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GEBIET DER
ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf das Gebiet von
Zerstäuber-
bzw. Sputtertargets und spezifischer bezieht sie sich auf ein kontrolliertes
Abkühlen
von Zerstäubungs-
bzw. Zerstäubertargets
durch eine Oberflächen-Bereichsveränderung.
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BESCHREIBUNG
DES STANDES DER TECHNIK
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Das
Verfahren eines Sputterns bzw. Zerstäubens wird weit verbreitet
in einer Vielzahl von Gebieten verwendet, um eine dünne Filmmaterialabscheidung
bzw. -ablagerung mit einer präzise
gesteuerten bzw. kontrollierten Dicke mit einer atomisch glatten Oberfläche zur
Verfügung
zu stellen, beispielsweise um Halbleiter zu beschichten und/oder
um Filme auf Oberflächen
von magnetischen Aufzeichnungsmedien auszubilden. In dem Zerstäubungsverfahren
wird ein Zerstäubertarget
bzw. -ziel in einer Kammer positioniert, die mit einer Inertgasatmosphäre gefüllt ist, und
einem elektrischen Feld ausgesetzt, um ein Plasma zu generieren
bzw. zu erzeugen. Ionen innerhalb dieses Plasmas kollidieren mit
einer Oberfläche
des Zerstäubertargets,
was das Zerstäubertarget
veranlaßt,
Atome von der Zerstäubertargetoberfläche zu emittieren.
Die Spannungsdifferenz zwischen dem Zerstäubertarget und dem Substrat,
welches zu beschichten ist, bewirkt, daß die emittierten Atome den gewünschten
Film auf der Oberfläche
des Substrats ausbilden.
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Während eines
Sputterns baut sich häufig Wärme auf
dem Zerstäubertarget
auf, was negativ eine Steuerung bzw.
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Regelung
bzw. Kontrolle des Zerstäubungsverfahrens
beeinflußt
und die Lebensdauer des Zerstäubertargets
verringert. 1 zeigt ein Beispiel eines derartigen
konventionellen Zerstäubertargets. Spezifisch
beinhalten konventionelle Zerstäubertargets 101 eine
Zerstäuberoberfläche 102,
wo die Zerstäuberoberfläche 102 einen
Zerstäuberbereich 104 zum
Sputtern bzw. Zerstäuben
und einen Nicht-Zerstäuberbereich 105 beinhaltet.
Ein konventionelles Zerstäubertarget 101 beinhaltet
auch eine Rückseitenoberfläche 106 und
ein Loch 107, das durch das konventionelle Zerstäubertarget 101 gebohrt
ist, um das Zerstäubertarget 101 an
seinem Platz während eines
Zerstäubens
zu halten.
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Ein
konventionelles Zerstäubertarget 101 ist bzw.
wird in einer Vakuumkammer angeordnet und auf einen ringförmigen Support 110 geklemmt.
Eine luftdichte und wasserdichte Abdichtung wird zwischen einer
Dichtung 111 und einer Rückseitenoberfläche 106 ausgebildet.
Ein Kühlfluid,
wie Wasser, wird in den Hohlraum gepumpt, der durch den ringförmigen Support 110 ausgebildet
ist und das Kühlfluid verteilt
Wärme,
die auf der Zerstäuberoberfläche 102 gebildet
ist. Nach einem verlängerten
Sputtern erodiert die Zerstäuberfläche 104 und
verschleißt,
da Atome des Zerstäubertargets 101 von
der Zerstäuberoberfläche 102 emittiert
werden. Diese Erosion bewirkt, daß Nuten bzw. Rillen auf der
Zerstäuberoberfläche 102 ausgebildet
werden, wie dies mit gepunkteten Linien dargestellt bzw. illustriert
ist.
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Ein
Erfolg in der Zerstäuberbeschichtung von
Dünnfilmmaterialien,
insbesondere einer Zerstäubungs-
bzw. Sputterbeschichtung von dünnen Filmen
in der magnetischen Datenspeicherindustrie, ist hoch von einer effektiven
Wärmeverteilung
bzw. -ableitung abhängig.
Spezifisch erhöhen
hohe Temperaturen auf einem Zerstäubertarget die Geschwindigkeit
bzw. Rate, bei welcher ein Sputtern auftritt, und bewirken die Gleichmäßigkeit
einer Dünnfilmabschichtung.
Wenn ein Sputtern zu schnell stattfindet, wird die verwendbare bzw.
nützliche
Lebensdauer eines speziellen Zerstäubertargets absinken, was in höheren Ersatzkosten
und häufigeren
Systemtotzeiten resultiert. Darüber
hinaus kann, wenn das Zerstäubertarget
zu heiß wird,
die Verbindung zwischen den unterschiedlichen Materialien, umfassend
das Zerstäubertarget,
schmelzen, was die Effizienz des Zerstäubungsverfahrens verschlechtert
und unnotwendige Unterbrechungen des Zerstäubungsverfahrens bewirkt.
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Konventionelle
Zerstäubertargets
haben eine selektive Steuerung bzw. Regelung bzw. Kontrolle über das
Kühlen
des Zerstäubertargets
außer durch
ein Modifizieren der Zerstäubungsausrichtung oder
durch ein Auswählen
von Abstütz- bzw. Rückseitenmaterialien
mit wünschenswerten
Wärmerückhalteeigenschaften
nicht verbessert. Dementsprechend ist es wünschenswert, ein Verfahren
zum Steuern bzw. Regeln bzw. Kontrollieren eines Kühlens von
Zerstäubertargets
während
eines Sputterns bzw. Zerstäubens
zur Verfügung
zu stellen. Insbesondere ist es wünschenswert, ein Verfahren
zum selektiven Steuern bzw. Regeln des Kühlens von spezifischen Orten
bzw. Stellen auf der Hauptoberfläche eines
Zerstäubertargets
durch eine Oberflächen-Bereichs-
bzw. -Flächenänderung
der Rückseitenoberfläche zur
Verfügung
zu stellen, um eine Zerstäubungs-
bzw. Sputtersicherheit und Effizienz zu verbessern.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Das
Aufbauen von Wärme
ist ein inhärenter Nebeneffekt
des Zerstäubungs-
bzw. Sputterverfahrens. Zu viel Wärme kann die Lebensdauer bzw.
den Lebenszyklus eines Sputtertargets negativ beeinflussen und eine
Gleichmäßigkeit
der Dünnfilmabscheidung
verschlechtern. In diesem Hinblick richtet sich eine Ausbildung
der Erfindung auf Nachteile, die in konventionellen Zerstäubertargets
gefunden wurden, insbesondere im Hinblick auf jene Nachteile, welche sich
auf den Aufbau von Wärme
auf einem Zerstäubertarget
während
eines Sputterns beziehen.
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In
einem Aspekt der Erfindung wird ein Sputtertarget bzw. Zerstäubertarget,
in welchem Kühlgeschwindigkeiten
bzw. -raten selektiv durch eine Oberflächen-Flächenveränderung gesteuert bzw. geregelt bzw.
kontrolliert werden, hergestellt, indem eine Zerstäuber- bzw.
