由導熱特性良好的材料所製成，且內部具有精密的水路設計，因而能夠作為承載靶胚與散熱的元件。然而，由於背板的造價昂貴，當濺鍍靶材使用到適當的程度後，若能將剩餘的靶胚與背板分離，再經過適當的清洗步驟後，將背板回收再利用，即可大幅降低濺鍍製程所耗費的成本。
因此，為了確保背板的完整性，通常會在靶胚尚未完全使用前就停止濺鍍製程，隨即進行靶材的更換。然而，由於靶材更換時必需破壞腔體的真空環境，若太早更換會降低設備的生產效能與靶材的使用率；太晚更換又會提高背板被破壞的風險。因此，如何控制適當的時機更換靶材，便成為濺鍍製程中十分重要的關鍵。
目前已發展許多偵測濺鍍靶材使用率的方法，例如，美國專利文獻US 5，487，823提供一種濺鍍靶材，其係於靶胚與背板間設置一異質材料，當靶胚被蝕刻至一定深度後，可利用特定的感測方式偵測異質材料所釋放的氣體，藉以了解靶胚的使用情況。然而，其並未提供異質材料佔靶胚整體的較佳比例範圍，以致於無法有效增加靶胚材料之經濟利益，且又無法避免設置於靶胚與背板間的異質材料會劣化兩者原有的結合品質，進而產生濺鍍靶材之使用效能不佳的問題。
據此，本發明為了克服上述面臨的問題，試圖發展一種具有警示功能濺鍍靶材，當濺鍍靶材蝕刻到最深的深度，又尚未穿蝕到背板前即發出警示訊號，藉此確保濺鍍靶材中背板的完整性，其能在不劣化濺鍍靶材的前提下，使其具備停止濺鍍製程的警示功能，又能有效改善濺鍍靶材之使用效能不佳的問題，以期望能大幅降低濺鍍製程的製作成本。
本發明之主要目的係在提供一種具有警示功能的濺鍍靶材，俾能在不影響靶材體與背襯體之結合品質與散熱特性的情況下，利用警示體在濺鍍製程所散逸的氣體分子作為警示訊號，藉此保護背襯體的完整性，進而降低濺鍍製程所需耗費之成本。
為達成上述之目的，本發明提供一種具有警示功能之濺鍍靶材，此濺鍍靶材包括：形成有一接合面之靶材體，且該靶材體包含一靶材材料；一背襯體，其係與該靶材體之接合面相互接合；以及至少一警示體埋設於靶材體內，各個警示體投影於該接合面的面積係小於或等於該接合面之總面積的1%，且所有警示體投影於接合面之面積的總合係小於或等於接合面之總面積的20%，且各警示體之長邊長度係大於1公分(cm)；其中該警示體包含一異質材料，其異質材料於濺鍍環境中能散逸出與該濺鍍環境中之氣體以及該靶材材料鑑別之氣體分子。
於濺鍍製程中，當靶材體被蝕刻到警示體所在的深度後，由於警示體內的異質材料能夠散逸出與濺鍍環境中之氣體及靶材材料鑑別之氣體分子，因此，當氣體分析儀偵測到異質材料所散逸之氣體分子後會發出一警示訊號，以終止濺鍍製程，藉此免除背襯體受到電漿破壞的可能性。
於本發明具有警示功能的濺鍍靶材中，由於警示體通常係設置於靶材體最先被蝕穿的區域，且經由實驗結果得知不同的濺鍍靶材在相同機台上的蝕刻輪廓可控制在1公分的誤差範圍內。因此，為了避免進行濺鍍製程時，蝕穿點與警示體所在位置的誤差，較佳係將各個警示體的分佈長邊長度控制在至少大於1公分以上，以避免上述之問題發生。然而，當各個警示體投影於接合面之面積的總合過大時，靶材體與背襯體將無法具備足夠的接合力，進而影響濺鍍靶材的品質。因此，於本發明具有警示功能之濺鍍靶材中，所有警示體投影於接合面之面積的總合應小於或等於該接合面之總面積的20%。且當單一警示體投影於接合面的面積大於1%時，會破壞濺鍍靶材的局部散熱效能，進而影響濺鍍膜層的品質。因此，為了確保濺鍍靶材的局部散熱效果，較佳為，各個警示體投影於接合面的面積應小於或等於該接合面之總投影面積的1%。由於至少一警示體投影於接合面之面積的總合已控制在適當的範圍內，本發明之濺鍍靶材可確保靶材體與背襯體的接合品質及散熱特性，避免靶材體在濺鍍製程中由背襯體脫落的可能性。
於本發明具有警示功能的濺鍍靶材中，各個警示體可以填滿的形式塗佈，或以不連續之形式多點分佈。
於本發明具有警示功能的濺鍍靶材中，警示體中的異質材料可由各種半導體化合物或金屬化合物所製成，如：陶瓷材料、氮化物、氧化物、金屬、金屬合金、或金屬氧化物等；較佳為AlN、BN、SiC、Al2
O3
、Si3
N4