Sputteroberfläche
und eine Rückseitenoberfläche abgewandt
von der Zerstäuberoberfläche erzeugt
bzw. generiert sind bzw. werden. Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
wenigstens einen ersten texturierten Bereich, wobei der erste texturierte
Bereich beim Kühlen
eines Bereichs des Zerstäubertargets
benachbart zu dem ersten texturierten Bereich hilft, indem eine
Wärmeverteilung
bzw. -ableitung bewirkt wird bzw. ist.
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Indem
der Oberflächenbereich
eines texturierten Bereichs manipuliert wird, kann die Kühlgeschwindigkeit
bzw. -rate an spezifischen Bereichen eines Zerstäubertargets gesteuert bzw.
geregelt bzw. kontrolliert werden, und das Verschleißmuster
des Zerstäuberbereichs
kann gesteuert bzw. geregelt werden. Beispielsweise kann, indem
die Kühlgeschwindigkeit
an ausgewählten
Orten auf einem Zerstäubertarget
erhöht
wird, das Zerstäuberverfahren verlangsamt
werden, was in einer erhöhten
Lebensdauer für
ein spezifisches Zerstäubertarget
und in reduzierten Betriebskosten resultiert. Indem mehr als ein
texturierter Bereich beinhaltet bzw. aufgenommen ist, kann die Sputtergeschwindigkeit
bzw. Zerstäubungsrate
eingestellt oder zu unterschiedlichen Geschwindigkeiten bzw. Raten
an selektierten bzw. ausgewählten
Orten auf der Oberfläche
des Zerstäubertargets
verändert
werden, wodurch weiterhin eine Steuerung bzw. Regelung bzw. Kontrolle über das Zerstäuberverfahren
verbessert bzw. erhöht
wird.
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Die
Rückseitenoberfläche beinhaltet
auch wenigstens einen ersten nicht-texturierten Bereich. Indem ein
nicht-texturierter
Bereich an der Rückseitenoberfläche des
Zerstäubertargets
angeordnet wird, können
Kühlgeschwindigkeiten
abgesenkt werden oder an anderen Orten belassen werden. Nicht-texturierte
Bereiche bzw. Regionen können
auf Nicht-Zerstäuberbereichen
auf der Zerstäuberoberfläche zugekehrten
Oberflächen
angeordnet sein, welche häufig
kühler
als Zerstäuberbereiche
sind und folglich bei einer langsameren Geschwindigkeit verschleißen. Darüber hinaus
könnte
ein nicht-texturierter Bereich benachbart einer Vakuumdichtung angeordnet
sein, um eine Vakuumabdichtung auszubilden und einen Gas-Flüssigkeits-Austausch
am Auftreten zwischen dem Kühlfluid
und der Vakuumkammer zu hindern.
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Der
erste texturierte Bereich wird unter Verwendung eines Sandstrahlens,
statistischen bzw. zufälligen
Bearbeitens, Laserabtragung oder unter Verwendung einer Drehbank
generiert bzw. erzeugt. Jedes dieser Texturierverfahren stellt einen
texturierten Rückseitenbereich
mit einem erhöhten
Oberflächenbereich
gegenüber
einem polierten Rückseitenbereich
zur Verfügung.
Der Anstieg in dem Oberflächenbereich
bzw. der Oberflächenfläche erlaubt
einen größeren Kontakt
mit dem Kühlfluid,
das an dem ersten texturierten Bereich angewandt wird, was die Kühlgeschwindigkeit
bzw. -rate des Zerstäubertargets
an einem Ort zugekehrt bzw. abgewandt von dem ersten texturierten
Bereich erhöht.
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In
einem zweiten Aspekt ist die vorliegende Erfindung ein Zerstäubertarget,
in welchem Kühlgeschwindigkeiten
bzw. -raten selektiv gesteuert bzw. geregelt bzw. kontrolliert werden.
Das Zerstäubertarget
beinhaltet eine Zerstäuberoberfläche und
eine Rückseitenoberfläche entgegengesetzt
bzw. zugekehrt zu der Zerstäuberoberfläche, wo
die Rückseitenoberfläche weiterhin
wenigstens einen ersten texturierten Bereich beinhaltet. Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
wenigstens einen ersten nicht-texturierten Bereich.
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Der
texturierte Bereich hilft beim Kühlen
eines Bereichs des Zerstäubertargets
benachbart dem texturierten Bereich, indem eine Wärmeverteilung bewirkt
wird. Ein Texturieren der Rückseitenoberfläche des
Zerstäubertargets
erlaubt einen größeren Kontakt
mit Kühlfluiden,
was eine Wärmeverteilung bzw.
-ableitung erhöht.
Das Zerstäubertarget
kann kreisförmig,
rechteckig bzw. rechtwinkelig oder hexagonal ausgebildet sein.
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Während eines
Sputterns bzw. Zerstäubens entwickelt
sich die intensive Wärme
in dem Zerstäubertarget
aufgrund der Kollisionen zwischen den Ionen und Atomen des Targetmaterials
in dem Zerstäuberbereich.
Als eine Konsequenz der ansteigenden Temperatur steigt die Rate,
mit welcher ein Zerstäuben
stattfindet, was weiter die Menge an ausgestoßenem Ziel- bzw. Targetmaterial
von dem Zerstäuberbereich
erhöht.
Dies bewirkt wiederum einen erhöhten
Ver schleiß auf
dem Zerstäuberbereich,
was die verwendbare Lebensdauer des Zerstäubertargets verkürzt.
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Indem
der texturierte Bereich abgewandt von der Zerstäuberfläche zur Verfügung gestellt
wird, wird Wärme
von dem texturierten Bereich mit bzw. bei einer erhöhten Geschwindigkeit
verteilt bzw. abgeleitet, was die Zerstäuberfläche selektiv kühlt. Ein Steuern
bzw. Regeln bzw. Kontrollieren der Kühlgeschwindigkeit der Zerstäuberfläche durch
eine Änderung
des Oberflächenbereichs
der Rückseitenoberfläche erlaubt
es dem Zerstäuberbereich
bzw. der Zerstäuberfläche, schneller,
langsamer oder bei derselben Geschwindigkeit wie die Nicht-Zerstäuberbereiche
bzw. -flächen
des Zerstäubertargets
gekühlt zu
werden.
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In
einer alternativen Anordnung beinhaltet die Zerstäuberoberfläche weiterhin
einen Zerstäuberbereich
für ein
Zerstäuben
und wenigstens einen ersten Nicht-Zerstäuberbereich, und der texturierte Bereich
ist abgewandt von dem Nicht-Zerstäuberbereich. Die Zerstäubungsgeschwindigkeit
kann an jedem ausgewählten
Bereich bzw. jeder ausgewählten Fläche über die
gesamte Zerstäuberoberfläche gesteuert
bzw. geregelt werden, nicht lediglich an der Zerstäuberfläche.
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Das
Zerstäubertarget
besteht aus entweder einer Metallegierung oder einem keramischen
Material, obwohl eine Ausbildung der vorliegenden Erfindung mit
Material mit hoher thermischer Leitfähigkeit, wie Metalle, eher
als jene mit einer niedrigen thermischen Leitfähigkeit, wie Keramiken, betreffen
bzw. beeinflussen wird.
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Der
texturierte Bereich ragt entweder von der Rückseitenoberfläche vor
oder schneidet in die Rückseitenober fläche ein.
Darüber
hinaus ist der texturierte Bereich mit einer statistischen bzw.
zufälligen Textur,
wie einem Sandstrahlen, oder einem zufälligen Bearbeiten bzw. Maschinenbearbeiten
texturiert.
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In
dem Fall, wo ein Sputtertarget direkt durch einen Kontakt mit einem
abgekühlten
Fluid auf der Rückseitenoberfläche gekühlt wird,
hängt die
Kühlgeschwindigkeit
bzw. -rate des Zerstäubertargets von
der thermischen Leitfähigkeit
des Zerstäubertargets
ab. Da das Kühlfluid
schnell über
die Rückseitenoberfläche fließt, wird
das Kühlfluid
selbst nicht in einem merkbaren Ausmaß erhitzt. Als solche erhöht sich
durch ein Erhöhen
des Oberflächenbereichs
der Rückseitenoberfläche ein
Kontakt zwischen dem Kühlfluid
und dem Zerstäubertarget,
was das Ausmaß an
Wärme erhöht, die
in das Kühlfluid
in einem gegebenen Zeitintervall verteilt bzw. abgeleitet wird.
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Der
texturierte Bereich kann alternativ mit Kreuzschraffierungen, konzentrischen
Kreisen, rechteckigen Formen, parallelen Linien oder gekrümmten Linien
texturiert sein bzw. werden, wo die gekrümmten Linien einen schnellen
Fluß oder
einen turbulenten Fluß bzw.
Strom eines Kühlfluids
erleichtern, welches in Kontakt mit der Rückseitenoberfläche ist.
Gekrümmte
Linien können
Kanäle
ausbilden, die einen schnellen Fluß des Kühlfluids von einem Fluideinlaß zu einem
Fluidauslaß erleichtern,
oder die gekrümmten
Linien können
grobe Spots bzw. Punkte senkrecht zu der Richtung eines Flusses
des kühlenden
bzw. Kühlfluids
ausbilden, was einen turbulenten Strom erleichtert.
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In
einem dritten Aspekt ist die vorliegende Erfindung eine Zerstäuber- bzw.
Sputtertargetanordnung, in welcher Kühlgeschwindigkeiten bzw. -raten selektiv
durch eine Oberflächen-Flächenveränderung
gesteuert bzw. geregelt bzw. kontrolliert werden. Die Zerstäubertargetanordnung
beinhaltet ein Zerstäubertarget,
wo das Zerstäubertarget
darüber
hinaus eine Zerstäuberoberfläche und
eine Rückseitenplatte
beinhaltet, wo die Rückseitenplatte
weiterhin eine Rückseitenoberfläche beinhaltet.
Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
darüber
hinaus wenigstens einen ersten texturierten Bereich. Das Zerstäubertarget
und die Rückseitenplatte
sind miteinander derart verbunden, daß die Zerstäuberoberfläche zu der Rückseitenoberfläche abgewandt
bzw. entgegengesetzt ist. Der texturierte Bereich hilft im Kühlen eines Bereichs
der Zerstäubertargetanordnung
benachbart dem texturierten Bereich, indem eine Wärmeverteilung
bzw. -ableitung bewirkt wird.
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Typischerweise
sind Zerstäubertargets
an Rückseitenplatten
gebunden bzw. mit diesen verbunden, um den Effekt des Kühlfluids
zu erhöhen.
Die Zerstäuberoberfläche wird
auf einem Zerstäubertarget
generiert und die Rückseitenoberfläche kann
auf einer Rückseitenplatte
generiert bzw. erzeugt sein, um den Oberflächenbereich der Rückseitenplatte und
folglich der gesamte Zerstäubertargetanordnung zu
erhöhen.
Das Zerstäubertarget
und die Abstützungs-
bzw. Rückseitenplatte
sind miteinander vor oder nach der Erzeugung der Sputteroberfläche oder der
Rückseitenoberfläche verbunden
bzw. gebondet.
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In
einem weiteren Aspekt ist die vorliegende Erfindung ein Verfahren
zum Herstellen einer Zerstäubertargetanordnung,
in welcher Kühlgeschwindigkeiten
bzw. -raten selektiv durch eine Oberflächen-Flächenveränderung gesteuert bzw. geregelt bzw.
kontrolliert werden. Das Verfahren beinhaltet die Schritte eines
Generierens bzw. Erzeugens einer Zerstäubungs- bzw. Sputteroberfläche auf
einem Zerstäubertarget
und eines Generierens einer Rückseitenoberfläche auf
einer Rückseitenplatte,
wo die Rückseitenoberfläche wenigstens
einen ersten texturierten Bereich beinhaltet. Das Verfahren beinhaltet auch
den Schritt eines Verbindens bzw. Bondens des Zerstäubertargets
und der Rückseitenplatte
miteinander, so daß die
Zerstäuberoberfläche der
Rückseitenoberfläche abgewandt
ist. Der erste texturierte Bereich hilft beim Kühlen eines Bereichs bzw. einer Region
der Zerstäubertargetanordnung
benachbart zu dem ersten texturierten Bereich, indem eine Wärmeverteilung
bewirkt wird.
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In
der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausbildung wird auf die
beiliegenden Zeichnungen bezug genommen, welche ein Teil davon bilden
und in welchen anhand einer Illustration eine spezifische Ausbildung
gezeigt ist, in welcher die Erfindung ausgebildet bzw. praktiziert
werden kann. Es ist zu verstehen, daß andere Ausbildungen verwendet
werden können
und Änderungen
gemacht werden können,
ohne vom Rahmen der vorliegenden Erfindung abzugehen.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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Es
wird nun auf die Zeichnungen Bezug genommen, in welchen gleiche
Bezugszeichen durchgehend korrespondierende bzw. entsprechende Teile bezeichnen:
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1 zeigt
ein Beispiel eines konventionellen Zerstäuber- bzw. Sputtertargets;
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2 zeigt
das externe Aussehen einer Ausführung
der vorliegenden Erfindung;
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3 zeigt
Beispiele des texturierten Bereichs auf einem kreisförmigen Zerstäubertarget;
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4 zeigt
ein Beispiel des texturierten Bereichs auf einem rechteckigen Zerstäubertarget;
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5 ist
eine nahe Illustration des texturierten Bereichs unter Verwendung
von drei möglichen Texturmustern;
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6A und 6B illustrieren
die räumliche Beziehung
zwischen einem Zerstäubertarget,
das einen texturierten Bereich mit einer gekrümmten Linientextur aufweist,
und dem Fluß bzw.