、ZrO2
、MgO、或Li2
O。
此外，於本發明具有警示功能的濺鍍靶材中，較佳的，背襯體可設計成背襯板或背襯管之型式。當背襯體為背襯板結構時，其靶材體可設計成一平板結構，與背襯板以一平面相互接合。當背襯體為背襯管結構時，其靶材體可設計為一中空圓柱狀結構，其背襯體係設置於靶材體之內部中空位置，使靶材體與背襯管以一圓弧面相互接合。
本發明之另一目的係在提供一種具有警示功能的濺鍍靶材，其中該警示體係設置於該靶材體之接合面上，由於同一濺鍍機台在進行濺鍍製程時，可於靶材體上蝕刻出相似的蝕刻輪廓(erosion profile)，並且具有良好的重複性，因此，為了避免電漿攻擊到背板並減少警示體的用量，較佳為將該警示體安置於靶材體最先被蝕穿之區域投影於靶材體接合面上之位置，以確保警示體於濺鍍製程中提供警示功能。
據此，當包含警示體的濺鍍靶材進行濺鍍製程時，由於警示體係埋設於靶材體內產生蝕刻輪廓之最深處，當靶材體進行蝕刻製程時，將使靶材體產生的蝕刻深度到達最深處後，才讓警示體散逸出停止濺鍍製程的氣體分子，使靶材體可以被利用的蝕刻深度為最大且使用率為最高，藉此降低濺鍍製程中更換濺鍍靶材的頻率，提高濺鍍製程的生產效率。
因此，本發明具有警示功能的濺鍍靶材可將各警示體的長邊長度控制於1公分以上，單一警示體投影於接合面之面積控制於小於或等於接合面之總面積的1%，並將所有警示體投影於接合面之面積的總合控制在小於或等於接合面之總面積的20%，以確保背襯體與靶材體的接合品質與散熱特性，發展出一種具有警示功能且品質良好的濺鍍靶材。此外，本發明使用具有警示功能的濺鍍靶材可確保靶材體能被利用的蝕刻深度為最大深度，藉以提高濺鍍製程的生產效率。
本發明為了保護濺鍍靶材的背襯體免於受到電漿的破壞，將傳統靶材與警示體結合，製成一種具備警示功能的濺鍍靶材。此外，為了確保靶材體與背襯體的接合品質及散熱特性，本發明更發現一種設置警示體的關鍵條件，以製成出具有良好特性的濺鍍靶材。
於本發明之濺鍍靶材中，靶材體包含一靶材材料，該材料可如包含鋁、鎢、鉬、鈦、鉭之金屬、合金或矽化物等，但並非僅限於此；而警示體亦包含一異質材料，該異質材料可為AlN、BN、SiC、Al2
O3
、Si3
N4
、ZrO2
、MgO、或Li2
O，但並非僅限於此。由於異質材料在濺鍍環境中能散逸出與濺鍍環境中之氣體以及靶材材料鑑別之氣體分子。透過氣體分析儀可分析異質材料所散逸之氣體的特定分子量；或者，透過光放射光譜(Optical Emission Spectroscopy;OES)分析電漿放光光譜之譜線與強度，藉以比對其化學成份。因此，當異質材料所散逸之氣體分子透過上述方法被偵測時，可作為一警示訊號，以終止整個濺鍍製程，避免背襯體受到電漿的破壞。
如圖1所示，本發明之一具有警示功能之濺鍍靶材1，包括：具有一接合面A’之靶材體11；背襯體12，其係與靶材體11之接合面A’相互接合；以及警示體13係塗佈於接合面A’上而埋設於靶材體11內。此外，如圖2所示，該警示體13係以填滿的方式塗佈於背襯體12上，並且埋設於靶材體11內。
於實施例1中，警示體13投影於接合面之面積A1
’係小於或等於接合面A’之總面積的20%。於此實施例中，警示體13投影於接合面之面積係等於警示體13與背襯體12之頂面A”的接觸面積，當此投影面積A1
’被控制在適當的範圍時，即可確保靶材體11與背襯體12的接合品質及散熱特性，降低靶材體11在濺鍍製程中由背襯體12脫落的可能性。
於本實施例之濺鍍靶材中，靶材體包含一靶材材料，該材料包含鋁金屬；而警示體亦包含一異質材料，該異質材料為氮化硼。異質材料在濺鍍環境中能散逸出與濺鍍環境中之氣體以及靶材材料具有鑑別性之氣體分子，所述的氣體分子為氮化硼分子，透過氣體分析儀可分析出分子量為24 Da及25 Da之氮化硼分子的分壓值。
據此，當本發明之濺鍍靶材被蝕刻至警示體所在之位置時，警示體之異質材料將散逸出與濺鍍環境及靶材材料具有鑑別性之氣體分子，並使偵測器開始偵測到異質材料所釋放之警示訊號，如圖3之下箭頭所示。