Strom einer Kühlflüssigkeit;
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7 zeigt
ein Beispiel einer Zerstäubungs- bzw.
Sputteroberfläche
und einer Rückseitenoberfläche gemäß der Ausbildung
von 2;
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8 zeigt
ein zusätzliches
Beispiel einer Zerstäuberoberfläche und
einer Rückseitenoberfläche gemäß einer
bevorzugten Ausbildung der vorliegenden Erfindung;
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9 ist
ein Flußdiagramm,
das das Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubertargets zeigt, in welchem
Kühlgeschwindigkeiten
bzw. -raten selektiv durch eine Oberflächen-Bereichs- bzw. -Flächenveränderung gesteuert bzw. geregelt
bzw. kontrolliert werden;
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10 zeigt
ein Beispiel eines externen Aussehens einer zweiten Ausbildung der
vorliegenden Erfindung; und
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11 ist
ein Flußdiagramm,
das das Verfahren zum Herstellen einer Zerstäubertargetanordnung zeigt,
in welcher Kühlgeschwindigkeiten
selektiv durch eine Oberflächen-Flächenveränderung
gesteuert bzw. geregelt sind bzw. werden.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG
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Ausführungen
der vorliegenden Erfindung erlauben eine verbesserte Steuerung bzw.
Regelung bzw. Kontrolle über
das Kühlen
eines Zerstäuber- bzw.
Sputtertargets und ein Verlängern
der verwendbaren Lebensdauer eines Zerstäuber targets, indem das Kühlen des
Zerstäubertargets
an ausgewählten Bereichen
durch eine Oberflächen-Bereichs-
bzw. -Flächenänderung
gesteuert bzw. geregelt bzw. kontrolliert wird.
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2 zeigt
das externe und äußere Aussehen
eines Zerstäubertargets
gemäß einer
Ausbildung der vorliegenden Erfindung. Kurz gesagt, bezieht sich
eine Ausbildung der vorliegenden Erfindung auf das Zerstäubertarget,
in welchem Kühlgeschwindigkeiten
bzw. -raten selektiv durch eine Oberflächen-Flächenveränderung gesteuert bzw. geregelt werden.
Das Zerstäubertarget
beinhaltet eine Zerstäuberoberfläche und
eine Rückseitenoberfläche gegenüberliegend
bzw. abgewandt von der Zerstäuberoberfläche, wo
die Rückseitenoberfläche darüber hinaus
wenigstens einen texturierten Bereich beinhaltet. Der texturierte
Bereich hilft beim Kühlen
eines Bereichs bzw. einer Region des Zerstäubertargets benachbart zu dem
texturierten Bereich, indem eine Wärmeverteilung bzw. -ableitung
bewirkt wird bzw. ist.
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In
größerem Detail
beinhaltet das Zerstäubertarget 201 eine
Zerstäuberoberfläche 202,
wo die Zerstäuberoberfläche 202 weiterhin
einen Zerstäuberbereich 204 zum
Sputtern bzw. Zerstäuben
und Nicht-Zerstäuberbereiche 205 beinhaltet.
Das Zerstäubertarget 201 beinhaltet
auch eine Rückseitenoberfläche 206 abgewandt
von der Zerstäuberoberfläche 202.
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Die
Rückseitenoberfläche 206 beinhaltet
texturierte Bereiche bzw. Regionen 210. Die texturierten Bereiche 210 helfen
beim Kühlen
eines Bereichs des Zerstäubertargets 201 benachbart
zu texturierten Bereichen 210 durch eine Wärmeverteilung.
Die Rückseitenoberfläche 206 beinhaltet
auch wenigstens einen nicht-texturierten Bereich 212. In
einer alternativen Anordnung wird der nicht-texturierte Bereich 212 weggelassen,
und texturierte Bereiche 210 decken die gesamte Oberfläche der
Rückseitenoberfläche 206 ab.
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Das
Zerstäubertarget 201 besteht
aus einer Metallegierung und/oder einem keramischen Material, und
kann von jeder Form sein, beinhaltend, jedoch nicht beschränkt auf
eine kreisförmige,
rechteckige oder hexagonale Form. Eine Ausbildung der vorliegenden
Erfindung wird Materialien mit hoher thermischer Leitfähigkeit,
wie Metalle, eher als jene mit einer niedrigen thermischen Leitfähigkeit,
wie Keramiken, betreffen.
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Vor
einem Zerstäuben
wird das Zerstäubertarget 201 in
einer Vakuumkammer angeordnet und auf einen ringförmigen Support
(nicht dargestellt bzw. gezeigt) geklemmt. Eine luftdichte und wasserdichte Abdichtung
wird zwischen einer Dichtung (nicht gezeigt) auf der oberen Seite
des ringförmigen
oder rechteckig geformten Supports und der Rückseitenoberfläche 206 ausgebildet.
Ein Kühlfluid,
wie Wasser, wird in den Hohlraum gepumpt, der durch den Support
bzw. die Abstützung
ausgebildet ist, und das Kühlfluid
absorbiert die verteilte Wärme,
welche auf der Zerstäuberoberfläche 202 generiert
ist bzw. wird.
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Die
texturierten Bereiche 210 können mit zahlreichen unterschiedlichen
Texturformen bzw. -gestalten texturiert werden, beinhaltend, jedoch nicht
beschränkt
auf konzentrische Kreise, Kreuzschraffierungen, rechteckige Formen,
parallele Linien, gekrümmte
Linien und/oder statistische bzw. zufällige Texturen, wie Sandstrahlen
oder statistisches Bearbeiten. Gekrümmte Linien auf den texturierten Bereichen 210 können einen
schnellen Fluß und/oder
tur bulenten Strom eines Kühlfluids
erleichtern, welches in Kontakt mit einer Rückseitenoberfläche ist.
Die texturierten Bereiche 210 können von der Rückseitenoberfläche vorragen
und/oder in diese einschneiden.
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Jedes
dieser Texturverfahren stellt einen texturierten Rückseitenbereich
mit einem erhöhten Oberflächenbereich
gegenüber
einem polierten Rückseitenbereich
zur Verfügung.
Der Anstieg in einer Oberflächenfläche ermöglicht einen
größeren Kontakt
zu dem Kühlfluid,
das auf die texturierten Bereiche 210 aufgebracht bzw.
angewandt ist, wobei dies die Kühlgeschwindigkeit
bzw. -rate des Zerstäubertargets
an einem Ort abgewandt von den texturierten Bereichen 210 erhöht.
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Indem
ein nicht-texturierter Bereich auf der Rückseitenoberfläche des
Zerstäubertargets
angeordnet wird, können
Kühlgeschwindigkeiten
verringert oder an gewählten
Orten bzw. Stellen alleine bzw. unverändert gelassen werden. Nicht-texturierte Bereiche
können
an einer abgewandten Oberfläche zu
Nicht-Zerstäuberbereichen
auf der Zerstäuberoberfläche angeordnet
sein, welche häufig
kühler
als Zerstäuberbereiche
sind und folglich bei einer langsameren Geschwindigkeit verschleißen. Darüber hinaus
könnte
ein nicht-texturierter Bereich benachbart zu einer Vakuumabdichtungsdichtung
angeordnet sein, um eine Vakuumabdichtung zu bewirken und einen
Gas-Flüssigkeits-Austausch
am Auftreten zwischen dem Kühlfluid
und der Vakuumkammer zu hindern.
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Indem
der Oberflächenbereich
eines texturierten Bereichs manipuliert wird, kann die Kühlgeschwindigkeit
bei spezifischen Bereichen des Zerstäubertargets selektiv ge steuert
bzw. geregelt bzw. kontrolliert werden. Indem die Kühlgeschwindigkeit an
ausgewählten
Orten des Zerstäubertargets
erhöht wird,
verteilt sich die Wärme
schneller und das Zerstäuberverfahren
verlangsamt sich. Als ein Ergebnis wird die verwendbare Lebensdauer
eines spezifischen Zerstäubertargets
erstreckt und Betriebskosten werden reduziert.
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Texturierte
Bereiche 210 sind vom Zerstäubertarget 204 abgewandt.
In einer alternativen Ausbildung sind die texturierten Bereiche 210 zu Nicht-Zerstäubertargets 205 abgewandt.
Es ist vorteilhaft, nicht-texturierte Bereiche abgewandt zu Nicht-Zerstäuberbereichen
auf der Zerstäuberoberfläche anzuordnen,
welche häufig
kühler
als Zerstäuberbereiche
sind und welche typischerweise bei einer langsameren Geschwindigkeit
verschleißen.
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Der
Zerstäuberbereich
ist der heißeste
Abschnitt der Zerstäuberoberfläche 202 aufgrund
der Kollisionen zwischen Ionen in dem Plasma und Atomen auf dem
Zerstäubertarget.
Die Zerstäubungsgeschwindigkeit
steigt, wenn Temperaturen ansteigen, was einen erhöhten Verschleiß auf dem
Zerstäuberbereich
bewirkt. Indem der texturierte Bereich abgewandt bzw. zugekehrt
zu dem Zerstäuberbereich
angeordnet wird, kann Wärme
bzw. Hitze schnell von dem texturierten Bereich verteilt bzw. abgeleitet
werden, was selektiv den Zerstäuberbereich
abkühlt
und einen Verschleiß absenkt
bzw. verringert. Indem der texturierte Bereich abgewandt zu dem
Zerstäuberbereich
angeordnet ist, kann die Kühlgeschwindigkeit des
Zerstäuberbereichs
fein abgestimmt werden, was dem Zerstäuberbereich erlaubt, schneller,
langsamer oder mit derselben Geschwindigkeit wie Nicht-Zerstäuberbereiche
des Zerstäubertargets
abgekühlt
zu werden.
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In
dem Fall, wo ein Zerstäubertarget
direkt durch einen Kontakt mit einem abgekühlten bzw. abgeschreckten Fluid
auf der Rückseitenoberfläche gekühlt wird,
hängt die
Kühlgeschwindigkeit
des Zerstäubertargets
von der thermischen Leitfähigkeit
des Zerstäubertargets
ab. Da das Kühlfluid
schnell über die
Rückseitenoberfläche fließt, wird
das Kühlfluid selbst
nicht mit einem merkbaren Ausmaß erhitzt.
Als solches steigt, indem der Oberflächenbereich der Rückseitenoberfläche erhöht wird,
ein Kontakt zwischen dem Kühlfluid
und dem Zerstäubertarget
an, wodurch das Ausmaß an
Wärme ansteigt,
die in das Kühlfluid
pro Einheitszeit bzw. Zeiteinheit verteilt wird.
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3 zeigt
Beispiele des texturierten Bereichs auf einem kreisförmigen Zerstäubertarget. Spezifisch
illustriert 3 ein kreisförmiges Zerstäubertarget 201 mit
einer Rückseitenoberfläche 206, die
entweder einen Texturbereich mit paralleler Linie oder einen konzentrischen
ovalen Texturbereich aufweist. In beiden dargestellten bzw. illustrierten
Beispielen decken die texturierten Bereiche 210 die Gesamtheit
der Rückseitenoberfläche 206 ab.
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4 zeigt
ein Beispiel des texturierten Bereichs auf einem rechteckigen Zerstäubertarget. Spezifisch
illustriert 4 ein rechteckig geformtes Zerstäubertarget 201 mit
einer Rückseitenoberfläche 206,
wobei die texturierten Bereiche 210 parallele gekrümmte Linien
aufweisen. Die texturierten Bereiche 210 decken die Gesamtheit
der Rückseitenoberfläche 206 ab.
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5 ist
eine Nah-Darstellung des texturierten Bereichs unter Verwendung
von drei möglichen Texturmustern.
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Insbesondere
zeigt 5 ein Seitenprofil einer Rückseitenoberfläche 206,
um die Höhen-
oder Tiefentexturierung zu demonstrieren in bezug auf einen nicht-texturierten
Bereich auf der Rückseitenoberfläche 206.
In dem Fall, wo der texturierte Bereich 210 unter Verwendung
einer Schneidvorrichtung, wie einer Drehbank oder einem Laserschneidwerkzeug, texturiert
wird, kann die Querschnittsform eines Schnitts eine dreieckige Form
bzw. Gestalt, rechteckige Form oder Bogenform (nicht dargestellt)
sein. Darüber
hinaus können
die texturierten Bereiche 210 von der Rückseitenoberfläche 206 vorragen und/oder
in diese geschnitten sein.
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6A und 6B illustrieren
die räumliche Beziehung
zwischen einem texturierten Bereich mit gekrümmter Linie auf einem Zerstäubertarget
und dem Fluß einer
Kühlflüssigkeit.
Spezifisch wurde in 6A ein rundes Zerstäubertarget 201 in
einer Vakuumkammer montiert bzw. festgelegt, wie dies oben vollständiger beschrieben
wurde. Das Kühlfluid,
welches auf der Rückseitenoberfläche 206 aufgebracht ist
bzw. wird, tritt in eine Kammer unter dem Zerstäubertarget 201 über einen
Fluideinlauf bzw. -einlaß 601 ein
und tritt aus der Kammer unter dem Zerstäubertarget 201 über einen
Fluidauslaß 602 aus.
Wie dies in 6A und 6B dargestellt
ist, fließt
das Kühlfluid
allgemein in einer Richtung von rechts nach links unterhalb des
Zerstäubertargets 201 von
dem Fluideinlaß 601 zu
dem Fluidauslaß 602.
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Die
texturierten Bereiche 210 können verwendet werden, um einen
schnellen Fluß oder
turbulenten Fluß des
Kühlfluids
zu erleichtern. In 6A sind die texturierten Bereiche 210 mit
gekrümmten
Linien texturiert, wo die gekrümmten
Linien allgemein parallel zu dem Fluid des Kühl fluids sind und wo die gekrümmten Linien
von einem Bereich über
dem Fluideinlaß 601 und
dem Fluidauslaß 602 ausgehen
und enden. Als solche bilden die texturierten Bereiche 210 Kanäle aus,
in welchen das Kühlfluid
fließen kann,
was einen glatten und schnellen Fluß des Kühlfluids von dem Fluideinlaß 601 zu
dem Fluidauslaß 602 erleichtert.