於圖3之右箭頭表示靶材體材料持續進行濺鍍之過程，而靶材體濺鍍時間的長短會依據靶材體之厚度而有所不同。如圖3所示，氮化硼氣體之分壓曲線(分子量24 Da及25 Da)將於靶材體被下向蝕刻到接近警示體所在之深度後有明顯上升的趨勢，其分壓介於10-5
至10-6
帕，顯示本發明之濺鍍靶材已被蝕刻至最大的蝕刻深度。
因此，當異質材料所散逸之氣體分子透過上述方法被偵測時，分壓值的劇升可作為一警示訊號，以終止整個濺鍍製程，避免背襯體受到電漿的破壞。
請參閱圖4及圖5，本發明之另一具有警示功能之濺鍍靶材2，其係包括多個警示體23。
如同實施例1所述，本實施例中之具有警示功能之濺鍍靶材2包含：背襯體22及設置於背襯體22上的靶材體21，其中，靶材體21上形成有一接合面A’，且背襯體22係與靶材體21之接合面A’相互接合。
與實施例1不同之處在於，本實施例中之具有警示功能之濺鍍靶材2包括複數個警示體23，且上述之警示體23並設置於靶材體21之蝕刻輪廓投影於接合面A’處，如圖5所示，於靶材體21上會預設濺鍍機擬進行蝕刻之蝕刻輪廓24，該蝕刻輪廓24投影於接合面A’處為警示體設置區24’，各警示體23即佈設於該警示體設置區24’處。
於本實施例中，各個警示體23投影於接合面的之面積A1
’皆小於或等於該接合面A’之總面積的1%，以維持濺鍍靶材的局部散熱效能；且各個警示體投影於接合面A’之面積A1
’之總合亦小於或等於該接合面A’之總面積的20%。此外，各個警示體23的長邊長度L亦控制在至少大於1公分以上，如圖6所示，當警示體23的長邊長度維持於1公分以上，可避免濺鍍時蝕穿點與警示點位置不同而傷害背襯體的情況發生。
再者，圖6所示之警示體23同樣係以填滿的形式塗佈，其也可為圖7所示之型態，該警示體23為多點塗佈，且可進一步為連續多點塗佈，或不連續多點塗佈。
綜上所述，本發明提供一種具有警示功能的濺鍍靶材，透過控制濺鍍靶材中靶材體之接合面與警示體的接觸面積相對於接合面之總面積的比例，可使濺鍍靶材具備良好的品質與散熱效果，藉此發展出一種具備警示功能的濺鍍靶材。
1．．．濺鍍靶材
11．．．靶材體
12．．．背襯體
13．．．警示體
2．．．濺鍍靶材
21．．．靶材體
22．．．背襯體
23．．．警示體
24．．．蝕刻輪廓
24’．．．警示體設置區
A’．．．接合面
A”．．．頂面
A1
’．．．警示體投影於接合面之面積
L．．．警示體之長邊長度
圖1係為本發明實施例1中濺鍍靶材之側剖面示意圖。
圖2係為本發明實施例1中濺鍍靶材之立體示意圖。
圖3係為本發明實施例1中氣體分壓對濺鍍時間之曲線圖。
圖4係為本發明實施例2中為複數警示體之濺鍍靶材側剖面示意圖。
圖5係為本發明實施例2中複數濺鍍靶材之立體示意圖。
圖6係為本發明單一警示體之平面示意圖。
圖7係為本發明另一種警示體型式之平面示意圖。
1．．．濺鍍靶材
11．．．靶材體
12．．．背襯體
13．．．警示體
A’．．．接合面
A”．．．頂面
A1
’．．．警示體投影於接合面之面積
Claims (7)
- 一種具有警示功能之濺鍍靶材，包括：一靶材體，該靶材體形成一接合面，並且包含一靶材材料；一背襯體，其係與該靶材體之接合面相互接合；以及至少一警示體，該警示體係埋設於靶材體內，各個警示體投影於該接合面的面積係小於或等於該接合面之總面積的1%，且所有警示體投影於該接合面之面積的總合係小於或等於該接合面之總面積的20%，且各警示體之長邊長度係大於1公分(cm)；其中該警示體包含一異質材料，該異質材料係於一濺鍍環境中能散逸出與該濺鍍環境中之氣體以及該靶材材料鑑別之氣體分子。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有警示功能之濺鍍靶材，其中該背襯體係為一背襯板或一背襯管。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有警示功能之濺鍍靶材，其中該至少一警示體係以填滿的方式塗佈，並且埋設於靶材體內。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有警示功能之濺鍍靶材，其中該至少一警示體係以多點分佈，並且埋設於靶材體內。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有警示功能之濺鍍靶材，其中該異質材料係為AlN、BN、SiC、Al2 O3 、Si3 N4 、ZrO2 、MgO、或Li2 O。
- 如申請專利範圍第1項所述之具有警示功能之濺鍍靶材，該警示體係設置於該靶材體之接合面上。
- 如申請專利範圍第6項所述之具有警示功能之濺鍍靶材，該警示體係安置於靶材體之蝕刻輪廓投影於該接合面之位置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100139006A TWI470103B (zh) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 具有警示功能之濺鍍靶材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100139006A TWI470103B (zh) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 具有警示功能之濺鍍靶材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201317382A TW201317382A (zh) | 2013-05-01 |
| TWI470103B true TWI470103B (zh) | 2015-01-21 |
Family
ID=48871755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100139006A TWI470103B (zh) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | 具有警示功能之濺鍍靶材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI470103B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11424111B2 (en) * | 2020-06-25 | 2022-08-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Sputtering target assembly to prevent overetch of backing plate and methods of using the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487823A (en) * | 1993-04-28 | 1996-01-30 | Japan Energy Corporation | Sputtering targets having life alarm function |
-
2011
- 2011-10-27 TW TW100139006A patent/TWI470103B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5487823A (en) * | 1993-04-28 | 1996-01-30 | Japan Energy Corporation | Sputtering targets having life alarm function |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201317382A (zh) | 2013-05-01 |
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