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In 6B sind
die texturierten Bereiche 210 mit gekrümmten Linien texturiert, wo
die gekrümmten Linien
allgemein senkrecht zu dem Fluß des
Kühlfluids
sind. In diesem Hinblick erzeugen die texturierten Bereiche 210 grobe
bzw. rauhe Punkte bzw. Spots auf der Rückseitenoberfläche 206,
in welchen Kanäle von
Kühlfluid
nicht ausgebildet sind bzw. werden, was den turbulenten Strom des
Kühlfluids
erleichtert, welches in Kontakt mit der Rückseitenoberfläche 206 ist.
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7 zeigt
ein Beispiel einer Zerstäuberoberfläche und
einer Rückseitenoberfläche gemäß der Ausbildung
von 2. 7 illustriert eine Draufsicht
und eine Bodenansicht des Zerstäubertargets 201,
welche eine Zerstäuberoberfläche 202 zeigen, wobei
die Zerstäuberoberfläche 202 weiterhin
einen Zerstäuberbereich 204 zum
Zerstäuben
bzw. Sputtern und einen Nicht-Zerstäuberbereich 205 beinhaltet.
Das Zerstäubertarget 201 beinhaltet
auch eine Rückseitenoberfläche 206 abgewandt
von bzw. zugekehrt zu der Zerstäuberoberfläche 202,
wo die Rückseitenoberfläche 206 texturierte
Bereiche 210, einen nicht-texturierten Bereich 212 und
einen zweiten nicht-texturierten Bereich 701 beinhaltet.
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Die
texturierten Bereiche 210 sind dem Zerstäuberbereich 204 abgewandt.
Als solche helfen die texturierten Bereiche 210 beim Kühlen eines
Bereichs des Zerstäubertargets 201 benachbart
den texturierten Bereichen 210 durch eine Wärmeverteilung.
Indem die texturierten Bereiche 210 abgewandt von der Zerstäuberfläche angeordnet
sind, kann Wärme,
welche sich auf dem Zerstäuberbereich
bzw. einer Zerstäuberfläche 204 aufgebaut
hat, schnell verteilt bzw. abgeleitet werden, was selektiv den Zerstäuberbereich 204 kühlt und
einen Gesamtverschleiß des
Zerstäubertargets 201 absenkt.
Indem die texturierten Bereiche 210 abgewandt von dem Zerstäuberbereich 204 angeordnet
sind, kann die Kühlgeschwindigkeit
bzw. -rate der Zerstäuberfläche 204 fein
eingestellt werden, was dem Zerstäuberbereich 204 ermöglicht,
schneller, langsamer oder mit derselben Geschwindigkeit wie die
Nicht-Zerstäuberflächen bzw.
-bereiche des Zerstäubertargets 201 gekühlt zu werden.
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8 zeigt
andere Ausbildungen einer Zerstäuberoberfläche und
einer Rückseitenoberfläche gemäß einer
bevorzugten Ausbildung der vorliegenden Erfindung. Spezifisch illustriert 8 eine
zusätzliche
Drauf- und Bodenansicht des Zerstäubertargets 201, wobei
dies die Zerstäuberoberfläche 202 illustriert,
wo die Zerstäuberoberfläche 202 weiterhin eine
Zerstäuberfläche 204 zum
Zerstäuben
und Nicht-Zerstäuberflächen 205 beinhaltet.
Das Zerstäubertarget 201 beinhaltet
auch eine Rückseitenoberfläche 206 abgewandt
von der Zerstäuberoberfläche 202,
wobei die Rückseitenoberfläche 206 erste texturierte
Bereiche 210, einen zweiten texturierten Bereich 801,
einen dritten texturierten Bereich 802, einen nicht-texturierten
Bereich 212 und einen zweiten nicht-texturierten Bereich 803 beinhaltet.
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Kombiniert
sind die ersten texturierten Bereiche 210, der zweite texturierte
Bereich 801 und der dritte textu rierte Bereich 802 abgewandt
von der Zerstäuberfläche 204.
Ebenso wie dies bei der Anordnung von 7 der Fall
war, kann Wärme,
welche sich auf der Zerstäuberfläche 204 aufgebaut
hat, schnell durch ein Texturieren des Bereichs abgewandt von der
Zerstäuberfläche 204 verteilt
werden, was die verwendbare Lebensdauer des Zerstäubertargets 201 verlängert. In 8 wurde
jedoch eine Mehrzahl von unterschiedlichen Texturen auf der Rückseitenoberfläche 206 angebracht
bzw. angewandt, wo jeder texturierte Bereich eine diskrete bekannte
Kühlgeschwindigkeit
aufweist. In diesem Hinblick kühlen
die entsprechenden gewählten
Bereiche benachbart zu den ersten texturierten Bereichen 210, dem
zweiten texturierten Bereich 801 und dem dritten texturierten
Bereich 802 bei unterschiedlichen Geschwindigkeiten, was
ein Zerstäuben
bei unterschiedlichen Geschwindigkeiten innerhalb des Zerstäuberbereichs
auftreten läßt. In diesem
Hinblick ist die Kühlgeschwindigkeit
der Zerstäuberfläche 204 fein
eingestellt, was es ausgewählten
Abschnitten der Zerstäuberfläche 204 ermöglicht,
schneller, langsamer oder bei derselben Geschwindigkeit wie die Nicht-Zerstäuberflächen des
Zerstäubertargets 201 oder
unterschiedliche Bereiche innerhalb der Zerstäuberfläche 204 gekühlt zu werden.
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9 ist
ein Flußdiagramm,
das das Verfahren zum Herstellen eines Zerstäubertargets zeigt, in welchem
Kühlgeschwindigkeiten
selektiv durch Oberflächen-Flächenveränderung
gemäß einem
zusätzlichen
Aspekt der vorliegenden Erfindung kontrolliert bzw. geregelt werden.
Kurz gesagt wird eine Zerstäuberoberfläche generiert
und eine Rückseitenoberfläche wird
abgewandt von der Zerstäuberoberfläche generiert
bzw. erzeugt, wo die Rückseitenoberfläche wenigstens
einen ersten texturierten Bereich beinhaltet.
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Der
erste texturierte Bereich hilft beim Kühlen eines Bereichs des Zerstäubertargets
benachbart zu dem ersten texturierten Bereich, indem eine Wärmeverteilung
bzw. -ableitung bewirkt wird.
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In
größerem Detail
beginnt das Verfahren (Schritt S901) und eine Zerstäuberoberfläche wird generiert
(Schritt S902). Das Zerstäubertarget
wird aus zwei unterschiedlichen Targetmaterialien generiert bzw.
erzeugt, wo eine Zerstäubertargetanordnung
auf eine Abstütz-
bzw. Rückseitenplatte
geklemmt oder mit dieser verbunden wird, um den Kühleffekt
eines Kühlfluids
zu verbessern bzw. zu verstärken.
Als solches wird die Zerstäuberoberfläche auf
einem ersten Material generiert, wo die Zerstäuberoberfläche eine Zerstäuberfläche zum
Zerstäuben
und wenigstens eine erste Nicht-Zerstäuberfläche beinhaltet. Das Verfahren
zum Generieren einer Zerstäuberoberfläche auf
einem Zerstäubertarget
ist in der Materialtechnik gut bekannt.
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Eine
Rückseitenoberfläche wird
generiert bzw. erzeugt (Schritt S904). Die Rückseitenoberfläche wird
auf einem zweiten Material, wie einer Abstützungs- bzw. Rückseitenplatte,
generiert, um den Oberflächenbereich
der Rückseitenplatte
und der gesamten Targetanordnung zu vergrößern. Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
wenigstens einen ersten texturierten Bereich, wo der erste texturierte
Bereich beim Kühlen
eines Bereichs des Zerstäubertargets benachbart
dem ersten texturierten Bereich hilft, indem eine Wärmeverteilung
bewirkt wird. Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
auch wenigstens einen ersten nicht-texturierten Bereich.
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Indem
der Oberflächenbereich
des texturierten Bereichs manipuliert wird, kann die Kühlgeschwindigkeit
bzw. -rate eines spezifischen Bereichs eines Zerstäuber- bzw.
Sputtertargets kontrolliert bzw. geregelt bzw. gesteuert werden,
und das Verschleißmuster
der Zerstäuberfläche kann
kontrolliert bzw. gesteuert bzw. geregelt werden. Indem die Kühlgeschwindigkeit
an ausgewählten
Bereichen auf einem Zerstäubertarget
erhöht
wird, kann das Zerstäuberverfahren
verlangsamt werden, was in einer erstreckten Lebensdauer für ein spezielles
Zerstäubertarget
und in reduzierten Betriebskosten resultiert. Indem mehr als ein
texturierter Bereich beinhaltet ist, kann die Zerstäubergeschwindigkeit
eingestellt werden oder auf unterschiedliche Geschwindigkeiten an selektiven
Orten auf der Oberfläche
des Zerstäubertargets
eingestellt werden, was weiter eine Steuerung bzw. Regelung bzw.
Kontrolle über
das Zerstäubungsverfahren
erhöht.
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Der
erste texturierte Bereich wird unter Verwendung eines Verfahrens,
wie Sandstrahlen oder zufälliges
bzw. statistisches Bearbeiten, Laserabtragen oder unter Verwendung
einer Drehbank generiert. Der erste texturierte Bereich kann mit
zahlreichen unterschiedlichen Texturformen bzw. -gestalten texturiert
werden, beinhaltend, jedoch nicht beschränkt auf konzentrische Kreise
oder Ovale, Kreuzschraffierungen, rechteckige Formen, parallele Linien,
gekrümmte
Linien und/oder zufällige
Texturen. Gekrümmte
Linien auf dem ersten texturierten Bereich können einen schnellen Fluß oder einen
turbulenten Strom eines Kühlfluids
erleichtern, welches in Kontakt mit der Rückseitenoberfläche ist.
Der erste texturierte Bereich kann von der Rückseitenoberfläche vorragen
und/oder in diese geschnitten sein.
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Jedes
dieser Texturierverfahren stellt einen texturierten Rückseitenbereich
mit einem erhöhten Oberflächenbereich
gegenüber
einem polierten Rückseitenbereich
zur Verfügung.
Das Erhöhen
in einem Oberflächenbereich
erlaubt einen größeren Kontakt
zu dem Kühlfluid,
das auf den ersten texturierten Bereich aufgebracht bzw. angewandt
ist, was die Kühlgeschwindigkeit
des Zerstäubertargets
an einem Ort abgewandt von diesem ersten texturierten Bereich erhöht.
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10 zeigt
das äußere Aussehen
einer dritten Ausbildung der vorliegenden Erfindung. Kurz gesagt
bezieht sich eine Ausbildung der vorliegenden Erfindung auf eine
Zerstäubertargetanordnung, in
welcher Kühlgeschwindigkeiten
selektiv durch eine Oberflächen-Flächenveränderung
kontrolliert bzw. geregelt bzw. gesteuert sind bzw. werden. Die
Zerstäuber-
bzw. Sputtertargetanordnung beinhaltet ein Zerstäubertarget, wo das Zerstäubertarget
weiterhin eine Zerstäuberoberfläche und
eine Rückseitenplatte beinhaltet,
wo die Rückseitenplatte
weiterhin eine Rückseitenoberfläche beinhaltet.
Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
weiterhin wenigstens einen ersten texturierten Bereich. Das Zerstäubertarget
und die Rückseitenplatte
sind bzw. werden miteinander verbunden, so daß die obere Oberfläche von
der Rückseitenoberfläche abgewandt
ist. Der erste texturierte Bereich hilft beim Kühlen eines Bereichs bzw. einer
Region der Zerstäubertargetanordnung,
benachbart dem ersten texturierten Bereich, indem eine Wärmeverteilung
bzw. -ableitung bewirkt wird.
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Typischerweise
sind Zerstäubertargets
an Rückseitenplatten
gebunden, um den Effekt des Kühlfluids
zu erhöhen.
Die Zerstäuberoberfläche ist bzw.
wird auf einem Zerstäubertarget
generiert und die Rückseitenoberfläche kann auf
einer Rückseitenplatte
generiert bzw. erzeugt werden, um den Oberflächenbereich der Rückseitenplatte
und folglich der gesamten Zerstäubertargetanordnung
zu erhöhen. Das
Zerstäubertarget
und die Rückseitenplatte
sind bzw. werden miteinander vor oder nach der Generierung der Zerstäuberoberfläche oder
der Rückseitenoberfläche verbunden.
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In
größerem Detail
beinhaltet die Zerstäubertargetanordnung 1001 ein
Zerstäubertarget 1014, wobei
das Zerstäubertarget 1014 eine
Zerstäuberoberfläche 1002 beinhaltet.
Die Zerstäuberoberfläche 1002 beinhaltet
weiterhin eine Zerstäuberfläche 1004 zum
Zerstäuben
und einen ersten Nicht-Zerstäuberbereich 1005.
Die Zerstäubertargetanordnung 1001 beinhaltet
ebenfalls eine Rückseitenplatte 1015,
wo die Rückseitenplatte 1015 weiterhin
eine Rückseitenoberfläche 1006 beinhaltet.
Das Zerstäubertarget 1014 und
die Rückseitenplatte 1015 sind
miteinander verbunden, so daß die
Zerstäuberoberfläche 1002 von
der Rückseitenoberfläche 1006 abgewandt
ist.
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Die
Rückseitenoberfläche 1006 beinhaltet
einen texturierten Bereich 1010. Der texturierte Bereich 1010 hilft
beim Kühlen
eines Bereichs der Zerstäubertargetanordnung 1001 benachbart
dem texturierten Bereich 1010 durch eine Wärmeverteilung. Die
Rückseitenoberfläche 1006 beinhaltet
auch wenigstens einen nicht-texturierten Bereich 1012.
In einer alternativen Anordnung wird bzw. ist der erste nicht-texturierte Bereich 1012 weggelassen
und der texturierte Bereich 1010 bedeckt die gesamte Oberfläche der
Rückseitenoberfläche 1006.
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Das
Zerstäubertarget 1014 besteht
aus einer Metallegierung und/oder einem keramischen Material und
kann von jeder Form sein, beinhaltend, jedoch nicht beschränkt auf
kreisförmige,
rechteckige und hexagonale Form. Eine Ausbildung der vorliegenden Erfindung
wird Materialien mit hoher thermischer Leitfähigkeit, wie Metalle, mehr
als jene mit niedrigerer thermischer Leitfähigkeit, wie Keramiken, betreffen.
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Vor
einem Zerstäuben
wird die Zerstäubertargetanordnung 1001 in
einer Vakuumkammer angeordnet und auf einen ringförmigen Support
(nicht gezeigt) geklemmt. Eine luftdichte und wasserdichte Dichtung
wird zwischen einer Dichtung (nicht gezeigt) auf der Oberseite des
ringförmigen
oder rechteckig geformten Supports und der Rückseitenoberfläche 1006 ausgebildet.
Ein Kühlfluid,
wie Wasser, wird in den Hohlraum gepumpt, der durch den Support
gebildet ist, und das Kühlfluid
absorbiert die verteilte Wärme,
welche auf der Zerstäuberoberfläche 1002 generiert
ist bzw. wird.
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Der
texturierte Bereich 1010 kann mit zahlreichen unterschiedlichen
Texturformen texturiert sein, beinhaltend, jedoch nicht begrenzt
auf konzentrische Kreise, Kreuzschraffierungen, rechteckige Formen,
parallele Linien, gekrümmte
Linien und/oder zufällige
Texturen, wie Sandstrahlen oder zufälliges bzw. statistisches Bearbeiten.
Gekrümmte
Linien auf dem texturierten Bereich 1010 können einen
schnellen Fluß oder
einen turbulenten Strom eines Kühlfluids
erleichtern, welches in Kontakt mit der Rückseitenoberfläche ist.
Der texturierte Bereich 1010 kann von der Rückseitenoberfläche vorragen
und/oder in diese geschnitten sein.
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Der
texturierte Bereich 1010 ist dem Zerstäuberbereich 1004 abgewandt.
In einer alternativen Anordnung ist der texturierte Bereich 1010 von
dem ersten Nicht-Zerstäuberbereich 1005 abgewandt.
Es ist vorteilhaft, nicht-texturierte Bereiche von den Nicht-Zerstäuberbereichen
auf der Zerstäuberoberfläche abgewandt
anzuordnen, welche häufig
kühler als
Zerstäuberbereiche
sind und welche typischerweise bei einer langsameren Geschwindigkeit
verschleißen.
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11 ist
ein Flußdiagramm,
das das Verfahren zum Herstellen einer Zerstäubertargetanordnung, in welcher
Kühlgeschwindigkeiten
selektiv durch eine Oberflächen-Flächenveränderung
geregelt bzw. gesteuert bzw. kontrolliert sind, gemäß einem
zusätzlichen
Aspekt der vorliegenden Erfindung zeigt. Kurz gesagt ist bzw. wird
eine Zerstäuberoberfläche auf
einem Zerstäubertarget
generiert und eine Rückseitenoberfläche ist
bzw. wird auf einer Rückseitenplatte
generiert, wo die Rückseitenoberfläche wenigstens
einen ersten texturierten Bereich beinhaltet. Das Zerstäubertarget
und die Rückseitenplatte
sind miteinander verbunden, so daß die Zerstäuberoberfläche von der Rückseitenoberfläche abgewandt
ist. Der erste texturierte Bereich hilft beim Kühlen eines Bereichs bzw. einer
Region der Zerstäubertargetanordnung
benachbart zu dem ersten texturierten Bereich, indem eine Wärmeverteilung
bzw. -ableitung bewirkt wird.
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In
größerem Detail
beginnt das Verfahren (Schritt S1101) und eine Zerstäuberoberfläche wird auf
einem Zerstäubertarget
generiert (Schritt S1102). Die Zerstäuberoberfläche wird auf einem Zerstäubertarget
generiert, wo die Zerstäuberoberfläche einen Zerstäuberbereich
zum Zerstäuben
und wenigstens eine erste Nicht-Zerstäuberfläche beinhaltet. Das Verfahren
zum Generieren einer Zerstäuber oberfläche auf
einem Zerstäubertarget
ist in der Materialtechnik gut bekannt.
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Eine
Rückseitenoberfläche wird
auf einer Rückseitenplatte
(Schritt S1104) generiert. Die Rückseitenoberfläche wird
auf der Rückseitenplatte
generiert, um den Oberflächenbereich
der Rückseitenplatte
und der gesamten Targetanordnung zu vergrößern. Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
wenigstens einen ersten texturierten Bereich, wo der erste texturierte
Bereich beim Kühlen
eines Bereichs eines Zerstäubertargets
benachbart dem ersten texturierten Bereich hilft, indem eine Wärmeverteilung
bewirkt wird. Die Rückseitenoberfläche beinhaltet
auch wenigstens einen ersten nicht-texturierten Bereich.
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Das
erste Material und das zweite Material werden verbunden (Schritt
S1105) und das Verfahren endet (Schritt S1106). Das erste Material
und das zweite Material können
verbunden werden, indem physikalisch die zwei Materialien miteinander
verbunden werden, oder durch ein Klemmen. In alternativen Anordnungen
können
das erste Material und das zweite Material vor oder nach der Ausbildung
der Zerstäuberoberfläche oder
der Rückseitenoberfläche verbunden
bzw. gebondet werden.
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Die
Zerstäubertargetanordnung 1001 beinhaltet
ein Zerstäubertarget
und eine Rückseitenplatte,
die entlang einer Zwischen- bzw. Grenzfläche miteinander verbunden sind.
Das Verbinden von Materialien, wie Metallegierungen, ist in der
metallurgischen Technik gut bekannt. Zerstäubertargets werden typischerweise
aus zwei oder mehreren, verbundenen oder miteinander geklemmten
Materialien ausgebildet, um den Kühleffekt eines Kühlfluids
zu verstärken,
das auf die Rückseitenoberfläche aufgebracht
bzw. angewandt wird.
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Die
Erfindung wurde mit besonderen illustrativen Ausbildungen beschrieben.
Es ist zu verstehen, daß die
Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausbildungen beschränkt ist
und daß verschiedene Änderungen
und Modifikationen durch Fachleute in der Technik gemacht werden
können,
ohne von dem Rahmen der Erfindung abzugehen.